PERlCOBAAN II

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

2.1 Tujuan
1. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP).
2. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT.

2.2 Tinjauan Pustaka.

2.2.1 Transistor
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam
keran listrik, di mana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya
(FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber
listriknya.
Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitter (E)
dan collector (C). Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitter dapat
dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus input
Basis, yaitu pada keluaran tegangan dan arus output collector

2.2.2 BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor) tersusun atas tiga material
semikonduktor terdoping yang dipisahkan oleh dua sambungan pn. Ketiga
material semikonduktor tersebut dikenal dalam BJT sebagai emitter, base dan
collector. Daerah base merupakan semikonduktor dengan sedikit doping dan
sangat tipis bila dibandingkan dengan emitor maupun kolektor. Karena
strukturnya fisiknya yang seperti itu, terdapat dua jenis BJT. Tipe pertama terdiri
dari dua daerah n yang dipisahkan oleh daerah p (npn), dan tipe lainnya terdiri
dari dua daerah p yang dipisahkan oleh daerah n (pnp). Sambungan pn yang
menghubungkan daerah base dan emitter dikenal sebagai sambungan base-
emiter (base-emitter junction), sedangkan sambungan pn yang menghubungkan
daerah base dan kolektor dikenal sebagai sambungan base-collector (base-
collector junction).
 Gambar 2.1 Dua Jenis Bipolar Junction Transistor (BJT)

Gambar 2.1 menunjukkan simbol skematik untuk bipolar junction

transistor tipe npn dan pnp. Istilah bipolar digunakan karena adanya elektron dan
hole sebagai muatan pembawa (carrier) didalam struktur transistor.

Gambar 2.2 Simbol BJT tipe npn dan pnp

1. Pada gambar 2.3 NPN (Negatif – Positif – Negatif) atau N-Chanel.

Transistor tipe NPN ini dapat kita umpamakan dua buah diode yang
terminal positinya bertemu, kemudian pertemuannya itu dinamakan basis
(B) sedangkan yang 2 terminal lainnya adalah emitter (E) dan colector
(C).
 Gambar 2.3 BJT NPN

2. Pada gambar 2.4 PNP (Positif – Negatir – Positif) atau P-Chanel.

Transistor tipe PNP ini dapat kita umpamakan dua buah diode yang
terminal negatifnya bertemu, kemudian pertemuannya itu dinamakan
basis (B) sedangkan yang 2 terminal lainnya adalah emitter (E) dan
colektor (C).

Gambar 2.4 BJT PNP

Dengan hukum tegangan Kirchhoff :

−Vcc+ I B R B +V BE =0................................(2.1)

Perhatikan polaritas tegangan drop di RB. Arus basis IB menjadi :

V CC −V BE
I B= ............................................ (2.2)
RB

Dan

V BE =V B −V E...........................................(2.3)

1. Loop collector-emitter
V CE =V CC – I C RC.....................................(2.4)

V CE =V C −V E ..........................................(2.5)

Saturasi transistor Transistor saturasi jika junction base collector

tidak lagi di bias mundur

V CE =0 V ..................................................(2.6)
 V CC
I C sat= ................................................(2.7)
RC

2.2.3 Prinsip Kerja Transistor BJT

Npn dan pnp dalam mode operasi aktif transistor sebagai amplifier. Pada
kedua rangkaian, sambungan base-emiter (BE) dibias maju (forward-
biased) sedangkan sambungan base-kolektor (BC) dibias mundur (reverse-
biased).

Gambar 2.5 Forward-Reverse Bias pada BJT

Sebagai gambaran dan ilustrasi kerja transistor BJT, misalkan pada

transistor npn. Ketika base dihubungkan dengan catu tegangan positif dan emiter
dicatu dengan tegangan negatif maka daerah depletion BE akan menyempit.
Pencatuan ini akan mengurangi tegangan barrier internal sehingga muatan
mayoritas (tipe n) mampu untuk melewati daerah sambungan pn yang ada.
Beberapa hole dan elektron akan mengalami rekombinasi di daerah sambungan
sehingga arus mengalir melalui device dibawa oleh hole pada base(daerah tipe-
p) dan elektron pada emiter (daerah tipe-n ). Karena derajat doping pada emiter
(daerah tipe n) lebih besar daripada base (daerah tipe p), arus maju akan dibawa
lebih banyak oleh elektron. Aliran dari muatan minoritas akan mampu melewati
sambungan pn sebagai kondisi reverse bias tetapi pada skala yang kecil
sehingga arus yang timbul pun sangat kecil dan dapat diabaikan.
Elektron banyak mengalir dari emiter ke daerah base yang tipis. Karena
daerah base berdoping sedikit, elektron pada hole tidak dapat berekombinasi
seluruhnya tetapi berdifusi ke dalam daerah depletion BC. Karena base dicatu
negatif dan kolektor dicatu positif (reverse bias), maka depletion BC akan
melebar. Pada daerah depletion BC, elektron yang mengalir dari emitor ke base
akan terpampat pada daerah depletion BC. Karena pada daerah kolektor
terdapat muatan minoritas (ion positif) maka pada daerah sambungan BC akan
terbentuk medan listrik oleh gaya tarik menarik antara ion positif dan ion negatif
sehingga elektron tertarik kedaerah kolektor. Arus listrik kemudian akan mengalir
melalui device.

Gambar 2.6 Prinsip Kerja npn BJT

2.2.4 Bias dalam transistor BJT

Analisis atau disain terhadap suatu penguat transistor memerlukan
informasi mengenai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC. Kedua
mode tersebut bisa dianalisa secara terpisah. Dalam tahap disain maupun
sintesis, pilihan parameter untuk level DC yang dibutuhkan akan mempengaruhi
respon AC-nya. Demikian juga sebaliknya. Dengan itu didapat bebrapa
persamaan sebagai berikut :
VBE = 0,7 Volt................................... (2.8)
IE = (1+β) IB = Ic.............................. (2.9)
Ic = β IB........................................... (2.10)

Dalam mencari solusi dari suatu rangkaian, umumnya nilai arus basis IB
yang pertama dihitung. Ketika IB sudah diperoleh, hubungan persamaan di atas
bisa digunakan untuk mencari besaran yang diinginkan.
2.2.5 Fixed Bias
Rangkaian dibawah menggunakan transistor npn. Untuk transistor pnp,
persamaan dan perhitungan adalah serupa, tapi dengan arah arus dan polaritas
tegangan berlawanan.

Gambar 2.7 model Fxed Bias

Untuk analisis DC, rangkaian bisa di-isolasi (dipisahkan) dari input AC

dengan mengganti kapasitor dengan rangkaian terbuka (open circuit). Untuk
tujuan analisis, supply tegangan VCC bisa dipisahkan menjadi dua, masing-
masing untuk input dan output. Rangkaian pengganti DC menjadi :

Gambar 2.8 Rangkaian pengganti dc

2.3 Alat dan bahan yang digunakan

1. modul praktikum elektronika dasar.
2. Satu buah multimeter analog maupun digital.
3. Satu buah variable Power supply
4. Datasheet transistor yang digunakan
2.4 Langkah-langkah Percobaan
2.4.1 Testing kondisi BJT
1. Untuk BJT periksalah kondisi transistor, dengan cara memeriksa
diode emitor dan diode kolektor dari transistor.

Tabel 2.1 Resistansi dioda BJT

BJT Hambatan Dioda Keterangan

AVO Basis Basis
No No Keterangan
Type Meter Emitor Kolektor Baik Buruk
Seri
(Ω) Ohm (Ω) Ohm

1 BC54 NPN Digital

7
BC55
2 PNP Digital
7

2.4.2 Konfigurasi BJT

A. Fixed bias
1. sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya h fe transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.11
3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit
(agar transistor dingin).
4. Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari I B, IC,
VCE, dan VBE.
5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.2
 Gambar 2.11 Konfigurasi Fixed Bias

Tabel 2.2 Konfigurasi Fixed bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

(A) (A) (V) (V)

1
2

B. Voltage divider bias

1. sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.12
3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit
(agar transistor dingin).
Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari I B, IC,
VCE, dan VBE.
4. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.3
 Gambar 2.12. Konfigurasi Voltage divider bias

Tabel 2.3 Konfigurasi Voltage divider bias

No IB IC VCE VBE Β Keterangan

1
2
2.5 Data Hasil Percobaan
2.5.1 Resistansi Dioda BJT
Setelah melakukan testing Kondisi BJT dengan memeriksa transistor,
dengan memeriksa dioda emitter dan collector didapat hasil pada tabel 2.4
sebagai berikut.

Tabel 2.4 Resistansi Dioda BJT

BJT Hambatan Dioda Keterangan

AVO Basis Basis
No Keterangan
No Type Meter Emiter Kolektor Baik Buruk
Seri
(Ω) Ohm (Ω) Ohm

Analog - - - - - -
Karena
BC54 adanya
1 NPN
7 Digital 0,640 - 0,636 √ - hambatan
pada proses
pengukuran
2 BC55 PNP Analog - - - - - -
 Karena
adanya
7 Digital 0,631 - 0,636 √ - hambatan
pada proses
pengukuran

2.5.2 Konfigurasi Fixed Bias

Dari melakukan proses percobaan Konfigurasi fixed bias sesuai dengan
rangkaian pada gambar 2.11 didapat hasil pada tabel 2.5 sebagai berikut :

Tabel 2.5 Konfigurasi Fixed bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

(A) (A) (V) (V)

1 0,00012 0,00008 11,80 11,87 0,66 BC 547

2 0,00012 0,00008 0,623 0,623 0,66 BC557

2.5.3 Konfigurasi Voltage Divider Bias

Setelah melakukan proses percobaan pada Voltage divider bias sesuai
dengan rangkaian pada gambar 2.12 di dapat hasil pada tabel 2.6 sebagai
berikut.

Tabel 2.6 Konfigurasi Voltage divider bias

No IB IC VCE VBE Β Keterangan

(A) (A) (V) (V)

1 0,0048 0,12 0,363 2,95 25 BC 547

2 0,0048 0,12 11,99 0,750 25 BC557
2.6 Analisis Hasil Percobaan
2.6.1 Resistansi Dioda BJT
Sebuah Transistor dikatakan baik apabila adanya hambatan atau
mempunyai suatu nilai yang dapat ditampilkan pada alat ukur dan transistror
yang menampilkan nilai nol atau tak hingga maka transistor tersebut dikatakan
tidak baik karena hasilnya tidak dapat di definisikan, maka dalam proses
percobaan ini BJT jenis NPN (BC547) dan jenis PNP (BC557) yang diperiksa dan
didapat perolehan data pada tabel 2.7 sebagai berikut :

Tabel 2.7 Resistansi Dioda BJT

BJT Hambatan Dioda Keterangan

AVO Basis Basis
Keterangan
No No Seri Type Meter Emiter Kolektor Baik Buruk
(Ω) Ohm (Ω) Ohm

Karena
adanya
1 BC547 NPN
Digital 0,640 - 0,636 √ - hambatan
pada proses
pengukuran
 Karena
adanya
2 BC557 PNP
Digital 0,631 - 0,636 √ - hambatan
pada proses
pengukuran

Dari data hasil percobaan dapat dianalisis bahwa adanya hambatan pada
proses testing kondisi BJT, pada proses testing kondisi BJT jenis NPN (BC547)
didapat 0,640 Ω(Ohm) pada kaki emitter dan pada collector didapat 0,636
Ω(Ohm) yang diukur dengan menggunakan alat ukur AVO meter, maka transistor
dikatakan dalam kondisi baik karena sebuah transistor dikatakan dalam kondisi
baik jika adanya hambatan pada proses pengukuran atau menampilkan hasil
yang diukur pada alat ukur dan bila pada proses pengukuran transistor
menampilkan hasil nol atau tidak terdefinisikan maka kondisi sebuah transistor
dalam keadaan rusak, sesuai dengan teori tersebut dapat dibuktikan bahwa pada
proses testing BJT dikatakan dalam keadaan baik karena terdapat nilai pada kaki
emitter sebesar 0,640 Ω (Ohm) dan pada collector didapat hasil sebesar 0,636 Ω
(Ohm). Sesuai uraian diatas dapat disimpulkan bahwa percobaan sudah sesuai
dengan teori.
Sama seperti proses tadi bahwa pada testing kondisi BJT jenis PNP
(BC557) didapat 0,631 Ω(Ohm) pada kaki emitter dan pada collector didapat
0,636 Ω(Ohm) yang diukur dengan menggunakan alat ukur AVO meter, maka
transistor dikatakan dalam kondisi baik karena sebuah transistor dikatakan dalam
kondisi baik jika adanya hambatan pada sebuah transistor dalam proses
pengukuran atau menampilkan hasil yang diukur pada alat ukur, dan bila pada
proses pengukuran transistor menampilkan hasil nol atau tidak terdefinisikan
maka kondisi sebuah transistor dalam keadaan rusak, sesuai dengan teori
tersebut dapat dibuktikan bahwa pada proses testing BJT dikatakan dalam
keadaan baik karena terdapat nilai pada kaki emitter sebesar 0,631 Ω (Ohm) dan
pada collector didapat hasil sebesar 0,636 Ω (Ohm). Sesuai uraian diatas dapat
disimpulkan bahwa percobaan sudah sesuai dengan teori.

2.6.2 Konfigurasi Fixed Bias

 Rangkaian fixed bias (bias tetap), pada rangkaian transistor ini cukup
sederhana karena hanya terdiri dari dua resistor RB dan RC, kapasitor C1 dan
C2 yang berfungsi mengisolasi tegangan DC dari transistor ke tingkat sebelum
maupun sesudahnya, namun tetap mengalirkan sinya AC.

Gamb
ar 2.13 Konfigurasi Fixed Bias

Dalam perhitungan dapat digunakan persamaan 2.11, 2.12, 2.13 di

berikut ini :

VCC
IB= …………..................………….
RB
(2.11)

VCC
IC= ………….................………..…
RC
(2.12)

IC
β= …………….……........….……… (2.13)
IB

1. Pada BC547

Diketahui :

VCC : 12 volt
 RB : 100 KΩ (Ohm)

RC : 150 kΩ (Ohm)

A. Pada IB BC547 : B. Pada IC BC547 :

VCC VCC
IB= IC=
RB RC

12Volt 12 Volt
IB= IC=
100000 A 150000 A

IB=0,00012 IC=0,00008

C. Pada β BC547

IC
β=
IB

0,00008 A
β=
0,00012 A

β=0,66 A

2. Pada BC557

Diketahui :

VCC : 12 volt

RB : 100 KΩ (Ohm)

RC : 150 kΩ (Ohm)

A. Pada IB BC557 : VCC

IB=
RB
 12Volt VCC
IB= IC=
100000 A RC

IB=0,00012 12 Volt
IC=
150000 A
B. Pada IC BC557 :
IC=0,00008

C. Pada β BC557

IC
β=
IB

0,00008 A
β= =0,66 A
0,00012 A

Pada seluruh hasil perhitungan di atas didapat hasil yang dilihat pada
tabel 2.8 berikut

Tabel 2.8 Konfigurasi Fixed bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

(A) (A) (V) (V)
1 0,00012 0,00008 11,60 11,87 0,66 BC 547
2 0,00012 0,00008 10,0 0,623 0,66 BC 557

Maka dari hasi percobaan pengamatan konfigurasi Fixed Bias diatas

didapat sebuah hasil yang menunjukan dari basis (IB ), collector ( IC ), colector
emiter ( VCE ), basis emitter ( VBE ) dan di rangkum pada tabel 2.8 yang berupa
Basis (IB ) sebesar 0,00012 A, collector ( IC ) sebesar 0,00008 A, collector emitter
(VCE ) sebesar 11,60 V , basis emitter (VBE ) sebesar 11,87 V dan pada β didapat
hasil senilai 0,66 merupakan hasil dari BC547 dan pada basis collector 557
(BC557) didapat Basis( IB ) senilai 0,00012 A , collector ( IC ) senilai 0,00008 A ,
collector emitter (VCE ) senilai 10,0 V , basis emitter (VBE ) senilai 0,623 V dan
pada β = 0,66
Berdasarkan hasil pengukuran pada tabel 2.8 persamaan dan
perhitungan antara transistor PNP dan NPN adalah serupa, tapi dengan arah
arus dan polaritas tegangan berlawanan. Dimana pada PNP arah arus menuju
pada emitter sedangkan pada NPN arah arus menuju pada kolektor

2.6.3 Konfigurasi Voltage Divider Bias

Gambar 2.14 konfigurasi Voltage divider bias

Berdasarkan pada rangkaian pada gambar 2.14 yaitu pada BJT PNP
(BC557) dan BJT NPN (BC547), dengan input AC yang dilakukan saat
percobaan maka kapasitor diganti dengan rangkaian terbuka

Pada BJT (NPN) dan (PNP) di dapatkan hasil sama yang di rumuskan
pada persamaan 2.11, 2.12, 2.13 maka dapat dihitungkan sebagai berikut :

1. Pada BC547

A. Pada IB BC547 B. IC Pada BC547

VCC VCC
IB= IC=
RB RC

12 volt 12Volt
IB= IC=
2481,203 100

IB=0,0048 A IC=0,12
 C. RB Pada BC547

10000 x 3300 D. Pada BC547

RB=
10000+3300
IC
β=
IB
33000000
RB=
13300 0,12
β= =25
0,0048
RB=2481203

2. Pada BC557

A. IB Pada BC557 B. IC Pada BC557

VCC VCC
IB= IC=
RB RC

12 volt 12Volt
IB= IC=
2481,203 100

IB=0,0048 A IC=0,12 A

C. RB Pada BC557
D. β Pada BC557
10000 x 3300
RB= IC
10000+3300 β=
IB
33000000 0,12
RB= β=
13300 0,0048
β=25
RB=2481203

Tabel 2.9 Konfigurasi Voltage divider bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

(A) (A) (V) (V)

1 0,0048 0,12 0,638 2,95 25 BC 547

2 0,0048 0,12 11,99 0,150 25 BC557
 Maka dari hasi percobaan pengamatan konfigurasi Volltage Divider Bias
pada tabel 2.9 didapat sebuah hasil yang menunjukan dari basis (IB ), collector
(IC), colletor emitter ( VCE ), basis emitter ( VBE ) dan di rangkum pada tabel 2.10
yang berupa Basis (IB ) sebesar 0,0048 A, collector ( IC ) sebesar 0,0048 A,
collector emitter (VCE ) sebesar 0,636 V , basis emittor (VBE ) sebesar 2,95 V
dan pada β didapat hasil senilai 25 merupakan hasil dari BC547 dan pada basis
collector 557 (BC557) didapat Basis( IB ) senilai 0,0048 A , collector ( IC ) senilai
0,12 A , collector emitter (VCE ) senilai 11,99 V , basis emitter (VBE ) senilai 0,150
V dan pada β senilai 25
Berdasarkan hasil pengukuran diatas persamaan dan perhitungan antara
transistor PNP dan NPN adalah serupa, tapi dengan arah arus dan polaritas
tegangan berlawanan. Dimana pada PNP arah arus menuju pada emitter
sedangkan pada NPN arah arus menuju pada collector dan pada transistor jenis
NPN tegangan basis dan kolektornya positif terhadap emitor, sedangkan pada
transistor PNP tegangan basis dan kolektornya negatif terhadap tegangan emitor.

2.7 Pertanyaan dan Jawaban

2.7.1 Pertanyaan :
1. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off, aktif, dan
saturasi?
2. Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter, buatlah
grafik,
a. IC terhadap VCE
b. VBE terhadap IB
 c. hFE terhadap IC.
3. Tentukan titik Q pada BJT, pada tiap konfigurasi!
4. Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan cara
kerja BJT!
5. Sebutkan kegunaan dari BJT serta aplikasinya?
6. Apa syarat – syarat transistor yang beroperasi pada daerah cut-off,
aktif dan saturasi, jelaskan jawaban anda menurut hasil percobaan!
7. Dari keempat jenis bias pada BJT, mana yang paling stabil
(pergeseran titik kerjanya sangat kecil)? Jelaskan!
8. Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias?
9. Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori, mungkinkah
disebabkan oleh kerusakan transistor? jelaskan jawaban anda
menurut data percobaan yang diperoleh dan data sheetnya!
10. Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan dan
beri kesimpulannya
11. Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaan dan berikan
kesimpulan umumnya pada akhir percobaan.

2.7.2 Jawaban :
1. A Daerah Cut-Off
Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai
tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat
perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu
dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Perubahan ini
dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0
yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan
ON. 
 B. Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana
arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan
bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus I B. Daerah kerja ini biasa
juga disebut daerah linear (linear region).

Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada

loop collector (rangkaian CE), maka dapat diperoleh hubungan :
VCE = VCC - ICRC
Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah : 
PD = VCE.IC
Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan
kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya. Dissipasi daya ini
berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya
untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PDmax.
Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang
diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor
bekerja melebihi kapasitas daya PDmax, maka transistor dapat rusak atau
terbakar. 
C. Daerah Saturasi
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt
(transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana
tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron.
2. A. Bias Tetap : Titik Q point terjadi saat Ic saturasi mencapai maximum
dan berpotongan dengan Vce saturasi.
B. Bias Emiter Terstabilkan : Titik Q point terjadi pada perpotongan
garis Ibo dan garis yang menghubungkan Vcc dan Vcc / Rc+Re
C. Bias Pembagi Tegangan : Titik Q point terjadi pada pertemuan garis
dari k dan Vge
3. Sesuai dengan percobaan didapat bahwa Ketika base dihubungkan dengan
catu tegangan positif dan emiter dicatu dengan tegangan negatif maka
daerah depletion BE akan menyempit. Pencatuan ini akan mengurangi
tegangan barrier internal sehingga muatan mayoritas (tipe n) mampu untuk
melewati daerah sambungan pn yang ada. Beberapa hole dan elektron akan
 mengalami rekombinasi di daerah sambungan sehingga arus mengalir
melalui device dibawa oleh hole pada base(daerah tipe-p) dan elektron pada
emitter (daerah tipe-n ). Karena derajat doping pada emitter (daerah tipe n)
lebih besar daripada base (daerah tipe p), arus maju akan dibawa lebih
banyak oleh elektron. Aliran dari muatan minoritas akan mampu melewati
sambungan pn sebagai kondisi reverse bias tetapi pada skala yang kecil
sehingga arus yang timbul pun sangat kecil dan dapat diabaikan.
4. Kegunaan dari BJT diantaranya berfungsi sebagai saklar. Satu contoh di
mana transistor dipakai sebagai saklar adalah dalam rangkaian elektronika
digital. Dalam elektronika digital biasanya hanya terdapat dua keadaan, yaitu
voltase ada dan voltase nol atau dengan kata lain hanya terdapat keadaan
on dan off.
5. Syarat transistor beroperasi pada daerah cut-off adalah arus kolektor kecil,
maka titik cut-off hamper menyentuh ujung bawah garis beban. Titik cut-off
menyatakan tegangan kolektor emitter maksimum yang mungkin dalam
rangkaian. VCE maksimum yang mungkin sekitar 15 V, yaitu tengangan catu
kolektor.
Daerah saturation : Pada semua kondisi sering dipilih hambatan basis yang
menghasilkan gain arusnya 10. Karena di sana lebih dari cukup arus basis
untuk menjenuhkan transistor.
Daerah Aktif : Pada daerah ini transistor sebagai garis aliran amplifier ( I C =
B * IB). Beta adalah salah satu dari parameter transistor, bagian dari base
transistor. Dimana nilainya berkisar dari 50 – 200, tapi bisa juga sampai 800.
Berada pada daerah aktif VBE = 0.6 – 0.7 V .
6. Dari keempat jenis bias BJT di atas yang paling stabil adalah Bias pembagi
tegangan. Karena berdasarkan pada prototype bias emitter disebut dengan
bias pembagi teganyan. Kita dapat mengenalinya dengan adanya pembagi
tegangan pada rangkaian basis.
7. Bias ada dua macam yaitu Forward bias (bias maju) adalah hubungan yang
dihasilkan oleh pusat sumber negatif dihubungkan dengan beban tipe-n dan
pusat positif dihubungkan dengan beban tipe-p. Reverse Bias adalah
hubungan yang terjadi saat pusat negative baterai dihubungkan pada sisi-
dan pusat positif baterai dihubungkan dengan sisi-n
 8. Tidak sesuainya hasil percobaan dengan teori bisa saja disebabkan oleh
rusaknya transistor. Karena kurangnya perawatan atau mungkin umur alat
yang sudah lama. Kerusakan transistor bisa saja terjadi karena transistor
telah melewati daerah breakdown
9. Hasil dari pengukuran yang telah dilakukan pada saat percobaan
memberikan hasil yang berbeda dari hasil perhitungan berdasarkan teori
yang ada. Hal ini kemungkinan disebabkan oleh kesalahan didalam
pembacaaan skala pada alat ukur multimeter
10. - Kondisi BJT
* BJT dapat dikatakan baik jika memiliki hambatan diode atau hambatan
diodenya dapat dihitung.
- Karakteristik BJT
* Penambahan VCE secara konstan tidak menyebabkan perubahan IC
atau perubahan IC sangat kecil (tidak signifikan)

* Besar β ditentukan oleh besar IC dan IB

* Besar arus collector dan emitter adalah sama

- Konfigurasi BJT

*Nilai IB, IC, VBE, dan β tetap konstan walaupun terjadi perubahan waktu
tetapi VCE mengalami perubahan nilai (tidak signifikan
2.8 Simpulan

Pada percobaan BJT (Bipolar Junction Transistor), didapat beberapa

kesimpulan yang yang menyatakan dari beberapa percobaan yang dilakukakan
dan hasil yang didapat, maka didapatnya kesimpulan dari laporan praktikum
sebagai berikut.

1 BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis

transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang
terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga
terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B). Perubahan
arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan
perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip
inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik.
Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya
dilambangkan dengan β. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-
transisor BJT. Tansistor BJT memiliki 2 tipe, dimana 2 tipe transistor BJT
 dapat diketahui dengan pengukuran hambatan yang dimiliki oleh transistor
yaitu adalah tipe NPN dan PNP

2. Pada testing kondisi BJT didapat kesimpulan bahwa sebuah transistor

apabila dalam kondisi baik maka akan mempunyai suatu nilai hambatan nol
dan bila tidak dapat dihitung maka dalam keadaan rusak..
3. Pada konfigurasi BJT fixed bias persamaan dan perhitungan antara
transistor PNP dan NPN adalah serupa, tapi dengan arah arus dan polaritas
tegangan berlawanan. Dimana pada PNP arah arus menuju pada emitter
sedangkan pada NPN arah arus menuju pada kolektor. Nilai IB, IC, dan β
ataupun BJT PNP dan NPN memiliki nilai yang sama, karena nilai VCC, RB, dan
RC yang diketahui sama. Sedangkan pada tengangan kolektor dan tegangan
basis memiliki nilai yang berbeda, pada BJT tipe PNP tegangan pada kolektor
tegangan pada kolektor maupun basis memiliki nilai yang lebih besar daripada
tegangan kolektor dan basis pada BJT tipe NPN.
4. Pada konfigutasi BJT voltage divider bias pada transistor jenis NPN
tegangan basis dan kolektornya positif terhadap emitor, sedangkan pada
transistor PNP tegangan basis dan kolektornya negatif terhadap tegangan
emitor. Pada konfigurasi BJT Voltage Divider Bias persamaan dan
perhitungan antara transistor PNP dan NPN adalah serupa, tapi dengan arah
arus dan polaritas tegangan berlawanan. Dimana pada PNP arah arus
menuju pada emitter sedangkan pada NPN arah arus menuju pada kolektor.
Nilai IB, IC, dan β pada BJT PNP ataupun NPN memiliki nilai yang sama, karena
nilai VCC, RB, dan RC yang diketahui sama. Sedangkan pada tengangan kolektor
dan tegangan basis memiliki nilai yang berbeda, pada BJT tipe PNP tegangan
pada kolektor tegangan pada kolektor maupun basis memiliki nilai yang lebih
kecil daripada tegangan kolektor dan basis pada BJT tipe NPN.
 Daftar Pustaka

1. » Skemaku.com http://skemaku.com/fungsi-transistor-sebagai-saklar/ 5/8

2. SUPRIANTO. 12 OKTOBER 2015. TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR.
(ONLINE) ,(http://blog.unnes.ac.id/antosupri/transistor-sebagai-saklar/,
diakses 4 maret 2017)
3. Ahmad Sudrajat. 2008. Pembelajaran Remedial dalam KTSP.(online),
(http://ahmadsudrajat.wordpress.com, diakses 8 Maret 2017).
4. SUPRIANTO. 10 OKTOBER 2015. Pengertian, cara kerja dan fungsi
Transistor
(Online) . Tersedia :
(http://blog.unnes.ac.id/antosupri/pengertian-cara-kerja-dan-fungsi-
transistor/, (diakses 8 maret 2017)
5. Anonim. (Onlne) (http://teknikelektronika.com/, diakses 10 maret 2017)
LAMPIRAN