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Enseñanza práctica

de electrónica de
componentes
Raúl Alcaraz Martínez
Ense˜nanza pr´actica de electr´onica de
componentes

Ra´ul Alcaraz Martınez, C´esar S´anchez Mel´endez

Septiembre 2009
© de los textos: Raúl Alcaraz Martínez y César Sánchez Meléndez, 2009
© de la edición: Universidad de Castilla-La Mancha

Edita: Servicio de Publicaciones de la Universidad de Castilla-La Mancha

ISBN: 978-84-692-6822-3
´
Indice

1. El Diodo Rectificador 7
1.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2. Simulaci´onenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2. Diodos Z´ener, Leds y Fotodiodos 13

2.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2. Simulaci´onenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

3. Fuente de Alimentaci´on 19
3.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.2. Simulaci´on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

4. Transistor Bipolar (I) 23

4.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4.2. Simulaci´onenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

5. Transistor Bipolar (II) 29

5.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
5.2. Simulaci´onenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
5.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4 ´INDICE

6. Transistor Unipolar 35
6.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
6.2. Simulaci´onenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
6.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

7. Dise˜no de un Amplificador 41
7.1. Dise˜no . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
7.2. Simulaci´onconPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
7.3. Medidasenellaboratorio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

A. Ejemplo de Resoluci´on de una Pr´actica 45


A.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
A.2. Simulaci´onenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
A.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
´Indice de Figuras

1.1. Circuitosdepolarizaci´ondeundiodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2. Circuitorecortadoradosniveles. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3. Circuitofijador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.1. Circuitoconundiodoz´ener. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

2.2. Circuitoestabilizador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.3. CircuitoconunLED. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.4. Circuitoconunoptoacoplador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

2.5. Modificaci´on del modelo del diodoz´ener gen´erico incluido en la versi´on


deestudiantedePspice. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

3.1. Etapaderectificaci´onconectadaaltransformador. . . . . . . . . . . . . . 20

3.2. Fuente de alimentaci´on sin regulador de tensi´on. . . . . . . . . . . . . . . 20

3.3. Fuentedealimentaci´oncompleta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

4.1. Circuito b´asico de polarizaci´on en un transistor NPN. . . . . . . . . . . . 25

4.2. Circuitob´asicodeautopolarizaci´onenuntransistorNPN. . . . . . . . . 25

4.3. Circuito polarizaci´on en un transistor NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

5.1. Circuito b´asico de polarizaci´on para la obtenci´on de la caracterıstica de


salida de un transistor NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

5.2. Circuito b´asico de polarizaci´on para la comprobaci´on de las zonas de


funcionamiento de un transistor NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
5.3. FuncionamientodeuntransistorNPNcomointerruptor. . . . . . . . . . 33

5.4. Funcionamiento de un transistor NPN como fuente de corriente. . . . . 34


6 ´INDICE DE FIGURAS

6.1. Circuito b´asico de polarizaci´on en un transistor unipolar JFET canal N. . 37


6.2. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interruptor. 37
6.3. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interrup
torcontroladoportensi´on. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

A.1. Circuito de polarizaci´on de un transistor bipolar. . . . . . . . . . . . . . . 47


A.2. Simplificaci´on del circuito de la Fig. A.1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
A.3. Resultado de editar el modelo (en formato texto) del transistor Q2N2222. 49
A.4. Esquem´atico en Pspice correspondiente al circuito de la Fig. A.1. . . . . . 50
A.5. Valores de tensi´on obtenidos por PSpice tras el an´alisis del punto de
polarizaci´on. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
A.6. Valores de corriente obtenidos por PSpice tras el an´alisis del punto de
polarizaci´on. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
A.7. Patillaje correspondiente al transistor 2N2222 obtenido a partir de sus
hojas de caracterısticas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
A.8. Detalle del encapsulado del transistor 2N2222 y medici´on del valor β
conpolımetro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
A.9. Montaje en laboratorio del circuito de la Fig. A.1. Detalle de conexiones. 53
A.10.Detalle de medici´on de tensi´on base-emisor en laboratorio. . . . . . . . . 54
A.11.Detalle de medici´on de tensi´on colector-emisor en laboratorio. . . . . . . 54
A.12.Detalle de medici´on de tensi´on colector-base en laboratorio. . . . . . . . 55
A.13.Detalle de medici´on de tensi´on en bornas de la resistencia de emisor en
laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
A.14.Detalle de medici´on de tensi´on en bornas de la resistencia de colector en
laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
A.15.Detalle de medici´on de tensi´on en bornas de la resistencia de 39k en
laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
A.16.Detalle de medici´on de tensi´on en bornas de la resistencia de 4.7k en
laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
Pr´actica 1
El Diodo Rectificador

1.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2. Simulaci´onenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Objetivos
En las pr´oximas dos pr´acticas se pretende conocer el comportamiento de los dis
positivos semiconductores b´asicos: diodos rectificadores, diodos z´ener y diodos leds.
Por lo que se recomienda al alumno que repase la parte te´orica correspondiente a
diodos.
En el transcurso de esta pr´actica se estudiar´an los diodos rectificadores y se de
ber´a:

Identificar una serie de diodos, ası como obtener algunos de sus par´ametros m´as
importante, utilizando para ello los cat´alogos disponibles.

Obtener la curva que define el comportamiento de un diodo.

Montar y verificar el funcionamiento de una serie de circuitos b´asicos, tal como


el recortador a dos niveles y el fijador de nivel.
8 ELECTR´ONICA I

1.1. C´alculos te´oricos

Antes de realizar las medidas pr´acticas en el laboratorio se deben resolver los si


guientes ejercicios te´oricos.

1. Buscar en los cat´alogos de los fabricantes, los cuales se pueden obtener desde
internet, las caracterısticas principales (aplicaci´on o tipo, corriente m´axima en
directa y corriente m´axima en inversa) de cuatro diodos diferentes.
2. En los dos circitos de la Fig. 1.1, si Evale 2 V:
a) Calcular la tensi´on que cae en el diodo y la corriente que circula a trav´es de
´el.
b) ¿C´omo est´a polarizado el diodo en cada circuito?.

Figura 1.1. Circuitos de polarizaci´on de un diodo.

3. En el circuito de la Fig. 1.1(a), calcular el valor de la corriente que circula a trav´es


del diodo para los casos en que la fuente de entrada E est´a a 0,0.1, 0.2, 0.3, 0.4,
0.5, 0.6,0.8 y 1 V.
4. En el circuto de la Fig. 1.1(b), calcular el valor de la corriente que circula a trav´es
del diodo para los casos en que la fuente de entrada E est´a a 0,0.5,1,2,3, y 4 V.

5. Representar la corriente que circula por el dido en funci´on de la tensi´on de la


fuente de entrada E a partir de los datos calculados en los dos puntos anterio
res. Puesto que la resistencia tiene un valor muy peque˜no, esta gr´afica se puede
considerar como la funci´on caracterıstica tensi´on–corriente del diodo.
6. El circuito de la Fig. 1.2 es un circuito recortador a dos niveles. Obtener:

a) Su funci´on de transferencia, es decir, la variaci´on de la tensi´on de salida vs


en funci´on de la tensi´on de entrada ve.
b) La representaci´on temporal de vs si ve es una se˜nal triangular de 1 kHz de
frecuencia y 16 Vpp de amplitud.
PR´ACTICA1. EL DIODO RECTIFICADOR 9

1K

+ D1 D2
ve vs

5V 2V

Figura 1.2. Circuito recortador a dos niveles.

7. En el cirucito de la Fig. 1.3, el cual es un fijador de nivel:


a) Explique detalladamente el funcionamiento del circuito.
b) Dibuje vs cuando ve es una se˜nal sinusoidal de 1 kHz de frecuenca y 5Vpp de
amplitud, y el condesador C tiene un valor de 0.56 nF.
c) Repita el punto anterior cuando Cvale 1 µF.

Figura 1.3. Circuito fijador.

1.2. Simulaci´on en Pspice


En esta secci´on se simular´an los ejercicios analizados te´oricamente en la secci´on
anterior. La memoria de esta parte de la pr´actica se debe completar con capturas de los
esquem´aticos realizados y las gr´aficas obtenidas con Pspice.

1. Simule independientemente los circuitos de la Fig. 1.1, e indique el valor de ten


si´on que cae en el diodo y la corriente que lo atraviesa en cada uno de ellos. El
diodo que se emplear´a en la realizaci´on pr´actica ser´a el 1N4007.

2. Simule el circuito de la Fig. 1.1(a) e indique el valor de la corriente que circula a


trav´es del diodo para los siguientes valores de E: 0,0.1, 0.2,0.3, 0.4, 0.5, 0.6,0.8 y
1 V.
10 ELECTR´ONICA I

3. Simule el circuito de la Fig. 1.1(b), e indique el valor de la corriente que circula a


trav´es del diodo para los siguientes valores de E: 0,0.5,1,2,3 y 4V.
4. Eligiendo el adecaudo an´alisis de simulaci´on obtener la caracterıstica tensi´on–
corriente del diodo en el circuito de la Fig. 1.1(a).
5. Simule el circuito de la Fig. 1.2, y obtenga la variaci´on temporal de vs cuando ve
es una se˜nal triangular de 1 kHz y 16 Vpp.
6. Simule el circuito de la Fig. 1.3, y obtenga la variaci´on temporal de vs cuando ve
es una se˜nal sinusoidal de 1 kHz y 5Vpp y:
a) C vale 0.56 nF.
b) C vale 1 µF.

1.3. Desarrollo de la pr´actica

En esta secci´on se analizar´an en el laboratorio los circuitos estudiados te´oricamente


y mediante simulaci´on en los apartados anteriores.

1. Una vez que ha comprobado en las hojas de caracterısticas cuales son las limi
taciones el´ectricas del diodo 1N4007, conecte ambos terminales del diodo a las
puntas de prueba del multımetro y compruebe con cual de las dos combinaciones
posibles se obtiene lectura distinta de rebosamiento. En esta posici´on, el terminar
conectado al COMUN del multımetro es el c´atodo. Compruebe que uno de los
dos extremos est´a marcado, y es el c´atodo. Adem´as:
a) Monte el circuito de la Fig. 1.1(a) y ajuste la tensi´on de la fuente a 2 V. Mida
la tensi´on entre ´anodo y c´atodo del diodo y la corriente que circula a trav´es
de ´el.
b) Monte el circuito de la Fig. 1.1(b) y ajuste la tensi´on de la fuente a 2 V. Mida
la tensi´on entre ´anodo y c´atodo del diodo y la corriente que circula a trav´es
de ´el.
c) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de
las dos secciones anteriores. Comente a qu´e se deben las diferencias encon
tradas, si es que las hay.
2. En este apartado se obtendr´an varios puntos de la caracterıstica tensi´on–corriente
del 1N4007 polarizado en directa. Para ello, se debe montar el circuito de la
Fig. 1.1(a) y colocar el amperımetro en serie con el diodo. Una vez hecho esto,
se debe ajustar la fuente de entrada E a 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.8 y 1 V y
anotar la corriente que circuila por el amperim´etro en cada caso.
Compare estos resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de
las dos secciones anteriores. Comente a qu´e se deben las diferencias encontradas,
si es que las hay.
PR´ACTICA1. EL DIODO RECTIFICADOR 11

3. Para medir puntos de la caracterıstica tensi´on–corriente del diodo polarizado en


inversa, se debe realizar el montaje de la Fig. 1.1(b). Al igual que en el caso ante
rior colocar el amperimetro en serie con el diodo, ajustar la fuente E a 0,0.5, 1, 2,
3, y 4 V y anotar la corriente que circula por el amperimetro en cada caso.
Compare estos resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de
las dos secciones anteriores. Comente a qu´e se deben las diferencias encontradas,
si es que las hay.

4. A partir de los datos obtenidos en los dos apartados anteriores, obtener la gr´afica
de tensi´on–corriente del diodo. ¿Qu´e diferencias hay con respecto a la obtenida
te´oricamente y a la simulada? ¿A qu´e se deben?.
5. Realice el montaje de la Fig. 1.2 alimentando el circuito con una forma de onda
triangular de 1 KHz, reduzca su amplitud hasta el valor mınimo que sumistra el
generador de funciones (tener en cuenta las atenuaciones de -20 y -40 dB), y:
a) Conecte el canal A del osciloscopio a la se˜nal de entrada y el canal B a la
salida, y vaya aumentado lentamente la amplitud de la se˜nal de entrada
comparando la forma de onda en la entrada y en la salida, y anote los va
lores de tensi´on en los que se producen diferencias significativas. Adem´as,
represente la se˜nal de entrada y la de salida en una sola gr´afica indicando
claramente todos los valores significativos.
b) Varıe la frecuencia de la se˜nal de entrada y compruebe que la forma de onda
de la salida no depende de ´esta (a elevadas frecuencias aparecen los efectos
debidos a las capacidades internas de los diodos).
c) Seleccione otras formas de onda en la entrada y comp´arelas con las obteni
das en la salida.
d) Compare la se˜nal de salida obtenida en el apartado a) con las obtenidas
te´oricamente y mediante simulaci´on. Indique a qu´e se deben las diferencias,
si es que se encuentran.

6. Realice el montaje de la Fig. 1.3 en el que la resistencia de carga ser´a el mismo os


ciloscopio. Alimente el circuito con una se˜nal sinusoidal de 1 KHz de frecuencia
y 5Vpp de amplitud, visualice en el osciloscopio las se˜nales de entrada (canal A)
y de salida (canal B), y:
a) Represente ambas formas de onda para un valor de C de 0.56 nF y 1 µF.
Establezca la influencia del valor del condensador en la onda de salida del
circuito.
b) Seleccione otros tipos de onda y compare las se˜nales de entrada y salida.
c) Compare estos resultados con los obtenidos te´oricamente y mediante simu
laci´on. Indique a qu´e se deben las diferencias, si es que se encuentran.
2 Pr´actica
Diodos Z´ener, Leds y Fotodiodos

2.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2. Simulaci´onenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Objetivos
En esta pr´actica se contin´ua estudiando experimentalmente el comportamiento de
los diodos. Si en la anterior pr´actica se estudiaron los diodos rectificadores, en ´esta se
analizar´an los diodos Z´ener, diodos LEDs y fotodiodos.
Los objetivos principales de esta pr´actica son:

Determinar experimentalmente la caracterıstica inversa de un diodo Z´ener.

Comprobar el funcionamiento de un estabilizador de tensi´on con un diodo Z´ener.

Averiguar la relaci´on entre la corriente y la intensidad de brillo de un diodo LED


y dise˜nar un circuito para utilizar el LED como indicador.

Comprobar el funcionamiento de un optoacoplador.


14 ELECTR´ONICA I

2.1. C´alculos te´oricos

Antes de realizar las medidas pr´acticas en el laboratorio se deben resolver los si


guientes ejercicios te´oricos.

1. En el circuito de la Fig.2.1, sabiendo que la tensi´on umbral del z´ener es de 12V,


obtener:
a) La corriente que circula a trav´es del diodoz´ener cuando la fuente de entrada
E presenta valores de 0,2,4, 7, 11,12, 13 y 14 V.
b) La tensi´on que deberıa tener la fuente de entrada E para que la corriente
que circule por el z´ener sea de 2,5, 10, 20, y 25 mA.
c) Representar la corriente que circula por el dido z´ener en funci´on de la ten
si´on de la fuente de entradaE a partir de los datos calculados en los dos pun
tos anteriores. Puesto que la resistencia tiene un valor muy peque˜no, esta
gr´afica se puede considerar como la funci´on caracterıstica tensi´on–corriente
del diodo z´ener.

Figura 2.1. Circuito con un diodo z´ener.

2. El circuito de la Fig. 2.2 es un estabilizador de tensi´on, Considerando que elz´ener


tiene una tensi´on umbral de 12V, calcular:

Figura 2.2. Circuito estabilizador.


PR´ACTICA 2. DIODOS Z´ENER, LEDS Y FOTODIODOS 15

a) La tensi´on que cae en elz´ener y la corriente que circula a trav´es de ´el cuando
la fuente de entrada Evale 8, 12, 14 y 15V.
b) Con cada uno de estos valores de tensi´on de entrada, ¿se produce estabili
zaci´on a la salida?.
3. En el circuito de la Fig. 2.3 calcular el valor mınimo que deberıa tener la resis
tencia R para que el diodo LED no se queme. Considerar que en el LED, cuando
est´a polarizado en directa, caen 1.5 V y que la intensidad m´axima que puede
soportar es de 25 mA.

Figura 2.3. Circuito con un LED.

4. El circuito de la Fig. 2.4 representa un montaje tıpico con un optoacoplador. Ex


plicar cualitativamente, es decir, sin caclular valores, c´omo variar´a la tensi´on de
salida Vs del caso en que se introduzca un objeto opaco entre el LED y el fotodio
do a cuando dicho objeto no se introduzca.

Figura 2.4. Circuito con un optoacoplador.

2.2. Simulaci´on en Pspice


En esta secci´on se simular´an los ejercicios analizados te´oricamente en la secci´on
anterior. La memoria de esta parte de la pr´actica se debe completar con capturas de los
16 ELECTR´ONICA I

esquem´aticos realizados y las gr´aficas obtenidas con Pspice.

1. Simule el circuito de la Fig.2.1 y obtenga el valor de corriente que circula a trav´es


del z´ener cuando la Evale 0, 2, 4, 7, 11, 12, 13 y 14V. El diodo z´ener que se
emplear´a en el laboratorio ser´a el BZX55C12 de 12 V. Puesto que este diodo no se
encuentra disponible en la versi´on de estudiante de Pspice, se emplear´a el diodo
z´ener gen´erico (DbreakZ). Para conseguir que este diodo tenga una tensi´on de
ruptura de 12 V se tiene que editar el modelo (Edit /Model ... / Edit Instance
Model (Text)...) y a˜nadir el par´ametro BV = 12 tal como se muestra en la Fig. 2.5.

Figura 2.5. Modificaci´on del modelo del diodo z´ener gen´erico incluido en la versi´on de estudiante de
Pspice.

2. Eligiendo adecuadamente el an´alisis de simulaci´on obtener la caracterıstica ten


si´on–corriente del diodo z´ener en el circuito de la Fig.2.1.
3. Simule el circuito de la Fig. 2.2 y obtenga la tensi´on que cae en el diodo z´ener y
la corriente que lo atraviesa cuando Evale 8,12, 14 y 15 V. ¿Para qu´evalores de
E se produce estabilizaci´on?

2.3. Desarrollo de la pr´actica

En esta secci´on se analizar´an en el laboratorio los circuitos estudiados te´oricamente


y mediante simulaci´on en los apartados anteriores.

1. Se montar´a el circuito de la Fig.2.1 con la fuente de alimentaci´on ajustada a 0 V


y se ir´a ajustando a 0,2,4, 7, 11,12, 13 y 14 V, midiendo los valores de corriente
PR´ACTICA 2. DIODOS Z´ENER, LEDS Y FOTODIODOS 17

que atraviesan al z´ener (integrado BZX55C12). Para no quemar el diodo se debe


limitar la corriente m´axima de la fuente al valor m´aximo que puede soportar, el
cual ser´a:
Pz 0,5W (2.1)
Izmax = Vz= 12=41,67mA

¿Se observan diferencias entre los valores medidos y los obtendios te´oricamente
y mediante simulaci´on? ¿A qu´e se deben?.

2. Con el mismo montaje que en el punto anterior y ajustando nuevamente la ten


si´on de la fuente a 0 V, ´esta se ir´a aumentando hasta conseguir que la intensidad
que circula por el z´ener sea de 2,5, 10, 20,25 mA. Anotar los valores de la fuen
te de entrada en cada caso. ¿Se aprecian diferencias con los valores calculados
te´oricamente y los obtenidos mediante simulaci´on? ¿A qu´e son debidas?.

3. A partir de los datos obtenidos en los dos apartados anteriores, obtener la gr´afi
ca de tensi´on–corriente del diodo z´ener. ¿Qu´e diferencias hay con respecto a la
obtenida te´oricamente y a la simulada? ¿A qu´e se deben?.

4. Se montar´a el circuito estabilizador de la Fig. 2.2 ajustando la fuente de alimen


taci´on a 0V. Despu´es se ajustar´a la fuente de entrada a 8, 12, 14 y 15V. ¿Cu´anto
vale la tensi´on en el z´ener y la corriente que lo atraviesa en cada caso? ¿Existen
diferencias entre los valores medidos y los calculados te´oricamente o simulados
en Pspice? ¿A qu´e se podrıan deber?.

5. Se montar´a el circuito de la Fig. 2.3 con la fuente de alimentaci´on ajustada a 0 V


(recuerde que el c´atodo del LED es el terminal m´as corto). Se limitar´a la corriente
del circuito a 25 mA, que es la corriente m´axima que soporta el diodo. No supere
jam´as esa corriente. Compruebe que un aumento de corriente corresponde con un
incremento del brillo del LED. ¿Cu´al crees que es el valor ´optimo de la corriente
que produciendo un brillo suficientemente visible en el diodo es econ´omico des
de el punto de vista de la carga que supone para la fuente de alimentaci´on? Tenga
en cuenta que el diodo debe ser ´util como dispositivo indicador en amplias con
diciones de iluminaci´on ambiental. ¿Cu´anto vale, es esas condiciones, la tensi´on
en el diodo? ¿Por qu´e no es de 0.7V?

6. Tras localizar el emisor (E) y detector (D) del optoacoplador (integrado con refe
rencia TCST2000), se montar´a el circuito de la Fig. 2.4 y se medir´a la tensi´on de
salida. Introduzca un objeto opaco (una moneda, por ejemplo) en la ranura del
optoacoplador. ¿Cu´anto vale ahora la tensi´on de salida? ¿Coinciden las variacio
nes de tensi´on de un caso a otro con las explicaciones te´oricas que indic´o en la
secci´on 2?.
Pr´actica 3
Fuente de Alimentaci´on

3.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.2. Simulaci´on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Objetivos
En esta pr´actica se montar´a una fuente de alimentaci´on, realizando las medidas
oportunas en cada uno de los pasos en que se va a dividir su montaje.
Los objetivos principales de esta pr´actica son:

Comprobar el funcionamiento de transformador reductor.

Analizar una etapa de rectificaci´on de onda completa.

Estudiar el efecto de filtrado producido por un condensador.

Analizar el funcionamiento de un estabilizador de tensi´on.

Conseguir una fuente de alimentaci´on de tensi´on continua de 8 V.


20 ELECTR´ONICA I

3.1. C´alculos te´oricos

Antes de realizar las medidas pr´acticas en el laboratorio se deben resolver los si


guientes ejercicios te´oricos.

1. Dibujar la forma de onda de la salida de un transformador reductor 220/12 V si


la entrada es la tensi´on de la red el´ectrica. Caracterizar completamente esta onda
indicando su tensi´on de pico, su frecuencia, y su valor medio.

2. Si al transformador anterior conectado a la red el´ectrica se le a˜nade una etapa de


rectificaci´on como la mostrada en la Fig.3.1, dibujar la forma de onda a la salida
del rectificador Vs indicando su valor de pico, sufrecuencia y su valor medio.

Figura 3.1. Etapa de rectificaci´on conectada al transformador.

3. En el circuito de la Fig. 3.2 se ha a˜nadido un condensador para realizar una fun


ci´on de filtrado y obtener una se˜nal lo m´as continua posible. Para los valores
del condensador C de 22 nF, 3.3 µF y 22 µF, calcular la tensi´on de rizado que
tendr´a la forma de onda que se obtendrıa sobre el condensador cuando la resis
tencia de carga (RL) es de 3.9 kΩ. Adem´as, dibujar esta forma de onda, indicando
sus valores extremos ası como su frecuencia aproximada y su valor medio para
cada uno de los condensadores indicados.

Figura 3.2. Fuente de alimentaci´on sin regulador de tensi´on.


PR´ACTICA3. FUENTE DE ALIMENTACI´ON 21

4. Empleando el condesador de 22 µF y a˜nadiendo una ´ultima etapa de estabiliza


ci´on, tal como muestra la Fig. 3.3, dibujar la forma de onda de la tensi´on de salida
cuando la resistencia de carga RLvale 150,560, 1500, 2200, y 3900 Ω. Indicar cla
ramente la amplitud y la frecuencia de cada se˜nal.

7812

Figura 3.3. Fuente de alimentaci´on completa.

3.2. Simulaci´on

En esta secci´on se simular´a la fuente de alimentaci´on analizada te´oricamente en


la secci´on anterior empleando el software FA.exe1. La memoria de esta parte de la
pr´actica se debe completar con la captura del esquem´atico realizado y las gr´aficas ob
tenidas con el software indicado.
En primer lugar, elegir una fuente de alimentaci´on similar a la mostrada en la
Fig. 3.3, y ajustar los valores correspondientes a los indicados en la misma. Posterior
mente, ver en el osciloscopio (simulador):

1. La forma de onda despu´es del secundario. Indicar claramente su amplitud de


pico, su frecuencia y su valor medio, considerando la RL =3.9 kΩ.

2. La forma de onda a la salida del rectificador. Indicar claramente su amplitud de


pico, su frecuencia, y su valor medio, considerando la RL =3.9 kΩ.

3. La forma de onda despu´es del condensador, cuando ´este tiene valores de 22 nF,
3.3 µF y 22 µF. Indicar claramente cu´al es la tensi´on de rizado en cada caso.

4. La forma de onda despu´es del regulador de tensi´on cuando la resistencia de carga


tiene valores de 150,560, 1500, 2200, y 3900Ω. Indicar claramente la amplitud de
la se˜nal, su frecuencia y su valor medio.

1Este software est´a disponible en moodle.


22 ELECTR´ONICA I

3.3. Desarrollo de la pr´actica

En esta secci´on se analizar´a en el laboratorio la fuente de alimentaci´on estudiada


te´oricamente y mediante simulaci´on en los apartados anteriores.

1. La primera etapa de la fuente pretende cambiar el nivel de la se˜nal de entrada


al nivel requerido. Esta etapa se realiza por medio de un transformador, en este
caso ser´a necesario uno de 220/12 V, 1 A. La tensi´on de entrada ser´a la de la
red, por lo que se recomienda m´axima precauci´on al conectar el transformador y
durante todo el desarrollo de la pr´actica. No se debe intentar medir la tensi´on de
entrada del transformador con el osciloscopio. Se debe dibujar la se˜nal de salida
del transformador sin carga, indicando su valor de pico, su frecuencia, y su valor
medio.
¿Existen diferencias con las ondas obtenidas te´oricamente y mediante simula
ci´on? ¿A qu´e se deben?.

2. Se pretende, a partir de una onda senoidal de entrada, de valor medio nulo, obte
ner una salida unipolar, con una componente continua no nula. En la fuente que
se est´a implementando se utiliza un rectificador de onda completa tal como se
muestra en la Fig. 3.1. Montar este circuito y representar la se˜nal a la salida del
puente de diodos (integrado B250C1500) con una resistencia de carga RL de 3.9
kΩ. Indicar claramente su amplitud de pico, sufrecuencia y su valor medio.
¿Existen diferencias con las formas de onda calculadas te´oricamente y mediante
simulaci´on? ¿A qu´e se deben?.

3. Para obtener una se˜nal lo m´as continua posible se puede colocar un condensador
en paralelo con la carga tal como muestra la Fig. 3.2. Sin embargo, la se˜nal de sali
da tendr´a un rizado que depender´a del valor del condensador empleado. Montar
el circuito y representar el rizado obtenido para valores del condesador C de 22
nF, 3.3 µF y 22 µF siendo RL = 3.9 kΩ. Indicar claramente el valor de la tensi´on
de rizado, sus valores extremos, su valor medio y su frecuencia aproximada.
¿Se encuentras diferencias con los valores obtenidos te´oricamente y mediante si
mulaci´on? ¿A qu´e se deben?.

4. Por ´ultimo, para que la tensi´on de salida permanezca constante se emplear´a un


regulador, en este caso el 7812. Se conectar´a tal como aparece en la Fig.3.3. Mon
tar este circuito empleando un condensador de valor C 22 µF, y representar la
se˜nal de salida cuando la resistencia de carga RL tiene valores de 150,560, 1500,
2200 y 3900Ω. Indicar claramente el valor de la se˜nal obtenida, sufrecuencia y su
valor medio.
¿Existen diferencias con las formas de onda calculadas te´oricamente y mediante
simulaci´on? ¿A qu´e se deben?.
Pr´actica 4
Transistor Bipolar (I). Polarizaci´on

4.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4.2. Simulaci´onenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Objetivos
El transistor se utiliza principalmente en amplificaci´on y como elemento de conmu
taci´on, siendo imprescindible para ambas aplicaciones el estudio de la polarizaci´on
del transistor en las diferentes zonas de trabajo. En esta pr´actica se observar´an y ob
tendr´an las caracterısticas del transistor en las distintas zonas de trabajo, introducien
do las aplicaciones fundamentales para su uso en pr´oximas pr´acticas. Se pretende
que el alumno distinga las diferentes zonas de funcionamiento y observe las peculiari
dades de cada una de ellas.
24 ELECTR´ONICA I

4.1. C´alculos te´oricos

Antes de realizar las medidas pr´acticas en el laboratorio se deben resolver los si


guientes ejercicios y cuestiones te´oricas.

1. Buscar en los cat´alogos de los fabricantes, los cuales se pueden obtener desde in
ternet, las caracterısticas principales (aplicaci´on o tipo, tensi´on base emisor en po
larizaci´on, valor tıpico de β, patillaje, etc..) de los transistores Q2N222, Q2N3904,
Q2N3906 y BC556.

2. Viendo la ecuaci´on b´asica de funcionamiento del transistor bipolar en zona activa


¿Qu´e debemos controlar para fijar la corriente de colector?
3. Suponiendo una configuraci´on en emisor com´un, con circuito autopolarizado,
¿en cu´al de los siguientes casos se obtiene el valor m´as grande de IC?:
a) activa directa
b) saturaci´on
c) corte
d) activa inversa
e) ninguna de las anteriores

4. En el circuito b´asico de polarizaci´on de la Fig. 4.1, determine el punto de trabajo


del transistor supuesto un valor de V1 de 0,2,3 y 5 voltios. Suponga un valor de
β = 250, VBEon = 0,7V y VCEsat = 0,2V .
5. En los circuitos de autopolarizaci´on de las Fig. 4.2 y Fig.4.3, determine el punto
de trabajo de los transistores suponiendo, en todos los casos, un valor de β = 250,
VBEon = 0,7V y VCEsat = 0,2V .
6. Considerando un valor de R2 = 1500Ω, vuelva a calcular el punto de trabajo del
circuito de la Fig.4.2, manteniendo el resto de componentes y par´ametros en sus
valores originales.

4.2. Simulaci´on en Pspice


En esta secci´on se simular´an los ejercicios analizados te´oricamente en la secci´on
anterior. La memoria de esta parte de la pr´actica se debe completar con capturas de los
esquem´aticos realizados y las gr´aficas obtenidas con Pspice.

1. Simule el circuito de la Fig. 4.1 suponiendo un valor de V1 de 0,2,3 y 5 voltios, e


indique los valores de tensi´on VBE y VCE y los valores de corriente IB, IE e IC. El
PR´ACTICA4. TRANSISTOR BIPOLAR (I) 25

Figura 4.1. Circuito b´asico de polarizaci´on en un transistor NPN.

Figura 4.2. Circuito b´asico de autopolarizaci´on en un transistor NPN.


26 ELECTR´ONICA I

RC 820

+
12v

RE 180

Figura 4.3. Circuito polarizaci´on en un transistor NPN.

transistor utilizado ser´a el Q2N2222. Supuesta una se˜nal de entrada cuadrada de


nivel bajo 0 V, nivel alto 5V y frecuencia 1 kHz, obtenga la se˜nal entre colector y
emisor.
2. Simule los circuitos de las Fig.4.2 y Fig.4.3 indicando los valores de tensi´on VBE y
VCE y los valores de corriente IB, IE e IC. El transistor utilizado ser´a el Q2N2222.
3. Considerando un valor de R2 = 1500Ω, vuelva a simular y obtener el punto de
trabajo del circuito de la Fig.4.2, manteniendo el resto de componentes y par´ame
tros en sus valores originales.

4.3. Desarrollo de la pr´actica

En esta secci´on se analizar´an en el laboratorio los circuitos estudiados te´oricamente


y mediante simulaci´on en los apartados anteriores en comparaci´on con las resultados
medidos sobre los distintos montajes.

1. Una vez que ha comprobado en las hojas de caracterısticas cuales son las limita
ciones el´ectricas del transistor Q2N2222, conecte los terminales del transistor al
multımetro y compruebe qu´evalor de β se obtiene. Adem´as:
2. Monte el circuito de la Fig. 4.1 y ajuste la tensi´on de la fuente V1 a 0,2,3 y 5 V.
Mida las tensiones VBE y VCE y los valores de corriente IB, IE e IC.

a) En el circuito anterior, se sustituir´a la tensi´on V1 por una se˜nal alterna cua


drada, que se obtiene del generador de se˜nal y que tendr´a como nivel bajo
0V y como nivel alto 5V, y una frecuencia de 1KHz. Con el osciloscopio se
PR´ACTICA4. TRANSISTOR BIPOLAR (I) 27

medir´a y representar´a la tensi´on entre colector y emisor (VCE), comprobando


que se trata de una onda cuadrada, invertida respecto a la anterior.
b) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes
de las dos secciones anteriores (C´alculos te´oricos y simulaci´on). Comente a
qu´e se deben las diferencias encontradas, si es que las hay.

3. Monte el circuito de la Fig. 4.2 y mida las tensiones VBE y VCE y los valores de
corriente IB, IE e IC . Compare estos resultados con los obtenidos en los puntos
correspondientes de las secciones anteriores. Comente a qu´e se deben las dife
rencias encontradas, si es que las hay. Repita el apartado suponiendo un valor de
R2 = 1500Ω.
4. Monte el circuito de la Fig. 4.3. Mida las tensiones VBE y VCE y los valores de
corriente IB, IE e IC. Compare estos resultados con los obtenidos en los puntos
correspondientes de las dos secciones anteriores. Comente a qu´e se deben las
diferencias encontradas, si es que las hay.
Pr´actica 5
Transistor Bipolar (II). Caracterısticas
de salida y aplicaciones

5.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
5.2. Simulaci´onenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
5.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

Objetivos
Con esta segunda pr´actica dedicada al transistor bipolar se pretende medir la ca
racterıstica de salida de un transistor bipolar en emisor com´un, comprobar las dife
rentes zonas de funcionamiento y algunas sencillas aplicaciones del transistor bipolar.
Los principales objetivos son:

Comprobar el efecto de la corriente de base en la corriente de colector.

Determinar experimentalmente las caracterısticas de salida de un transistor y


a partir de los resultados obtenidos distinguir las distintas zonas de trabajo del
transistor.

Comprobar, a trav´es de sencillas aplicaciones, el control de la corriente de co


lector mediante la corriente de base.
30 ELECTR´ONICA I

5.1. C´alculos te´oricos

Antes de realizar las medidas pr´acticas en el laboratorio se deben resolver los si


guientes ejercicios y cuestiones te´oricas.Suponga, en todos los apartados, un valor de
β = 250, VBEon = 0,7V y VCEsat = 0,2V .

1. En el circuito de la Fig.5.1, ¿cu´al debe ser la posici´on del potenci´ometro para con
seguir una corriente de base IB = 20uA suponiendo un funcionamiento en activa
directa?. Considere el potenci´ometro como la asociaci´on serie de dos resistencias
de valor x·R y (1−x)·R, siendo x un valor entre 0 y 1 que define la posici´on del
potenci´ometro.
2. En el circuito de la Fig.5.2, determine los valores de IC y VCE suponiendo IB
=
10uA para los siguientes valores de V1: 2,3 y 5 voltios.

3. Repita el apartado anterior suponiendo IB = 20uA y IB = 30uA. ¿Qu´e ocurrirıa


si bajamos progresivamente el valor de V1?. Represente la curva caracterıstica de
salida del transistor a partir de los datos calculados en estos primeros apartados.
4. En el circuito de la Fig. 5.3, determine el punto de trabajo del transistor para los
dos casos posibles en funci´on de la posici´on del conmutador. Suponga un valor
de VLEDon = 1,5V .

5. En el circuito de la Fig. 5.4, determine el punto de trabajo del transistor supo


niendo el LED en el circuito y suponiendo que se sustituye por una resistencia de
100Ω. Suponga un valor de VLEDon = 1,5V.

5.2. Simulaci´on en Pspice


En esta secci´on se simular´an los ejercicios analizados te´oricamente en la secci´on
anterior. La memoria de esta parte de la pr´actica se debe completar con capturas de
los esquem´aticos realizados y las gr´aficas obtenidas con Pspice. En todos los casos, el
modelo transistor utilizado ser´a el Q2N2222.

1. Simule el circuito de la Fig. 5.1 y obtenga las curvas caracterısticas de salida


suponiendo las siguientes posibilidades en el circuito de entrada IB = 10uA,
IB = 20uA y IB = 30uA. Para esta simulaci´on puede sustituir el montaje en la
entrada (fuente de 5V, potenci´ometro y resistencia de 10kΩ) por un generador
ideal de corriente.
2. Simule las dos posibilidades del circuito de la Fig.5.3 indicando el punto de tra
bajo del transistor en cada caso. Para la simulaci´on, y puesto que PSpice no in
cluye en sus librerıas un diodo LED, puede utilizar dos diodos del tipo 1N4007.
PR´ACTICA 5. TRANSISTOR BIPOLAR (II) 31

3. Simule el circuito de la Fig. 5.4 indicando el punto de trabajo del transistor. Para
la simulaci´on, y puesto que PSpice no incluye en sus librerıas un diodo LED,
puede utilizar dos diodos del tipo 1N4007. Sustituya el LED por una resistencia
de 100Ω y vuelva a obtener el punto de trabajo.

5.3. Desarrollo de la pr´actica

En esta secci´on se analizar´an en el laboratorio los circuitos estudiados te´oricamente


y mediante simulaci´on en los apartados anteriores.

1. Caracterıstica de salida en emisor com´un


Una vez que ha comprobado en las hojas de caracterısticas cuales son las limita
ciones el´ectricas y valores de funcionamiento tıpicos del transistor seleccionado
para el desarrollo de la pr´actica, conecte los terminales del transistor al multıme
tro y compruebe qu´e valor de β se obtiene. Adem´as:

a) Monte el circuito de la Fig. 5.1 .Se fijar´a V1 a 0V y se variar´a el potenci´ometro


hasta obtener una corriente de base de 10µA. Manteniendo constante la co
rriente de base en 10µA, se ir´a variando la tensi´onV1 de tal forma que se vaya
incrementado en intervalos adecuados hasta llegar a los 5V. Para cada una
de las tensiones anteriores se medir´a la corriente de colector y la tensi´on co
lector emisor para despu´es representar estos datos en una gr´afica V/I. Nota:
La distancia entre valores medidos, y el n´umero de los mismos, ser´a fijado
por el alumno de forma justificada y comentada. Si al variar la tensi´on V1 va
riase tambi´en la corriente de base, esta se modificarıa hasta volver a obtener
10µA.
b) Repita el apartado anterior para una corriente de base igual a 20µA y 30µA.
Nota: represente todas las gr´aficas V/I sobre los mismos ejes.
c) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes
de las dos secciones anteriores (c´alculos te´oricos y simulaci´on). Comente a
qu´e se deben las diferencias encontradas, si es que las hay.

2. Zonas de funcionamiento
Monte el circuito de la Fig. 5.2. Partiendo de una corriente de base de 0A se
ir´a modificando ´esta, con ayuda del potenci´ometro hasta llegar a los 80µA. Los
intervalos de medici´on ser´an fijados por el alumno de manera que el transis
tor pase por todos los estados de funcionamiento posibles; corte,activa directa y
saturaci´on. Para cada uno de estos valores de corriente de base se medir´an la co
rriente de colector IC y las tensiones VBE y VCE, justificando con estos par´ametros
la zona de funcionamiento en la que se encuentra el transistor.
3. Trasistor bipolar como interruptor
32 ELECTR´ONICA I

Figura 5.1. Circuito b´asico de polarizaci´on para la obtenci´on de la caracterıstica de salida de un tran
sistor NPN.

V1

Figura 5.2. Circuito b´asico de polarizaci´on para la comprobaci´on de las zonas de funcionamiento de un
transistor NPN.
PR´ACTICA 5. TRANSISTOR BIPOLAR (II) 33

Monte el circuito de la Fig. 5.3 que muestra un sencillo interruptor con un tran
sistor bipolar (el conmutador se puede sustituir por un cable con un extremo
conectado al resistor de 33kΩ y el otro libre para conectarlo a masa (posici´on 1) o
a VCC (posici´on 2). Se conmutar´a a la posici´on 1, midiendo el punto de trabajo del
transistor y comprobando si luce el LED. Repita el proceso con el conmutador en
la posici´on 2.

Figura 5.3. Funcionamiento de un transistor NPN como interruptor.

4. Transistor como fuente de corriente


Monte el circuito de la Fig. 5.4 que representa una fuente de corriente con un
transistor bipolar para excitar al diodo LED. Una vez conectada la base a VBB, se
anotar´a la corriente IC. Sustituya el diodo LED por un resistor de 100Ω. Mida IC
y comp´arela con la obtenida. ¿Qu´e conclusiones obtiene?
34 ELECTR´ONICA I

Figura 5.4. Funcionamiento de un transistor NPN como fuente de corriente.


6 Pr´actica

Transistor Unipolar. Caracterısticas de


salida y aplicaciones

6.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
6.2. Simulaci´onenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
6.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Objetivos
En esta pr´actica se medir´a la caracterıstica de salida de un transistor unipolar en
surtidor com´un, y se ver´an algunas sencillas aplicaciones de este transistor.Los obje
tivos de la pr´actica son:

Determinar el efecto de la tensi´on puerta-surtidor (VGS) sobre la corriente de


drenador.

Determinar experimentalmente la caracterıstica de salida de un transistor JFET


de canal n y su transconductancia.

Comparar los par´ametros IDSS y VP obtenidos en la pr´actica con los suministra


dos por el fabricante.

Comprobar, a trav´es de sencillas aplicaciones, el control de la corriente de dre


nador mediante la tensi´on puerta-surtidor.
36 ELECTR´ONICA I

6.1. C´alculos te´oricos

Antes de realizar las medidas pr´acticas en el laboratorio se deben resolver los si


guientes ejercicios y cuestiones te´oricas.Suponga, en todos los apartados, un valor de
VP = −3V y IDSS = 10mA.

1. ¿Qu´e se utiliza para controlar la corriente ofrecida por un transistor unipolar?.

2. ¿De qu´e signo tiene que ser la tensi´on puerta-surtidor para polarizar los siguien
tes transistores en zona de saturaci´on?

a) FET de canal N
b) FET de canal P
c) MOS de acumulaci´on de canal N
d) MOS de deplexi´on de canal P

3. ¿Cu´ando circular´a m´as corriente en un transistor FET de canal N?

a) VGS = 0V
b) VGS = −3V
c) VGS = −4V
4. En el circuito de la Fig. 6.1, determine los valores de ID y VDS suponiendo VGS =
0V para los siguientes valores de V1: 0, 1, 3, 5, 7 y 10 voltios. Repita el apartado
anterior suponiendo VGS = −0,5V y VGS = −1V. Represente la caracterıstica de
salida a partir de los datos obtenidos.
5. En el circuito anterior, y suponiendo VDS = 15V, calcule los valores de ID necesa
rios para poder representar la caracterıstica de transferencia del transistor.
6. En el circuito de la Fig. 6.2, determine el punto de trabajo del transistor y si el
LED se enciende en las dos posiciones posibles del interruptor.Suponga un valor
de VLEDon = 1,5V y RLED = 0Ω.
7. En el circuito de la Fig. 6.3, determine el punto de trabajo del transistor suponien
do que Vcontrol puede llegar a valer −1V y −10V.

6.2. Simulaci´on en Pspice


En esta secci´on se simular´an los ejercicios analizados te´oricamente en la secci´on
anterior. La memoria de esta parte de la pr´actica se debe completar con capturas de
los esquem´aticos realizados y las gr´aficas obtenidas con Pspice. En todos los casos, el
modelo transistor utilizado ser´a el J2N3819.
PR´ACTICA 6. TRANSISTOR UNIPOLAR 37

Figura 6.1. Circuito b´asico de polarizaci´on en un transistor unipolar JFET canal N.

Figura 6.2. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interruptor.


38 ELECTR´ONICA I

Figura 6.3. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interruptor controlado por
tensi´on.

1. Simule el circuito de la Fig. 6.1 y obtenga las curvas caracterısticas de salida


suponiendo las siguientes posibilidades en el circuito de entrada VGS = 0V,
VGS = −0,5V y VGS = −1V. Para esta simulaci´on puede sustituir el montaje
en la entrada (fuente de 5V y potenci´ometro) por un generador ideal de tensi´on.
2. Simule las dos posibilidades del circuito de la Fig. 6.2 indicando el punto de tra
bajo del transistor en cada caso. Para la simulaci´on, y puesto que PSpice no in
cluye en sus librerıas un diodo LED, puede utilizar dos diodos del tipo 1N4007.
3. Simule el circuito de la Fig. 6.3, suponiendo en la entrada una se˜nal senoidal de
1 KHz y 10mV de amplitud y Vcontrol = −1V. Indique el punto de trabajo del
transistor y represente las se˜nales obtenidas a la salida. Repita la simulaci´on para
Vcontrol = −10V.

6.3. Desarrollo de la pr´actica

En esta secci´on se analizar´an en el laboratorio los circuitos estudiados te´oricamente


y mediante simulaci´on en los apartados anteriores. El modelo de transistor utilizado
ser´a el 2N5485 o equivalente.

1. Caracterıstica de salida del transistor unipolar


Una vez que ha comprobado en las hojas de caracterısticas cuales son las limita
ciones el´ectricas y valores de funcionamiento tıpicos del transistor seleccionado
para el desarrollo de la pr´actica, se pide:

a) Monte el circuito de la Fig. 6.1, donde el potenci´ometro se emplear´a para fi


jar una determinada tensi´on puerta-surtidor a partir de una tensi´on fija de 5
PR´ACTICA 6. TRANSISTOR UNIPOLAR 39

V que ofrece la fuente de alimentaci´on, mientras que la tensi´on del drenador


la obtenemos variando la tensi´on V1 (fuente de alimentaci´on). Con el poten
ci´ometro se ajustar´a la tensi´on puerta-surtidor a 0V. Partiendo de este valor,
se ir´a disminuyendo la tensi´on V1 en los intervalos que considere necesarios.
Para cada uno de estos valores de tensi´on se medir´a la corriente de drena
dor, de forma que con los datos obtenidos (VDS/ID) se pueda representar la
caracterıstica de drenador.
b) Repita el apartado anterior ajustando la tensi´on VGS a –0,5V y a –1V. Nota:
represente todas las gr´aficas V/I sobre los mismos ejes.
c) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes
de las dos secciones anteriores (c´alculos te´oricos y simulaci´on). Comente a
qu´e se deben las diferencias encontradas, si es que las hay.
2. Caracterıstica de transferencia del transistor unipolar
En el circuito de la Fig. 6.1 y ajustando esta vez la tensi´on VDS a 15V, se ir´a va
riando la tensi´on VGS desde 0 a –2,5V en los intervalos que considere adecuados,
anotando la corriente de drenador ID. Represente los resultados obtenidos en una
gr´afica (caracterıstica de transferencia).
3. Transistor unipolar como interruptor

a) Se realizar´a el montaje de la Fig. 6.2, que representa un interruptor con un


transistor JFET. El conmutador K se puede sustituir por un cable que vaya al
borne negativo de la fuente de tensi´on ajustable, que variar´a entre 1V (po
sici´on 1) y 10V (posici´on 2), mientras que el borne positivo de dicha fuente
quedar´a conectado a masa.
1) Se conmutar´a a la posici´on 1. Se medir´a ID y VDS y se comprobar´a si luce
el LED.
2) Se conmutar´a a la posici´on 2. Se medir´a ID y VDS y se comprobar´a si luce
el LED.
3) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondien
tes de las dos secciones anteriores (c´alculos te´oricos y simulaci´on). Co
mente a qu´e se deben las diferencias encontradas, si es que las hay.
b) Se realizar´a el montaje de la Fig. 6.3, que representa un interruptor contro
lado por tensi´on (Vcontrol ). A la entrada conectaremos una se˜nal senoidal de
1kHz y 10mV de amplitud. Con el osciloscopio se ver´a la tensi´on de entrada
(canal 1) y la de salida (canal 2).
1) Suponiendo Vcontrol = 1V, obtenga las se˜nales a la salida.
2) Suponiendo Vcontrol = 10V, obtenga las se˜nales a la salida.
3) ¿Qu´e misi´on tiene Vcontrol ?. Compare los resultados con los obtenidos
en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores (c´alculos
te´oricos y simulaci´on). Comente a qu´e se deben las diferencias encon
tradas, si es que las hay.
Pr´actica 7
Dise˜no de un Amplificador

7.1. Dise˜no . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
7.2. Simulaci´onconPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
7.3. Medidasenellaboratorio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

Objetivos
El objetivo de esta ´ultima pr´actica es que el alumno realice el dise˜no de un amplifi
cador a partir de los transistores analizados en la pr´acticas anteriores.
42 ELECTR´ONICA I

7.1. Dise˜no
Se debe realizar el dise˜no de un amplificador en emisor com´un con la resistencia de
emisor desacoplada. Emplear un ´unico transistor bipolar y tener en cuenta las siguien
tes especificaciones:

La ganancia en tensi´on debe ser 100 con un desfase entre la entrada y la salida de
180o.

La impedancia de entrada debe ser de 500Ω.


La impedancia de salida debe ser de 820 Ω.
El transistor debe tener un par´ametro β de 200 aproximadamente.
La resistencia de emisor debe ser igual o inferior a 180Ω.
El transistor debe trabajar en activa–directa.

La alimentaci´on en continua del circuito debe ser de 12 V.


Emplear condensadores de 10 µF, en caso de que sean necesarios.
En todas las especificaciones anteriores se puede considerar un margen de error
de ±20%.

En la memoria de esta pr´actica se deben reflejar todos los c´alculos realizados ası co
mo las justificaciones de la elecci´on de los valores de todos los componentes empleados
en el dise˜no realizado.

7.2. Simulaci´on con Pspice

Simular en Pspice el amplificador dise˜nado en el apartado anterior y obtener, utili


zando los an´alisis apropiados, las gr´aficas que muestren:

1. La ganancia en tensi´on a una frecuencia de 10 kHz.


2. La ganancia en corriente con una resistencia de carga de 3.3 kΩ a una frecuencia
de 10 kHz.
3. La impedancia de entrada.
4. La impedancia de salida.
5. La respuesta en frecuencia entre 10 Hz y 200 kHz.
6. La ganancia en tensi´on a 10 kHz cuando la resistencia de emisor vale 22, 100 y
180Ω y se elimina el condensador de desacoplo de emisor. ¿A qu´e se deben las
variaciones de ganancia encontradas de un caso a otro?.
PR´ACTICA 7. DISE˜NO DE UNAMPLIFICADOR 43

7.3. Medidas en el laboratorio


Una vez dise˜nado el amplificador se debe montar en el laboratorio y medir sus
caracterısticas fundamentales para comprobar que su funcionamiento es el que se ha
dise˜nado realmente. Ası, se debe medir:

1. La ganancia en tensi´on a una frecuencia de 10 kHz.

2. La ganancia en corriente con una resistencia de carga de 3.3 kΩ a una frecuencia


de 10 kHz.
3. La impedancia de entrada.

4. La impedancia de salida.
5. La respuesta en frecuencia entre 10 Hz y 100 kHz, midiendo la ganancia en ten
si´on a las frecuencias 10 Hz, 100 Hz, 1 kHz, 10 kHz, 20 kHz, 60 kHz, y 100 kHz.
6. La ganancia en tensi´on a 10 kHz cuando la resistencia de emisor vale 22, 100 y
180Ω y se elimina el condensador de desacoplo de emisor.

Finalmente, se debe comparar los resultados obtenidos en el laboratorio con los si


mulados y con los c´alculados durante la fase de dise˜no. ¿A qu´e se deben las diferencias
encontradas?.

Ap´endice. Valores de resistencias que hay en el laboratorio


En el laboratorio se pueden encontrar resistencia de los valores:

1, 2.2, 3.3, 4.7, 6.8, 10, 12, 15, 18, 22, 27,33,39, 46,47, 56, 68,82, 100, 120, 150, 180,
220,270, 330,470, 560, 650, 680, 820 Ω.
1, 1.8, 2.2, 2.7, 3.3, 3.9, 4.7, 5.6, 6.8, 8.2, 10, 12, 15, 18, 20, 22, 27,33, 39,47, 56, 68,
82, 100, 120, 150, 180, 220, 270, 330, 390, 470, 560, 680,820 kΩ.

1, 1.5, 10 MΩ.
Ap´endice A
Ejemplo de Resoluci´on
de una Pr´actica

A.1. C´alculoste´oricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
A.2. Simulaci´onenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
A.3. Desarrollodelapr´actica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

Objetivos
El objetivo de este ap´endice es que los alumnos vean la manera de resolver las
pr´acticas de la asignatura de forma clara y precisa, ya que a continuaci´on se puede
encontrar la resoluci´on completa de una de ellas.
46 ELECTR´ONICA I

A.1. C´alculos te´oricos

Antes de realizar las medidas pr´acticas en el laboratorio se deben resolver los si


guientes ejercicios te´oricos.

1. A partir de las hojas de caracterısticas del transistor bipolar P2N2222A, que es el


que se utilizar´a en el laboratorio, indicar el valor de:

a) La ganancia de corriente en continua (β).

b) La tensi´on entre la base y el emisor cuando su uni´on est´a polarizada en di


recta.

c) La tensi´on entre el colector y el emisor en saturaci´on.


PR´ACTICAA. EJEMPLO DE RESOLUCI´ON DE UNA PR´ACTICA 47

2. Calcular el punto de polarizaci´on del circuito de la Fig. A.1. Concretamente se


debe calcular la corriente de base, la corriente de colector y la tensi´on colector–
emisor. Indicar tambi´en en la zona en la que est´a trabajando el transistor.

Figura A.1. Circuito de polarizaci´on de un transistor bipolar.

Soluci´on:
Realizando el equivalente de Thevenin, el circuito de la Fig. A.1 se podrıa simplificar
de la forma indicada en la Fig. A.2, siendo RTH y VTH:

39 · 4,7 = 4,2kΩ
RTH = 39+4,7 (A.1)

4,7
VTH = · (24 − 5)+5=7V (A.2)
39 + 4,7
Suponiendo que el transistor est´a en ACTIVA–DIRECTA, de la malla base–emisor
se podrıa obtener la ecuaci´on:
7=4,2IB + 0,6+1,2(1 + β)IB (A.3)
48 ELECTR´ONICA I

Figura A.2. Simplificaci´on del circuito de la Fig. A.1.

de tal forma que la correiente de base se podrıa obtener como:


7− 0,6
IB = 4,2+1,2·301 = 0,0175mA = 17,5µA (A.4)

Ası pues, la corriente de colector y de emisor serıan:


IC = βIB = 300 · 17,5µA = 5,25mA (A.5)
IE = (β + 1) · IB = 3001 · 17,5µA = 5,27mA (A.6)

A partir de estas corrientes se puede obtener la tensi´on entre colector y emisor co


mo:
VCE = VC − VE = 24 − 3,9IC − 1,2IE = 24 − 3,9 · 5,25 − 1,2 · 5,27 = −2,8V (A.7)
Puesto que esta tensi´on es inferior a la tensi´on colector–emisor en saturaci´on se puede
llegar a la conclusi´on de que el transistor est´a en SATURACI´ON y no en activa–directa.
Por tanto, la tensi´on colector–emisor ser´a la de saturaci´on, es decir, 0.3V.

Si volvemos a analizar la malla base–emisor se obtendr´a la ecuaci´on:

7=4,2IB + 0,6+1,2(IB + IC) (A.8)


y si analizamos la malla colector–emisor, obtendremos:
24 = 3,9IC + 0,3+1,2(IB + IC ) (A.9)

Ası pues, se obtiene un sistema de dos ecuaciones con dos incognitas, el cual se
puede resolver obteni´endose:
IB = 0,16mA (A.10)
IC = 4,61mA (A.11)
PR´ACTICAA. EJEMPLO DE RESOLUCI´ON DE UNA PR´ACTICA 49

A.2. Simulaci´on en Pspice


En esta secci´on se simular´an los ejercicios analizados te´oricamente en la secci´on
anterior. La memoria de esta parte de la pr´actica se debe completar con capturas de los
esquem´aticos realizados y las gr´aficas obtenidas con Pspice.

1. Editar el modelo del transistor empleado y buscar los valores de la ganancia de


corriente en continua, la tensi´on de la uni´on base–emisor cuando est´a polarizada
en directa y la tensi´on colector–emisor en saturaci´on.

2. Simular el circuito de la Fig. A.1 y mostrar la tensi´on colector–emisor, la corriente


de base y la corriente de colector obtenidas. ¿En qu´e zona trabaja el transistor?
¿Por qu´e?

Soluci´on:
Para el desarrollo de la simulaci´on seleccionaremos en PSpice el transistor NPN con
referencia Q2N2222. Si editamos el modelo (en formato texto) encontramos que los
valores tıpicos buscados de ganancia de corriente en continua, tensi´on base emisor y
colector emisor son los que aparecen en la Fig. A.3. Como se puede apreciar, estos va
lores coinciden con los suministrados por el fabricante en sus hojas de caracterısticas y
que han sido mostrados en el apartado anterior. Tras este primer an´alisis, se procede a
la simulaci´on del circuito que nos ocupa, seg´un el esquem´atico mostrado en Fig. A.4.
Puesto que deseamos obtener el punto de polarizaci´on del transistor, el an´alisis que
debe ser seleccionado es el Bias Point Detail, que nos mostrar´a sobre el mismo esque
ma del circuito los valores de tensi´on y corriente en los puntos m´as importantes del
montaje, tal y como muestran las representaciones de Fig. A.5 y Fig. A.6.

Figura A.3. Resultado de editar el modelo (en formato texto) del transistor Q2N2222.
50 ELECTR´ONICA I

Figura A.4. Esquem´atico en Pspice correspondiente al circuito de la Fig. A.1.

Figura A.5. Valores de tensi´on obtenidos por PSpice tras el an´alisis del punto de polarizaci´on.
PR´ACTICAA. EJEMPLO DE RESOLUCI´ON DE UNA PR´ACTICA 51

Figura A.6. Valores de corriente obtenidos por PSpice tras el an´alisis del punto de polarizaci´on.

A la vista de estos resultados podemos deducir lo siguiente:

1. El valor de tensi´on base-emisor se puede calcular como la diferencia entre las


tensiones obtenidas en base y emisor, por tanto:

VBE = VB − VE = 6,641 − 5,948 = 0,693v (A.12)

Seg´un este dato, la uni´on base-emisor se encuentra polarizada en directa como


corresponde a un estado de polarizaci´on en saturaci´on.

2. Del mismo modo, la tensi´on colector-emisor puede calcularse seg´un:

VCE = VC − VE = 6,262 − 5,948 = 0,314v (A.13)

Seg´un esto, la uni´on colector-base se encuentra polarizada tambi´en en directa


como corresponde a un estado de polarizaci´on en saturaci´on, con una tensi´on
colector-emisor igual a la obtenida en el desarrollo te´orico.

3. Las corrientes obtenidas en la polarizaci´on pueden observarse de forma directa y,


por tanto, IB = 0,0349mA, IC = 5,913mAeIE = 5,948mA. En este caso las diferen
cias son m´as apreciables respecto al modelo te´orico. Especialmente significativo
es el valor de la corriente de base (cinco veces inferior a la obtenida te´oricamen
te). Las diferencias en este caso se deben a las aproximaciones adoptadas en el
modelo te´orico para la resoluci´on del modelo equivalente de Thevenin de la red
de autopolarizaci´on a la entrada y a las diferencias en los valores de tensi´on entre
base y emisor y entre colector y emisor del modelo te´orico frente a la simulaci´on
(0,6 frente a 0,693 para base-emisor y 0,3 frente a 0,314 en colecto-emisor).
52 ELECTR´ONICA I

A.3. Desarrollo de la pr´actica


En esta secci´on se analizar´a en el laboratorio el circuito de la Fig. A.1, estudiado
te´oricamente y mediante simulaci´on en los apartados anteriores. Ası pues, una vez
montado se debe medir:

1. La ganancia de corriente en continua haciendo uso del polımetro.


2. La tensi´on base-emisor y la de colector–emisor.
3. La corriente de base y la corriente de colector.
4. ¿En qu´e zona trabaja el transistor? ¿Por qu´e?

Soluci´on:

Antes del montaje es necesario conocer el patillaje del componente seleccionado (en
nuestro caso un 2N2222). El fabricante, a trav´es de las hojas de caracterısticas, suminis
tra esa informaci´on tal y como aparece en la Fig. A.7. La pesta˜na nos indica el terminal
1 (emisor), a partir del cual empezamos a contar (2 para base y 3 para colector).

Figura A.7. Patillaje correspondiente al transistor 2N2222 obtenido a partir de sus hojas de caracterısti
cas.

Una vez tenemos clara la forma de conexi´on, tenemos que utilizar el polımetro
para obtener la β real del transistor. Podemos observar como el polımetro tiene un
cırculo de conexiones dividido en dos mitades (NPN y PNP). Una vez identificados los
terminales y seleccionado el modo de medici´on, s´olo nos queda conectar el transistor
y apuntar el valor de la ganancia, tal y como muestra la Fig. A.8.
Tras esta medida inicial, procedemos al montaje del circuito seg´un se muestra en
la Fig. A.9. Estas fotografıas muestran una posible disposici´on de componentes en la
PR´ACTICAA. EJEMPLO DE RESOLUCI´ON DE UNA PR´ACTICA 53

Figura A.8. Detalle del encapsulado del transistor 2N2222 y medici´on del valor β con polımetro.

placa de inserci´on. Aunque existen m´ultiples posibilidades, la opci´on elegida permite


un mınimo cableado y evita dobleces en las patillas del transistor que, en la mayorıa
de los casos, pueden provocar interferencias y funcionamientos err´oneos.

Figura A.9. Montaje en laboratorio del circuito de la Fig. A.1. Detalle de conexiones.

Para obtener las tensiones de base-emisor y de colector-emisor utilizaremos el polıme


tro y conectaremos, para facilitar el proceso, las sondas a los terminales de las resisten
cias que est´en conectadas a los puntos de inter´es. De este modo, evitaremos conectar
directamente sobre las patillas del transistor, ya que el espacio disponible para ello es
muy limitado y las posibilidades de error muy elevadas. Los valores medios aparecen
en la Fig. A.10 y en la Fig. A.11. Para afianzar nuestra hip´otesis de funcionamiento en
la zona de saturaci´on, mediremos la tensi´on entre base y colector. Si, tal y como hemos
54 ELECTR´ONICA I

supuesto desde el principio, el transistor est´a en saturaci´on la uni´on base y colector


debe estar polarizada en directa, tal y como se demuestra en la medici´on que aparece
en la Fig. A.12.

Figura A.10. Detalle de medici´on de tensi´on base-emisor en laboratorio.

Figura A.11. Detalle de medici´on de tensi´on colector-emisor en laboratorio.

A la vista de los resultados obtenidos podemos afirmar que, en principio, el tran


sistor parece funcionar en la zona de saturaci´on. Las dos uniones est´an polarizadas en
directa (VBE ≥ 0,6v) y la tensi´on colector-emisor es muy bajo. En este ´ultimo caso, los
valores obtenidos est´an por debajo de lo esperado pues el fabricante indica un valor
tıpico de VCEsat = 0,3vfrente a los 0,05v medidos en laboratorio.
La forma m´as c´omoda de medir las corrientes es haciendo uso de la ley de Ohm.
Midiendo tensiones sobre las resistencias del circuito y teniendo en cuenta los valores
PR´ACTICAA. EJEMPLO DE RESOLUCI´ON DE UNA PR´ACTICA 55

Figura A.12. Detalle de medici´on de tensi´on colector-base en laboratorio.

de las mismas podemos obtener f´acilmente los valores de las corrientes. Para obtener
una mayor exactitud serıa conveniente medir con el ´ohmetro el valor real de las resis
tencias ya que la tolerancia del 10% puede influir en los c´alculos finales. Aunque este
m´etodo supone una medida indirecta de la corriente, evita problemas en las conexio
nes de los polımetros como amperımetros (requieren una conexi´on en serie) y permite
medir corrientes de bajo valor (que con un fondo de escala como el de los polımetros
de uso general serıa complicado de obtener). De este modo, y atendiendo a los resulta
dos de las tensiones medidas que aparecen en Fig. A.13, Fig. A.14, Fig. A.15 y Fig. A.16,
los valores de corriente obtenidos aparecen en la Ec. A.15 y Ec. A.15.

IC = VRC/RC = 18,26/3,9k = 4,68mA (A.14)


IE = VRE/RE = 5,82/1,2k = 4,85mA (A.15)

Para obtener la corriente de base restamos los dos valores de corriente medidos (de
forma indirecta) en las resistencias de la red de autopolarizaci´on, tal y como muestra
Ec. A.17.

IB = IR1 − IR2 = (VR1 /R1) − (VR2 /R2 ) = (A.16)


IB = 17,64/39k − 1,51/4,7k = 0,45mA −0,32mA = 0,13mA (A.17)

Los resultados obtenidos son pr´acticamente iguales a los obtenidos en el aparta


do de desarrollo te´orico y coinciden con la tendencia mostrada por la simulaci´on en
PSpice. Llegados a este punto podemos afirmar que el transistor se encuentra funcio
nando en la zona de saturaci´on ya que las dos uniones est´an polarizadas en directa, la
VCE ≤ 0,2v y la IC <βIB
56 ELECTR´ONICA I

Figura A.13. Detalle de medici´on de tensi´on en bornas de la resistencia de emisor en laboratorio.

Figura A.14. Detalle de medici´on de tensi´on en bornas de la resistencia de colector en laboratorio.


PR´ACTICAA. EJEMPLO DE RESOLUCI´ON DE UNA PR´ACTICA 57

Figura A.15. Detalle de medici´on de tensi´on en bornas de la resistencia de 39k en laboratorio.

Figura A.16. Detalle de medici´on de tensi´on en bornas de la resistencia de 4.7k en laboratorio.