Universidad Distrital “Francisco José de Caldas”. Diego Zambrano, Lina Riaño. Informe Lab.
IV Electrónica
INFORME DE LABORATORIO IV
“TRANSISTOR BJT 2N2222A”
ELECTRÓNICA I
Lina María Riaño Enciso. Cód.: 20152007852; Diego Alejandro Zambrano Joya Cód.: 20152007857
Universidad Distrital “Francisco José de Caldas”
ABSTRACT
In the following report it is intended to
observe the behavior of the bipolar transistor
BJT, designing and implementing the basic
configuration of common emitter in order to
find the β and after it has been found, we will
find the 𝑉𝐶𝐸 . For the above, the analysis of
the results of the laboratory will be performed
using the tables of values where data such as
base currents, emitter, collector, diode
voltage(𝑉𝑑 ), among others, were recorded.
RESUMEN
En el siguiente informe se pretende observar
el comportamiento del transistor bipolar BJT,
diseñando e implementando la configuración
básica de emisor común con el fin de
encontrar el β y después de haberse hallado
éste mismo, se hallará el 𝑉𝐶𝐸 . Para lo
anterior, se realizará el análisis de los
resultados del laboratorio mediante las tablas
de valores en donde quedaron consignados
datos como las corrientes de base, emisor,
colector, Voltaje de diodo (𝑉𝑑 ), entre otros.
ÍNDICE DE TÉRMINOS — Corriente de
emisor (𝐼𝐸 ), Corriente de colector (𝐼𝐶 ),
Corriente de base (𝐼𝐵 ), Voltaje, Resistencia,
Transistor BJT 2N2222A.
. todas las corrientes del circuito. Seguido de
1. OBJETIVOS
1.1 OBJETIVO GENERAL
Aplicar los conocimientos acerca del
funcionamiento de un transistor junto con
elementos básicos como lo son las
resistencias para que de ese modo por medio
de la fuente de voltaje DC sea posible
encontrar β y 𝑉𝐶𝐸 .
1.2 OBJETIVOS ESPECÍFICOS
1.2.1 Verificar las corrientes de base,
emisor y colector así como el voltaje colector-
emisor.
1.2.2 Comparar los valores teóricos con los
prácticos acerca de los voltajes en la
resistencia y la corriente del circuito.
2. METODOLOGÍA
En principio, se realizarán las simulaciones
de los circuitos por medio del simulador
Multisim para afianzar los conocimientos
adquiridos en clase y además de esto se
realizarán los cálculos previos del circuito.
Después de esto, se procederá a montar el
circuito en físico, es decir, en la protoboard
según el diseño, las resistencias que por
medio de los datos teóricos (1KΩ) y también
por medio de la ayuda del ingeniero docente
se deberían de colocar como también el
Transistor BJT 2N2222A previamente
escogidos en clase. Seguido de esto, se
medirá el voltaje de colector- emisor 𝑉𝐶𝐸 de la
configuración en emisor común, así como
esto, se colocará una resistencia de (315KΩ)
entre la Base y la fuente de voltaje y se
realizarán las mismas mediciones. Por
último, se compararán los primeros datos
(simulaciones) con los segundos (prácticos).
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3. RECURSOS

En este laboratorio se emplearon recursos

como la protoboard, resistencias de 1kΩ y
315KΩ, transistor BJT 2N2222A, fuente de
voltaje de 5V y 15V y un multímetro para
verificar las corrientes y voltajes del circuito.

4. MARCO TEÓRICO

4.1 TRANSISTOR BJT 2N2222A

El Transistor 2N2222, también identificado .

como PN2222, es
Fig. 1. Transistor 2N2222A
un transistor bipolar NPN de baja potencia de
uso general.
5. DESARROLLO TEÓRICO
Sirve tanto para aplicaciones de amplificación
como de conmutación. Puede amplificar 5.1 CIRCUITO 1
pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o
medias; por lo tanto, sólo puede tratar
potencias bajas (no mayores de medio Watt).
Puede trabajar a frecuencias medianamente
altas.
Las hojas de especificaciones señalan como
valores máximos garantizados 500
miliamperios, 50 voltios de tensión de
colector, y hasta 500 mW de potencia. La
frecuencia de transición es de 250 a
300 MHz, lo que permite utilizarlo en
aplicaciones de radio de alta frecuencia
(hasta 300 MHz). La beta (factor de
amplificación, hFe) del transistor es de por lo
menos 100; valores de 150 son típicos.
Fig.2 Simulación Circuito I
El 2N2222 es fabricado en diferentes
formatos, los más comunes son los TO- Partiendo de las ecuaciones:
92, TO-18, SOT-23, y SOT-223.
 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
A continuación se anexará el link de
 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
descarga del Datasheet de éste tipo de
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵
transistor para mayor ampliación de los
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 (𝛽 + 1)
valores que maneja éste mismo: [1]
Partiendo de los valores:

 𝑉𝐸𝐸 = 5 𝑉
 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉
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 𝑉𝑑 = 0,6 𝑉
 𝑅𝐸 , 𝑅𝐶 = 1𝑘𝛺 5.2 CIRCUITO 2

Se obtiene β de los valores prácticos

realizando la división entre la corriente de
colector y la corriente de base y se obtiene
 𝛽 = 142

Se plantean las ecuaciones de malla:

 Ecuación de Malla 1
−𝑉𝐸𝐸 + 0,6 + 𝑉𝐸 = 0
−𝑉𝐸𝐸 + 0,6 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0
−𝑉𝐸𝐸 + 0,6 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0
−5𝑉 + 0,6 + 𝐼𝐸 (1𝐾𝛺) = 0
(4,4 𝑉) Fig.3 Simulación Circuito II
𝐼𝐸 =
(1𝑘𝛺)
𝐼𝐸 = 4,4 𝑚𝐴 Partiendo de las ecuaciones:

 Ecuación de Malla 2  𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 0  𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
−𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝛽𝐼𝐵
−𝑉𝐶𝐶 + 𝛽𝐼𝐵 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 (𝛽 + 1)
𝛽𝐼𝐸
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑅 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0
𝛽+1 𝐶 Partiendo de los valores:
(142)(4,4𝑚𝐴)
−15𝑉 + (1𝑘𝛺) + (4,4𝑚𝐴)(1𝑘𝛺)
142 + 1  𝑉𝐸𝐸 = 5 𝑉
= −𝑉𝐶𝐸  𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉
248  𝑉𝑑 = 0,6 𝑉
−15𝑉 + 𝑉 + 4,4𝑉 = −𝑉𝐶𝐸
65  𝑅𝐸 , 𝑅𝐶 = 1𝐾𝛺
−6,23𝑉 = −𝑉𝐶𝐸
 𝑅𝐵 = 315𝐾𝛺
𝑉𝐶𝐸 = 6,23 𝑉
Se obtiene β de los valores prácticos
realizando la división entre la corriente de
colector y la corriente de base y se obtiene
 𝛽 = 142
Se plantean las ecuaciones de malla:

 Ecuación de Malla 1
−𝑉𝐸𝐸 + 0,6 + 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵 = 0
−𝑉𝐸𝐸 + 0,6 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝐼𝐵 𝑅𝐵 = 0
−𝑉𝐸𝐸 + 0,6 + 𝐼𝐵 (1 + 𝛽)𝑅𝐸 + 𝐼𝐵 𝑅𝐵 = 0
−5𝑉 + 0,6 + 𝐼𝐵 (1 + 142)(1𝐾𝛺) + 𝐼𝐵 (315𝐾𝛺)
=0
𝐼𝐵 (1 + 142)(1𝐾𝛺) + 𝐼𝐵 (315𝐾𝛺) = 4,4𝑉
𝐼𝐵 [(143)(1𝐾𝛺) + (315𝐾𝛺)] = 4,4𝑉
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𝐼𝐵 [457 𝑥103 𝛺] = 4,4𝑉 𝑉𝑅𝐶 𝑉𝑅𝐸 𝑉𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐸

4,4𝑉 [𝑉] [𝑉] [𝑉] [𝑉]
𝐼𝐵 =
[457 𝑥103 𝛺] MEDIDO 4,267 4,30 2,79 10,67
𝐼𝐵 = 9,63 µ𝐴 SIMULADO 4.154 4.164 3.22 12.68
3
 Ecuación de Malla 2 %E 2.65% 3.16% 15.14 18.84
% %
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 0
Tabla 5. Voltajes en resistencia circuito 2
−𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0
−𝑉𝐶𝐶 + 𝛽𝐼𝐵 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐵 (𝛽 + 1)𝑅𝐸 = 0 𝑉𝐷
−15𝑉 + (142)(9,63µ𝐴)(1𝐾𝛺) + 𝑉𝐶𝐸 + (9,63µ𝐴)(142 [𝑉]
MEDIDO 0,64
+ 1)(1𝐾𝛺) = 0
𝑉𝐶𝐸 = 12,27 𝑉 SIMULADO 0,60
%E 6.25%
6. DATOS OBTENIDOS
Tabla 6. Voltaje diodo circuito 2
6.1 CIRCUITO 1

𝐼𝐵 𝐼𝐶 𝐼𝐸 7. CONCLUSIONES
[𝑚𝐴] [𝑚𝐴] [𝑚𝐴]
MEDIDO 0,031 4,42 4,44
* Se garantizó que la corriente de base fuese
SIMULADO 0.031 4.287 4.345 menor respecto a la corriente de colector
%E 0% 3% 2.14% conectando una resistencia mayor en la base
respecto a la resistencia conectada en el
Tabla 1. Corrientes circuito 1 colector, con el fin de ver la proporcionalidad
𝑉𝑅𝐶 𝑉𝑅𝐸 𝑉𝐶𝐸 planteada por la teoría.
[𝑉] [𝑉] [𝑉]
MEDIDO 4,35 4,42 6,19
* El voltaje de caída en el diodo interno del
SIMULADO 4.345 4.288 6.368 transistor es aproximadamente el mismo para
ambos
%E 0.11% 2.99% 2.87%
Tabla 2. Voltajes en resistencia circuito 1
* En el segundo circuito al ponerle una
𝑉𝐷 resistencia tan grande se dio que el voltaje
[𝑉] en 𝑉𝑐𝑒 aumenta considerablemente y que las
MEDIDO 0,64 corrientes en el circuito disminuyen.
SIMULADO 0,60
%E 6.25% 8. GLOSARIO

Todos los términos son conocidos y

Tabla 3. Voltaje diodo circuito 1
únicamente se tuvo como base los apuntes
en clase y los textos establecidos en el
6.2 CIRCUITO 2
syllabus de la materia.

𝐼𝐵 𝐼𝐶 𝐼𝐸
9. BIBLIOGRAFÍA
[𝑚𝐴] [𝑚𝐴] [𝑚𝐴]
MEDIDO 0.010 1.157 1.167
SIMULADO 0.010 1.134 1.145
%E
[1]
0% 1.99% 1.88%
http://www.onsemi.com/pub/Collateral/P2N22
Tabla 4. Corrientes circuito 2 22A-D.PDF
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