Transistores

de efecto de campo
Son transistores que funcionan controlando la corriente que circula por el
cuerpo del semiconductor, mediante un campo eléctrico distribuido en toda su
extensión. La magnitud del campo eléctrico es determinada por el voltaje
externo de control aplicado al dispositivo.
- Porque utilizar un
FET ?
- Que diferencias
existen con un
BIPOLAR ?
 Ventajas de los Fet’s

 Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

 Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
 Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan
menos pasos y permiten integrar más dispositivos en un CI.
 Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión
para valores pequeños de tensión drenaje-fuente.
 La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener
carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como
elementos de almacenamiento.
 Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y
conmutar corrientes grandes.
 Desventajas que limitan la utilización de los Fet’s

 Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la

alta capacidad de entrada.

 Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son

menos lineales que los BJT.

 Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática

Clasificación general de los FETs
Simbología de los FETs
Transistor efecto de campo de juntura - JFET
 El J-FET es un dispositivo de tres estados:
Zona de corte si : entonces: ID=IS=0

Zona óhmica si : VD VG VP VDG VP

Zona de conducción: vGS VP
Zona activa si : VD VG VP VDG VP
El límite entre la zona óhmica y la activa viene marcada en viene
marcada por la igualdad VDG=-VP
Curva características de un JFET
Ecuaciones del JFET
Transistor de metal oxido semiconductor- MOSFET
Forma de
funcionamiento
Curvas características del Mosfet de acumulación.
Las curvas más importantes que describen en funcionamiento del MOSFET
son las de transferencia y las de salida.
Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente de
salida (ID) con la tensión de entrada (VGS). En las figuras siguientes se
observa para los transistores de canal N y P respectivamente.

Vt = Vth = Tension umbral

Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de
VGS y relacionan la corriente de salida (ID) versus la tensión de salida
(VDS).
Son útiles para ver las zonas de operación del dispositivo y definir los
conceptos de punto de operación y rectas de carga estática y dinámica.

ID

VDS = VGS - VTH

VGS4

OHMICA VGS3
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
VGS2

VGS1
CORTE

VDS
Ecuaciones del Mosfet
(Acumulación)