DASAR ELEKTRONIKA

BAB I
DIODA SEMIKONDUKTOR

TEKNIK ELEKTRO
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS TEKNOLOGI SUMBAWA
2018

TITI ANDRIANI, S.T., M.T.

SEMIKONDUKTOR
 Struktur Atom

Lintasan ke-1 r3 Tingkat energi ke-3

Lintasan ke-2
Lintasan ke-3 r2 Tingkat energi ke-2
inti
r1 Tingkat energi ke-1

inti

(𝐹𝑔 = 𝐹𝑠 ).

Radius antara 𝑟1 dan 𝑟2 adalah terlarang,

demikian juga radius antara 𝑟2 dan 𝑟3 terlarang
SEMIKONDUKTOR
 Kristal Silikon

Sebuah atom silikon memiliki:

• 14 proton
• 2 elektron pada lintasan pertama
14P
• 8 elektron pada lintasan kedua
• 4 elektron pada lintasan paling luar
(valensi)
SEMIKONDUKTOR
 Kristal Silikon

Untuk stabil secara kimiawi, sebuah atom silikon

membutuhkan 8 elektron di dalam lintasan valensinya

Bila atom2 silikon bergabung untuk membentuk

benda padat, mereka menyusun dirinya dalam
suatu susunan teratur yang disebut Kristal.
Gaya yang mengikat atom2 satu sama lain
disebut ikatan2 kovalen.
SEMIKONDUKTOR
 Jalur Energi

r3 Jalur Valensi
r2 Jalur ke-2
Jalur ke-1

• Dalam satu Kristal, lintasan2 atom dipengaruhi oleh muatan dari

atom yang berdekatan, sehingga lintasan dari setiap elektron
berbeda satu sama lain.
• Semua elektron yang berada pada lintasan yang pertama
mengelompok dalam satu jalur (band), dst.
SEMIKONDUKTOR
 Konduksi dalam kristal
• Pada suhu nol mutlak, elektron tidak dapat bergerak keluar dari
kristal. Semua elektron valensinya diikat kuat oleh ikatan2 kovalen
di antara atom2.

Jalur Konduksi

r3 Jalur valensi
r2 Jalur ke-2
r1 Jalur ke-1

• Bila tiga jalur pertama terisi penuh, elektron di dalam jalur ini tidak
dapat bergerak dengan leluasa karena tidak terdapat lintasan
kosong. Pada kondisi ini, jalur konduksi adalah kosong yang berarti
bahwa arus tidak dapat mengalir di dalam Kristal silikon
SEMIKONDUKTOR
 Konduksi dalam kristal

Jalur Konduksi
Bila suhu dinaikkan di atas suhu nol mutlak, akan
r3 Jalur valensi
melepaskan beberapa ikatan kovalen sehingga
elektron2 valensi akan pindah ke jalur konduksi r2 Jalur ke-2
r1 Jalur ke-1

Gerakan Elektron
Setiap kali sebuah elektron dipindahkan ke jalur
konduksi, pada saat yang sama sebuah lubang
(hole) tercipta pada jalur valensi. Akibatnya,
jalur valensi tidak lagi terisi penuh. Keadaan ini
digambarkan dengan tanda minus (-)
SEMIKONDUKTOR
 Pasangan electron dan hole
Elektron-elektron
Jalur Konduksi
• Bila diberikan tegangan pada kristal, tegangan
tersebut akan memaksa elektron2 untuk bergerak.
• Terdapat dua macam gerakan elektron yaitu
Elektron-elektron
Jalur Valensi
elektron2 jalur konduksi dan elektron2 jalur
valensi.

Elektron-elektron
Jalur Konduksi

+ + + + + • Gerakan ke kiri elektron2 jalur valensi sama

Hole-hole
artinya dengan hole2 yang bergerak ke kanan
SEMIKONDUKTOR
 Rekombinasi & lifetime
Kadang2, lintasan elektron pada jalur konduksi dapat memotong lintasan
hole pada atom yang lain. Karenanya, sangat sering terjadi suatu elektron
pada jalur konduksi jatuh ke dalam hole. Penggabungan suatu elektron
bebas dan hole disebut penggabungan kembali (rekombinasi). Pada saat ini
terjadi, hole akan hilang.

Rekombinasi terjadi secara terus menerus kecuali energi panas masuk

secara terus menerus yang menghasilkan hole2 baru. Waktu rata2 antara
timbul dan hilangnya pasangan elektron dan hole ini disebut sebagai waktu
hidup (lifetime).
SEMIKONDUKTOR
 Doping

• Suatu Kristal silikon yang murni di mana setiap atomnya adalah

silikon disebut semikonduktor intrinsic. Untuk kebanyakan
aplikasi, tidak terdapat elektron dan hole yang cukup banyak
untuk menghasilkan arus yang berguna.
• Oleh karena itu dilakukan doping yaitu penambahan atom2
impuritas pada suatu Kristal silikon untuk menambahkan jumlah
elektron maupun hole.
• Kristal yang telah di-dop ini disebut semikonduktor ekstrinsik.
SEMIKONDUKTOR
 Semikonduktor tipe–n dan tipe-p

tipe-n tipe-p

atom2 pentavalen atom2 tetravalen

(5 elektron bebas) (3 elektron bebas)

Berikatan dengan Berikatan dengan

atom Silikon atom Silikon
Si
Si
Si
Si TV
Kelebihan
PV Si
Si elektron
hole Si
Si
DIODA
 Dioda tanpa Bias

• Adalah mungkin untuk menghasilkan kristal yang terdiri dari

separuh tipe-p dan separuh tipe-n. Daerah pertemuan antara tipe-p
dan tipe-n disebut Junction.
p n

• Suatu kristal pn seperti ini umumnya disebut Dioda.

• Gambar tersebut memperlihatkan pembentukkan Kristal pn tanpa
bias (tidak ada tegangan luar yang diberikan).
DIODA
 Lapisan Kosong
p n p n

(a) (d)

p n Lapisan
p
kosong n

(b)
(e)
p n

(c)
DIODA
 Dioda dengan Bias
p n p n

Pada bias maju terjadi proses:

• Kutub negatif catu menolak elektron bebas di dalam daerah n kearah junction.
• Elektron yang mendapat tambahan energi ini dapat melewati junction dan
jatuh ke dalam hole yang kemudian menjadi elektron valensi.
• Elektron kemudian terus bergerak menuju ke ujung kiri melewati hole di dalam
daerah p
• Elektron meninggalkan kristal dan mengalir ke dalam kutub positif catu.

Bias maju dapat menghasilkan arus yang cukup besar.

DIODA
 Grafik Dioda
I

Anoda
Rs Arus Bocor
Daer ah
-BV For ward
p
+ V

n Vs
Daer ah Tegangan
- Reverse Lut ut
Katoda

Simbol Dioda Rangkaian Dioda Kurva Dioda

Arus bocor:: Arus yang sangat kecil yang melalui permukaan Kristal, 𝐼𝑆𝐿 .
Tegangan breakdown: Tegangan yang timbul jika tegangan reverse terus
dinaikkan hingga mencapai titik pendobrakan (breaking
point).
Tegangan Lutut: Tegangan dioda ketika mendekati potential barrier
DIODA
 Garis Beban Dioda

Rs
Contoh 1:
+ Diketahui tegangan sumber 𝑉𝑠 = 2 𝑉 , tahanan
Vs
-
pembatas arus 𝑅𝑠 = 100 Ω. Dengan memisalkan
tegangan 𝑉𝐷 = 0, maka berapakah 𝐼𝑠 ?
I

Kurva 2𝑉−0𝑉
Dioda 𝐼𝑠 = = 20 𝑚𝐴
100 Ω
30 mA

Misalkan tegangan 𝑉𝐷 = 2 𝑉
I=20 mA, V=0
Q (Titik Operasi)
12.5 mA 2𝑉−2𝑉
10 mA 𝐼𝑠 = =0A
100 Ω
V
0.75 V V=2 V, I=0
DIODA
 Dioda Ideal
I

Tegangan Ideal Switch

For ward nol Tertutup
V

Arus
Reverse nol

- Berlaku sebagai konduktor yang sempurna (bertegangan nol) dalam arah

forward, sama seperti switch yang tertutup
- Berlaku sebagai isolator yang sempurna (berarus nol) dalam arah
reverse, sama seperti switch yang terbuka
DIODA
 Pendekatan Dioda
I

Pendekat
an Kedua 0.7
V
0.7

Diperlukan tegangan offset sekitar 0.7 V sebelum dioda silikon

konduk sehingga diperlukan tegangan sumber yang lebih besar dari
0.7 V untuk mengalirkan arus pada rangkaian
DIODA
Contoh 2:
Untuk konfigurasi dioda berikut, tentukan 𝑉𝐷 , 𝑉𝑅 , dan 𝐼𝐷
+ VD - ID

ID
Si +
0,5 V 1,2 kΩ VR
- 0.7
VD=0.5V
Solusi:

𝐼𝐷 = 0𝐴
𝑉𝑅 = 𝐼𝑅 𝑅 = 𝐼𝐷 𝑅 = 0𝐴 1,2 𝑘Ω = 0𝑉
𝑉𝐷 = 𝐸 = 0𝑉
KONFIGURASI DIODA SERI
Contoh 3:
Untuk konfigurasi dioda berikut, tentukan 𝑉𝑂 dan 𝐼𝐷

Si Ge + VT1 - + VT2 -
12 V VO
ID IR IR
ID 0,7V 0,3V +
5,6 kΩ 5,6 kΩ VO
-

Solusi:

𝑉𝑇1 + 𝑉𝑇2 = 0,7𝑉 + 0,3𝑉 = 1𝑉

𝑉𝑂 = 𝐸 − 𝑉𝑇1 − 𝑉𝑇2 = 12𝑉 − 0,7𝑉 − 0,3𝑉 = 11𝑉
𝑉𝑅 𝑉𝑂 11𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑅 = = = ≅ 1,96𝑚𝐴
𝑅 𝑅 5,6𝑘Ω
KONFIGURASI DIODA SERI
Contoh 4:
Untuk konfigurasi dioda berikut, tentukan 𝐼, 𝑉1 , 𝑉2 dan 𝑉𝑂
+ V1 - + V1 - + 0,7 V -
R1 Si
E1=10V VO I 4,7kΩ +
I
4,7 KΩ + 2,2 kΩ V2 +
R2 2,2 KΩ V2 -
- KVL VO
- E1=10 V 5V E2 __
+

Solusi: E2=-5V

𝐸1 = 𝑉𝑅1 + 𝑉𝐷 + 𝑉𝑅2 − 𝐸2 𝑉1 = 𝐼𝑅1 = 2,072𝑚𝐴 4,7𝑘Ω = 9,74𝑉

𝐸1 + 𝐸2 = 𝐼𝑅1 + 𝑉𝐷 + 𝐼𝑅2 𝑉2 = 𝐼𝑅2 = 2,072𝑚𝐴 2,2𝑘Ω = 4,56𝑉

𝐸1 + 𝐸2 = 𝐼 𝑅2 + 𝑅2 + 𝑉𝐷 𝑉𝑂 = 𝑉2 − 𝐸2 = 4,56𝑉 − 5𝑉 = −0,44𝑉

𝐸1 + 𝐸2 − 𝑉𝐷 14,3𝑉
𝐼= = ≅ 2,072𝑚𝐴
𝑅2 + 𝑅2 6,9𝑘Ω
KONFIGURASI DIODA PARALEL
Contoh 5:
Untuk konfigurasi dioda berikut, tentukan 𝐼1 , 𝐼𝐷1 , 𝐼𝐷2 , dan 𝑉𝑂
+ VR -
R R

ID1 ID2 ID1 ID2

I1 0,33kΩ I1 0,33kΩ +
+
Si Si VO VO
E=10 V D1 D2 E=10 V 0,7V 0,7V
__ __

Solusi:

𝑉𝑂 = 0,7𝑉
𝑉𝑅 𝐸 − 𝑉𝐷 10𝑉 − 0,7𝑉
𝐼1 = = = = 28,18𝑚𝐴
𝑅 𝑅 0,33𝑘Ω

Dengan asumsi bahwa kedua diode memiliki karakteristik yang berbeda

𝐼1 28,18𝑚𝐴
𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷2 = = = 14,09mA
2 2
KONFIGURASI DIODA PARALEL
Contoh 6:
Untuk konfigurasi dioda berikut, tentukan 𝐼1 , 𝐼2 , dan 𝐼𝐷2
Si I1 R1 + VT1 - I1

D1 ID2 3,3kΩ + 0,7V - ID2

Si D2 VT2 0,7V R1 3,3kΩ
E=20 V E=20 V
R2 I2 R2
I2

5,6kΩ 5,6kΩ
- V2 +

Solusi:
𝑉𝑅1 𝑉𝑇2 0,7𝑉
𝐼1 = = = = 0,212 𝑚𝐴 𝐼2 = 𝐼𝐷2 + 𝐼1
𝑅1 𝑅1 3,3𝑘Ω
𝐼𝐷2 = 𝐼2 − 𝐼1 = 3,32 𝑚𝐴 − 0,212 𝑚𝐴-
𝑉2 = 𝐸 − 𝑉𝑇1 − 𝑉𝑇2 = 20𝑉 − 0,7𝑉 − 0,7𝑉 = 18,6𝑉
= 𝐼2 − 𝐼1 = 3,108 𝑚𝐴-
𝑉2 18,6𝑉
𝐼2 = = = 3,32 𝑚𝐴
𝑅2 5,6𝑘Ω
DIODA ZENER
Jika dioda penyearah akan rusak jika dioperasikan pada daerah reverse
I I

Arus Bocor Daer ah

Daer ah
-BV For ward For ward
-VZ
V V
Daer ah Bocor
IZT
Daer ah Tegangan Daer ah
Reverse Lut ut Dadal

IZM

Maka dioda Zener justru dibuat oleh pabrik untuk bekerja paling
baik pada daerah reverse, daerah ini disebut daerah dadal
DIODA ZENER
I

Anoda
Daer ah
For ward

p
-VZ
V
Daer ah Bocor
n IZT
Daer ah
Katoda Dadal

IZM

𝑉𝑍 : Tegangan dadal dioda zener

𝐼𝑍𝑇 : Arus pengetesan untuk mengetahui besarnya nilai 𝑉𝑍
𝐼𝑍𝑀 : Batas kemampuan arus maksimum dioda Zener
𝑃𝑍𝑀
𝐼𝑍𝑀 =
𝑉𝑍
𝑃𝑍𝑀 :Batas kemampuan daya dioda zener
DIODA ZENER sebagai REGULATOR TEGANGAN
Regulasi tegangan berarti mempertahankan tegangan keluaran yang tetap
meskipun arus yang melaluinya berubah
Rs 𝑉𝑆 − 𝑉𝑍
𝐼𝑠 =
+ + 𝑅𝑆
Vs VZ 𝑉𝑍 = 𝑉𝑆 − 𝐼𝑠 𝑅𝑆
- 𝑉𝑆 − 𝑉𝑍
- 𝐼𝑍 =
𝑅𝑆

Misalkan diketahui tegangan sumber 𝑉𝑠 = 20 𝑉, tahanan pembatas arus 𝑅𝑠 = 1 𝑘Ω.

Arus 𝐼𝑧 = 0, maka berapakah 𝑉𝑧 ?

𝑉𝑍 = 20 𝑉 − 0 𝐴 1000 Ω = 20 𝑉

Atau dengan tegangan sumber 𝑉𝑠 dan tahanan pembatas arus 𝑅𝑠 yang sama, dengan
memisalkan tegangan 𝑉𝑧 = 0, maka berapakah 𝐼𝑧 ?

20 𝑉 − 0 𝑉
𝐼𝑧 = = 20 𝑚𝐴
1000 Ω
DIODA ZENER sebagai REGULATOR TEGANGAN
I

𝑉𝑍 = 20 𝑉 − 0 𝐴 1000 Ω = 20 𝑉

20 𝑉 − 0 𝑉 -30V -20V -12V

𝐼𝑧 = = 20 𝑚𝐴 V
1000 Ω
Q1
30 𝑉 − 0 𝑉
𝐼𝑧 = = 30 𝑚𝐴 Q2 -20mA
1000 Ω

-30mA
-33mA
Pada nilai 𝑃𝑍𝑀 = 400 𝑚𝑊
400 𝑚𝑊
𝐼𝑍𝑀 = = 33,3 𝑚𝐴
12 𝑉

 Perubahan arus yang disebabkan oleh perubahan tegangan jala-jala menghasilkan

nilai tegangan keluaran yang tetap.
DIODA ZENER IDEAL vs PENDEKATAN DIODA ZENER
Dioda Zener dianggap ideal berarti mengabaikan resistansi internal Zener, 𝑅𝑧 .
Dalam suatu rangkaian, Zener dapat diganti dengan sumber tegangan 𝑉𝑍 ,
Anoda

p +

= VZ
n -

Katoda

Kenyataannya grafik 𝐼 − 𝑉 tidak pernah vertikal yang menunjukkan adanya resistansi

Zener. Meskipun 𝑅𝑧 kecil, tetapi dapat menyebabkan perubahan tegangan keluaran
persepuluh volt bila arus mengalami perubahan yang besar.
Anoda

p RZ
+
n = VZ
-

Katoda
DIODA ZENER IDEAL vs PENDEKATAN DIODA ZENER
Contoh 7:
Dioda Zener berikut memiliki 𝑉𝑍 = 10 V, gunakan pendekatan Zener ideal
untuk mendapatkan arus Zener maksimum dan minimum
820 Ω 820 Ω

+ + + +
20 KE +
20 KE VOUT
VOUT 40 V - 10V
40 V - -
- -

Solusi:
𝑉𝑆 − 𝑉𝑍 𝑉𝑆 − 10 𝑉
𝐼𝑍 = =
𝑅𝑆 820 Ω
20 𝑉 − 10 𝑉
𝐼𝑍(𝑚𝑖𝑛) = = 12,2 mA
820 Ω
40 𝑉 − 10 𝑉
𝐼𝑍(𝑚𝑎𝑘𝑠) = = 36,6 mA
820 Ω
DIODA ZENER IDEAL vs PENDEKATAN DIODA ZENER
Contoh 8:
Dengan rangkaian dan nilai parameter yang sama, gunakan pendekatan Zener untuk
mendapatkan arus Zener maksimum dan minimum
820 Ω 820 Ω

+ + + +
20 KE 7Ω
20 KE + VOUT
VOUT 40 V -
40 V - 10V -
- -

Solusi: Dari contoh 7 dan 8 dapat dilihat kerja dioda

𝑉𝑆 − 𝑉𝑍 𝑉𝑆 − 10 𝑉 zener sebagai regulator;
𝐼𝑍 = =
𝑅𝑆 + 𝑅𝑧 (820 + 7) Ω
∆𝑉𝑍 = ∆𝐼𝑍 𝑅𝑍
20 𝑉 − 10 𝑉 ∆𝑉𝑍 = 36,3mA −12,1 mA × 7Ω
𝐼𝑍(𝑚𝑖𝑛) = = 12,1 mA
(820 + 7) Ω
∆𝑉𝑍 = 0,169 𝑉
40 𝑉 − 10 𝑉
𝐼𝑍(𝑚𝑎𝑘𝑠) = = 36,3 mA Tegangan keluaran naik hanya 0,169 𝑉 dengan
(820 + 7) Ω kenaikan tegangan sumber 20𝑉
SEKIAN...