Anda di halaman 1dari 5
Dioda tunne! memanfaatkan suatu fenomena kuantum yang aneh yang disebut dengan resonant tunneling yang menghasilkan resistansi negatit pada saat dioda dalam Kondisi bias maju (forward bias). Ketika suatu tegangan yang nilainya kecil dihubungkan pada dioda tunnel, maka dioda tersebut mulai menghantarkan arus (gambar 1b). Begity tegangannya dinaikkan, arus yang dialirkan dioda juga Kut naik hingga mencapal suatu nilal puncak (peak current, |,). Tetapi, apabila tegangannya masih terus dinaikkan sedikit lagi, arusnya malah berkurang hingga mencapai nilai terendahnya(current calley, |,). Lalu, apabila tegangan dinaikkan lagi, maka arus yang dialirkan dioda tersebut akan ikut naik, namun kali ini arusnya tidak akan pernah turun lagi ‘Simbol dari dioda tunnel ditunjukkan pada gambar 1a. dioda Tunnel rus Maju Anoda Forward current ¢ ‘ + Katoda a TT ¥ @ (b) WW Tegangan maja © Forward voltage Gambar J (a) Simbol dioda tunnel (b) Kurva hubungan tegangan dan arus pada dioda tunnel. (c) Rangkaian osilator Dioda tunnel harus diberi tegangan maju sehingga dioda tersebut mengalami bias maju hingga mencapai nilai puncaknya (voltage peak, V-) dan nilai minimumnya (voltage valley, Vv). Kurva pada gambar 1b, daerah dimana pada saat tegangan dioda tunnel dinaikkan tetapi arusnya malah berkurang disebut daerah resistansi negatif (negative resistance) Dioda tunnel, atau juga dikenal dengan nama dioda Esaki karena penemu dioda ini adalah orang Jepang Leo Esaki, mampu merubah Kondisinya diantara level arus puncak dan arus minimum secara cepat, “switching” diantara kondisi low dan high lebih cepat daripada dioda Schottky. Dioda tunnel diberi pengotor/doping semikonduktor tipe P dan N dalam jumlah yang sangat banyak, bahkan hingga 1000 kali lebih banyak daripada dioda PN biasa. Perhatikan grafik pada gambar 2. 1000 = 100 . 3 Sap 3 £ s 5 10 5 : red 1 10% 10" 10" 10” 10" konsentrasi doping (cm*) breakdown vs level doping semikonduktor Dioda standar berada di sebelah paling kiri, sedangkan dioda zener berada di sebelah kanannya, sedangkan level doping dari dioda tunnel ditunjukkan pada garis putus -putus. Pemberian dopping yang sangat banyak ini menghasilkan suatu daerah pemisah yang sangat tipis sehingga dioda tunnel memiliki tegangan balik breakdown yang rendah dan tingkat kebocoran arus yang besar. Daerah pemisah yang tipis ini menimbulkan efek kapasitansi yang cukup signifikan. Untuk mengatasi ini, area sambungan dioda tunnel harus dibuat sesempit mungkin, Pada dioda biasa, arus akan meningkat secara tajam ketika tegangan dioda melebihi tegangan maju (forward), V;, 0.3 V untuk dioda Germanium, dan 0.7 V untuk dioda silikon. Pada dioda tunnel, antara OV hingga tegangan V,, ada sifat khusus yang disebut resistansi negatif (arus turun saat tegangannya naik). Ini disebabkan tunneling mekanika kuantum yang melibatkan dua partixel gelombang alami dari elektron yang bisa menembus celah pemisah tersebut. Agar elektron dapat melewati daerah pemisah tersebut tidak perlu menunggu samapai diberi tegangan maju sebesar V,. Level energi band conduction dari material tipe N beririsan (overlap) dengan level energi valence band pada semrikonduktor tipe P. Apabila tegangannya dinaikkan, proses tunneling dimulai, level energi dari kedua semikonduktor saling overlap sehingga arus membesar hingga mencapai suatu tik maksimumnya. Begitu arusnya naik terus, level energi yang saling overlap semakin berkurang sehingga arusnya mulai berkurang walaupun tegangannya dinaikkan (ini adalah daerah negative resistance) Gambar 2 Tegangan balik Didoa Tunnel tidak bagus untuk dibuat sebagai penyearah karena dioda ini memiliki kebocoran arus yang sangat besar ketika mengalami bias terbalik. Pada akhimya, dioda tunnel yang digunakan dalam rangkaian biasanya memantaatkan dioda tersebut pada kondisi bias maju saja khususnya pada efek negative resistance (antara tegangan maksmimum dan minimum). Sehingga tegangan dioda ini dipertahankan antara tegangan puncak (V,) dan tegangan minimurviembah/valley (V,) Mungkin aplikasi dari dioda tunnel yang paling umum adalah pada rangkaian osilator frekuensi tinggi seperti ditunjukkan pada gambar 3a. Karena rangkaian ini menggunakan dioda tunnel, maka rangkaian ini bisa juga disebut dengan osilator resistansi negatif (negative resistance oscillator). Nilai-nilai komponen R, L, dan sumber tegangan E dipilih sedemikian rupa sehingga titi kerjad dari dioda tunnel tersebut seperti ditunjukkan pada gambar 3b. Perhatikan bahwa titik kerja dari dioda tunnel yang digunakan dalam rangkaian tersebut hanya memanfaatkan daerah resistansi negatifnya. Ketika sumber tegangan dinyalakan (saklar ditutup), tegangan pada terminal power supplynya bergerak dari angka 0 V menuju E volt. Maka arus Ir akan naik dari 0 A hingga mencapai b, arus ini akan disimpan oleh induktor dalam medan magnetnya. Tetapi, begitu arus |; mencapai nilai b, dioda tunnel akan menerunkan arusnya Karena tegangan Vy akan naik. Tetapi kondisi ini berlawanan dengan persamaan E= 1k + Ir(-Rx) berkurang berkurang Gambar 3 (a) Rangkaian osilator resistansi negatif, (b) Titik kerja dari dioda tunnel pada gambar 3a. (©) Tegangan dioda tunne! dari rangkaian gambar 3a Apabila kedua elemen pada persamaan di atas berkurang, maka persamaan di atas tidak mungkin berlaku lagi. Oleh karena itu, begitu arus Ir terus naik, titi kerja dari dioda bergeser dari titik 1 ke tik 2. Namun, pada titik 2, tegangan V; lompat ke nifai yang lebih besar dari tegangan sumber E (titik 2 berada di sebelah kanan garis beban rangkaian). Agar hukum Kirchoft tegangan terpenuhi, polaritas dari tegangan transien induktor harus berbalik dan arus yang mengalir dalam rangkaian mulai berkurang seperti ditunjukkan panah dari tik 2 ke titi 3. Ketika tegangan dioda turun dari Vimenjadi Vy, karakteristik dari dioda menunjukkan bahwa arus seharusnya mulai naik lagi. Tetapi kondisi tersebut tidak bisa terpenuhi Karena tegangan V; lebih besar dari tegangan sumber dan pada saat ini, Koil masih mengalami discharging, sehingga thik