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UNIVERSIDAD VERACRUZANA

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA ELÉCTRICA

ELECTRÓNICA

DIODOS
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DIODOS SEMICONDUCTORES.
En los años que siguieron a la introducción del transistor semiconductor en los años
cuarenta, se ha atestiguado un cambio sumamente drástico en la industria electrónica. La
miniaturización que ha resultado, nos maravilla cuando consideramos sus límites.
La miniaturización de los últimos añosa producido sistemas semiconductores tan
pequeños que el propósito principal de su encapsulado es proporcionar simplemente algunos
medios para el manejo del dispositivo y para asegurar que las puntas de conexión
permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los
límites de la miniaturización: la calidad del propio semiconductor, la técnica de diseño de la
red y los límites del equipo de manufactura y procesamiento.

Un diodo es un componente electrónico que permite el paso de la corriente en un solo

sentido. El más sencillo, el diodo con punto de contacto de germanio, se creó en los
primeros días de la radio. Los diodos de unión constan de una unión de dos tipos diferentes
de material semiconductor.
DIODOS.

Vemos los dos tipos de diodos, en el dibujo que está al lado vemos la orientación del diodo
con su nombre, en la misma posición que en la fotografía. Observar que la barrera de paso
se pinta en el diodo con una línea en el extremo correspondiente y en todo el perímetro.
FOTODIODOS

Los fotodiodos se hacen trabajar con una tensión inicial en sentido de bloqueo. Sin dicha
tensión inicial trabajan, el sentido de paso, como fotoelementos (son bipolos que al ser
iluminados engendran tensión). La corriente en la oscuridad es reducida. Con resistencias
de trabajo de elevado valor ohmico pueden engendrarse variaciones de tensión que alcanzan
casi la plena tensión de servicio.

DIODO DE USO COMUN

El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben
estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el
momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los
huecos que están en, o cerca de, la región de "unión", se combinan y esto da como resultado
una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la región
cercana a la unión. Esta región de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre
de Región de Agotamiento por la ausencia de portadores.
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Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a través de las terminales del diodo:
- No hay polarización (Vd = 0 V).
- Polarización directa (Vd > 0 V).
- Polarización inversa (Vd < 0 V).
Vd = 0 V. En condiciones sin polarización, los portadores minoritarios (huecos) en el
material tipo N que se encuentran dentro de la región de agotamiento pasarán
directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarización
aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier dirección es cero para un diodo
semiconductor.

La aplicación de un voltaje positivo "presionará" a los electrones en el material tipo N y a

los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la
anchura de la región de agotamiento hasta desaparecerla cuando VD ³ 0.7 V para diodos de
Silicio. Id = I mayoritarios - Is
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Condición de Polarización Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condición el número de iones
positivos descubiertos en la región de agotamiento del material tipo N aumentará debido al
mayor número de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje
aplicado. El número de iones negativos descubiertos en el material tipo P también
aumentará debido a los electrones inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparán
los huecos. El fenómeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P,
provocará que la región de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una barrera
tan grande que los portadores mayoritarios no podrán superar, esto significa que la
corriente Id del diodo será cero. Sin embargo, el número de portadores minoritarios que
estarán entrando a la región de agotamiento no cambiará, creando por lo tanto la corriente
Is. La corriente que existe bajo condiciones de polarización inversa se denomina corriente
de saturación inversa: Is.
El término "saturación" proviene del hecho que alcanza su máximo nivel (se satura) en
forma rápida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de
polarización inversa, hasta que al valor Vz o VPI, voltaje pico inverso.

El máximo potencial de polarización inversa que puede aplicarse antes de entrar en la

región Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de corriente más altos
e intervalos de temperatura más amplios que los diodos de germanio.
En general, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente: en la zona
directa se puede considerar como un generador de tensión continua, tensión de codo (0.5-
0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se polariza en inversa se puede
considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza la tensión inversa de disyunción
(zona Inversa) se produce un aumento drástico de la corriente que puede llegar a destruir
al dispositivo. Este diodo tiene un amplio margen de aplicaciones: circuitos rectificadores,
limitadores, fijadores de nivel, protección contra cortocircuitos, de moduladores,
mezcladores, osciladores, bloqueo y bypass en instalaciones fotovoltaicas, etc.
Cuando usamos un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes
consideraciones (a partir de las hojas de características suministradas por el fabricante):
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1. La tensión inversa máxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR máx. o VR

máx., respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la máxima que
este va a soportar.
2. La corriente máxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva
o no (IFRM máx. e IF máx. respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que
la máxima que este va a soportar.
3. La potencia máxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser mayor (del
orden del doble) que la máxima que este va a soportar.
En la siguiente figura podemos observar la representación gráfica o símbolo para este
tipo de diodo.

Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o región de

operación. Si consideramos la región definida por la dirección de I d y la polaridad de Vd,

encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a como se define con la

ley de Ohm es:

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Donde Vf es el voltaje de polarización directo a través del diodo e I F es la corriente en

sentido directo a través del diodo. El diodo, por consiguiente, es un corto circuito para la
región de conducción.
Si consideramos la región del potencial aplicado negativamente,

Donde VR es el voltaje de polarización inverso a través del diodo e IR es la corriente

inversa en el diodo. El diodo, en consecuencia, es un circuito abierto en la región en la que

no hay conducción.

DIODOS PIN

El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N
también fuertemente dopada, separadas por una región de material que es casi intrínseco.
Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que
exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia
muy alta cuando está inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido
directo. Además, las tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100 a 1000
V.

En virtud de las características del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como
modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propósitos se le
puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en
sentido inverso. También se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o
tensiones muy grandes.

El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja

resistividad representada, está esta formada por difusión de átomos de boro en un bloque
de silicio tipo P y la capa N muy delgada está formada difundiendo grandes cantidades de
fósforo. La región intrínseca i es realmente una región P de alta resistividad y se suele
denominar región . Cuando el circuito está abierto, los electrones fluyen desde la región
i() hasta la región P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen
desde la región i para recombinarse con los electrones de la región N. Si el material i()
fuese verdaderamente intrínseco, la caída de tensión en la región i sería nula, puesto que la
emigración de huecos sería igual a la emigración de electrones. Si embargo, como el
material es en verdad  (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones.

Cuando se aplica una polarización inversa al diodo los electrones y los huecos del material 
son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensión inversa simplemente
incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la
región de transición L es aproximadamente igual a la región i y aproximadamente
independiente de la tensión inversa. Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky,
el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente
de la polarización. Una variación típica de la capacidad podría ser desde 0,15 hasta 0,14 pF
en una variación de la polarización inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual
a la longitud de la región i, la longitud de la región de transición es aproximadamente
constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad
CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que
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el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR

varían desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles.

Cuando el diodo está polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden el
la región , creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los
electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la región
i. En la condición de polarización directa la caída de tensión en la región i es muy pequeña.
Además, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, también disminuye la
resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o
conductancia modulada. En una primera aproximación, la resistencia rd en pequeña señal es
inversamente proporcional a la corriente IDQ con polarización directa, lo mismo que en el
diodo PN.

En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una capacidad CR

en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente
infinita, mientras que en polarización inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS
es la capacidad parásita paralelo que se produce soldando el diodo a la cápsula y LS es la
inductancia serie debida a los hilos de conexión desde el diodo hasta la cápsula.

EMISORES INFRARROJOS.

Los diodos emisores infrarrojos son dispositivos de estado sólido de arseniuro de galio

que emiten un haz de luz de flujo radiante cuando se polarizan directamente. Cuando la

unión se polariza en forma directa, los electrones de la región N se recombinarán con los

huecos en exceso de la región tipo P en una región de recombinado diseñada especialmente

emparedada entre los materiales tipo P y tipo N. Durante este proceso de recombinación se

radía energía alejándose de la fuente en forma de fotones. Los fotones que se generan

serán reabsorbidos en la estructura o abandonarán la superficie del dispositivo como

energía radiante.

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

La optoelectrónica es la tecnología que combina la óptica con la electrónica. Este

emocionante campo incluye muchos dispositivos basados en la acción de una unión pn.
Ejemplos de estos dispositivos son los diodos emisores de luz (LED), los fotodiodos, los
optoacopladores.

El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se encuentra
polarizado. El voltaje de polarización de un LED varía desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la
corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.

Su uso es frecuente como luces “piloto” en aparatos electrónicos para indicar si el circuito
está cerrado.

Los elementos componentes son transparentes o coloreados, de un material resina-epoxi,

con la forma adecuada e incluye el corazón de un LED: el chip semiconductor.

Los terminales se extienden por debajo de la cápsula del LED o foco e indican cómo deben
ser conectados al circuito. El lado negativo está indicado de dos formas: 1) por la cara
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plana del foco o, 2) por el de menor longitud. El terminal negativo debe ser conectado al
terminal negativo de un circuito.

Los LEDs operan con un voltaje relativamente bajo, entre 1 y 4 volts, y la corriente está en
un rango entre 10 y 40 mili amperes. Voltajes y corrientes superiores a los indicados
pueden derretir el chip del LED. La parte más importante del “light emitting diode” (LED)
es el chip semiconductor localizado en el centro del foco, como se ve en la figura.

El chip tiene dos regiones separadas por una juntura. La región p está dominada por las
cargas positivas, y la n por las negativas. La juntura actúa como una barrera al paso de los
electrones entre la región p y la n; sólo cuando se aplica el voltaje suficiente al chip puede
pasar la corriente y entonces los electrones pueden cruzar la juntura hacia la región p.

Si la diferencia de potencial entre los terminales del LED no es suficiente, la juntura

presenta una barrera eléctrica al flujo de electrones.

¿Qué causa la emisión de luz de un LED y qué determina el color de la luz?

En la siguiente figura se ve una fuente conectada a un resistor y un LED. Las flechas que
salen simbolizan la luz radiada. En un LED con polarización directa, los electrones libres
atraviesan la unión y caen en los huecos. Como caen de niveles energéticos altos a niveles
energéticos bajos, radian energía. En los diodos ordinarios, esta energía se disipa en forma
de calor, pero en un LED la energía se disipa en forma de luz. Los LED han sustituido a las
lámparas incandescentes en muchas aplicaciones por su bajo voltaje, larga vida y su gran
rapidez para activar y desconectar.

Rs
Rs

+ FUENTE + +
+ DE Vs Vd
Vs Vd PODER - -
- -
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Los diodos ordinarios están hechos de silicio, un material opaco que obstruye el
paso de la luz. Los LED son diferentes. Empleando elementos tales como el galio, arsénico y
fósforo, un fabricante puede producir LED que radien luz roja, verde, amarilla, azul,
naranja, o infrarroja (invisible). Los LED que producen radiación visible son útiles en los
instrumentos, las calculadoras, etc. Los LED de luz infrarroja tiene aplicaciones en
sistemas de alarma antirrobo y otras áreas en las que se requiera luz invisible.
Cuando se aplica una tensión al chip del LED los electrones pueden moverse fácilmente sólo
en una dirección a través la juntura entre p y n. En la región p hay muchas cargas positivas
y pocas negativas. En cambio en la región n hay más cargas negativas que positivas. Cuando
se aplica tensión y la corriente empieza a fluir, los electrones en la región n tienen
suficiente energía para cruzar la juntura hacia la región p. Una vez en ésta, los electrones
son inmediatamente atraídos hacia las cargas positivas, de acuerdo a la ley de Coulomb, que
dice que fuerzas opuestas se atraen. Cuando un electrón se mueve lo suficientemente
cerca de una carga positiva en la región p, las dos cargas se recombinan.

Cada vez que un electrón se recombina con una carga eléctrica positiva, energía eléctrica
potencial es convertida en energía electromagnética. Por cada una de estas
recombinaciones un quantum de energía electromagnética es emitido en forma de fotón de
luz con una frecuencia que depende del material semiconductor. Los fotones son emitidos
en un rango de frecuencia muy estrecho que depende del material del chip; el color de la
luz difiere según los materiales semiconductores y requieren diferentes tensión para
encenderlos.
VOLTAJE DE CORRIENTE EN UN LED.
El resistor de la figura anterior, es el
resistor limitador de corriente usual que evita que la corriente exceda la especificación de
corriente máxima del diodo. Como el resistor tiene un voltaje de nodo de Vs a la izquierda y
un voltaje de nodo Vd a la derecha, el voltaje en el resistor es la diferencia entre estos dos
voltajes. Por ley de Ohm, la corriente en serie es

Is = Vs - Vd
Rs

En la mayor parte de los LED disponibles comercialmente, la caída de voltaje típica

es de 1.5 a 2.5 V para corrientes que fluctúan entre 10 y 50 mA. El valor exacto de la caída
de voltaje depende de la corriente del LED, el color, la tolerancia, etc. A menos que se diga
otra cosa, supondremos una caída nominal de 2 V para la detección de fallas o el análisis de
circuitos con LED.
Pantalla de siete segmentos.
En la figura 1-a se muestra una pantalla de siete
segmentos. Contiene siete LED rectangulares (A a G). Cada LED recibe el nombre de
segmento por que forma parte del carácter (símbolo) que se esté mostrando. La figura 1-b
es un diagrama de la pantalla de siete segmentos. Se incluyen resistores externos en serie
para limitar la corriente a niveles de seguridad. Aterrizando uno o mas segmentos, puede
formarse cualquier dígito del 0 al 9. Por ejemplo aterrizando A,B,C se obtiene un 7.
Aterrizando A,B,C,D y G se obtiene un 3. Con una pantalla de siete segmentos se puede
formar también las letras A,C,E y F y las letras minúsculas b y d. Los entrenadores de
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microprocesador usan a menudo pantallas de siete segmentos para exhibir todos los dígitos
del 0 al 9, más A, b, C, d, E y F.
+

F B

E C

A B C D E F G

1-A 1-B

El indicador de 7 segmentos de la figura 1-B se conoce como tipo ánodo común por
que todos los nodos están conectados entre si. También existe el tipo de cátodo en que
todos los cátodos están conectados entre si.
¿Cuánta energía libera un LED?

La energía eléctrica es proporcional a la tensión que se necesita para hacer que los
electrones fluyan a través de la juntura p-n. Son predominantemente de un solo color de
luz. La energía (E) de la luz emitida por un LED está relacionada con la carga eléctrica (q)
de un electrón, y el voltaje (v) requerido para encenderlo se obtiene mediante la expresión
E= q x V . Esta expresión dice simplemente que el voltaje es proporcional al la energía
eléctrica y es una regla general que se aplica a cualquier circuito, como el LED. La
constante q es la carga eléctrica de un solo electrón: - 1,6 x 10 exp –19 Coulomb.

ENCONTRANDO LA ENERGÍA DESDE LA TENSIÓN

Supongamos que se ha medido el voltaje a través de los terminales del LED, y Ud. desea
averiguar la energía necesaria para prender al LED. Supongamos que tiene un LED rojo y
que la tensión entre los terminales es de 1,71 volts; la energía requerida para prender el
LED es E= q x V ó E= -1,6 x 10 exp –19. 1,71 Joule, dado que Coulomb / Volt es un Joule.
La multiplicación de estos números nos dan E= 2,74 x 10 exp –19 Joule.

ENCONTRANDO LA FRECUENCIA DESDE LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ

La frecuencia de la luz está relacionada con la longitud de onda de luz de una manera muy
simple. El espectrómetro puede ser usado para examinar la luz de un LED, y para estimar
el pico de la longitud de onda emitido por el LED. Pero preferimos tener la frecuencia de la
intensidad pico de la luz emitida por el LED. La longitud de la onda está relacionada con la
frecuencia de la luz por la fórmula

F = c / v , donde c el la velocidad de la luz y v es la longitud de onda de la luz leída desde el

espectrómetro (en unidades de nanómetros, es decir, la millonésima parte de un milímetro).
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Supongamos que observó un LED rojo con el espectrómetro y vio que el LED emite un rango
en colores con un máximo de intensidad de acuerdo con la longitud de onda leída en el
espectrómetro de = 660 nm

La frecuencia
correspondiente a la emisión del LED rojo es de 4,55 x 10 exp 14 Hertz. La unidad de un ciclo de una
onda en un segundo (ciclos por segundo) es un Hertz.

Información básica sobre los LED

La mayoría de las características de los LED s están especificada para una corriente de 20
mA, si uno no está seguro de obtener 20 mA en la función de la conductividad del calor en
la plaqueta más el calor del LED, variaciones de calor y corriente, conviene diseñar todo
para 15 mA.

- Cómo lograr 15 mA a través del LED:

Primero se necesita saber la caída de tensión en el LED. Se puede asumir con suficiente
seguridad 1,7 V para rojo no muy brillante, 1,9 V para alto brillo, alta eficiencia y rojo de
baja corriente, y 2V para naranja y amarillo; 2,1 V para verde, 3,4 V para blanco brillante,
verde brillante sin amarillo y la mayoría de los azules, 4,6 V para azul brillante de 430 nm.
En general se diseña para 12 mA para los tipos de 3,4 V y 10 mA para el azul de 430 nm.

Se puede diseñar una fuente que entregue mayor corriente si se está seguro de una
excelente disipación de calor en el conjunto. En este caso asigne 25 mA a los LED de cerca
de 2V, 18 mA para los de 3,4 V y 15 mA para el azul de 430 nm.
En condiciones óptimas de disipación de calor se puede hacer circular una corriente mayor
pero la vida útil del LED se reducirá al 50% del normal: 20.000 a 100.000 horas. En cuanto
al voltaje debe estar algo por arriba de lo asignado para los LED s. Use por lo menos 3 V
para los de bajo voltaje, 4,5 V para los de 3,4 V y 6 V para el azul de 430 nm.
El próximo paso es restar el voltaje de los LED s de la fuente; esto le da la caída de voltaje
que se logra mediante una resistencia. Ej.: 3, 4 V del LED con una fuente de 6 V. haciendo
la resta da 2,6 V de caída que debe ser producida por la resistencia.

El próximo paso consiste en dividir la caída de voltaje por la corriente del LED,
obteniéndose así el valor de la resistencia; al dividir V / A se obtiene un valor de
resistencia en ohms. Si se divide V / mA la resistencia se obtiene en K ohms.
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Otro paso a seguir es determinar la potencia de la resistencia. Multiplique la caída de

voltaje por la corriente del LED para obtener la potencia de la resistencia.

No ponga los LED s en paralelo entre sí; si bien esto funciona no es confiable porque los
LED s se vuelven más conductores a medida que aumenta su temperatura, con lo que se
vuelve inestable la distribución de la corriente. Cada LED debe tener su propia resistencia.

RESUMIENDO: la tensión de arranque de un LED depende del color que deban emitir,
teniendo en cuenta los materiales de los que están hechos, que se eligen de acuerdo al color

Información de otras fuentes:

Son diodos y por lo tanto con polaridad:

Tenemos tres sistemas en los leds que nos indican la polaridad, una pata más corta que
otra, dentro de la cápsula distinta longitud de espadín, y la más efectiva, donde va la
barrera de paso está plano el encapsulado.
En la foto vemos a la izquierda un led rojo y otro verde debajo, además vemos dos soportes
para ponerlos en la placa de control, el primero es el más complicado, se ponen primero el
led en la zona plástica blanca antes de soldarlo, la zona metálica se fija al tablero de
mandos, y después, se incrusta el conjunto led+plástico al soporte metálico.
El segundo soporte (el negro) es una simple pieza de plástico como las usadas en las bases
aislantes de los 2N3055, que se pone en un agujero del tablero de mandos desde arriba,
incrustándose el led desde abajo del tablero en dicha pieza.

Principio de Funcionamiento:

En cualquier unión P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente

cerca de la unión, ocurre una recombinación de huecos y electrones (al paso de la
corriente). Esta recombinación requiere que la energía que posee un electrón libre no ligado
se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte de esta energía se
convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se
transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razón se utiliza otro tipo de
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materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de Galio (GaAsP) o fosfuro de
Galio (GaP).

Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo, ámbar,
azul y algunos otros.
Hay que tener en cuenta que las características obtenidas de las hojas de especificaciones
pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque ambos hayan sido producidos en
el mismo lote. También hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los
resistores, uno marcado de 100W puede ser realmente de 98W o de 102W o tal vez si ser
exacto, y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o
tal vez a 10V.
De acuerdo a otras consideraciones, El diodo LED presenta un comportamiento análogo al

diodo rectificador (diodo semiconductor p-n), sin embargo, su tensión de codo tiene un

valor mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V. Según el material y la tecnología de fabricación

estos diodos pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde,

dependiendo de cual sea la longitud de onda en torno a la cual emita el LED.

Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos de señalización, instrumentación,

optoaclopadores, etc.

Resulta difícil distinguir, por pura inspección visual, el modelo del LED así como el

fabricante: los valores máximos de tensión y corriente que puede soportar y que suministra

el fabricante serán por lo general desconocidos. Por esto, cuando se utilice un diodo LED en

un circuito, se recomienda que la intensidad que lo atraviese no supere los 20 mA,

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precaución de carácter general que resulta muy válida. En la figura siguiente se muestra el

símbolo electrónico de este tipo de diodo.

El diodo LED puede ser tratado de manera análoga a un diodo normal. sin embargo conviene

tener en cuenta que los diodos LED no están fabricados de silicio monocristalino, ya que el

silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones. Debido a ello, la tensión de polarización

directa Vd depende del material con el que esté fabricado el diodo.

El material que compone el diodo LED, es importante ya que el color de la luz emitida por el

LED depende únicamente del material y del proceso de fabricación principalmente de los

dopados.

En la tabla que a continuación se presenta aparecen algunos ejemplos de materiales

utilizados junto con los colores conseguidos:

Material Longitud de Onda Color Vd Típica

AsGa 904 nm IR 1V
InGaAsP 1300 nm IR 1V
AsGaAl 750-850 nm Rojo 1,5 V
AsGaP 590 nm Amarillo 1,6 V
InGaAlP 560 nm Verde 2,7 V
CSi 480 nm Azul 3V
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DIODO ZENER

La corriente en la región Zener tiene una dirección opuesta a la de un diodo polarizado

directamente. El diodo Zener es un diodo que ha sido diseñado para trabajar en la región

Zener.

De acuerdo con la definición, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseñado para
trabajar con voltajes negativos (con respecto a él mismo). Es importante mencionar que la
región Zener (en un diodo Zener) se controla o se manipula variando los niveles de dopado.
Un incremento en el número de impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de
Zener Vz.
Así, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a -200 V y
potencias de 1/4 a 50 W. El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha
alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se
activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.

En el circuito que se muestra en la figura anterior, se desea proteger la carga contra

sobre voltajes, el máximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un
diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activará cuando el voltaje en la carga
sea 4.8 volts, protegiéndola de esta manera.
De acuerdo a otras consideraciones, el funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es
la siguiente: en la zona directa lo podemos considerar como un generador de tensión
continua (tensión de codo). En la zona de disrupción, entre la tensión de codo y la tensión
Zener (Vz nom.) lo podemos considerar un circuito abierto. Cuando trabaja en la zona de
disrupción se puede considerar como un generador de tensión de valor Vf= -Vz.
El Zener se usa principalmente en la estabilidad de tensión trabajando en la zona de
disrupción.
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Podemos distinguir:
1. Vz nom,Vz: Tensión nominal del Zener (tensión en cuyo entorno trabaja
adecuadamente el Zener).
2. Iz min: Mínima corriente inversa que tiene que atravesar al diodo a partir de
la cual se garantiza el adecuado funcionamiento en la zona de disrupción (Vz
min).
3. Iz máx.: Máxima corriente inversa que puede atravesar el diodo a partir de
la cual el dispositivo se destruye (Vz máx.).
4. Pz: Potencia nominal que no debe sobrepasar el componente.
Aproximadamente se corresponde con el producto de Vz nom y Iz máx.

En la gráfica siguiente se puede observar la curva característica de este tipo de diodo.

Cuando usamos un diodo Zener en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes

consideraciones (a partir de las hojas de características suministradas por el fabricante):

1. Para un correcto funcionamiento, por el Zener debe circular una corriente inversa

mayor o igual a Iz min.

2. La corriente máxima en sentido inverso ha de ser siempre menor que Iz máx.

3. La potencia nominal Pz que puede disipar el Zener ha de ser mayor (del orden del

doble) que la máxima que este va a soportar en el circuito.

DIODOS DE CORRIENTE CONSTANTE.

Estos son diodos que funcionan en forma exactamente opuesta a los diodos Zener. En vez
de mantener constante el voltaje, estos diodos mantienen constante la corriente. Conocidos
como diodos de corriente constante (y también como diodos reguladores de corriente),
estos dispositivos mantienen la corriente que circula a través de ellos en un valor fijo, aún
cuando varíe el voltaje aplicado. Por ejemplo, el 1N5305 es un diodo de corriente constante
con una corriente típica de 2 mA en un intervalo de voltaje de 2 a 100 V.

DIODOS DE RECUPERACION EN ESCALON.

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El diodo de recuperación en escalón tiene un perfil de impurificación no usual ya que

la densidad de portadores disminuye cerca de la unión. Esta distribución poco común de
portadores es el origen de un fenómeno llamado desplome de reversa. Durante el semiciclo
positivo, el diodo conduce igual que un diodo de silicio. Pero durante el semiciclo negativo, la
corriente inversa existe sólo durante un tiempo muy corto, desplomándose repentinamente
a cero. La corriente de desplome de un diodo de recuperación en escalón es rica en
armónicos y se puede filtrar para producir una onda sinusoidal de frecuencia más alta.
Debido a esto, los diodos de recuperación en escalón son útiles en multiplicadores de
frecuencia, circuitos cuya frecuencia de salida es un múltiplo de la frecuencia de entrada.
DIODOS INVERTIDOS.
Los diodos Zener normalmente tienen voltajes de rompimiento
mayores que 2 V. Incrementando el nivel de impurificación, puede lograrse
que el efecto Zener ocurra próximo al voltaje cero. La conducción en
polarización directa aún ocurre aproximadamente a los 0.7 V, pero la
conducción inversa (rompimiento) comienza más o menos a los -0.1 V. Un
diodo como éste recibe el nombre de diodo invertido por que conduce mejor
en la dirección inversa que en la directa. Los diodos invertidos se emplean
ocasionalmente para rectificar señales débiles cuyas amplitudes pico se
hallen entre 0.1 y 0.7 V.

DIODOS VARACTORES (VARICAP)

El varactor (llamado también capacitancia de voltaje variable, varicap, epicap y diodo
sintonizador) se usa mucho en receptores de televisión, receptores de FM, y demás equipo
de comunicaciones. La idea básica es la siguiente. En la figura 1-D, la capa de
empobrecimiento se halla entre la región p y la región n. Las regiones p y n son como las
placas de un capacitor, y la capa de empobrecimiento es como el dieléctrico. Cuando un
diodo se polariza inversamente, la anchura de la capa de empobrecimiento aumenta con el
voltaje inverso. Como la capa de empobrecimiento se ensancha cuando el voltaje inverso
aumenta, la capacitancia disminuye. Es como si las placas del capacitor se separasen. La
idea es que la capacitancia está controlada por el voltaje.

En la figura 1-E se muestra el circuito equivalente para un diodo con polarización

inversa. A frecuencia más altas, el varactor actúa igual que una capacitancia variable. En la
figura 1-F se ilustra la variación de la capacitancia con el voltaje inverso. Esta gráfica
muestra que la capacitancia se hace más pequeña cuando el voltaje inverso se hace más
grande. Lo realmente importante aquí es que el voltaje inverso controla la capacitancia.
Esto es la puerta de entrada para el control remoto.

En la figura 1-G se aprecia el símbolo para un varactor. ¿Cómo se emplea este

dispositivo? Puede conectarse un varactor en paralelo con un inductor para obtener un
circuito resonante. Entonces se puede cambiar el voltaje inverso para cambiar la frecuencia
resonante. Este es el principio de la sintonización de una estación de radio, un canal de TV,
etc.

p n
+++ --- Cr
 18

+++ ---
+++ ---
+++ ---

1-E
Capa de empobrecimiento
1-D

Cr

1-G 1-F

Características del varactor:

Son diodos de Silicio diseñados para aprovechar su
capacitancia variable. Como la capacitancia está controlada por el voltaje, los varactores
han sustituido a los capacitores sintonizadores mecánicamente en muchas aplicaciones,
tales como en los receptores de televisión y en los radios para automóvil. En las hojas de
datos para los varactores se lista un valor de referencia de capacitancia medido a un
voltaje inverso específico típicamente -4V. Por ejemplo, la hoja de datos de un 1N5142
indica una capacitancia de referencia de 15pF a -4V.

Además del valor de referencia de la capacitancia, las hojas de datos indican un

intervalo de sintonización y un intervalo de voltaje. Por ejemplo, junto con el valor de
referencia de 15 pF, la hoja de datos de un 1N5142 indica un intervalo de sintonía de 3:1
para un intervalo de voltaje de -4 a -60 V. Esto significa que la capacitancia disminuye de
15 a 5 pF si el voltaje fluctúa entre -4 y -60 V.

El intervalo de sintonía de un varactor depende del nivel de impurificación. Por

ejemplo la figura 1- H muestra el perfil de impurificación para un diodo de unión abrupta (el
tipo ordinario de diodos). Obsérvese que la impurificación es uniforme en ambos lados de la
unión; esto significa que el número de huecos y de electrones libres está igualmente
distribuido. El intervalo de sintonía de un diodo de unión abrupta oscila entre 3:1 y 4:1.

Nivel de impurificación.
 19

n p Distancia a partir
de la unión.

1-H

Para obtener intervalos de sintonía más extensos, algunos varactores tienen una
unión hiperabrupta, cuyo perfil de impurificación es como el que se ve en la figura 1 - I. El
perfil indica que la densidad de carga aumenta conforme nos acercamos a la unión. Esta
mayor concentración lleva a una capa de empobrecimiento más angosta y una mayor
capacitancia. Además, los cambios en el voltaje inverso tienen efectos más pronunciados
sobre la capacitancia. Un varactor hiperabrupto tiene un intervalo de sintonía de
aproximadamente 10:1, suficiente para sintonizar todo el intervalo de frecuencia de radio
AM (de 535 a 1 605 kHz).

Nivel de impurificación

n p Distancia a partir
de la unión.

1- I
Los diodos varactores [llamados también varicap (diodo con capacitancia-voltaje variable) o
sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje, capacitores variables. Su
modo de operación depende de la capacitancia que existe en la unión P-N cuando el
elemento está polarizado inversamente. En condiciones de polarización inversa, se
estableció que hay una región sin carga en cualquiera de los lados de la unión que en
conjunto forman la región de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de
transición (CT) establecida por la región sin carga se determina mediante:

CT = E (A/Wd)

donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el área de la unión P-

N y Wd el ancho de la región de agotamiento.

Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de la región

de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El pico inicial declina
en CT con el aumento de la polarización inversa. El intervalo normal de VR para diodos
varicap se limita aproximadamente 20V. En términos de la polarización inversa aplicada, la
capacitancia de transición se determina en forma aproximada mediante:

CT = K / (VT + VR)n

donde:
 20

K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción.

VT = potencial en la curva según se definió en la sección

VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado

n = 1/2 para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión

En la gráfica, se observa la variación de la capacitancia con respecto al voltaje.

En la gráfica se puede observar el aumento no lineal en la capacitancia cuando se disminuye

el voltaje inverso. Esta no linealidad, permite que el varactor sea utilizado también como

generador armónico. Las consideraciones importantes del varactor son:

 21

a) Valor de la capacitancia.

b) Voltaje.

c) Variación en capacitancia con voltaje.

d) Voltaje de funcionamiento máximo.

e) Corriente de la salida.

DIODO LASER

Los diodos láser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las

características de un diodo láser son:

1. La emisión de luz es dirigida en una sola dirección: Un diodo LED emite fotones en

muchas direcciones. Un diodo láser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz

preferencial una sola dirección.

Corte esquemático de la emisión de luz en diodos LED y láser

Intensidad de luz en función de la longitud de onda para diodos LED y láser

 22

Debido a estas dos propiedades, con el láser se pueden conseguir rayos de luz

monocromática dirigidos en una dirección determinada. Como además también puede

controlarse la potencia emitida, el láser resulta un dispositivo ideal para aquellas

operaciones en las que sea necesario entregar energía con precisión.

Ejemplo de aplicación: El lector de discos compactos:

Una de las muchas aplicaciones de los diodos láser es la de lectura de información digital de
soportes de datos tipo CD-ROM o la reproducción de discos compactos musicales. El
principio de operación de uno y otro es idéntico.

Esquema del funcionamiento del CD-ROM

Un haz láser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prácticos, se
puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de
luz. Al incidir el haz láser en una zona reflectante, la luz será guiada hasta un detector de
luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al detector no le llega
ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital.
Los ingredientes básicos de la emisión láser en los diodos son el mecanismo de bombeo y
la cavidad óptica. En un láser semiconductor, la ganancia es aportada por una corriente de
inyección. De esta manera, los pares electrón-agujero dan la inversión de población
necesaria para la emisión láser. La recombinación estimulada lleva a la amplificación de la
luz, generando fotones con la misma dirección de propagación, polarización, frecuencia y
fase que el fotón que ha inducido la recombinación.
Los pares electrón-hueco deben estar confinados en una zona estrecha para mantener
la inversión de población a un nivel elevado. Si no es así, hay que suministrar inyecciones de
corriente demasiado grandes al diodo para obtener emisión láser. Por simplicidad, los pares
electrón-agujero se llaman portadores, y la vida media de los portadores es el tiempo medio
que tardan los portadores en recombinar.
 23

La sencilla unión p-n, resultado del crecimiento en el mismo sustrato, pero con
diferentes niveles de dopaje, no es capaz de conseguir el confinamiento necesario,
porque la anchura de la región en que los portadores están confinados aumenta
debido a la difusión de los portadores. El problema de la difusión de los portadores
puede resolverse parcialmente usando heterostructuras.
Dos tipos diferentes de estructuras pueden analizarse dependiendo del
mecanismo de confinamiento lateral de los portadores. En láseres semiconductores
guiados por la ganancia, no se incorpora ningún confinamiento añadido, y el perfil de
la ganancia viene determinado esencialmente por la región con corriente de
inyección y efectos difusivos.
En los láseres guiados por el índice, la región activa está rodeada lateralmente
por material con un índice de refracción menor. En estos dispositivos, se consigue
un nivel de confinamiento bastante elevado. Aparte de dar un buen confinamiento a
los portadores, los láseres de doble heterostructura guiados por el índice también
incorporan un confinamiento adecuado para la luz. El mecanismo de guiaje es debido
a un mayor índice de refracción en la región activa que en el resto de capas que la
rodean. De esta manera, la luz viaja hacia adelante y hacia atrás como lo haría en el
interior de una fibra óptica.
Una cavidad óptica adecuada es necesaria para conseguir la emisión láser. Sólo
el proceso de amplificación tiene sentido, y se emite luz coherente, cuando la vida
media de los fotones es suficientemente grande. En otros tipos de láser, la cavidad
está limitada por dos espejos con curvaturas que dependen de la distancia entre
ellos y de la geometría del medio activo. Mientras uno de los espejos puede
diseñarse totalmente reflectante, el otro debe permitir que haya luz de salida.
 24

Los láseres de cavidad vertical (VCSELs) tienen una longitud de cavidad muy
corta, y necesitan reflectividades del 99 %. El espejo normalmente está
incorporado en la estructura láser a partir del mismo sustrato, y está formado de
muchas capas alternadas de diferentes materiales. El reflector de Bragg que así
resulta permite una característica casi plana de la reflectividad para un rango
considerable de longitudes de onda.
Láseres más convencionales (EELs) no necesitan espejos para operar. La longitud de
su cavidad, de unas 300 micras, es suficientemente grande para permitir la emisión
láser sin espejos adicionales. De hecho, la reflectividad en la separación láser-aire
es cercana al 32 %. El valor grande del índice de refracción en la zona activa
confina la luz a la región con ganancia material.

Los dos tipos de láseres semiconductores antes mencionados se llaman láseres

de tipo Fabry-Pérot. Los láseres con feedback distribuido (DFB) incorporan un
 25

grating a la estructura que colabora en la selección de la longitud de onda de

emisión.

EL DIODO TÚNEL

En 1958, el físico japonés Esaki, descubrió que los diodos semiconductores obtenidos con
un grado de contaminación del material básico mucho mas elevado que lo habitual exhiben
una característica tensión-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar
de modo casi proporcional a la tensión aplicada hasta alcanzar un valor máximo, denominado
corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensión aplicada, la
corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mínimo, llamado
corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es
al principio lento, pero luego se hace cada vez mas rápido hasta llegar a destruir el diodo si
no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular de los diodos muy
contaminados se debe a lo que los físicos denominan efecto túnel, del que no nos
ocuparemos aquí debido a su complejidad. Para las aplicaciones prácticas del diodo túnel, la
parte mas interesante de su curva característica es la comprendida entre la cresta y el
valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensión aplicada corresponde una
disminución de la corriente; en otros términos, la relación entre un incremento de la
tensión y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta
parte de la curva representa una "resistencia incremental negativa". Una resistencia
negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. Así, por ejemplo,
las pérdidas que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre
inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia
negativa de valor numérico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo túnel.
En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador. Los ejemplo de circuito que
se describen a continuación muestra como puede aprovecharse este fenómeno en la
práctica. Aumentando el nivel de impurificación de un diodo invertido, se puede hacer que
el rompimiento ocurra a los 0 V. Diodos como éstos reciben el nombre de diodos túnel. En
este tipo de diodos se presenta un fenómeno conocido como resistencia negativa. Esto
significa que un aumento en el voltaje de polarización directa produce una disminución de
corriente, por lo menos en una parte de la curva de polarización directa. La resistencia
negativa de los diodos túnel es útil en circuitos de alta frecuencia llamados osciladores.
Estos circuitos pueden convertir potencia de c.d. en potencia c.a. ya que crean una señal
sinusoidal.

DISPLAY DE CRISTAL LIQUIDO (LCDS)

Los LCDs difieren de otros tipos de displays en que no generan luz sino que trabajan con la
reflexión de la luz. El principio de funcionamiento es sencillo. Estos cristales líquidos están
formados por unas moléculas alargadas con forma de puro, que se llaman moléculas
nemáticas y se alinean con una estructura simétrica. En este estado el material es
transparente. Un campo eléctrico provoca que las moléculas se desalinien de manera que se
vuelven opacas a la luz. De esta manera, aplicando o no aplicando un campo eléctrico (es
decir, polarizando o no polarizando), podemos jugar con oscuridad o transparencia
respectivamente. Si aplicamos el campo localmente en geometrías iguales al display de 7
segmentos, conseguiremos un display análogo al de los LEDs pero con cristal líquido.
 26

Esquema constructivo de un LCD

En la construcción de un LCD se depositan electrodos transparentes en la cara interior de

los cristales, tal y como aparece en la figura superior. Estos electrodos tienen la geometría
deseada, por ejemplo, el display de 7 segmentos. El espesor del cristal líquido es muy
pequeño, del orden de 0.01mm.

Ya tenemos nuestro invento preparado. Si no se polarizan los terminales, al incidir la luz

sobre el cristal frontal, pasa a través del cristal líquido y es reflejada por el espejo
incidiendo en el ojo que está mirando. El resultado: todo se ve de color claro.

Si polarizamos un electrodo, por ejemplo, el electrodo a, el cristal líquido pegado al

electrodo se vuelve opaco, negro, oscuro. La luz ya no es reflejada.

Características eléctricas del LCD

Desde el punto de vista eléctrico, se puede representar el LCD como una capacidad de valor
muy pequeño en paralelo con una resistencia muy grande.

Figura 9: Circuito equivalente de un LCD.

 27

Se necesita una señal pequeña en AC de 3 a 7 voltios para polarizar el LCD. Tensiones

mayores romperían la fina capa de cristal líquido. La frecuencia de la tensión puede variar
entre 30 y 50 Hz. Frecuencias más bajas producen un efecto de parpadeo, frecuencias más
altas producen un aumento del consumo.
DIODO DE CONTACTO PUNTUAL

El rectificador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que descansa la

punta de un alambre delgado.

La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de unión. Sin
embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto puntual conduce algo mas de
corriente. Más aún, conforme el voltaje negativo aumenta, la corriente inversa tiende a
aumentar mas bien que permanecer aproximadamente constante. La marca inflexión en la
curva del diodo de unión en -V no ocurre en los diodos de contacto puntual, dado que el
calentamiento de tal punto ocurre a voltajes mucho mas bajos y produce un aumento
gradual de la conductancia en la dirección negativa.

OPTOACOPLADORES
Un optoacoplador (llamado también optoaislador acoplado combina un LED y un fotodiodo
en un solo encapsulado. En la figura 1-C se muestra un optoacoplador. Tiene un LED en el
lado de entrada y un fotodiodo en el lado de salida. El voltaje de fuente a la izquierda y el
resistor en serie establecen una corriente en el LED. Luego la luz proveniente del LED
incide sobre el fotodiodo, y esto genera una corriente inversa en el circuito de salida. Esta
corriente inversa produce un voltaje en el resistor de salida. El voltaje de salida es igual al
voltaje de salida de la fuente menos el voltaje en el resistor.

Si el voltaje de entrada varia, la cantidad de luz también lo hará. Esto significa que
el voltaje de salida cambia de acuerdo al voltaje de entrada. Es por esto que la combinación
de un LED y un fotodiodo recibe el nombre de optoacoplador. El dispositivo puede acoplar
una señal de entrada con el circuito de salida.

R1 - R2 +

+ + +
+ Vsal V2
V1 Vcn -
- - -

1-C

La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento eléctrico entre los

circuitos de entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el único contacto que hay entre la
entrada y la salida es un haz de luz. Por eso. es posible tener una resistencia de aislamiento
entre los dos circuitos del orden de miles de megaohms. Los aislamientos como éste son
útiles en aplicaciones de alto voltaje en las que los potenciales de los dos circuitos pueden
diferir en varios miles de volts.
 28

Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un foto emisor, un

fotorreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite la luz. Todos estos
elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.

Funcionamiento del Optoacoplador

La señal de entrada es aplicada al foto emisor y la salida es tomada del fotorreceptor. Los
optoacopladores son capaces de convertir una señal eléctrica en una señal luminosa
modulada y volver a convertirla en una señal eléctrica. La gran ventaja de un optoacoplador
reside en el aislamiento eléctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y
salida.

Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten
rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores.
Cuando aparece una tensión sobre los terminales del diodo IRED, este emite un haz de
rayos infrarrojo que transmite a través de una pequeña guia-ondas de plástico o cristal
hacia el fotorreceptor. La energía luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que
este genere una tensión eléctrica a su salida. Este responde a las señales de entrada, que
podrían ser pulsos de tensión.

Diferentes tipos de Optoacopladores

Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un
transistor BJT.
Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac
Fototriac de paso por cero: optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de
cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac sólo en los cruce por
cero de la corriente alterna.

DIODOS DE POTENCIA

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos,
aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no
 29

pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento

de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces
de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben
ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad
de fugas.

El diodo responde a la ecuación:

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensión inversa máxima
VD: tensión de codo.

A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las cuales
podemos agrupar de la siguiente forma:

 Características estáticas:

o Parámetros en bloqueo (polarización inversa).

o Parámetros en conducción.

o Modelo estático.

 Características dinámicas:

o Tiempo de recuperación inverso (trr).

o Influencia del trr en la conmutación.

o Tiempo de recuperación directo.

 Potencias:

o Potencia máxima disipable.

o Potencia media disipada.

o Potencia inversa de pico repetitivo.

o Potencia inversa de pico no repetitivo.

 30

 Características térmicas.

 Protección contra sobre intensidades.

Características estáticas

Parámetros en bloqueo
 Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el
dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.

 Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de
1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.

 Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una
sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.

 Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el
diodo puede destruirse o degradar las características del mismo.

 Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado
de bloqueo.

Parámetros en conducción

 Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de

impulsos sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.

 Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquélla que puede ser soportada cada 20 ms
, con una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula
(normalmente 25º).
 31

 Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad

aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.

 Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra
en el estado de conducción.

Modelos estáticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en
la figura superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos
escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más complejos
para programas de simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por
el fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías del programa.

Características dinámicas

Tiempo de recuperación inverso

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente.

Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión P-N está
saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea
 32

IF. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente

con cierta velocidad di/dt, resultará que después del paso por cero de la corriente existe
cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el
diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo y
cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en
el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial.
La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de
pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de
portadores.
 ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero
de la intensidad hasta llegar al pico negativo.

 tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad

hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión
polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo
de la intensidad hasta el 10 % de éste.

 trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

 Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área negativa de

la característica de recuperación inversa del diodo.
 di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
 Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo :

De donde :

Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes
casos:
 Para ta = tb trr = 2ta

 Para ta = trr tb = 0
En el primer caso obtenemos:
 33

Y en el segundo caso:

Influencia del trr en la conmutación

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :

 Se limita la frecuencia de funcionamiento.

 Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida.
Factores de los que depende trr :

 A mayor IRRM menor trr.

 Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la
capacidad almacenada, y por tanto mayor será trr.

Tiempo de recuperación directo

tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la
tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza en el
valor VF.
Este tiempo es bastante menor que
el de recuperación inversa y
no suele producir pérdidas de
potencia apreciables.
 34

Disipación de potencia

Potencia máxima disipable (Pmáx)

Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la
potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada ésta potencia de trabajo.
Potencia media disipada (PAV)

Es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de

conducción, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.
Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

Si incluimos en esta expresión el modelo estático, resulta :

y como :

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado

Nos queda finalmente :

Generalmente el fabricante integra en las hojas de características tablas que indican la

potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la
intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz
dividida entre la intensidad media).

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)

Es la máxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.

Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM)

Similar a la anterior, pero dada para un pulso único.

Características térmicas
Temperatura de la unión (Tjmáx)

Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del
dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción.
 35

En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature

range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha
fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores,
uno mínimo y otro máximo.

Temperatura de almacenamiento (Tstg)

Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna

potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.
Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc)

Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso

de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula:
Rjc = (Tjmáx - Tc) / Pmáx

siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima disipable.

Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd)

Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta

refrigeradora). Se supone que la propagación se efectúa directamente sin pasar por otro
medio (como mica aislante, etc).
Protección contra sobreintensidades

Principales causas de sobreintensidades

La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en

la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en
el caso de alimentación de motores, carga de condensadores, utilización en régimen de
soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevación de temperatura enorme en la unión, que es
incapaz de evacuar las calorías generadas, pasando de forma casi instantánea al estado de
cortocircuito (avalancha térmica).

Órganos de protección

Los dispositivos de protección que aseguran una eficacia elevada o total son poco
numerosos y por eso los más empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo
"ultrarrápidos" en la mayoría de los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actúan por la fusión del metal de que están
compuestos y tienen sus características indicadas en función de la potencia que pueden
manejar; por esto el calibre de un fusible no se da sólo con su valor eficaz de corriente,
sino incluso con su I2t y su tensión.
Parámetro I2t

La I2t de un fusible es la característica de fusión del cartucho; el intervalo de tiempo t se

indica en segundos y la corriente I en amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que así será el fusible el
que se destruya y no el diodo.
 36

EL FOTODIODO.
Como ya se había dicho, una de las componentes de la corriente inversa en un diodo es el
flujo de portadores minoritarios. La existencia de estos portadores se debe a que la
energía térmica continuamente está desligando electrones de valencia de sus orbitales,
produciendo durante este proceso electrones libres y huecos. El tiempo de vida de los
portadores minoritarios es corto, pero mientras existen pueden contribuir a la corriente
inversa.
Cuando la energía luminosa bombardea una unión pn, puede desligar electrones de valencia.
Cuanta más luz incida sobre la unión, mayor será la corriente inversa en el diodo. Un
fotodiodo es aquel cuya sensibilidad a la luz es óptima. En este tipo de diodos, una ventana
permite que la luz pase por el encapsulado hasta la unión. La luz incidente produce
electrones libres y huecos. Cuanta más intensa sea la luz, mayor será el número de
portadores minoritarios y mayor será la corriente inversa.
La figura siguiente muestra el símbolo de un fotodiodo. Las flechas representan la luz
incidente. Especialmente importante es lo siguiente: la fuente y el resistor en serie
polarizan inversamente al fotodiodo. Conforme la luz se hace más intensa, la corriente
inversa aumenta. En los fotodiodos típicos, la corriente inversa es del orden de decenas de
microamperes.
R

V
-

Fotodiodo.

El fotodiodo de unión pn polarizada en sentido inverso es un elemento básico para

comprender los dispositivos fotosensibles de silicio. Cuando la luz de longitud de onda
apropiada es dirigida hacia la unión, se crean pares hueco-electrón que se desplazan a
través de la unión debido al campo generado en la región deprimida. El resultado es un flujo
de corriente, denominado fotocorriente, en el circuito externo, que es proporcional a la
irradiancia efectiva en el dispositivo. El fotodiodo se comporta básicamente como un
generador de corriente constante hasta que se alcanza la tensión de avalancha.
 37

Fotodiodo sensible a la luz con unión pn polarizada inversamente.

El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante
determinada. Para esta longitud de onda, se produce la máxima cantidad de pares
huecos-electrón en la proximidad de la unión.
El máximo de la curva de respuesta espectral de un fototransistor típico se halla en
850 nm, aproximadamente.
La totalidad de los detectores de luz comunes consisten en una unión a
fotodiodo y un amplificador. En la mayoría de dispositivos comerciales, la corriente
del fotodiodo se halla en el margen comprendido entre el submicroamperio y las
decenas de microamperios, pudiendo añadirse a la pastilla un amplificador por un
coste mínimo.

Fotodiodo de avalancha.

Es posible incorporar un tipo de sistema amplificador de empleo común

formando parte del propio fotodiodo. El fotodiodo de avalancha utiliza la
 38

multiplicación por avalancha para conseguir amplificar la fotocorriente creada por

los pares hueco-electrón. Esto proporciona una elevada sensibilidad y gran rapidez.
Sin embargo, el equilibrio entre ruido y ganancia es difícil de conseguir y como
consecuencia, el coste es alto. Asimismo la estabilidad de temperatura es
deficiente y se requiere una tensión de alimentación de valor elevado (100-300 v.),
estrechamente controlada. Por estas razones, el fotodiodo de avalancha tiene
limitadas aplicaciones.

Fototransistor.

El transistor sensible a la luz es una de las combinaciones fotodiodo

amplificador más simples. Dirigiendo una fuente de luz hacia la unión pn polarizada
en sentido inverso (colector-base), se genera una corriente de base, que es
amplificada por la ganancia de corriente del transistor.

Se requiere un cuidadoso proceso de elaboración de la pastilla del

transistor para hacer compatible la máxima reducción de la corriente en la
oscuridad del fototransistor, con la obtención de una alta sensibilidad a la luz. Las
corrientes de este tipo, típicas del fototransistor para una tensión inversa de 10v,
son del orden de 1 nA a temperatura ambiente y aumentan en un factor de 2 para
cada 10 ºC de aumento de temperatura. Las especificaciones del fototransistor
garantizan normalmente unos límites de corriente en la oscuridad mucho más altos,
por ejemplo 50 a 100 nA, debido a las limitaciones del equipo automático de prueba.
Fotodarlington.

Básicamente, este dispositivo es el mismo que el transistor sensible a la luz,

excepto que tiene una ganancia mucho mayor debido a las dos etapas de
amplificación, conectadas en cascada, incorporadas en una sola pastilla.
 39

Amplificador fotodarlington.

Foto SCR.
El circuito equivalente con dos transistores del rectificador controlado de silicio
mostrado en la figura ilustra el mecanismo de conmutación de este dispositivo.
La corriente debida a los fotones, generada en la unión pn polarizada en sentido
inverso, alcanza la región de puerta y polariza en sentido directo el transistor npn,
iniciando la conmutación.
 40

Corte transversal de un fotodiodo comercial

LOS DIODOS VARISTOR

O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber

picos de alto voltaje desarrollados en las redes de alimentación eléctrica. Cuando aparece

un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El

transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes

sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material no-homogéneo.(Carburo de

silicio).

Los relámpago , las fallas en la línea de potencia, etc., pueden contaminar el voltaje
de la línea superponiendo valles, picos y otros transitorios en los 115 V rms normales. Los
valles son caídas de voltaje severas que duran microsegundos o menos. Los picos son
sobrevoltajes muy cortos en duración, desde 500 hasta más de 2000 V. En algunos equipos,
se usan filtros entre la línea de potencial y el primario del transformador para eliminar los
problemas ocasionados por los transistores en la línea.

Uno de los dispositivos empleados para el filtrado en la linea es el varistor

(llamado también supresor de transistorios). Este dispositivo semiconductor es como dos

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diodos Zener encontrados con un gran voltaje de rompimiento en ambas direcciones. Por

ejemplo, el V130LA2 es un varistor con un voltaje de rompimiento de 184 V (equivalente a

130 V rms) y una especificación de corriente pico de 400 A. Conectando uno de éstos en el

arrollamiento primario no habrá por que preocuparse acerca de los picos. El varistor

recortará todos los picos al nivel de los 184 V y protegerá el equipo.

CARACTERISTICAS:

1. Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una selección fácil

del componente correcto para una aplicación específica.

2. Alta capacidad de absorción de energía respecto a las dimensiones del componente.

3. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que

ocurre.

4. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.

5. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la protección de

circuitería en conmutación digital.

6. Alto grado de aislamiento.

Máximo impulso de corriente no repetitiva

  El pico máximo de corriente permitido a través del varistor depende de la forma

del impulso, del duty cycle y del número de pulsos.
  Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de
corriente, se permite generalmente que garantice un ‘máximo impulso de corriente no
repetitiva’. Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del impulso de
corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la norma “IEC 60-2”,
con tal que la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no lo hace cambiar más
del 10% como máximo.
  Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del
propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que
utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora.
  Si se aplica más de un de impulso o el impulso es de una duración mas larga, habría
que estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas
garantizan la máxima variación de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA.
Energía máxima

Durante la aplicación de un impulso de corriente, una determinada energía será disipada por
el varistor. La cantidad de la energía de disipación es una función de:
1. La amplitud de la corriente.

2. El voltaje correspondiente al pico de corriente.

3. La duración del impulso.
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4. El tiempo de bajada del impulso; la energía que se disipa durante el tiempo entre

100% y 50% del pico de corriente.

5. La no linealidad del varistor.

A fin de calcular la energía disipada durante un impulso, se hace con la referencia

generalmente a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la norma
“IEC 60-2 secciona 6” tiene una forma que aumenta desde cero al valor de pico en un el
tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una manera exponencial, o bien sinusoidal.

Esta curva es definida por el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor medio

(t2)

DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)

A frecuencias bajas, un diodo ordinario puede desconectarse fácilmente cuando la

polarización cambia de directa a inversa. Pero conforme aumenta la frecuencia, el diodo
llega a un punto en el que ya no puede desconectarse lo suficientemente rápido para evitar
una corriente considerable durante parte del semiciclo inverso. Este efecto se conoce
como almacenamiento de carga. Impone un límite sobre la frecuencia útil de los diodos
rectificadores ordinarios.

Lo que sucede es esto. Cuando el diodo está polarizado directamente, algunos de los
portadores en la capa de empobrecimiento aún no se han recombinado. Si se aplica
súbitamente polarización inversa al diodo, estos portadores pueden circular en la dirección
inversa durante un pequeño intervalo de tiempo. Cuanto más largo sea el tiempo de vida,
mayor será el tiempo durante el cual estas cargas puedan contribuir a la corriente inversa.

El tiempo que un diodo polarizado directamente tarda en desconectarse se llama

tiempo de recuperación inversa. Este es tan corto en los diodos para señales pequeñas que
su efecto ni siquiera se nota a frecuencias inferiores a los10 Mhz, más o menos. Es
importante sólo cuando se está trabajando con frecuencias muy superiores a los 10 Mhz.

La solución a este problema es un dispositivo para usos especiales llamado diodo

Schottky. Este tipo de diodo no tiene capa de empobrecimiento, con lo cual no existen las
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cargas en la unión. La ausencia del almacenamiento de carga implica que el diodo Schottky
puede cambiar (activar o desconectar) más rápido que un diodo ordinario. De hecho, un
diodo Schottky puede rectificar con facilidad frecuencias superiores a los 300 Mhz.

La aplicación más importante de los diodos Schottky se halla en las computadoras

digitales. La velocidad de las computadoras depende de la rapidez con la que se puedan
activar o desconectar sus diodos y sus transistores, y aquí es donde el diodo Schottky
entra en escena. Como no tiene almacenamiento de carga, el diodo Schottky se ha
convertido en la parte medular de la TTL Schottky de baja potencia, un grupo de
dispositivos digitales extensamente empleados.

Una indicación final: en la dirección directa, un diodo Schottky tiene una barrera de
potencial de sólo 0.25 V. Así, es posible ver diodos Schottky utilizados en rectificadores
de puente de bajo voltaje, ya que solamente hay que restar 0.25 V en vez de los 0.7 V
usuales por cada diodo.

En un diodo Schottky se emplea un metal como el oro, la plata o el platino en un lado

de la unión y silicio impurificado (generalmente tipo n) en el otro lado . Cuando un diodo
Schottky no tiene polarización, los electrones libres en el lado n se hallan en órbitas más
pequeñas que los electrones libres del lado metálico. A esta diferencia en el tamaño de las
órbitas se le llama barrera de Schottky. Si el diodo tiene polarización directa, los
electrones libres pueden atravesar la unión y penetrar al metal, produciendo una gran
corriente de polarización directa. Como el metal no tiene huecos, no hay almacenamiento y
por tanto tampoco hay tiempo de recuperación inversa. La ausencia de almacenamiento de
carga implica que el tiempo de recuperación inversa tienda a cero. Por ello, un diodo
Schottky puede desconectarse mas rápido que un diodo ordinario. Cuando se le usa en un
circuito como el de la siguiente figura el diodo Schottky produce una señal de media onda
perfecta, incluso a frecuencias superiores a los 300 Mhz.

+
V
-

Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF)
muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en
fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el
nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores calientes.
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica se hace un material

semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico, cualquiera, la

resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se

hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamente

baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando también a tener un
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efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en

contacto directo con un semiconductor, según lo indicado en la figura N°05. El metal se

deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los

portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor, el

cátodo.

En una deposición de aluminio (3 electrones en la capa de valencia), los

electrones del semiconductor tipo N migran hacía el metal, creando una región de

transición en la ensambladura.

Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de

ambos materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de los

diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo necesaria

rehacer la barrera de potencial (típicamente de 0,3V). La Región N tiene un dopaje

relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima

soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.

La principal aplicación de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensión,

en las cuales las caídas en los rectificadores son significativas.

Figura N°05 (Diodo Schottky construido a través de la técnica de CIs.)

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SIMBOLOGÍA

Gráfica Simbología Tipos de Diodos

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BIBLIOGRAFÍA
Millman J., Halkias Ch.C. Dispositivos y Circuitos Electrónicos. 5ta edición. Mc. Graw Hill,

1983.

Boylestad R., Nashelky L. Electrónica teoría de Circuitos, Prentice Hall int.1992.

Lob U. Funcionamiento del diodo semiconductor ep 14. Marcombo Boixareu Editores,

1987.

Lob U. Curvas Características de diodos ep 15. Marcombo Boixareu Editores, 1987.

González F. Curso practico de luces y sonido. Publicaciones CEKIT, 1992.

http://www.americanmicrosemi.com/tutorials/varactor.htm

http://www.ifent.org/Lecciones/varistores/Varistores.htm
http://www.vc.echu.es/campus/centro…epjt/Otros/Electronica/Diodo2.html

http://webserver.pue.udlap.mx/~lgojeda/apuntes/electronica1/1_5.htm