Anda di halaman 1dari 6

EL3102

MODUL 04 – KARAKTERISTIK DAN PENGUAT FET


Muhammad Iqbal Firdaus Bachmid (13116117)
Asisten : M. Daniel Firdaus (13115003)
Tanggal Percobaan : 27 Oktober 2018
EL3102 – Praktikum Elektronika

Abstrak FET mulai berfungsi saat nilai tegangan Vgs


minimun yang menyebabkan arus mengalir
In this module 4 practicum, the sehingga tegangan tersebut merupakan
students conducted several experiments tegangan threshold atau Vt. Transistor FET
including testing transistors. From the Id- digunakan sebagai penguat untuk
Vgs characteristic curve we can find out konfigurasi common source ,common gate
the magnitude of the transistor threshold dan common drain sehingga kita dapat
menentukan nilai resistansi input dan
voltage. From the Id-Vds characteristic
resistansi output yang dihasilkan.
curve we can find out the transistor work Tujuan dari percobaaan ini adalah:
area, namely the triode area, the saturation • Mengetahui dan mempelajari
area (the transistor is used as an karakteristik transistor FET.
amplifier), and the cut-off area of the • Memahami penggunaan FET
transistor. Then looking for the value of gm sebagai penguat untuk konfigurasi
can be done with 2 approaches, namely by Common Source, Common Gate,
dan Common Drain.
calculating using the formula and by • Memahami resistansi input dan
measuring the slope of the curve. output untuk ketiga konfigurasi
Furthermore, in the bias circuit tersebut.
experiment, the values of voltage and
resistance can be obtained at the gate, drain II. STUDI PUSTAKA
and source, which are then used to create an
2.1. Transistor FET
amplifier circuit for all three transistor
configurations. Then an experiment is Transistor FET adalah transistor yang
performed to calculate the magnitude of the bekerja berdasarkan efek medan elektrik
gain, input resistance, and output yang dihasilkan oleh tegangan yang
resistance for all three configurations. diberikan pada kedua ujung terminalnya.
Mekanisme kerja transistor ini berbeda
Keywords : Transistor, MOSFET, dengan transistor BJT. Pada transistor ini,
Common Source, Common drain, Common arus yang dihasilkan / dikontrol dari Drain
Gate. (analogi dengan kolektor pada BJT),
dilakukan oleh tegangan antara Gate dan
Source (analogi dengan Base dan Emiter
I. PENDAHULUAN pada BJT). Bandingkan dengan arus pada
Pada percobaan elektronika kali ini Base yang digunkan untuk menghasilkan
memahami karakteristik transistor FET dan arus kolektor pada transistor BJT.
penguat FET untuk konfigurasi common
Jadi, dapat dikatakan bahwa FET adalah
source, common drain dan common gate.
Pada karakteristik FET dapat diamati dari transistor yang berfungsi sebagai
kurva ID-Vgs dan kurva ID-Vds. Transistor “konverter” tegangan ke arus.Transistor

LAPORAN PRAKTIKUM – LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO – INSTITUT TEKNOLOGI SUMATERA 1


EL3102
FET memiliki beberapa keluarga, yaitu 2.2 Penguat FET
JFET dan MOSFET. Pada praktikum ini
Untuk menggunakan transistor MOSFET
akan digunakan transistor MOSFET sebagai penguat, maka transistor harus
walaupun sebenarnya karakteristik umum berada dalam daerah saturasinya. Hal ini
dari JFET dan MOSFET adalah serupa. dapat dicapai dengan memberikan arus ID
Karakteristik umum dari transistor dan tegangan VDS tertentu. Cara yang biasa
digunakan dalam mendesain penguat adalah
MOSFET dapat digambarkan pada kurva
dengan menggambarkan garis beban pada
yang dibagi menjadi dua, yaitu kurva
kurva ID vs VDS. Setelah itu ditentukan Q
karakteristik ID vs VGS dan kurva point-nya yang akan menentukan ID dan
karakteristik ID vs VDS. Kurva karakteristik VGS yang harus dihasilkan pada rangkaian.
ID vs VGS diperlihatkan pada gambar Setelah Q pointtercapai, maka transistor
berikut. Pada gambar tersebut terlihat bahwa telah dapat digunakan sebagai penguat
terdapat VGS minimum yang menyebabkan dalam hal ini sinyal yang diperkuat adalah
arus mulai mengalir. Tegangan tersebut sinyal kecil (sekitar 40-50mVpp dengan
dinamakan tegangan threshold, Vt. Pada frekuensi 1-10kHz).
MOSFET tipe depletion, Vt adalah negative, Terdapat 3 konfigurasi penguat dalam
sedangkan pada tipe enhancement, Vt transistor FET:
adalah positif.
• Common source
• Common drain
• Common gate
Ketiganya memiliki karakteristik yang
berbeda-beda dari faktor penguatan,
resistansi input dan resistansi output. Tabel
berikutnya dari rangkuman karakteristik
ketiga konfigurasi sebagai berikut.
Tegangan tersebut dinamakan tegangan
threshold, Vt. Pada MOSFET tipe depletion,
Vt adalah negative, sedangkan pada tipe
enhancement, Vt adalah positif.
Kurva karakteristik ID vs VDS ditunjukkan
oleh gambar di bawah ini. Pada gambar
tersebut terdapat beberapa kurva untuk
setiap VGS yang berbeda- beda. Gambar ini III. METADOLOGI
digunakan untuk melakukan desain
peletakan titik operasi/titik kerja transistor. • Alat dan Bahan :
Pada gambar ini juga ditunjukkan daerah 1. Sumber tegangan DC
saturasi dan Trioda. 2. Generator sinyal
3. Osiloskop
4. Multimeter
5. Breadboard
6. Kit Transistor sebagai switch
7. Rg=100kΩ
8. Rd=10kΩ
9. Rs=1kΩ
10. Resistor 1MΩ

LAPORAN PRAKTIKUM – LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO – INSTITUT TEKNOLOGI SUMATERA 2


EL3102
11. Kapasitor 100 uF 1.4 Penguat Common Source
12. Kabel-kabel
Dihubungkan sinyal input tersebut ke
Langkah Percobaan rangkaian dengan memberikan kapasitor
kopling seperti yang ditunjukan oleh
1.1 Kurva karakteristik Id-Vgs
gambar 4.
Buatlah Rangkaian seperti pada modul

Digunakan osiloskop untuk melihat sinyal


Atur VGS sessuai pada modul, kemudian cari pada Gate
I0
dan Drain transistor

Ditentukan penguatannya (Av = Vo/Vi).


Buat Plot kurva Karakteristik ID VS. VGS,
tentukan tegangan threshold

1.2 Kurva karakteristik Id-Vds Dinaikkan amplitudo generator sinyal


dandiperhatikan sinyal output ketika sinyal
Buatlah Rangkaian seperti pada modul mulai tersdistorsi. Dicatat tegangan input
ini.

Atur VDS sessuai pada modul, kemudian cari


I0 untuk setiap VGS
Dibandingkan nilai penguatan yang
diperoleh dari percobaan ini dengna nilai
dari hasil perhitungan dengna
Buat Plot kurva Karakteristik ID VS. VDS,
menggunakan tabel karakteristik penguat
tentukan daerah saturasi, dan daerah triode
FET.

1.3 Desain Q point

Tentukan nilai Rd pada rang. penguat IV. HASIL DAN ANALISIS

• Karakteristik Kurva Id-Vgs


cari nilai K dengan rumus Id= K(Vgs-Vt)2
gm=2K(Vgs-Vt) Pada percobaan kurva ID-Vgs kami mengukur
hasil ID dengan menganti-ganti nilai tegangan
pada gate (VGS)
tentukan nilai gm dengan melihat
kemiringan kurva titik Q point pada kurva Tabel ID dan VGS (Percobaan)
karakteristik Id -Vgs. bandingkan kedua VGS (V) Id( mA)
nilai gm yang dieroleh. 0 0
1,5 4,5
2 0,3
2,5 0,7
3 1,45
4 2,7
5 4
7,5 7,5

LAPORAN PRAKTIKUM – LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO – INSTITUT TEKNOLOGI SUMATERA 3


EL3102
Hasil Grafik Percobaan • Kurva Karakteristik Id-Vds
V Id (mA)
DS VGS VGS= VGS VGS VGS VGS VGS
(v) =2 2,5 =3 =4 =5 =6 =7
0 0 0 0 0 0 0 0
0. 0,2 0,34 0,4 0,6 0,7 0,8 0,9
25 5 5 5
0. 0,2 0,55 0,8 1,1 1,3 1,6 1,9
5 5 3 5 8
1 0,2 0,67 1,1 2,4 3,1 4,5 5,5
5 7
2 0,2 0,7 1,2 2,9 4,6 7,5 9,8
7 9
3 0,2 0,7 1,3 3,0 5 9,4 13
8
Tabel ID dan VGS (Simulasi) 4 0,2 0,7 1,3 3,0 5 9,9 14,
8 8
VGS (V) Id (mA) 5 0,2 0,72 1,3 3,0 5 10 15,
0 0 8 1 5
6 0,2 0,73 1,3 3,0 5 10 15,
1,5 2,220
9 3 9
2 8,674 7 0,3 0,74 1,3 3,0 5 10 16
2,5 64,263 4
3 163,009 8 0,3 0,75 1,3 3,0 5 10 16
5
4 462,741
9 0,3 0,75 1,3 3,0 5 10 16
5 868,448 8
7,5 220,6

Hasil Grafik Simulasi Grafik Karakteristik Id-Vds

Analisis: Pada percobaan ini dapat diamati


kurva diatas telah sesuai dengan referensi pada
Analisis: Pada percobaan kurva Id-Vds dengan teori. Pada kurva diatas nilai Id dan Vds untuk
mencoba rangkaian yang ada pada modul, masing-masing nilai Vgs yaitu:
kemudian diukur arus Id dengan mengganti nilai mulai dari Vgs = 2 V hingga Vgs = 9 V. Dapat
Vds dan Vgs ada yang tidak sesuai dengan Tabel terlihat bahwa semakin besar Id, maka Vgs nya
dapat diamati bahwa kurva yang dihasilkan ada juga menjadi semakin besar. Pada gambar juga
sedikit perbedaan dengan referensi pada teori, terlihat bahwa transistor memasuki keadaan
ini dikarenakan kemungkinan kesalahan pada saturasi saat nilai Id untuk setiap Vgs
saat pengambilan data. Pada kurva tersebut menunjukan nilai yang konstan.
arus mulai megalir saat tengana threshold atau
Vt = 0,107 volt. Pada data di table disimpulkan
jika semakin besar VGS yang diberikan maka ID
yang mengalir pada FET semakin besar juga.

LAPORAN PRAKTIKUM – LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO – INSTITUT TEKNOLOGI SUMATERA 4


EL3102
4.3 Desain Q Point diperoleh nilai resistansi output sebesar 5.5
kΩ.
Ro =1/gm maka ro=675.67Ω
Nilai yang diperoleh dengan rumus:
Av = -gm(RD||ro)
Av = -(1.487)(2.5 k ||675.67m)
Av = -0.791 V/V
Rout = (RD||ro) = 286.51 Ω

V. KESIMPULAN
Analisis: Pada percobaan tersebut,
Dari percobaan yang dilakukan, dapat kita
digambarkan Q point dengan menarik garis
lurus menuju sumbu Y (Id). Sehingga didapatkan ambil sebagai berikut :
Nilai Id yang sejajar dengan Q point maka nilai • Penguatan dengan konfigurasi
arus Id = 2,892 mA dan nilai Vds yang sejajar Common Drain memiliki
vertical menjadi nilai Vds yaitu 5 V dapat karakteristik sinyal input output
dihitung nilai Rd=2.5kΩ. Dengan nilai Id, Vgs dan tidak bersifat inverting (berbeda
Vt yang telah diketahui dapat dihitung nilai fasa 00), memiliki penguatan
transkonduktansi yaitu gm = 1.487mA. tegangan yang mendekati 1 (low
Kemudian dibandingkan nilai gm pada kurva Id- voltage gain) sehingga dapat
Vgs yaitu gm = 1.414mA. Nilai gm yng diperoleh digunakan sebagai penguat buffer,
mendekati dengan nilai gm pada kurva Id-Vds. memiliki resistansi input yang besar
(high input impedance) dan
memiliki resistansi output yang
sedang (moderate output
4.4 Penguat Common Source
impedance).
• Kurva Id– Vds menunjukan daerah
kerja transoistor yaitu pertama
daerah saturasi (daereah kerja
transistor yang digunakan sebagai
pernguat) saat kurva bernilai tetap
(konsisten) terhadap perubahan Vds
, daerah triode yaitu saat hubungan
Id dan Vds berbanding lurus
(linear), dan terakhir daerah cut off
yaitu saat transistor tidak aktif
• Transistor FET memiliki juga
karakteristik yang unik seperti
transistor BJT yatiu arus ID yang
merupakan fungsi dari VGS dan arus
ID yang merupakan fungsi
penguatan dari VDS sebesar β.
Transistor FET juga memiliki 3
wilayah kerja yaitu trioda region,
saturation region dan cut-off region
yang dapat diperoleh dari sifat
karakteristik ID terhadap VGS.
Analisis: Pada konfigurasi Common Source ini Tegangan threshold dapat diperoleh
didapat nilai resisansi input yaitu sebesar 130 ketika transistor memulai bersifat
kΩ. Pada konfigurasi Common Source konduksi yang dapat dilihat pada

LAPORAN PRAKTIKUM – LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO – INSTITUT TEKNOLOGI SUMATERA 5


EL3102
saat ID lebih dari 0A. Dari
perhitungan tersebut dapat dicari
pula karakteristik gm-nya.
Transistor FET dapat digunakan
pula sebagai penguat dengan
berbagai konfigurasi seperti pada
penguat BJT.

Daftar Pustaka

[1] Gunawan Dadang, Rangkaian


Elektrik, Graha Ilmu, Jakarta, 2010
[2] https://id.wikipedia.org/wiki/Tra
nsistor_sambungan_dwikutub, 10
Okt. 18, 01:02:22.

LAPORAN PRAKTIKUM – LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO – INSTITUT TEKNOLOGI SUMATERA 6