Partanu Ardi Aksa (23318301) Assignment 3 TF5021 Nano Sain dan Nano Teknologi

Top-Down approach on Nanotechnology

Nanoteknologi adalah ilmu dan rekayasa dalam menciptakan material, struktur fungsional,
maupun piranti alam dalam skala nanometer. Material berukuran nanometer memiliki sejumlah sifat
kimia dan fisika yang lebih unggul dari material berukuran besar (bulk). Disamping itu material dengan
ukuran nanometer memiliki sifat yang kaya karena menghasilkan sifat yang tidak dimiliki oleh
material ukuran besar. Nanoteknologi adalah teknologi yang didasarkan pada rekayasa sifat-sifat
material yang berukuran nanometer. Namun nanoteknologi tidak melulu bermakna pengecilan ukuran
material atau piranti ke dalam skala nanometer. Misalkan material ukuran besar yang dimilling
(ditumbuk) hingga mencapai ukuran nanometer. Langkah ini belum dapat dikatakan nanoteknologi.
Ketika ukuran material direduksi maka harus ada sifat-sifat baru yang diekploitasi atau diciptakan, dan
eksploitasi sifat baru itulah yang digolongkan nanoteknologi.

Gambar 1. Ilustrasi pembuatan nanostructures dengan pendekatan top-down & bottom-up.

Partanu Ardi Aksa (23318301) Assignment 3 TF5021 Nano Sain dan Nano Teknologi

Struktur nano banyak dijumpai pada skala industry elektronik. Pada tahun 1965, Gorden Moore selaku
pendiri perusahaan Intel, mengamati bahwa jumlah integrated circuit (IC) meningkat dua kali lipat
setiap 18 bulan. Pertumbuhan yang pesat ini dijabarkan oleh berbagai ukuran (jumlah transistor per
satuan luas, kecepatan hitung per detik, dll.) Pembuatan IC itu sendiri didasarkan pada metode yang
bersifat top-down approach. Pendekatan ini dapat dianalogikan sebagai seorang pemahat batu yang
membuat patung dengan cara memahat batu besar, memotong sebagian batu hingga menjadi bentuk
yang diinginkan. Salah satu contoh sederhana yang melibatkan pendekatan top-down adalah
Photolithography.

Photolithography merupakan tahapan proses dasar untuk pembuatan divais semikonduktor

dengan teknologi mikroelektronika. Proses fotolitografi adalah proses pemindahan pola bentuk
geometris pada masker ke lapisan tipis (beberapa mikron) dan bahan yang peka terhadap radiasi
(photoresist).

Gambar 2. Proses pembuatan divais dengan fotolitografi. Setelah bahan photoresist dihilangkan, luasan silicon yang tidak tertutupi
mask akan menjadi celah. Oksida yang terdapat pada silicon dapat dibasuh melalui celah tersebut sehingga divais dapat dibuat dengan
bentuk yang diinginkan.

Metode ini menghasilkan banyak teknologi yang menjadi dasar pembuatan komponen elektronik,
salah satu contohnya adalah integrated circuit. Processor komputer pada hari ini dibuat dengan cara
pendekatan top-down microfabrication (sekarang menjadi nanofabrication). Beberapa jenis dari
processor ini sudah ada yang memiliki dimensi hingga hanya sebesar 65nm, yang terdiri dari jutaan
transistor beroperasi pada frekuensi mencapai satuan Gigahertz (GHz).
Partanu Ardi Aksa (23318301) Assignment 3 TF5021 Nano Sain dan Nano Teknologi

Daftar Pustaka:

Lindsay, S. M. (2010) Introduction to Nanoscience. New York: Oxford University Press Inc.

Lee, Yoon S. (2008) Self-Assembly and Nanotechnology. New Jersey: John Wiley & Sons, Inc.

Abdullah, M. (2012) Pengantar Nanoteknologi. Bandung: Institut Teknologi Bandung.