LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

INFORME DE LA PRÁCTICA No. 1

FUNCIONAMIENTO DE LAS HERRAMIENTAS DE SIMULACIÓN DE CIRCUITOS

INTEGRANTES: PROFESOR: Carlos Andrés Augualimpia

Juan David Collante Teran MONITOR: Angela María Bernal
Jesus Alberto Puenayan GRUPO:32
Andrés Márquez FECHA DE ENTREGA: 11/02/2019

Introducción
La simulación de escenarios mediante la
utilización de software es un habito de la
actualidad que toma fuerza respecto al clásico
analisis teórico, tanto así que resulta
especialmente útil en las áreas de la ingeniería,
pues sirve como herramienta de contrastación
de lo esperado frente a un ambiente
supuestamente real.
Se parte de este hecho para el este documento,
pues se busca contrastar las ideas teóricas con Figura 1, circuito a analizar.
un medio simulado.
Objetivos Tras la simulación y obtención de respuestas
1.Conocer el funcionamiento de la del diodo (figura 2), se procede a responder las
herramienta de simulación de circuitos Orcad preguntas de la guía.
2. Contrastar la aproximación de resultados de
un circuito simulado respecto a los cálculos
teóricos realizados.
3. Simular y verificar resultados en un circuito
con un diodo. Figura 2, Salida característica del diodo
Equipo empleado ¿El resultado de la simulación parece un
- Computador. modelo de un diodo real? Explique el
- OrCAD porqué de la aproximación
Procedimiento Sí, porque es evidente que posee un
Se crea un proyecto nuevo en la herramienta comportamiento exponencial en los valores de
OrCAD, en función de simular el ruptura, esto entre lo que se esperaría del
comportamiento del diodo D1N4148, se material, también puede añadirse es un
procede a realizar un circuito de prueba, y se comportamiento real dado que el diodo se
simula con un compartimiento DC Sweep. Se comporta como un abierto no ideal hasta llegar
procede entonces a observar la curva a -100 v en donde empieza a pasar corriente
característica y el comportamiento del diodo. mínima superior a 1mA.
Resultados obtenidos en la practica
Se procede a realizar el siguiente circuito en Posterior al proceso anterior, se procede a
orcad. retirar la resistencia del esquemático, y
observar el comportamiento de carga del diodo
naturalmente.
Figura 3, esquemático nuevo
Figura 4, Salida característica del diodo.
Determine a partir del uso de cursores el
voltaje del diodo a 1mA.Con los resultados
anteriores es posible definir un modelo
simplificado del diodo, determine el Vγy la
resistencia directa rf.
Figura 5, formato no ideal del diodo.
Para la realización de lo solicitado se procede
entonces a observar el comportamiento de la
salida a los 1mA (figura 6).
Figura 6, datos obtenidos con el cursor.
Aproximando valores, y aplicando ley de
ohm, se procede a hallar matemáticamente lo
solicitado.
Primero, analizar el Vg, el cual, gracias al
cursor, es fácil identificar en 600 mV,
posterior a esto, aplicamos la ley de ohm para
hallar la resistencia inducida por el diodo.
𝑉 =𝐼∗𝑅
𝑉 600𝑚𝑉
=𝑅→ = 600 𝑜ℎ𝑚
𝐼 1𝑚𝐴
Se procede entonces a alterar los valores
internos de ruptura del diodo, siendo estos
nuevos en 150 V, y se grafica la salida en
función de observar el nuevo comportamiento
de la simulación (figura 7).
Figura 7, diodo alterado.
PI-3. Confirme que el nuevo valor es el
definido en el punto 6.
Observando el valor de ruptura presente en la
figura [7] es posible evidenciar como
efectivamente, los valores varían en función
de lo evidenciado en la figura [2], véase la
ruptura en el circuito con valores naturales
surge a los 100V, mientras en los valores
obtenidos posteriormente son los esperados,
en 150V, esto pues internamente lo que se hizo
fue alterar los valores que en la practica
pueden variar por el material y construcción
del diodo.
PI-4. Después de revisar los parámetros en
el PspiceModel, ¿cuáles de estos
parámetros identifica que es posible
modificar?
Se identifican entre los elementos algunos
realmente importantes y son corriente, voltaje
y temperatura, osease los valores que en una
simulación real afectan la salida del circuito,
puesto de estos esta directamente relacionado
el comportamiento del diodo, véase la
temperatura juega un papel en la
conductividad, y los otros parámetros forman
parte de las especificaciones básicas variables
en un diodo real.
Se procede finalmente a la alteración del valor
Vj (barrera de potencial) en el diodo, y la
grafica de la salida pertinente.
Figura 8, Salida del diodo con Vj=1.
Nótese respecto a las simulaciones anteriores
el crecimiento es distinto.
Observe las hojas de especificaciones
(datasheet) del fabricante Fairchild
Semiconductors® y determine el voltaje en el
diodo a una corriente de 5 mA, compare este
valor con las medidas derivadas de la Figura
7 y Figura 8. Justifique las diferencias entre
los tres resultados
Figura 9, Figuras de comportamiento 1N4148 [1]
Figura 10, Voltaje vs corriente [1]
Se procede entonces al analisis de los valores
esperados en la datasheet contra los obtenidos
en la simulación alterando elementos.
Primero entiéndase los esquemáticos presentes
de la figura 9 a 10, concuerdan correctamente
con lo observado en la salida de la figura 4 y 6
de este documento, puesto estas son las
tomadas por el software para realizar la
simulación.
No obstante, al alterar elementos claves en las
propiedades del simulador, es posible observar
como el comportamiento del diodo se ve
alterado, en su valor, retómese la figura 8
donde se observa un crecimiento más lento
debido a que la barrera de voltaje aumenta de
0,5v a 1v, lo que incide directamente en la
corriente que pasa por el diodo. Viendo por
otro lado la figura 7, es posible evidenciar
como la salida en su punto de ruptura cambia
respecto a lo esperado en el datasheet del
elemento (figura 10).
Conclusiones.
 El simulador Orcad permite modificar
variables importantes en el diodo, para
cambiar su comportamiento normal
como lo es voltaje, corriente,
temperatura etc.
 Al modificar los valores para un diodo
no ideal se encuentran que sucede el
comportamiento esperado en la
simulación, respecto a los valores
alterados.
 Al simular valores ideales del
comportamiento del diodo sin
modificaciones, con los dados por el
fabricante en el datasheet se observa el
mismo comportamiento en los dos
casos; en caso de variaciones se
presentan cambios respecto a su
funcionamiento.
 Es apreciable como la simulación
permite esclarecer elementos
importantes del sistema
(funcionamiento y condicionamiento
físico) a partir de un entorno más
claro.
Bibliografía.
[1] Anónimo. (9, Feb 2019) 1N4148
Datasheet. ALLDATASHEETS. [Online].
Aavailable:
http://html.alldatasheet.com/html-
pdf/51381/FAIRCHILD/1N4148/815/2/1N4
148.html