Repaso Análisis y Simulación de Amplificadores con Transistores BJT y JFET

Presentado por:

Presentado a:

Catalina Aguirre Grisales

Electrónica II

Programa de Ingeniería Electrónica

Facultad de Ingeniería

Universidad del Quindío

22 de febrero de 2017
Resumen
En esta práctica de laboratorio se muestran los pasos a seguir para analizar amplificadores
con transistores BJT y JFET con los parámetros establecidos en la guía de laboratorio para
obtener una buena respuesta con respecto a los puntos de operación.

Con ésta práctica se pretende recordar el comportamiento de los transistores BJT y JFET
como amplificador, analizando dos amplificadores. Se realizarán los análisis respectivos en
DC y AC definiendo su punto Q de operación.

Introducción
Los amplificadores BJT y JFET son ideales para todo tipo de aplicaciones, en general en
pequeña señal, a pesar de que su máxima eficiencia solo logra alcanzar un 25% para los de
clase A. estos son de gran aplicación en el área de la electrónica para la amplificación de
voltajes o para entregar una potencia eficiente a una carga o dispositivo.

En este laboratorio se estudiarán dos amplificadores (BJT y JFET) de los cuales a cada uno
se les realizará análisis en corriente directa, corriente alterna, pequeña señal, respuesta en
frecuencia, potencia en la carga, potencia proporcionada por la fuente de alimentación y
eficiencia.

Se simulará el comportamiento de ambos amplificadores. Analizar y verificar los conceptos

de excursión de señal, ganancia de corriente, punto de operación, frecuencias de corte y
potencia.
Resultados y Discusión
 Análisis Circuito 1

Figura 1. Amplificador con transistor BJT Configuración Emisor Común.

Análisis DC

Figura 2. Modelo DC

𝑉𝑐𝑐 𝑅2 18𝑉 ∗ 1.8𝐾Ω

𝑉𝐵𝐵 = = = 1.36𝑉
𝑅1 + 𝑅2 1.8𝐾Ω + 22𝐾Ω
 𝑅𝐵 = 𝑅1 ||𝑅2 = 1.8𝐾 ||22𝐾Ω = 1.66𝐾Ω

Se procedió a obtener el voltaje base y la resistencia base

Se prosigue a hallar la corriente del punto de operación mediante un LVK en la malla de entrada

𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐵

𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵 𝑦 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶

𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐶 ( + 𝑅𝐸 )
𝛽

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 1.36𝑉 − 0.7𝑉

𝐼𝐶𝑄 = = 5.14𝑚𝐴
𝑅 1.66𝐾Ω
( 𝐵 + 𝑅𝐸 ) ( + 120Ω )
𝛽 200

Se prosigue a hallar el voltaje del punto de operación mediante un LVK en la malla de salida

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐵 + 𝑅𝐶 )

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐵 + 𝑅𝐶 )

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 18𝑉 − 5.14𝑚𝐴(2𝐾Ω − 120Ω) = 7.1𝑉

𝑠𝑖 𝐼𝐶 = 0𝐴 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 = 18𝑉

𝑉𝐶𝐶
𝑠𝑖 𝑉𝐶𝐸 = 0𝑉 𝐼𝐶 = = 8.49𝑚𝐴
𝑅𝐵 + 𝑅𝐶

Análisis AC
Figura 3. Modelo AC

Se procede por realizar análisis de Kirchhoff para obtener el voltaje colector emisor

𝐼𝑂 = −𝐼𝐶

𝑉𝑂 = 𝐼𝑂 (𝑅𝐿 ||𝑅𝐶 ) = −𝐼𝐶 (𝑅𝐿 ||𝑅𝐶 )

𝑉𝑂 = 𝐼𝐶 𝑅𝐸 + 𝑉𝐶𝐸

−𝐼𝐶 (𝑅𝐿 ||𝑅𝐶 ) = 𝐼𝐶 𝑅𝐸 + 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝑐𝑒 = −𝐼𝐶 ((𝑅𝐿 ||𝑅𝐶 ) + 𝑅𝐸 ))

Mediante los valores totales y los del punto de operación se obtiene la recta de carga AC

𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐷𝐶 = −(𝑖𝐶 − 𝐼𝐷𝐶 )((𝑅𝐿 ||𝑅𝐶 ) + 𝑅𝐸 ))

𝑠𝑖 𝐼𝐶 = 0𝐴 𝑉𝐶𝐸 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝑎𝑐 ) = 12.85𝑉

𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑠𝑖 𝑉𝐶𝐸 = 0𝑉 𝐼𝐶 𝑠𝑎𝑡 = + 𝐼𝐶𝑄 = 11.47𝑚𝐴
𝑅𝑎𝑐

Recta de carga
 ic(mA)
14

12
11,5

10

8,5
8
AC

6 DC
Q

0 0 0 VCE(V)
0 5 10 15 20

Figura 4. Rectas de Carga y punto de operación

Mediante las rectas se puede obtener los valores de corriente máxima en el colector, voltaje de
salida máximo y voltaje colector-emisor máximo.

𝐼𝐶 𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝐶𝑄 = −5,1𝑚𝐴

𝑉𝑂 𝑚𝑎𝑥 = −𝐼𝐶 𝑚𝑎𝑥 (𝑅𝐿 ||𝑅𝐶 ) = −5,1𝑉

𝑉𝐶𝐸 𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 5,7𝑉

Figura 5. Simulación Circuito 1

Análisis pequeña señal

Figura 6. Modelo pequeña señal

Mediante el modelo hibrido se procede a hallar las impedancias de entrada y salida, así como la
ganancia de voltaje.

𝛽 26𝑚𝑉 200 ∗ 26𝑚𝑉

ℎ𝑖𝑒 = = = 1,01𝐾Ω
𝐼𝐶𝑄 5,1𝑚𝐴

𝑍𝑖𝑛 = ((ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑅𝐸 )||𝑅𝐵 ) = 1.55𝐾Ω

𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐶 = 2𝐾Ω
 𝑉𝑂 = −𝛽𝐼𝐵 (𝑅𝐿 ||𝑅𝐶 )

𝑉𝑖 = 𝐼𝐵 (ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑅𝐸 )

−𝛽(𝑅𝐿 ||𝑅𝐶 )
𝐴𝑣 = = −7,9
(ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑅𝐸 )

Ya conociendo el valor de la ganancia de voltaje, se procede a determinar el valor del voltaje de la

señal de entrada al circuito.

𝑉𝑜 𝑚𝑎𝑥 5.1𝑉
𝑉𝑖 𝑚𝑎𝑥 = = = 645𝑚𝑉
𝐴𝑣 −7.9

Análisis baja frecuencia

Figura 7. Modelo baja frecuencia

Se realizan las respectivas configuraciones para obtener las frecuencias de corte para cada
capacitor.

Para Ci

𝑅𝑒𝑞 = ((ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑅𝐸 )||𝑅𝐵 ) = 1.55𝐾Ω

1 1
𝑓𝑐𝑖 = = = 2.05𝐻𝑧
2𝜋 𝑐𝑖 𝑅𝑒𝑞 2𝜋 (50𝜇𝐹) (1.55𝐾Ω)

Para Co

𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 = 4𝐾Ω
 1 1
𝑓𝑐𝑖 = = = 3.97𝐻𝑧
2𝜋 𝑐𝑜 𝑅𝑒𝑞 2𝜋 (10𝜇𝐹) (4𝐾Ω)

ic (mA)
12

10 10,2
8,7 8,7
8

6
5,1 5,1 5,1 t
4

2
1,5 1,5
0 0

Figura 8. Ic Maxima

Vo (V)
6
5,1
4
3,6 3,6

0 0 0 0 t

-2

-3,6 -3,6
-4
-5,1
-6

Figura 9. Vo Maximo
 VCE (V)
14
12,8
12
11,1 11,1
10

8
7,1 7,1 7,1 t
6

4
3,1 3,1
2
1,4
0

Figura 10. VCE Maximo

Figura 11. Simulación de Vo y Vi

𝑠𝑖 𝑉𝑖 = 500𝑚𝑉

𝑉𝑜 = 𝐴𝑣 ∗ 𝑉𝑖 = −7.9 ∗ 500𝑚𝑉 = 3.95𝑉

 Vo (V)
5
4 3,95
3 2,79 2,79
2
1
0 0 0 0 t
-1
-2
-3 -2,79 -2,79
-4 -3,95
-5

Figura 12. Vo para un Vi de 500mV

Potencia

Se realizan los respectivos cálculos para obtener los valores de potencia

𝑉𝑜 𝑚𝑎𝑥 2
𝑃𝐿 = = 6.5𝑚𝑊
2𝑅𝐿

𝑃𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐶𝑄 = 18𝑉 ∗ 5.1𝑚𝐴 = 95,2𝑚𝑊

𝑃𝐿 6.5𝑚𝑊
𝜂= = = 7%
𝑃𝐶𝐶 95,2𝑚𝑊

Tabla 1. Comparación resultados calculados y simulados

BJT Valor teórico Valor simulación % de error

ICQ max 5.1 (mA) 4.94 (mA) 2.35
VCE max 5.7 (v) 6.4 (v) 12.2
VO max -5.1 (v) -4.98 (v) 2.3
PL 6.5 (mw) 6.20 (mw) 4.6
Pcc 95.2 (mw) 111 (mw) 16.8
  Analísis circuito 2

JFET Fuente común

Figura 13. Amplificador con transistor JFET Fuente Común

Análisis DC, configuración Auto polarización

Figura 14. Modelo DC

Para obtener el voltaje compuerta-fuente mediante un LVK en la malla de entrada

𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝑅𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆

𝑠𝑖 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉 𝐼𝐷 = 0𝐴

5𝑉
𝑠𝑖 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 = −5𝑉 𝐼𝐷 = = 12.5𝑚𝐴
400Ω
𝑉𝐺𝑆 2 𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = −𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = −10𝑚𝐴(1 − )
𝑉𝑃 −5𝑉

Tabla 2. Tabulación puntos curva de transferencia

VGS (v) ID(mA)

0 10
-2.5 2.5
-5 0

ID (mA)
14

12,5
12

10 10

8 Curva de transferencia

6 Recta de carga a la
entrada
Q
4

2,5
2

0 0 0 VGS(V)
-6 -4 -2 0

Figura 15. Curva de Transferencia y recta de carga a la entrada

Mediante la gráfica obtenida se obtiene un estimado de la corriente en el punto de operación.

𝐼𝐷𝑄 = 4.3𝑚𝐴

Ya con el valor de la corriente de operación se halla el voltaje compuerta-fuente.

𝑉𝐺𝑆𝑄 = −𝐼𝐷𝑄 𝑅𝑆 = −4.3𝑚𝐴 ∗ 400Ω = −1.7V

Se obtiene el voltaje del punto de operacion mediante un LVK en la malla de salida

𝑉𝐷𝐷 = 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) + 𝑉𝐷𝐸

𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝐼𝐷𝑄 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) − 𝑉𝐷𝐷 = −4.3𝑚𝐴(600Ω + 400Ω) + 12V = 7.7V

𝑉𝐷𝐷 12𝑉
𝑠𝑖 𝑉𝐷𝑆 = 0𝑉 𝐼𝐷 = = = 12𝑚𝐴
𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 1𝐾

𝑠𝑖 𝐼𝐷 = 0𝐴 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 = 12𝑉

Análisis AC

Figura 16. Modelo AC

Mediante análisis de corrientes y voltajes de Kirchhoff se encuentra la recta de carga

𝑉𝑂 = 𝐼𝑂 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
′
𝑉𝐷𝑆 = −𝐼𝐷 ′(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )

𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝐶 = −(𝐼𝐷 − 𝐼𝐷𝐶 )(𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )

 𝑉𝐷𝑆𝑄
𝑠𝑖 𝑉𝐷𝑆 = 0𝑉 𝐼𝐷 = + 𝐼𝐷𝑆𝑄 = 17.5𝑚𝐴
𝑅𝑎𝑐

𝑠𝑖 𝐼𝐶 = 0𝐴 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝐼𝐷𝑆𝑄 (𝑅𝑎𝑐 ) = 10.1𝑉

Con la recta de carga se encuentra los valores máximos de corriente en el drenaje, el voltaje de
salida y el voltaje en el punto de operación.

𝐼𝐷 𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝐷𝑄 = 4.3𝑚𝐴

𝑉𝑂 𝑚𝑎𝑥 = −𝐼𝐷 𝑚𝑎𝑥 (𝑅𝐿 ||𝑅𝐷 ) = −2.49𝑉

𝑉𝐷𝑆 𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆𝑄 = 2.49𝑉

Recta de carga

ic(mA)
20
18
17,5
16
14
12 12
AC
10
DC
8
6
Q
4
2
0 0 0 VCE(V)
0 2 4 6 8 10 12 14

Figura 17. Recta de carga

Análisis en pequeña señal

Figura 18. Modelo pequeña señal

𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆𝑄 10𝑚𝐴 −1.7

𝑔𝑚 = −2 (1 − ) = −2 ∗ (1 − ) = 2.64𝑚𝑢
𝑉𝑃 𝑉𝑃 −5𝑉 −5

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 = 1𝑀Ω

𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐷 = 600Ω

𝑉𝑖 = 𝑉𝐺𝑆

Con el modelo hibrido se dispone de hallar los valores de la ganancia de voltaje y el voltaje de la
señal de entrada.

𝑉𝑜 = −𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐿 ||𝑅𝐷 )

𝑉𝑜
𝐴𝑣 = = −𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐿 ||𝑅𝐷 ) = −1.53
𝑉𝑖
𝑉𝑜 𝑚𝑎𝑥 −2.49𝑉
𝑉𝑖 𝑚𝑎𝑥 = = = 1.64𝑉
𝐴𝑣 −1.53
Análisis en frecuencia

Figura 19. Modelo en baja frecuencia

Se obtienen las frecuencias de corte con las respectivas ecuaciones.

Para Ci

𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐵 = 1𝑀Ω

1 1
𝑓𝑐𝑖 = = = 7.9𝐻𝑧
2𝜋 𝑐𝑖 𝑅𝑒𝑞 2𝜋 (0.02𝜇𝐹) (1𝑀Ω)

Para Cs

𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝑠 = 400Ω

1 1
𝑓𝑐𝑠 = = = 18.1𝐻𝑧
2𝜋 𝑐𝑠 𝑅𝑒𝑞 2𝜋 (22𝜇𝐹) (400Ω)

Para Co

𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 = 20.6𝐾Ω

1 1
𝑓𝑐𝑠 = = = 77.2𝐻𝑧
2𝜋 𝑐𝑜 𝑅𝑒𝑞 2𝜋 (0.1𝜇𝐹) (20.6𝐾Ω)
 iD (mA)
10
9
8,6
8
7 7,3 7,3
6
5
4,3 4,3 4,3 t
4
3
2
1 1,3 1,3
0 0

Figura 20. ID Maxima

Vo
3 (V)
2,5
2
1,76 1,76
1

0 0 0 0 t

-1

-2 -1,76 -1,76
-2,5
-3

Figura 21. Vo maximo

VDS (V)
12

10 10,2
9,4 9,4
8 7,7 7,7 7,7

6 6 6 t
5,2
4

0
Figura 22. VDS Maximo

Figura 23. Simulación Vo y Vi

Potencia

Se realizan los respectivos cálculos para obtener los valores de potencia

𝑉𝑜 𝑚𝑎𝑥 2
𝑃𝐿 = = 0.15𝑚𝑊
2𝑅𝐿

𝑃𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 ∗ 𝐼𝐶𝑄 = 12𝑉 ∗ 4.3𝑚𝐴 = 51𝑚𝑊

𝑃𝐿 0.155𝑚𝑊
𝜂= = = 0.3%
𝑃𝐶𝐶 51𝑚𝑊
Simulación

Figura 24. Simulación amplificador jFET

Tabla 3. Comparación resultados teóricos y simulados jFET

JFET Valor teórico Valor simulación % de error

IDQ max 4.8 (mA) 4.82 (mA) 2.1
VDS max 2.49 (v) 1.47 (v) 40
VO max -2.49 (v) -2.88 (v) 15
PL 156 (uw) 54.8 (uw) 64
PDD 51 (mw) 25.2 (mw) 50

Conclusiones
 Por medio del software de simulación MultiSim se pudo comprobar y verificar los
resultados obtenidos matemáticamente demostrando el eficiente uso de las aplicaciones
de los amplificadores BJT y JFET, como distorsión de una señal hasta diversas
configuraciones.
 Se puede concluir que en esta práctica se profundizó el conocimiento de la amplificación,
determinando el punto de operación y las impedancias de entrada y salida, como también
las ganancias de voltaje y los voltajes de aplicación con lo cual se observó evidentemente
que no es posible obtener una amplificación sin una adecuada polarización DC.
 Se observó que en ambos amplificadores, en máxima excursión simétrica se obtiene el
punto de operación en la mitad de la recta de carga AC, dando a entender la simetría con
respecto al voltaje colector-emisor. También se concluyó que mientras más cerca este el
punto de operación a la región de corte o de saturación el transistor se comporta como un
interruptor.
 Se puede decir que al trabajar el transistor BJT en región activa aproximadamente como
un dispositivo lineal permite separar el análisis en AC y DC con lo cual la manipulación del
circuito y de las ecuaciones se llegan a resultados más favorables para el diseño.
 Se observó también que en la configuración emisor común se obtienen elevadas
ganancias de tensión, haciéndolo el circuito ideal para amplificación de pequeñas señales.
 Se puede observar que un circuito conectado en la opción de colector común se comporta
como un seguidor, no presenta amplificación a su salida.
 Se concluyó que en el análisis de baja frecuencia, los capacitores de acople y de paso son
los que determinan el corte de las frecuencias que intervienen en cada uno de dichos
capacitores.