Aula 5:

O MOSFET como Amplificador e como

Chave

Prof. Seabra
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Eletrônica I – PSI3322
Programação para a Primeira Prova
Aula Matéria Cap./página
1ª Estrutura e operação dos transistores de efeito de campo canal n, Sedra Cap. 4
03/08 características tensão-corrente. p. 141-146

2ª Dedução da equação de corrente do MOSFET canal n, resistência de saída na Sedra, Cap. 4

05/08 saturação, Exemplo 4.1. p. 146-155
3ª Características do MOSFET canal p, efeito de corpo, sumário, exercícios. Sedra, Cap. 4
10/08 p. 155-159
4ª Polarização cc. Exemplos 4.2, 4.5 e 4.6. O MOSFET como amplificador e como Sedra, Cap. 4
12/08 chave (apenas destacar a curva de transferência) p. 160-165
5ª O MOSFET como amplificador, modelo equivalente para pequenos sinais, Sedra, Cap. 4
17/08 Exemplo 4.10. p. 175-184
6ª Configurações básicas de estágios amplificadores MOS. Conceituação. Fonte Sedra, Cap. 4
19/08 comum e fonte comum com resistência de fonte. p. 185-193
7ª Resposta em baixa frequência do fonte comum Sedra, Cap. 4 Sedra, Cap. 4
24/08 p. 206-208
8ª Resposta em alta frequência do fonte comum Sedra, Cap. 4 Sedra, Cap. 4
26/08 p. 203-206
9ª Aula de ExAula avulsa de exercícios (horário 13:00h – 15:00h)

1a. Semana de provas (29/08 a 02/09/2016)

Data: xx/xx/2016 (xx feira) – Horário: xx:xxh
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 5ª Aula:
O Transistor de Efeito de Campo
O MOSFET como Amplificador e como Chave

Ao final desta aula você deverá estar apto a:

- Explicar porque a região de saturação é mais adequada à amplificação de sinais

- Estimar o comportamento do MOSFET como amplificador à partir de sua curva
característica ID x VDS

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Características de Corrente-Tensão do NMOSFET

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Uma palavra sobre Circuitos Amplificadores

vo

Amplificador de Tensão
Avo

vi

Δv o
Avo =
(max Av ) Δv i io = 0

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Exemplo 4.8 adaptado Projete o circuito abaixo para operar
na região de saturação com ID = 0,333mA. Qual o limite da saturação?
Considere RG1//RG2 = 1MΩ, Vt= 1 V, λ = 0 e kn´(W/L) = 1 mA/V2
•MOSFET canal n na saturação:
W ( VGS − Vt )
2
= 10V ID = kn′ (1 + λVDS )
L 2
( V − 1) 1 + 0 × V
2

= 18kΩ 0,333 = 1 × GS ( DS )
2
VGS = 0,666 + 1 = ±0,816 + 1
kn '(W / L ) = 1mA/V 2 VGS = 0,184V ou 1,816V
Vt = 1V RG 2
VGS = 1,816V=10V ×
λ= 0 RG1 + RG 2
RG1RG 2
Se = 1MΩ RG1 = 5,5MΩ
RG1 + RG 2 RG 2 = 1,22MΩ

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VD =VDS = 10V-18k × 0,333mA = 4V
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Exemplo 4.8 adaptado Projete o circuito abaixo para operar

na região de saturação com ID = 0,333mA. Qual o limite da saturação?
Considere RG1//RG2 = 1MΩ, Vt= 1 V, λ = 0 e kn´(W/L) = 1 mA/V2
•MOSFET canal n na saturação:
= 10V

= 18kΩ
0,333mA
= 4V
VGS = 1,816V kn '(W / L ) = 1mA/V 2
Vt = 1V
λ= 0
0,333mA 1,816V

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 Já falamos como resolver esse problema graficamente:
As Análises que fizemos anteriormente (resistor, diodo)

Aplicando a lei das malhas: VDD

R1 resistor (2)

VDD = R1.I + VR 2 (1)

1

2
Aplicando a lei do resistor: (1)

VR 2 (2)
I =
1

R2
Aplicando a lei das malhas:
VDD = R .I D + V D
VDD − VD
ID = (1)
R
I D = I S e vD / nVT Aplicando a lei do diodo:

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(2)

E para o MOSFET?
(se na região de saturação)
= 10V Aplicando a lei das malhas:
VDD = RD .I D + VDS
VDD − VDS
= 18kΩ ID = (1)
RD
0,333mA
= 4V Aplicando a lei do MOSFETna saturação ou triodo:
VGS = 1,816V
W ( VGS − Vt )
2
W VDS 
2

ID = k n′ I D = k ′n (VGS − Vt )VDS −
L  2 
 (2)
L 2

vi

B
Q
vo

vi
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vo

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 Operando na Região de Saturação

v i > (v DS + Vt )
(triodo )
vO
VDD vI
Δv o
RD Avo =
V 1 (max Av ) Δvi Carga =∞
iD = DD − v DS
RD R D

v i entre Vt e (v DS + Vt )
(saturação ) vi < Vt

vO

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O MOSFET como Amplificador

• Será que podemos analisar esse comportamento matematicamente na
região de saturação?
carga passiva
iD = I D + id
v GS = VGS + v gs

[ VGS ≤ VDS -Vt ]

W (v GS − Vt )
2

iD = kn′
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L 2
6

6
 Até onde a relação iD x vGS é linear?

vGS
2
W (VGS + v gs ) − Vt  (saturação)
iD = kn′
L 2

VOV
>>
1 W W 1 W
(VGS − Vt ) + kn′ (VGS − Vt ) v gs + kn′ v gs 2
2
iD = kn′
2 L L 2 L

1 W W v gs << 2 ( VGS − Vt )
kn′ v gs 2 << kn′ (VGS − Vt ) v gs
2 L L
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Pequenos Sinais!

Até onde a relação iD x vGS é linear?

iD = I D + id ; v GS = VGS + v gs
vGS
2
W (VGS + v gs ) − Vt  (saturação)
iD = kn′
L 2
v gs << 2 ( VGS − Vt ) Pequenos Sinais!

ID id
1 W W
(VGS − Vt ) + kn′ (VGS − Vt ) v gs
2
iD ≈ kn′
2 L L
gm
1 W W
(VGS − Vt ) id = kn′ L (VGS − Vt ) v gs → id = gmv gs
2
ID = kn′
L
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2
7

7
 Até onde a relação iD x vGS é linear?
(mesma pergunta e um outro olhar)

Região de Saturação VDS > VGS − Vt

1 W
(vGS − Vt )
2
iD = kn′
2 L

NMOS saturado!

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Até onde a relação iD x vGS é linear?

(mesma pergunta e um outro olhar)
1 W
(vGS − Vt )
2
iD = kn′
2 L
carga passiva

[ VGS ≤ VDS -Vt ]

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 Até onde a relação iD x vGS é linear?
(mesma pergunta e um outro olhar)

W (vGS − Vt )
2

iD = kn′
L 2
inclinação
(aproximação)
∂i D W
gm = = kn′ . .(VGS − Vt )
∂v GS v GS =VGS
L

id = g mv gs
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Modelos Equivalentes de Circuitos

vGS > Vt
v DS > vGS − Vt
Se v gs << 2 ( VGS − Vt )
o modelo pode ser linearizado!

Grandes Sinais Pequenos Sinais

(na saturação vale sempre) ig (só se vgs << 2(VGS-Vt) ) id

∂iDS W
gm = = kn′ . .(VGS − Vt )
∂vGS L
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PSI/EPUSP id = g mv gs
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9
 Sofisticando o Modelo na Região de Saturação
vGS > Vt
v DS ≥ vGS − Vt

W (vGS − Vt )
2

iD = kn′
L 2

W (vGS − Vt )
2
VA
iD = kn′ (1 + λ.v DS )
L 2
1
onde λ=
VA
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Modelos Equivalentes de Circuitos para Pequenos Sinais

Pequenos Sinais Pequenos Sinais com ro
ig (só se vgs << 2(VGS-Vt) ) id ig (só se vgs << 2(VGS-Vt) ) id

∂iDS W VA
gm = = kn′ . .(VGS − Vt ) ro ≅
∂vGS L ID

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id = g mv gs
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