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PROBLEMAS PARA EL CURSO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS I

PROBLEMA 1.
Calcular la tensión Vo en el siguiente circuito si los semiconductores son de
germanio, y tienen la geometría que se indican. Las dimensiones en el caso del
paralelepípedo es w=100um, y h=224 um ; mientras que en el cilindro el radio es r
= 100 um y la longitud L = 350 um.

Problema N°2.- En el semiconductor cilíndrico mostrado el radio es de 20 um y la longitud


es de 200um. El material es de germanio intrínseco. Se requiere que la tensión medida
sea una lectura de la temperatura a la que está el semiconductor . Se sabe que la
temperatura varia de 0 a 130 grados centígrados. ( Rth es un termistor).

15 V a).-calcular V0(T) (3 Puntos)


b) ¿cuál es la potencia máxima instantánea que es de disipada
por Rth? (2 puntos)
c) Hacer los mismos cálculos de a) y b) si el material es
silicio intrínseco. (2 puntos)
d) ¿Cual sería la respuesta de la corriente i en
Rth función de la temperatura si el material es de silicio dopado
i (ND= 1018cm-3). (1 punto)
e).- ¿Como conseguiría con los elementos de este circuito, que
Vo la tensión VO varié en forma inversamente a la variación de
la temperatura ? (1 punto)
f).- ¿Cual es la magnitud de la corriente de Difusión que circula
en el semiconductor? (1 punto)
100K

Fig. P2 Ing. Juan Tisza


Docente del curso

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