MODUL 5 KARAKTERISTIK DAN PENGUAT FET Foto

praktikan
Ilham Muliawan Hamzah (18017006)
Asisten : Sayyid I Ibad / 13215068
Tanggal Percobaan: 25/02/2019 - 18/03/2019
EL2205 – Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB

Abstrak berbeda. Serta terakhir menentukan Resistansi

Abstrak pada percobaan modul 5 kali ini secara umum
bertujuan untuk memahami dan mempelajari karakteristik
dari transitor FET. Selanjutnya memahami bagaimana
penggunaan FET sebagai sebuah penguat berdasarkan masing
masing konfigurasinya yaitu common source, common gate, dan
common drain. Dan terakhir yaitu memahami resistansi input
dan resistansi output untuk masing masing konfigurasi.
Kata kunci: Karakteristik FET, penguat, common
source, common drain, common gate. Resistansi
input, resistansi output.
1. PENDAHULUAN
Dalam kehidupan nyata, banyak devais atau alat
yang membutuhkan penguatan dengan spesifikasi
serta syarat syarat tertentu. Jika penguatan yang
diberikan kurang maka alat tersebut mungkin
tidak dapat menyala / on, sedangkan jika
penguatan terlalu kuat maka dapat juga merusak
alat tersebut sehingga alat tidak dapat bekerja
secara maksimal. Selain mencari karakteristik
rangkaian pada FET, tetapi modul ini mengajarkan
bagaimana membuat penguat menggunakan FET.
Dengan memahami karakteristik dari masing
masing konfigurasi.
Pada praktikum modul 5 kali ini dibagi menjadi .
dibagi menjadi beberapa percobaan. Pertama yaitu
mencari dan menggambar kurva Id vs Vgs serta
menentukan tegangan tresshold nya. Selanjutnya
mencari kurva Id vs Vds. Percobaan tersebut
didapat dengan menggunakan DCA Pro, dengan
cukup menghubungkan kaki kaki transistor pada
DCA pro.
Percobaan selanjutnya yaitu melakukan
penghitungan nilai parameter rangkaian dengan
variasi 5k dan 10k. Pada percobaan ini juga
ditentukan titik kerja dengan meneggabungkan
load line pada kurva Id vs Vds. Selain itu juga
ditentukan gm.
Percobaan selanjutnya yaitu membuat rangkaian
penguat dengan masing masing konfigurasi nya.
Pada masing masing konfigurasi common gate,
drain dan source, dilakukan juga variasi terhadap
beban serta jenis jenis rangkaiannya. Seperti
ditambahkan sumber arus, nilai resistansi yang
input dan output pada masing masing tipe
konfigurasi.
2. STUDI PUSTAKA
Berikut ini adalah teori teori yang digunakan di
modul praktikum kali ini pada laboratorium dasar
teknik elektro.
2.1 Transistor FET
Transistor Transistor FET adalah transistor yang
bekerja berdasarkan efek medan elektrik yang
dihasilkan oleh tegangan yang diberikan pada
kedua ujung terminalnya. Mekanisme kerja
transistor ini berbeda dengan transistor BJT. Pada
transistor ini, arus yang dihasilkan/dikontrol dari
Drain (analogi dengan kolektor pada BJT),
dilakukan oleh tegangan antara Gate dan Source
(analogi dengan Base dan Emiter pada BJT).
Bandingkan dengan arus pada Base yang digunkan
untuk menghasilkan arus kolektor pada transistor
BJT.
Jadi, dapat dikatakan bahwa FET adalah transistor
yang berfungsi sebagai “konverter” tegangan ke
arus.Transistor FET memiliki beberapa keluarga,
yaitu JFET dan MOSFET. Pada praktikum ini akan
digunakan transistor MOSFET walaupun
sebenarnya karakteristik umum dari JFET dan
MOSFET adalah serupa.
Karakteristik umum dari transistor MOSFET dapat
digambarkan pada kurva yang dibagi menjadi dua,
yaitu kurva karakteristik ID vs VGS dan kurva
karakteristik ID vs VDS. Kurva karakteristik ID vs
VGS diperlihatkan pada gambar berikut. Pada
gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS
minimum yang menyebabkan arus mulai mengalir.
Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold,
Vt. Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah
negative, sedangkan pada tipe enhancement, Vt
adalah positif.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 1

 Common Drain. Pada praktikum ini, digunakan
konfigurasi Common Source dengan resistansi
source dan Common Gate. Formula parameter
penguat untuk dua konfigurasi yang digunakan
dijelaskan dalam tabel berikut.

Pada gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS

minimum yang menyebabkan arus mulai mengalir.
Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold,
Vt. Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah
negative, sedangkan pada tipe enhancement, Vt
adalah positif.
Kurva karakteristik ID vs. VDS ditunjukkan oleh
gambar di bawah ini. Pada gambar tersebut 2.3 Konfigurasi Common Gate
terdapat beberapa kurva untuk setiap VGS yang
berbeda-beda. Gambar ini digunakan untuk
melakukan desain peletakan titik operasi/titik
kerja transistor. Pada gambar ini juga ditunjukkan
daerah saturasi dan Trioda.

Rangkaian amplifier gerbang umum FET adalah

yang paling jarang digunakan, tetapi memiliki
beberapa karakteristik yang dapat digunakan
dengan baik di beberapa aplikasi.
Dengan demikian rangkaian gerbang umum FET
terlihat digunakan dalam sejumlah aplikasi
terbatas, meskipun konfigurasi sumber umum dan
2.2 Penguat FET saluran pembuangan umum digugat jauh lebih
luas.
Untuk menggunakan transistor MOSFET sebagai
penguat, maka transistor harus berada dalam
daerah saturasinya. Hal ini dapat dicapai dengan 2.4 Konfigurasi Common Source
memberikan arus ID dan tegangan VDS tertentu.
Cara yang biasa digunakan dalam mendesain
penguat adalah dengan menggambarkan garis
beban pada kurva ID vs VDS. Setelah itu
ditentukan Q point-nya yang akan menentukan ID
dan VGS yang harus dihasilkan pada rangkaian.
Setelah Q point dicapai, maka transistor telah dapat
digunakan sebagai penguat, dalam hal ini, sinyal
yang diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 40-50
mVp-p dengan frekuensi 1-10 kHz).
Terdapat 4 konfigurasi penguat pada transistor
MOSFET, yaitu Common Source, Common Source
dengan resistansi source, Common Gate, dan

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 2

 3. METODOLOGI

3.1 ALAT DAN KOMPONEN

Berikut adalah alat dan komponen yang digunakan
untuk percobaan modul 1.
1) Sumber tegangan DC
2) Kit Penguat Transistor
3) Generator sinyal

Konfigurasi FET common source mungkin 4) Sumber arus konstan

merupakan konfigurasi sirkuit FET yang paling 5) Resistor variabel
banyak digunakan untuk banyak aplikasi,
memberikan tingkat kinerja putaran yang tinggi. 6) Multimeter
7) Osiloskop
Sirkuit common source menyediakan tingkat 8) Peak atlas DCA Pro
impedansi input dan output menengah. Baik
9) Kabel kabel
penguatan arus dan tegangan dapat digambarkan
sebagai sedang, tetapi output adalah kebalikan dari
input, mis. Perubahan fase 180 °. Ini memberikan Nyalakan computer dan sambungkan USB Power Atlas DCA Pro ke
kinerja keseluruhan yang baik dan karena itu computer. Sambugkan kabel Atlas DCA Pro dengan kaki-kaki
sering dianggap sebagai konfigurasi yang paling transistor MOSFET. Buka aplikasi DC Pro pada komputer
banyak digunakan.

2.5 Konfigurasi Common Drain

3.2 MEMULAI PERCOBAAN
Nyalakan computer dan
sambungkan USB Power Atlas
DCA Pro ke computer. Sambugkan
kabel Atlas DCA Pro dengan kaki-
kaki transistor MOSFET. Buka
aplikasi DC Pro pada komputer

Pastikan DCA Pro connected pada

pojok kiri bawah layer.

Tekan tombol test pada DCA Pro

maupun pada jendela peak DCA
Seperti pengikut emitor transistor, konfigurasi Pro
pengikut sumber FET itu sendiri menyediakan
tingkat buffering yang tinggi dan impedansi input Perhatikan spesifikasi dan
yang tinggi. Resistansi input aktual dari FET itu konfigurasi kaki-kaki MOSFET yang
sendiri sangat tinggi karena merupakan perangkat terbaca.
efek medan. Ini berarti bahwa rangkaian pengikut
sumber dapat memberikan kinerja yang sangat
baik sebagai penyangga.

Gain tegangan adalah satu, meskipun gain saat ini

tinggi. Sinyal input dan output dalam fase.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 3

3.3 KURVA ID VS VGS 3.6 RANGKAIAN BIAS

Buka tab MOSFET Id/Vgs, atur Buatlah rangkaian seperti

pengaturan tracing Vgs 0-10V gambar pada modul.
dengan point 11, Vds 0-5V
dengan point 11

. Aturlah VDS, potensiometer RG,

kemudian klik Start. Tunggu proses RD, dan RS agar transistor berada
tracing pada titik operasi yang diinginkan,
memperhatikan VDS

Simpan file dalam bentuk .txt

Amati dan catat pada BC:

Amati grafik yang terbentuk, catat

di BCL dan lakukan analisis
3.7 FAKTOR PENGUATAN COMMON
SOURCE
3.4 KURVA ID VS VDS
Buatlah sinyal input sinusoidal
Buka tab MOSFET Id/Vds, atur sebesar 60mVpp dengan
pengaturan trancing VDD 0-12V frekuensi 10 kHz. Hubungkan
dengan point 16, Vds 1-3 V sinyal input tersebut ke rangkaian
dengan Traces 22
Gunakan osiloskop untuk melihat
sinyal pada Gate dan Drain
Amati grafik yang terbentuk, catat transistor. Tentukan penguatannya
di BCL dan lakukan analisis. (Av = Vo/Vi.

Catat tegangan input ketika output

terdistorsi. Bandingkan nilai
Simpan file dalam bentuk .txt penguatan

Ganti resistor pada source dengan

Amati grafik yang terbentuk, catat sumber arus seperti gambar pada
di BCL dan lakukan analisis modul

3.8 RESISTANSI INPUT

Hubungkan rangkaian Common
3.5 PENGHITUNGAN NILAI PARAMETER Source dengan sebuah resistor
variable pada inputnya seperti
gambar pada modul.
Nilai RD yang digunakan pad
rangkaian penguat adalah 5k dan
10k.
Hubungkan osiloskop pada Gate
transistor.
Dengan menggunakan kurva ID vs
VDS dan VDD = 10V, buatlah garis
beban pada grafik ID vs VDS dan Aturlah resistor variable tersebut
tempatkan titik Q sampai amplitude sinyal input
menjadi ½ sinyal input tanpa
Catat nilai DC VGS, VDS, dan ID pada resistor variable.
titik Q. hitung gm dengan terlebih
dahulu mencari nilai K berdasarkan
formula pada modul. Catatlah nilai Rvar, Rin = Rvar.
Bandingkan nilai yang didapat
dengan hasil perhitungan.
Tentukan nilai gm dengan melihat
kemiringan kurva titik Q point
pada kurva karakteristik ID vs VGS.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 4

3.9 RESISTANSI OUTPUT
Selanjutnya Load line digambar dengan
Hubungkan rangkaian pada
menghubungkan dua titik yang menghasilkan Id =
masing masing dengan sebuah
resistor variable pada outputnya 0 mA, dan Vds = 0 V, yaitu pada titik Vds = Vdd =
seperti gambar pada modul 10 V, dan Id = 2 mA. Dari titik tersebut dapat
ditentukan titik Q, dimana titik Q terletak pada
load line yang termasuk ke dalam daerah saturasi
Aturlah resistor variable tersebut dari MOSFET yang digunakan.
sampai amplitude sinyal output
menjadi ½ sinyal output tanpa
resistor variable
4.3. PENGHITUNGAN NILAI PARAMETER

Catatlah nilai Rvar, Rout = Rvar.

Bandingkan nilai yang didapat
dengan hasil perhitungan.

4. HASIL DAN ANALISIS

4.1. KURVA ID VS VGS

Pada penghitungan nilai parameter ini, kami
mendapat titik kerja pada saat RL = 10k ohm, yaitu
pada Vgs = 1,857 volt, serta Id = 0,3867 mA.
Selanjutnya pada titik kerja saat RL = 5k ohm,
adalah pada Vgs = 1,952 volt, id = 0,7544 mA.

4.4. RANGKAIAN PENGUAT

Diatas ini adalah grafik kurva Id terhadap Vgs
dimana sudah terjadi kesesuaian antara teori dan
hasil percobaan.
Setelah melakukan perangkaian sesuai gambar
pada modul didapat nilai Rb1= 348,76 k ohm. Serta
nilai Rb2= 353,57 k ohm.
4.5. PENGUAT COMMON SOURCE

4.2. KURVA ID VS VDS

Pada penguat common source ini didapat nilai

penguatan Av sebesar 14,6 V/V . Dengan output
mulai terdistori saat Vin = 180 mV
Diatas ini adalag grafik kurva Id terhadap Vds
menggunakan DCA pro. Pada grafik ini juga sudah
terjadi kesesuaian anatara teori dan hasil percobaan,
dimana terdapat perbedaan nilai arus Ib pada tiap
tiap niali Vgs nya.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 5

 4.6 PENGUAT COMMON SOURCE DENGAN 4.9. RESISTANSI OUTPUT
RL = 5K

Resistansi output didapat seebesar 5k ohm, dengan

melihat vout menjdasi setengah vin ketika
ditambah Rvar.

Pada penguat common source dengan Rl = 5k ohm 4.10 RANGKAIN COMMON GATE SAAT RL =
ini didapat nilai penguatan Av sebesar 10 V/V . 10 K
Dengan output mulai terdistori saat Vin = 160 mV

4.7. PENGUAT COMMON SOURCE DENGAN

SUMBER ARUS

Pada penguat common source dengan Rl = 10k

ohm ini didapat nilai penguatan Av sebesar 15,71
V/V . Dengan output mulai terdistori saat Vin =
280 mV

4.11. RANGKAIAN COMMON GATE SAAT RL

= 5K OHM

Pada penguat common source ini didapat nilai

penguatan Av sebesar 13,3 V/V . Dengan output
mulai terdistori saat Vin = 200 mV

4.8. RESISTANSI INPUT COMMON SOURCE

Pada penguat common source dengan Rl = 5k ohm
ini didapat nilai penguatan Av sebesar 10 V/V .
Dengan output mulai terdistori saat Vin = 200 mV

Meskipun gambar pada osiloskop kurang presisi

namun didapat nilai Resistansi input sebesar = 70k
ohm

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 6

 4.12. RANGKAIAN COMMON GATE
MENGGUNAKAN SUMBER ARUS

Pada penguat common drain dengan Rl = 5k ohm

Pada penguat common gate dengan sumber arus
didapat nilai penguatan Av sebesar 17,857 V/V .
Dengan output mulai terdistori saat Vin = 220 mV
4.13.RESISTANSI INPUT COMMON GATE
ini didapat nilai penguatan Av sebesar 0,714 V/V .
Dengan output mulai terdistori saat Vin =600 mV
4.1. RANGKAIAN COMMON DRAIN
MENGGUNAKAN S UMBER ARU

Resistansi input diatas dihitung agar nilai Vin menjadi

setengah kali Vin awal. Maka didapat Rin = 81k ohm

4.14. RANGKAIAN OUTPUT COMMON SOURCE

Pada penguat common drain dengan sumber arus
ini didapat nilai penguatan Av sebesar 0,93 V/V .
Dengan output mulai terdistori saat Vin =500 mV

4.3. RESISTANSI INPUT COMMON DRAIN

Resistansi output diatas dihitung agar nilai Vin

menjadi setengah kali Vin awal. Maka didapat Rout =
8k ohm.

4.15 RANGKAIAN COMMON DRAIN BIASA

Resistansi input diatas dihitung agar nilai Vin

menjadi setengah kali Vin awal. Maka didapat Rin =
140k ohm

4.3. RANGKAIAN OUTPUT

Pada penguat common drain dengan Rl = 5k ohm

ini didapat nilai penguatan Av sebesar 0,8 V/V .
Dengan output mulai terdistori saat Vin = 360 mV

4.1. RANGKAI COMMON DRAIN VARIASI NILAI

BEBAN
Resistansi output diatas dihitung agar nilai Vout
menjadi setengah kali Vout awal. Maka didapat Rout
= 180 ohm

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 7

5. KESIMPULAN field-effect-transistor/common-gate-
amplifier-circuit.php, 20 maret 2019, 07:57
Dari percobaan karakteristik ini, praktikan telah
mencari karakteristik dari FET, memahami [5] https://www.electronics-
penggunaan FET sebagai penguat untuk tutorials.ws/amplifier/amp_3.html, 20 maret
konfigurasi Common Source, Common Gate, dan 2019, 07:58
Common Drain, serta memahami resistansi input
dan output untuk ketiga konfigurasi tersebut. Hasil
yang didapat yaitu:
 Kurva ID-VGS maupun kurva ID-VDS
yang didapat sesuai dengan referensi yang
ada
 Pada kurva ID – VGS saat R = 10k didapat
titik kerja Q pada Id = 0,3867 mA, Vgs =
1,857 , dan Vds = 6,15 V
 Pada kurva ID – VDS saat R= 5k ohm
didapat titik kerja Q pada Id = 0.7544 mA,
Vgs = 1.952 V, dan Vds = 5.911 V
 Pada rangkaian Common Source semakin
tinggi nilai Rl yang diberikan pada
penguatan akan semakin tinggi juga serta
nilai distorsi juga semakin besar. Namun
jika menggunakan sumber arus akan
menghasilkan penguatan cukup tinggi dan
distosi yang relatif sedang.
 Pada rangkaian Common gate semakin
tinggi nilai Rl yang diberikan pada
penguatan akan semakin tinggi juga serta
nilai distorsi juga semakin besar. Namun
jika menggunakan sumber arus akan
menghasilkan penguatan cukup tinggi dan
distosi yang relatif sedang.
 Pada rangkaian Common drain semakin
tinggi nilai Rl yang diberikan pada
penguatan akan semakin tinggi juga serta
nilai distorsi juga semakin besar. Namun
jika menggunakan sumber arus akan
menghasilkan penguatan cukup tinggi dan
distosi yang relatif sedang.

DAFTAR PUSTAKA
[1] Mervin T. Hutabarat, Petunjuk Praktikum,
Elektronika, Sekolah Teknik Elektro, dan
Informatika ITB, Bandung, 2017
[2] Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith,
Microelectronic Circuits, Oxford University Press,
USA, 1997.
[3] https://transistor-fet-configuration-common-
gate-summary-01.svg, 20 maret 2019, 07:56
[4] https://www.electronics-
notes.com/articles/analogue_circuits/fet-

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 8