TUGAS 11

ELEKTRONIKA DASAR 1
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR

Oleh :

Nama : SYAFRINALDI
NIM : 16033081
Dosen : Drs. Hufri, M.Si

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS NEGERI PADANG

2017
 KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR
A. PENGERTIAN
Transistor alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit
pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau
sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana
berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan
pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.

Fungsi Kaki Kaki Transistor Bipolar:

 Fungsi basis kaki basis berfungsi untuk mengatur jalannya arus elektron dari
emitor ke kolektor sehingga mempengaruhi kerja dan fungsi dari transistor
tersebut.

 Fungsi kaki emitor kaki emitor berfungsi sebagai gudangnya elektron atau
tempat berkumpulnya elektron sebelum dialirkan ke kolektor dan basis.

 Fungsi kaki kolektor kolektor berfungsi sebagai tempat pengumpulan elektron

yang telah diatur oleh basis sehingga tidak heran kita kadang merasakan kalau
sebuah transistor saat bekerja terasa hangat atau bahkan panas, karena hal
tersebut terjadi akibat elektron yang terkumpul di kolektron terlalu besar
sehingga sebagian terkonversi keluar sebagai panas.

Transistor bipolar mempunyai lima daerah operasi yang berbeda, terutama

dibedakan oleh panjar yang diberikan:

 Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan

pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur. Hampir semua transistor didesain
untuk mencapai penguatan arus tunggal emitor yang terbesar (\beta_F) dalam
moda aktif-maju. in forward-active mode. Dalam keadaan ini arus kolektor-
emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis.
  Aktif-mundur (atau aktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran
pada moda aktif-maju, transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur.
Pada moda ini, daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi. Karena hampir
semua BJT didesain untuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal,
\beta_F pada moda terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah. Moda transistor
ini jarang digunakan, dan hanya diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan
untuk beberapa jenis logika dwikutub. Tegangan tembus panjar terbalik pada
basis mungkin lebih rendah pada moda ini.

 Jenuh(Saturasi): dengan semua pertemuan dipanjar maju, BJT memasuki

moda jenuh dan memberikan konduksi arus yang besar dari emitor km
kolektor. Moda ini berkorespondensi dengan logika hidup, atau sakelar yang
tertutup.

 Putus(cut-off): pada keadaan putus, pemanjaran bertolak belakang dengan

keadaan jenuh (semua pertemuan dipanjar terbalik). Arus yang mengalir
sangat kecil, dengan demikian berkorespondensi dengan logika mati, atau
sakelar yang terbuka.

 Tembusan bandang

Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang

cukup besar, mereka bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu
kecil (kurang dari beberapa ratus milivolt).

Besaran-besaran/parameter dalam karakteristik transistor

o Pd max. (Power dissipation, maximal) adalah ketentuan disipasi daya

maximal. Daya yang dibebankan kepada transistor harus berada di bawah
angka ketentuan ini.

o fT adalah batasan frekwensi-guling. Pada frekwensi ini transistor tidak lagi

bekerja dengan baik (pada rangkaian common-emittor).

o VCBO adalah batas tegangan tertinggi kolektor-basis (emitor dalam keadaan

terbuka/tidak tersambung).

o VCEO adalah batas tegangan tertinggi kolektor-emitor (basis dalam keadaan

terbuka)

o VEBO adalah batas tegangan terbalik tertinggi basis- emitor (kolektor dalam
keadaan terbuka).
 o Ic adalah arus kontinyu tertinggi yang mengalir pada kolektor.

o ICBO adalah arus bocoran yang mengalir ketika kolektor-basis berada pada
tegangan tertentu (emitor dalam keadaan terbuka).

o hfe adalah faktor penguatan arus untuk sinyal AC kecil (pada rangkaian
common-emittor).

o hFE adalah faktor penguatan arus DC atau sinyal arus besar (pada rangkaian
common-emittor). Nilai hFE ini berdekatan dengan nilai hfe, karenanya
seringkali dianggap sama.

Besaran-besaran dalam karakteristik transistor ini bisa diketahui dari data pabrik
pembuat transistor, atau dalam buku-buku data transistor.

B. KONFIGURASI TRANSISTOR BIPOLAR

Secara umum terdapat tiga macam konfigurasi rangkaian transistor, yaitu
konfigurasi basis bersama (common-base), konfigurasi emitor bersama (common-
emitter), dan konfigurasi kolektor bersama (common-collector). Istilah bersama dalam
masing-masing konfigurasi menunjuk pada terminal yang dipakai bersama untuk
input (masukan) dan output (keluaran). Gambar dibawah menunjukkan tiga macam
konfigurasi tersebut.
 1. Common Base
Pada konfigurasi basis bersama (common base = CB) sinyal input dimasukkan ke
emitor dan sinyal output diambil pada kolektor dengan basis sebagai ground-nya.
Faktor penguatan arus pada basis bersama disebut dengan ALPHA (α). αdc (alpha
dc) adalah perbandingan arus IC dengan arus IE pada titik kerja. Sedangkan αac
(alpha ac) atau sering juga disebut alpha (α) saja merupakan perbandingan
perubahan IC dengan IE pada tegangan VCB tetap berlaku rumusan.

Gambar Aliran Arus Dalam Transistor

Dari diagram aliran arus pada gambar diatas dapat diketahui bahwa harga α
adalah kurang dari satu, karena arus IE sebagian dilewatkan menjadi IB dan lainnya
menuju kolektor menjadi IC. Harga tipikal dari α adalah 0,90 hingga 0,998.
Umumnya harga α untuk setiap transistor dicantumkan dalam datasheet.

Dengan memasukan arus bocor ICBO kedalam perhitungan, maka besarnya arus IC
menjadi:

2. Common Emiter
Pada konfigurasi emitor bersama (common emitter = CE) sinyal input
diumpankan pada basis dan output diperoleh dari kolektor dengan emitor sebagai
groundnya. Faktor penguatan arus pada emitor bersama disebut dengan BETA (β).
Seperti halnya pada α, istilah β juga terdapat βdc (beta dc) maupun βac (beta ac).
Definisi βac(atau β saja) dengan VCE konstan adalah:

Istilah β sering dikenal juga dengan hfe yang berasal dari parameter hibrid
untuk faktor penguatan arus pada emitor bersama. Data untuk harga hfe maupun β
ini lebih banyak dijumpai dalam berbagai datasheet dibanding dengan α. Umumnya
transistor mempunyai harga β dari 50 hingga lebih dari 600 tergantung dari jenis
transistornya.

Dalam perencanaan rangkaian transitor perlu diperhatikan bahwa harga β

dipengaruhi oleh arus kolektor. Demikian pula variasi harga β juga terjadi pada
pembuatan di pabrik. Untuk dua tipe dan jenis transistor yang sama serta dibuat dalam
satu pabrik pada waktu yang sama, belum tentu mempunyai β yang sama.

Hubungan antara α dan β dapat dikembangkan melalui beberapa persamaan berikut:

dan diperoleh persamaan β adalah :

Dengan memasukan arus bocor ICBO kedalam perhitungan, maka besarnya

arus IC dalam kaitannya dengan α. Sedangkan arus IC dalam hubungannya dengan
β dapat dijelaskan sebagai berikut.
 Dalam persamaan di atas terdapat arus bocor sebesar (β + 1)ICBO atau sering
disebut dengan istilah ICEO . Arus bocor ICEO ini adalah arus kolektor ke emitor
dengan basis terbuka. Arus bocor ICBO dan ICEO dapat dilukiskan seperti pada
gambar dibawah.
 DAFTAR PUSTAKA

Sutrisno.1986.Elektronika “Teori dan Penerapannya”.Bandung:ITB.

Wijaya, Sastra Kusuma.2014.Diktat Elektronika 1.Bogor : FMIPA Universitas
Indonesia