MAKALAH \

STRUKTUR DIODA SEMIKONDUKTOR

--.--

iLiH ::ERPUSTAKAAN IKlF PAOANG i

2 2 - 2 - j'J- i
-- ---.
; J I I - &
-. _..- .- . _ __ . _ i

-.-
1Ccc J . .-- !

; &, lKIE?l, SR! -.-wLL4f:.qIZl-..

!!~~FIKCSI S37. ~ Z Z
(1

Oleh: . --..----

Drs. HENDQI
Dosen PT. E l e k t r o FPTK IKIP P a d a n g

Disampaikan P a d a Lokakarya F i s i k a T e k n i k
D o s e n - d o s e n F i s i k n FPTK IKIP Padang
Pada T a n a g a l 25 J n n u n r i s . d 30 J n n u n r i 1993
d i FPTK IKIP Pudnng

- - - - - -

FAKULTAS PENDlDlKAN TEKNOLOGI D A N KEJURUAN

INSTITUT KEGURUAN DAN ILMU PENDlDlKAN PADANG
1993
 STRUKTUR DIODA SEMIKONDUKTOR
-

L PENDAHULUAN

S e s u a i dengan perkembangan d a n kemajuan teknologi

elektronika, para ahli telah menemukan alat
suatu
penyearah a r u s l i s t r i k y a i t u dioda semikonduktor .
Penggunaan d i o d a semikonduktor i n i l e b i h p r a k t i s j i k a
d i b a n d i n g k a n dengan a l a t p e n y e a r a h t a b u n g vacum d i o d a .
S e b a g a i bahan pokok d a r i d i o d a s e m i k o n d u k t o r i n i
a d a l a h bahan semikonduktor seperti germanium ( G e ) atau
silikon (Si). Meskipun banyak bahan semikonduktor
l a i n n y a yang telah ditemukan, namun bahan tersebut
kurang pra.ktis digunakan pada alat-alat elektronika.
Semikonduktor adalah suatu bahan yang lebih sukar
melewatkan a r u s l i s t r i k j i k a d i b a n d i n g k a n deligan bahan
k o n d u k t o r , t e t a p i l e b i h mudah j i k a dibandingkan deng3.n
bahan i s o l a t o r .
S e l a n j u t n y a k i t a akan membahas secara terperinci
s t r u k t u r k r i s t a l semikonduktor murni dan semikonduktor
campuran, prinsip kerja dioda semikonduktor, dan
beberapa rangkaian penyearah arus listrik yang
menggunakan d i o d a s e m i k o n d u k t o r .

11. SEMIKONDUKTOR

A. Struktur K r i s t a l Semikonduktor M u r n i
Semikonduktor a d a l a h s u a t u bahan yang tahanan
jenisnya mempunyai harga diantara konduktor dan
isolator, yaitu antara la-' ohm cm sa.mpa.i l@-6ohm cm
Dalam s i s t e m b e r k a l a u n s u r - u n s u r kimia pada golongan
IV kebanyakan bersifat semikonduktor, diantaranya
yang t e r p e n t i n g adalah s i l i k o n dan germanium. Bahan
semikonduktor ini rnempunyai 4 elektron valensi.
Atom-atom tersusun sebagai tetra.hedra1 (susunan
kristal intan) oleh adanya ikatan valensi yang
memungkinkan u n t u k berikatan dengan elektron dari
atom lainnya.
B i l a bahan semikonduktor ini dimampatkan maka
terjadilah pembentukan struktur kristal yang d i
dalamnya terdapat atom-atom yang berjarak sarna,
3
dimana s e t i a p cm kristalnya mengandung 4,52.10'~
atom ( P o l l i n g , 1951). Bahan i ni d inamakan
semikonduktor i n t r i r ~ s i k (murni), jika keadaannya
d i t i n j a u secara k i m i a a d a l a h murni d a n p a d a n y a tidak
t e r d a p a t kerusaka.n susunan k r i s t a l n y a .
Susunan kristal tetrahedral agak sukar
d i b a y a n g k a n , namun k a l a u kita perhatikan tiap-tiap
atomnya t e r i k a t o l e h 4 i k a t a n kovalen dengan 4 atom
yang terdekat. Oleh sebab itu untuk mendapatkan
gambaran yang jelas tentang ikatan kovalen serta
mekanisme h a n t a r a n l i s t r i k y a n g t e r j a d i dalam bahan
semikonduktor, biasanya dipergunakan ganbar dua
dimensi d a r i susunan k r i s t a l n y a , s e p e r t i p a d a g b 1.

ikatan el'ektron
kovalent ualensi

atom

Silikon
\ --

Gambar 1 . S u s u n a n k r i s t a l s e m i k o n d u k t o r
a . Susunari k r i s t a l t e t r a h e d r a l
0
b . GaniGar d u a d i m e n s i pa.da s u h l ~0 C
 Lingkaran dengan tanda +4 di dalannya rnelukiskan
i o n - i o n s i l i k o n a t a u germanium, y a i t u i n t i - i n t i atom
beserta elektron-elektronnya, kecuali 4 elektron
valensinya ( e l e k t r o n yang berada pada o r b i t t e r l u a r ) .
Ikatan kovalen d i l u k i s k a n dengan d u a g a r is lengkung
putus-putus dengan dua e l e k t r o n v a l e n s i d i dalamnya.
Elektron-elektron d i dalam i k a t a n kovalen ini dapat
d i l e p a s k a n d a r i i k a t a n n y a dengan memberikan sejumlah
energi tertentu.

B. Tel- j a d i n y a Elektron B e b a s A k i b a t Penyaruh Panas

Pada k r i s t a l semikonduktor murni s e t i a p e l e k t r o n

merupakan b a g i a n d a r i i k a t a n k o v a l e n , s e h i n g g a tidak
mempunyai sifat-sifat penghantar listrik, karena
tidak mempunyai pembawa muatan listrik (elektron
bebas). Kristal-kristal itu akan mempunyai daya
hantar, apabila beberapa d a r i elektron itu terlepas
d a r i ikatan kovalennya. Pelepasan elektron tersebut
mernerlukan energi, untuk germanium energi yang
diperlukan sebesar 0,75 elektron volt dan untuk
s i l i k o n s e b e s a r 1,12 e l e k t r o n v o l t ( D e w a r d , 1 9 6 6 ) .
Pada suhu t e r t e n t u misalnya suhu ruangan (300'~)
akan t e r j a d i g e r a k a n simpang s i u r d a r i e l e k t r o n pada
j a r i n g a n k r i s t a l yangn d i s e b a b k a n o l e h e n e r g i panas,
akibatnya ada elektron t e r lepas d a ri ikatan kovalen
dan menjadi e l e k t r o n bebas. Elektron bebas i n i tidak
akan t e r t a r i k a t a u t e r t o l a k o l e h elektron dan inti
dari kristal. Jika diberikan suatu medan listrik '
d a r i l u a r , terhadap gerakan e l e k t r o n bebas itu akan
terbentuk suatu gerakan tetap ke arah elektroda
p o s i t i f dan mengakibatkan a r u s l i s t r i k dibawa oleh
e l e k t r o n , dan elektron tersebut dinarnakan pembawa
a r u s . P a d a gb 2 d a p a t d i l i h a t terbentuknya elektron
bebas akiba.t e n e r g i panas, untuk k r i s t a l s i l i k o n a t a u
g e r r n a n i u r ~.
 ' I * I I I

I '
. I
. .
elek tron b e b c s
I ' r I
h o l e ( lubacg)

---
1 I 'a
I '
I I
0 1
.

Ga.mbar 2 . E l e k t r o n b e b a s a k i b a t p e n g a r u h p a n a s
d i dalam k r i s t a l s i l i k o n a t a u germanium

Tempat k o s o n g y a n g d i t i n g g a l k a n o l e h e l e k t r o n d i
dalam susunan kristal, akibat elektron nelepaskan
d i r i d a r i ikatan kovalennya d i s e b u t h o l e a t a u lubang
(Yohannes,l975). Karena elektron-elektron d i dalam
kristal selalu berusaha menyusun diri kembali d i
d a l a m p a s a n g a n k o v a l e n , maka elektron tunggal yang
t e t a p pada atomnya b e r u s a h a u n t u k b e r p a s a n g a n keulbali
d e n g a n e l e k t r o n t a r u . Hal i n i d i 1 a k u k a . n
mena.rik e l e k t r o n l a i n
pengaruh panas d a r i j a r i n g a n k r i s t a l
dari pasangan
dengan
terdekat
berulang-ulangn
cara
bila .
mengeluarkan e l e k t r o n untuk s u a t u usaha pemindahan.
J a d i ruangan yangn d i t i n g g a l k a n e l e k t r o n seolah-olah
mempunyai d a y a t a r i k t e r h a d a p e l e k t r o n y a n g m u a t a n n y a
negatif, maka ruang yang disebut hole dianggap
mempunyai m u a t a n positif. Jadi hole a d a l ~ h hasil
n u a t a n p o s i t i f k a r e n a pemindahan e l e k t r o n d a r i i k a t a n
kova-len, d a n peranarinya sama d e n g a n p e r a n a n elektron
dima.na m u a t a n n e g a . t i f n y a d i g a n t i c l e n g a n p o s i t i f .
C. P e r n b e n t u k a n S e m i k o n d u k t o r I m p u r i t i
Pada semikonduktor intrinsik, jumlah elektron
b e b a s sama d e n g a n j u m l a h h o l e dan jumlahnya sangat
sedikit sehingga tahanan jenisnya sangat besar.
Supaya bahan semikonduktor ini dapat dipergunakan
untuk penghantar a t a u untuk penyusunan bahan dasar
p i r a n t i e l e k t r o n i s , diperlukan baha yang kaya dengan
s a t u j e n i s pembawa m u a t s n y a i t u e l e k t r o n a t a u h o l e .
Dengan memasukkan atom-atom asing yang
b e r v a l e n s i 3 a t a u 5 dengan prosentase yang sangat
k e c i l kepada semikonduktor murni, dapat dihasilkan
semikonduktor e k s t r i n s i k ( t i d a k murni). Jadi yang
penting dalam pembuatan semikonduktor impuriti
(campuran) a d a l a h u n s u r tambahan y a n g d a p a t mengatur
s e n d i r i susunan k r i s t a l semikonduktor.
Penambahan atom a s i n g k e p a d a b a h a n s e m i k o n d u k t o r
murni dinamakan doping. Prosentase atau tingkat
d o p i n g i n i b i a s a n y a s e k i t a r 1 a t o m a s i n g p e r 100 j u t a
atom asli (Yohannes,l975). Suatu contoh misalnya
dengan doping 1:100 j u t a atom a s i n g ke dalam kristal
germanium, t a h a n a n j e n i s germanium i n i akan b e r k u r a n g
m e n j a d i 1/12 k a l i .
J e n i s atom pencampur y a n g bervalensi 3 adalah
Aluminium ( A l ) , Gallium (Ga), Indium ( I n ) dan Boron
(B) (Polling, 1951). Dalam pencampuran atom ini
kekurangan s a t u e l e k t r o n dan berusaha untuk menarik
elektron yang terdekat padanya untuk melengkapi
kekurangannya. O l e h k a r e n a campuran i n i menerima s a t u
elektron dari bahan germanium atau silikon maka
d i n y a t a k a n s e b a g a i pencampur p e n e r i m a atau akseptor
impuriti.
J e n i s atom pencampur yang bervalensi 5 adalah
A r s e n i t (As), Antimon (Sb)., P o s p o r (P) dan Bismuth
(Bi) ( P o l l i n g , 1951). Dalam pencampuran atan ini
k e l e h i h a n sa.tu e l e k t r o n , e l e k t r o n ini muilah sekali
melepa--.ka.n diri dari ikatan atomnya dan rr!en.iadi
b e b a s . S e h i n g g a irleningkatkan s i fat penghantar dari
bahan germanium atau silikon. Atom pencampur ini
disebut donor impuriti, karena menyumbangkan satu
e l e k t r o n n y a kepada germanium a t a u s i l i k o n .

1. Semikonduktor Type P
Bila suatu -atam pencampur bervalensi 3
ditambahkan kepada semikonduktor murni dengan
prosentase doping s e p e r t i d i atas, b e r a r t i jumlah
atom asingnya j a u h lebih kecil dari pada atom
a s l i n y a dalam k r i s t a l . Karena itu masing-masing
atom asing jauh terpisah satu sama lainnya,
s e h i n g g a masing-masing atom a s i n g i t u
o l e h 4 atom a s l i , . s e p e r t i p a d a g b 3 .
-
hole
dikeli l i n g i

ion
nega

G a m b a r 3 . Gambar d u a d i m e n s i semikonduktor

Pada gb 3 dapat dilihat ba.hwa atom pencampur

dikelilingi oleh 4 atom asli. Untuk membentuk
ikatan kovalen, atom yang bervalensi 3 ini ,
kekurangan satu elektron. Karena itu dengan
menambah e n e r g i s e d i k i t s a j a p a d a e l e k t r o n k r i s t a l
a s l i , elektron ini dapat meloncat dari ikata.n
kovalennya dan mengisi kekurangan ~ a d a atom
akseptor desertai dengan pernbentukan hole pada
i k a . t a . n k o v a l e n ya.ng d i t i n g g a 1 k a . n . K a r e n a menerirna
sat13 e l e k t r o n , naka atom akseptor nlenjadi ion
n e g a t i f y a n g terikat d i tempat
 E n e r g i u n t u k membentuk h o l e d a n ion negatif
adalah energi ionisasi atom akseptor yang
besarnya sekitar 0,01 elektron volt untuk
germanium d a n u n t u k s i l i k o n s e b e s a r 0,05 elektron
v o l t (Kagnov, 1 9 7 0 ) .
Jadi dengan atom akseptor dihasi1ka.n hole
tanpa disertai elektron bebas, sehingga
semikonduktor campuran yang terjadi dinamakan
semikonduktor j e n i s P . Untuk s e m i k o n d u k t o r t y p e P
ini, terbentuknya hole disertai dengan
terhentuknya ion negatif yang tidak dapat
bergerak. Jadi hole merupakan pembawa muatan
mayor i t a s d a n e l e k t r o n merupakan pembawa muatan
minor i t a s .

2. S e m i k o n d u k t o r Type N
Bila suatu atam pencampur bervalensi 5
ditambahkan kepada semikonduktor murni dengan
prosentase doping seperti d i a t a s , b e r a r t i jumlah
atom asingnya j a u h lebih kecil dari pada atom
a s l i n y a dalam k r i s t a l . Karena itu masing-rnasing
atom asing jauh terpisah satu sama lainnya,
s e h i n g g a rnasing-masing atom a s i n g i t u dikelilingi
o l e h 4 atom a s l i , s e p e r t i pada g b 4 .
7el ekt~on

ion

Ga-mbar 4 . Gambar d u a d i m e n s i semikonduktor

t y p e !J
 Pada g b 4 dapat dilihat bahwa atom pencampur
d i k e l i l i n g i o l e h 4 atom a s l i . Dari lima elektron
v a l e n s i n y a hanya 4 saja yang diperlukan untuk
m e n g i s i keempat i k a t a n k o v a l e n . Sedangkan e l e k t r o n
kelima t e r i k a t n y a kurang e r a t pada atomnya, dengan
memberikan e n e r g i yang kecil saja kepada atom
pencampur tersebut, maka elektron ini dapat
dibebaskan. Karena t e r j a d i elektron bebas, maka
s e m i k o n d u k t o r y a n g d i h a s i l k a n d e n g a n menambah a t o m
donor i n i dinamakan semikonduktor j e n i s N . Dengan
membebaskan s a t u elektron valensinya maka atom
donor menjadi ion p o s i t i f yang t e r i k a t d i tempat.
Pada semikonduktor type N , terbentuknya elektron
bebas t i d a k disertai dengan terbentuknya hole,
tetapi terbentuk ion positif yang tidak dapat
bergerak.
Energi untuk membebaskan elektron valensi
atom d o n o r dinamakan e n e r g i ionisasi atom donor
yang b e s a r n y a s e k i t a r 0,el elektron volt untuk
g e r m a n i u m d a n u n t u k s i l i k o n s e b e s a r 0,135 elektron
v o l t . J a d i dengan e n e r g i yang sangat kecil ini
semua donor telah membebaskan kelebihan
e l e k t r o n n y a . Disamping e l e k t r o n b e b a s yang b e r a s a l
d a r i atom d o n o r a d a j u g a yang berasal dari atom
a s l i . J a d i e l e k t r o n b e b a s m e r u p a k a n pembawa m u a t a n
mayoritas dan hole merupakan pembawa muatan
minoritas.

Gandenga.n d a r i bahan semikonduktor type P dan

s e m i k o n d u k t o r t y p e N a k a n m e m b e n t u k s u a t u komponen y a n g
disebut dioda. Adapun proses penggandengan tidak
t e r j a d i begitu saja tanpa a.da efek. Setelah terjadi
penggs.ndengan maka elektron-elektron bebas dari
s e m i k o n ~ d u i - l , t o rt y p e 11. a.kan bercIifut.;i 1.:e senil,(~nduktor
t y p e P mengisi h o l e yang t e r d e k a t . Sedangkan hole d i
semikonduktor t y p e P b e r d i f u s i ke semikonduktor t y p e N
dan d i i s i oleh elektron-elektron b e t a s yang terdekat.
Proses d i f u s i e l e k t r o n bebas dan hole i n i dapat d i l i h a t
p a d a gambar 5 .

; hole elektron
\ \ - 1 \

. .
, daerah . I.d e p l e t i o n 1 . 'daerah .
.. ne.ti;&l 1
,

. - . layif ' 'netral:

1
. -
0; 0, q o'i-'@0-
0; q: a+..@.
- -@. :@:@-@ -
-

-@; 0;eta -
.-O-@-.@l@-.-

Gambar 5 . P r o s e s d i f u s i elektron dan hole pada

PN j u n c t i o n
a . Semikonduktor t y p e P dan t y p e N baru
s a ja digandengkan
b . . E l e k t r o n clan h o l e b e r d i f u s i
c . PN j u n c t i o n d a l a m k e a . d a a n s e i m b a n g
\

Proses perpindahan e l e k t r o n i n i hanya berlangsung

dalam waktu s i n g k a t , i o n - i o n n e g a t i f t e t a p tinggal d i
t e m p a t d a n m e m b e n t u k l a p i s a n pa.da d a e r a h semikonduktor
type P, demikian juga ion-ion p o s i t i f tetap tinggal d i
t e m p a t d a r ~niernbentuk 1 a . p i s a . n p a d a d a e r a h semikonduktor
t y p e N . Kedua. 1 a p i s a . n t e r s e b u t d i k e n a l dengan la-pisan
deplesi (depletion 1a.yer). Lapisan deplesi ini
berfungsi sebagai rintangan (barrier) terhadap
elektron bebas dan hole yang akan berdifusi
(Terman, 1955).
Lapisan p o s i t i f pada daerah N dan l a p i s a n negatif
pada daerah P. Dua lapisan muatan tersebut akan
m e m b a n g k i t k a n medan l i s t r i k y a n g n m e m p u n y a i arah dari
semikonduktor type P ke semikonduktor t y p e N , akibatnya
d i f u s i e l e k t r o n bebas ke daerah P dan difusi elektron
ke d a e r a h N akan b e r h e n t i , setelah ada keseimbangan.
Keadaan i n i d i s e b u t keadaan seimbang. Dalam keadaan
seimbang pada PN junction (gandengan PN ) terbentuk
daerah type P netral, daerah muatan ruang type P,
daerah muatan ruang type N dan d a e r a h type N n e t r a l .
Daerah t y p e P n e t r a l a r t i n y a a d a l a h d a e r a h dimana
j u m l a h h o l e sama dengan jumlah penerima (a.kseptor).
Daerah muatan ruang type P adalah daerah dimana
penerima d i i o n i s a s i k a n negatif . Daerah muatan ruang
type N adalah daerah dimana pemberi (donor)
diionisasikan positif. Daerah type N netral adalah
d a e r a h d i m a n a jum1a.h e l e k t r o n s a m a d e n g a n j u m l a h d o n o r .

A. For-ward B i a s

J u n c t i o n d i o d a pada ha.kekatnya a d a l a h gandengan

dari bahan semikonduktor type P dan type N.
Karakteristik pokok yang dimiliki oleh dioda
semikonduktor ada.lah sifatnya t idak simetri,
maksudnya arus ya.ng melewati dioda pada arah ,
tertentu jauh lebih besar dari pa.da arus yang
arahnya berlawanan. Oleh karena i t u dalam pemakaian
dioda s e r i n g digunakan sebagai perata arus. Dioda
dikata.kan dalam keadaan forward bias (mendapat
t e g a n g a n ara.h m a j ~ u )b i l a d a . e r a h P d i h u b u n g k a n d e n g a n
k u t u b p o s i t i f s u m b e r tega.nr1ga.n s e a r 3 . h ( b a t e r a i j dan
d a e r a h N d i h u b 1 ~ n g k a . ndengar1 k u t l ~ b n e g a t i f batera.i,
s e p e r t i p a d a ga.mbar 6 ( P e l - f e r s o n . 1966).
 Gambar 6 . D i o d a m e n d a p a t t e g a n g a n a r a h m a j u

Bila s a k l a r S masih dalarn k e a d a a n t e r b u k a maka

d i d a l a m k r i s t a l n y a h a n y a a d a medan l i s t r i k e yang
b e r a s a l d a r i tegangan b a r r i e r dengan a r a h d a r i P ke
N . Medan l i s t r i k i n i a k a n mencegah elektron bebas
d a r i d a e r a h N masuk k e d a e r a h P dan mencegah hole
d a r i daerah P masuk ke daerah N, sehingga pada
r a n g k a i a n i n i belum a d a a r u s yangn mengalir. Bila
saklar ditutup, tegangan sumber akan terhubung
dengan d i o d a . D i dalam k r i s t a l akan terjadi medan
listrik E yang arahnya berlawanan dengan medan
listrik e. Medan listrik E ini akan mendorong
e l e k t r o n d a n h o l e , maka a k a n t e r j a d i a l i r a n e l e k t r o n
d a n h o l e . H a l i n i d i s e b a b k a n k a . r e n a rnedan l i s t r i k E
j a u h l e b i h b e s a r d a r i p a d a medan l i s t r i k e. Dengan
demikian a r u s akan mengalir dalam rangkaizn dioda
i n i d a r i k u r t u b p o s i t i f b a t e r a i ke k u t u b n e g a t i f n y a .

B. Reverse B i a s

D i o d a d i k a . t a k a n menda.pat tegangan arah balik

(reverse bias) bils. dnerah P (anoda) dihubungkan
d e n g a n k u t u b n e g a t i f b a t e r a i da.n d a e r a h N (katoda)
d i h u b u n g k a n der1ga.n k u t u b positif baterai, seperti
t e r l i h a t p a d a gainbar 7 ( P e d e r s o n , 1 9 6 6 ) .
 Gambar 7 . D i o d a m e n d a p a t t e g a n g a n a r a h b a l i k

Medan l i s t r i k E y a n g ditimbulkan a.kan searah

dengan medan listrik e sehingga akan saling
memperkuat. Akibatnya e l e k t r o n d a r i d a e r a h N tidak
dapat bergerak menuju ke daerah P begitu pula
h o l e n y a . H a l i n i b e r a r t i bahwa d i o d a t e r s e b u t tidak
m e n g a l i r k a n a r u s . Dalam p r a k t e k n y a , pada rangkaian
r e v e r s e b i a s masih ada arus yang mengalir tetapi
sangat kecil, ha1 ini dapat dijelaskan sebagai
berikut :
Di dalam struktur kristal dioda hanya
elektron-elektron bebas untuk type N yang berasal
d a r i pemberian atom d o n o r , tetapi sebenarnya daya
hantar i n i ditentukan oleh dua faktor, y a i t u :
1. E l e k t r o n - e l e k t r r o n bebas yang dihasilkan oleh
atom d o n o r i n i p e r a n a n n y a sangat pent ing untuk
menghan t a r k a n a r u s .
2. Elektron bebas dan hole yang dihasilkan oleh
pecahnya ikatan kovalen akibat panas yang
diberikan oleh temperatur ruangan. Elektron dan
\
hole ini jumlahnya sedikit bila dibandingkan
dengan e l e k t r o n - e l e k t r o n d a r i atom d o n o r
Keadaan i n i j u g a b e r l a k u p a d a bahan t y p e P. Dengan
demikian pada s a a t reverse bias elektron-elektron
y a n g a d a p a d a d a e r a h P o l e h rnedan E d i t a r i k m a s u k k e
d a e r a h N d a n s e b a l i k n y a h o l e y a n g a.da di daerah N
a-kan b e r g e r a k m a s u k k e daerah P. Dengan demikian
. : i e l a s l a h rnengapa. p a d a s a a t r e v e r s e Gia.s masih ada
 a r u s yang s a n g a t k e c i l yang mengalir da.n arus ini
akan naik b i l a temperatur dioda n a i k .

C. K a r a k t e r i s t i k D i o d a

Karakteristik dioda biasanya dibedakan atas dua

karakteristik yaitu karakteristik forwrd dan
k a r a k t e r i s t i k r e v e r s e . Untuk membuat karakteristik
dioda yang menun j u k k a n besarnya arus pada
bermacam-macam tegangan yang diberikan adalah
s e p e r t i p a d a gambar 8.

Reverse bias I
I I (PA)
Gambar 8 . K a r a k t e r i s t i k d i o d a

U n t u k membuat k a r a k t e r i s t i k dioda perlu kita

lakukan dua k a l i percobaan, y a i t u bagian forward dan
bagian reverse. Karakteristik forward dapat
dilakuka-n dengan mengatur tegangan yang masuk pada
d i o d a . Dari t i a p - t i a p p e m b e r i a n t e g a n g a n kita ukur
arus yang mengalir . Untuk mendapatkan bagian
reversenya k i t a harus memberikan tegangan dengan
p o l a r i t a s yang terbalik, dan diperlukan tegangan
yang l e b i h b e s a r d a r i tegangan pada forward bias.
Arus yangn m e n g a l i r p a d a s e t i a p pemberian tegangan
diukur dengan mikroan~peremeter karena arus ini
s a n g a t k e c i l . S e l a n j u t n y a kedua h a s i l percobaan ini
disatukan dalarn sa.tu grafik, sehingga diperoleh
kurva k a r a k t e r i s t i k dioda t e r s e b u t .
IV. RANGKAIAN PENYEARAH ARUS

Sebagaimana y a n g t e l a h k i t a u r a i k a n d i a t a s , bahwa
d i o d a mempunyai s i f a t h a n y a d a p a t m e l e w a t k a n a r u s bila
mendapat tegangnan a r a h maju, dan b e r s i f a t menahan b i l a
mendapat tegangan arah balik. Sehubungan dengan
s i f a t n y a i n i maka d i o d a d a p a t digunakan untuk perata
a r u s atau untuk menyearahkan arus bolak balik (AC)
m e n j a d i a r u s s e a r a h (DC) . Kita mengetahui bahwa arus
b o l a k b a l i k merupakan s u a t u gelombang s i n u s i o d a l , yang
mana d a l a m s e t i a p setengah perioda, selalu berganti
a r a h (arah p o s i t i f dan arah n e g a t i f ) . Selanjutnya kita
a k a n membahas beberapa rangkaian penyearah arus AC
m e n j a d i DC, y a n g l a b i h d i k e n a l d e n g a n p o w e r s u p p l y a t a u
adaptor.

A. Penyearah Setengah Gelombang

Dioda d a p a t digunakan untuk penyearah arus

b o l a k b a l i k (AC). P a d a s a a t m e n d a p a t tegangan arah
maju, dioda bersifat menghantar dan pada saat
mendapat tegangan a r a h b a l i k dioda bersifat tidak
menghan t a r a t a u m e n a h a n .

GamGar 9 . R a n g a k a i a n p e n y e a r a h setengah
g e lornbang
 Gambar 9 a d a l a h p e n y e a r a h setengah gelombang.
T e g a n g a n o u p t u d a r i t r a f o b e r u p a t e g a n g a n AC, d i m a n a
setiap setengah perioda, b e r g a n t i a r a h positif dan
n e g a t i f . Pada saat setengah p e r i o d a pertama, titik A
positif dan B negatif, berarti dioda mendapat
tegangan a r a h maju. Arus m e l a l u i t a h a n a n R d a r i t i t k
C ke D . Pada saat s e t e n g a h p e r i o d a kedua, titik A
negatif dan B positif, berarti dioda mendapat
tegangan a r a h b a l i k , dioda bersifat menahan, arus
t i d a k ada. Demikianlah s e t e r u s n y a k e r j a d i o d a s e t i a p
setengah perioda, sehingga pada rangkaian tersebut
a r u s yanng m e l a l u i R hanya ada pada saat dioda
mendapat tegangan a r a h maju. Arus m e l a l u i R setiap
s e t e n g a h p e r i o d a dengan a r a h dari titik C ke D.
T e g a n g a n d a n a r u s DC y a n g d i h a s i l k a n d a p a t
d i h i t u n g dengan rumus;

B. R a n g k a i a n P e n y e a r a h G e l o m b a n g Penuh

GarnGar 1 m . R a n g k a i a n p e n y e a . r a h gelomba.rrg ~ e n u h
 Gambar 10 adalah penyearah gelombang penuh.
T e g a n g a n o u p u t d a r i t r a f o b e r u p a t e g a n g a n AC, d i m a n a
s e t i a p setengah perioda, berganti arah positif dan
n e g a t i f . Pada saat s e t e n g a h p e r i o d a p e r t a m a , t i t i k A
p o s i t i f dan B n e g a t i f , berarti dioda Dl mendapat
tegangan a r a h maju.
Arus melalui tahanan R d a r i t i t k C ke D . Dioda
D mendapat tegangan a r a h b a l i k , dioda i n i tidak
2
rnelewatkan a r u s (menahan). Pada s a a t setengah
perioda kedua, titik A negatif dan B positif,
b e r a r t i d i o d a Dlmendapat tegangan a r a h b a l i k , dioda.
b e r s i f a t rnenahan. D i o d a D
2 mendapat tegangan arah
rnaju, a r u s m e n g a l i r d e n g a n arah dari titik C ke
d .Dernikianlah s e t e r u s n y a k e r j a d i o d a s e t i a p s e t e n g a h
perioda, sehingga pada rangkaian t e r s e b u t s e l a l u ada
arus melalui R d e n g a n a r a h d a r i t i t i k C k e D.
Tegangan dan arus DC yang dihasilkan dapat
d i h i t u n g dengan rumus;

C. Penyearah G e l ombang Penuh Dengar> K a p a s i t o r Penyari ng

I

Garnbar 11. R a n g k a i a n p e n y e a r a h g e l o m b a n g p e n u h
dengan k a p a s i t o r penyaring
 Kerja dioda sebagai penyaring atau perata arus
s e a r a h d a p a t d i a m a t i p a d a r a n g k a i a n g b 1. D l dan
D2
adalah dioda sebagai penyearah arus bolak balik.
Kapasitor C pada rangkaian t e r s e b u t akan meratakan
a r u s o u t p u t yang d i h a s i l k a n , karena k a p a s i t o r dapat
menyimpan d a n m e m b e r i k a n a r u s . Pada saat tegangan
searah naik mencapai maksimum, maka kapasitor
mengisi (menyimpan arus) dan kemudian tegangan
s e a r a h t u r u n maka kapasitor akan memberikan arus
(mengsosongkan) secara lambat sampai tegangnan
searah naik kembali, dan seterusnya. Demikianlah
k e r j a k a p a s i t o r s e o l a h - o l a h k a p a s i t o r mempertahankan
tegangan searah pada daerah maksimum sehingga
t e r b e n t u k gelombang r i p p l e ( k e r u t ) .
Besar tegangan ripple ditentukan oleh nilai
kapasitor, semakin besar nilai kapasitor akan
semakin k e c i l tegangan r i p p l e . Pada alat penyedia
d a y a d i u s a h a k a n a g a r t e g a n g a n r i p p l e s e k e c i l mungkin
s e h i n g g a tegangan r a t a - r a t a n y a (VDC) setara dengan
t e g a n n g a n DC b a t r a i .

Faktor r i p p l e d a p a t d i h i t u n g dengan rumus,

r =
r rms x ieox
'DC

Tegangnan e f e k t i f r i p p l e a d a l a h ,

- 'r maks - r p p
v
vr rms. - 3 2-/3

Tegangan r a t a - r a t a n y a ,
 DAFTAR PUSTAKA

Deward H e n d r i k , L a z a r u s D a v i d ( 1 9 6 6 ) ; Modern Elektronk,

London, A d d i s o n W e s l e y , P u b l i s h i n g Company.

Kagnov I ( 1 9 7 0 ) ; Electron& in I n d u s t r v , Moscow, Peac

Publisher.

0.Pederson Donald, I .S t u d e r J a c k , R.Whinnery J o h n (1966);

Introrli~ction E l e c t r o n i c S v s t e r n C i r c i l i t and Device,
N e w Y o r k , Mc . G r a w - H i l l Book Company.

P o l l i n g C & T j o k r o d o n o e r d j o R.Harsono (1951); Lhu K a n i a

Anoraa.nik LL B, S e m a r a n g , Mahameru.

Terman FE ( 1 9 5 5 ) ; E l e c t r o n i r , % R a d i o Enainerina, Kogakusha

Company L t d .

Y o h a n n e s H R ( 1 9 7 5 ) ; h q a r -W R l e k t r n n i k , B a g i a n T e k n i k
L i s t r i k , F a k u l t a s T e k n i k U n i v e r s i t a s G a d j a h Mada.