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El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19252 una patente para lo que él denominó "un

método y
un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo, ya que
estaba destinado a ser un reemplazo de estado sólido del triodo. Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados Unidos en los años
19263 y 1928.45 Sin embargo, Lilienfeld no publicó ningún artículo de investigación sobre sus dispositivos ni sus patentes citan algún
ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de materiales semiconductores de alta calidad no estaba
disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los años 1920
y 1930, aunque acabara de construir un dispositivo de este tipo.6

En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña7 un dispositivo similar. Cuatro años después, los también
alemanes Robert Pohl y Rudolf Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen, con cristales de bromuro de potasio,
usando tres electrodos, con los cuales lograron la amplificación de señales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos
prácticos.8Mientras tanto, la experimentación en los Laboratorios Bell con rectificadores a base de óxido de cobre y las explicaciones
sobre rectificadores a base de semiconductores por parte del alemán Walter Schottky y del inglés Nevill Mott, llevaron a pensar en
1938 a William Shockley que era posible lograr la construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de
vacío.8

Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos estadounidenses John Bardeen y Walter Houser
Brattain de los Laboratorios Bell9llevaron a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro eran
aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con una potencia de salida mayor que la de entrada.10 El líder del Grupo de
Física del Estado Sólido William Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabajó para ampliar en gran medida
el conocimiento de los semiconductores. El término "transistor" fue sugerido por el ingeniero estadounidense John R. Pierce,
basándose en dispositivos semiconductores ya conocidos entonces, como el termistor y el varistor y basándose en la propiedad de
transrresistencia que mostraba el dispositivo.11 Según una biografía de John Bardeen, Shockley había propuesto que la primera
patente para un transistor de los Laboratorios Bell debía estar basado en el efecto de campo y que él fuera nombrado como el inventor.
Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido años atrás, los abogados de los Laboratorios Bell
desaconsejaron la propuesta de Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su lugar, lo que Bardeen,
Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer transistor de contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos
primeros nombrados, el 17 de junio de 1946,12a la cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo.131415 En
reconocimiento a éste logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956
"por sus investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".16

En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker,
mientras trabajaban en la Compagnie des Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré
tenía experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio mientras trabajaba con Welker en el
desarrollo de un radar alemán durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno
de la "interferencia" que había observado en los rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Mataré produjo
resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain
habían logrado anteriormente en diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían inventado
el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a poner en producción su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red
telefónica de Francia.17El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la patente del transistor bipolar de unión18 y el 24 de agosto
de 1951 solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo,19 tal como se declaró en ese documento, en el que se
mencionó la estructura que ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito
al fabricar este dispositivo,20cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.21 Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el
ingeniero Sidney Darlington solicitó la patente del arreglo de dos transistores conocido actualmente como transistor Darlington.22

El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio desarrollado por los estadounidenses
John Tiley y Richard Williams de Philco Corporation en 1953,23capaz de operar con señales de hasta 60 MHz.24 Para fabricarlo, se usó
un procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran grabadas depresiones en una base de germanio
tipo N de ambos lados con chorros de sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de pulgada de espesor. El Indio
electroplateado en las depresiones formó el colector y el emisor.25El primer receptor de radio para automóviles que fue producido
en 1955 por Chrysler y Philco; usó estos transistores en sus circuitos y también fueron los primeros adecuados para las computadoras
de alta velocidad de esa época.2627
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero 1954 por el químico Morris Tanenbaum.28
El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para producir
dispositivos semiconductores.29 El primer transistor de silicio comercial fue producido por Texas Instruments en 1954 gracias al
trabajo del experto Gordon Teal quien había trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta
pureza.30 El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos
ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.3132

¿Qué es un Transistor?
Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de corriente o de tensión actuando como un interruptor o
amplificador para señales electrónicas.

El transistor, inventado en 1951, es el componente electrónico estrella, pues inició una auténtica revolución en la electrónica
que ha superado cualquier previsión inicial. También se llama Transistor Bipolar o Transistor Electrónico.

Es un componente electrónico formado por materiales semiconductores, de uso muy habitual, pues lo encontramos presente
en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como las radios, alarmas, automóviles, ordenadores, etc.

Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a ellos fue posible la construcción de
receptores de radio portátiles llamados comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par de segundos,
televisores en color, etc. Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con tensiones bastante
altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas debido al gran
consumo que tenían.
Los transistores son los elementos que han facilitado el diseño de circuitos electrónicos de reducido tamaño. En la siguiente
imagen podemos ver varios transistores diferentes.

En la imagen de más abajo vemos a la izquierda un transistor real y a la derecha el símbolo usado en los circuitos
electrónicos. Fíjate que siempre tienen 3 patillas y se llaman emisor, base y colector.

Es muy importante saber identificar bien las 3 patillas a la hora de conectarlo. En el caso de la figura, la 1 sería el emisor,
la 2 el colector y la 3 la base.

Un transistor es un componente que tiene, básicamente, dos funciones:

- 1. Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una PEQUEÑA señal de mando. Como Interruptor. Abre o cierra para
cortar o dejar pasar la corriente por el circuito.
- 2. Funciona como un elemento Amplificador de señales. Le llega una señal pequeña que se convierte en una grande.

Pero el Transistor también puede cumplir funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

Veamos como funciona un transistor.

Funcionamiento del Transistor


Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo dentro de un circuito:

- En activa : deja pasar mas o menos corriente (corriente variable).

- En corte: no deja pasar la corriente (corriente cero).

- En saturación: deja pasar toda la corriente (corriente máxima).

Para comprender estos 3 estados lo vamos hacer mediante un símil hidráulico que es más fácil de entender.

Lo primero imaginemos que el transistor es una llave de agua como la de la figura. Hablaremos de agua para entender el
funcionamiento, pero solo tienes que cambiar el agua por corriente eléctrica, y la llave de agua por el transistor y ya
estaría entendido (luego lo haremos). Empecemos.

En la figura vemos la llave de agua en 3 estados diferentes. Para que la llave suba y pueda pasar agua desde la tubería E
hacia la tubería C, es necesario que entre algo de agua por la pequeña tubería B y empuje la llave hacia arriba (que el
cuadrado de líneas suba y permita el paso de agua). En el símil tenemos:

B = base

E = Emisor

C = Colector

- Funcionamiento en corte: si no hay presión de agua en B (no pasa agua por su tubería), la válvula esta cerrada, no se
abre la válvula y no se produce un paso de fluido desde E (emisor) hacia C (colector). La válvula está en reposo y no hace
nada.

- Funcionamiento en activa: si llega (metemos) algo de presión de agua por la base B, se abrirá la válvula en función de la
presión que llegue, comenzando a pasar agua desde E hacia C.

- Funcionamiento en saturación: si llega suficiente presión por B se abrirá totalmente la válvula y todo el agua podrá
pasar desde el emisor E hasta el colector C (la máxima cantidad posible). Por mucho que metamos más presión de agua
por B la cantidad de agua que pasa de E hacia C es siempre la misma, la máxima posible que permita la tubería. Si
metiéramos demasiada presión por B podríamos incluso estropear la válvula.

Como ves una pequeña cantidad de agua por B permite el paso de mucho más agua entre E y C (amplificador).

¿Entendido? Pues ahora el funcionamiento del transistor es igual, pero el agua lo cambiamos por corriente eléctrica y la
llave de agua será el transistor.

En un transistor cuando no le llega nada de corriente a la base, no hay paso de corriente entre el emisor y el colector (en
corte), funciona como un interruptor abierto entre el emisor y el colector, y cuando tiene la corriente de la base máxima
(en saturación) su funcionamiento es como un interruptor cerrado dejando pasar la corriente, entre el emisor y el colector.
Además pasa la máxima corriente permitida por el transistor entre E y C.

El tercer caso es que a la base del transistor le llegue una corriente más pequeña de la corriente de base máxima para que
se abra el transistor, entonces entre Emisor y Colector pasará una corriente intermedia que no llegará a la máxima.

Como ves el funcionamiento del transistor se puede considerar como un interruptor que se acciona eléctricamente, por
medio de corriente en B, en lugar de manualmente como son los normales. Pero también se puede considerar un
amplificador de corriente por que con una pequeña corriente en la base conseguimos una corriente mayor entre el emisor y
colector. Acuérdate del símbolo y mira la siguiente figura:

Las corrientes en un transistor son 3, corriente de base Ib, corriente de emisor Ie y corriente del colector Ic. En la imagen
vemos las corrientes de un transistor tipo NPN.

Los transistores están formados por la unión de tres cristales semiconductores, dos del tipo P uno del tipo N (transistores
PNP), o bien dos del tipo N y uno del P (transistores NPN). Puedes saber más sobre estas uniones aquí: Unión PN. Según
esto podemos tener 2 tipos de transistores diferentes: PNP o NPN.
Polarización de un Transistor

Polarizar es aplicar las tensiones adecuadas (con su polaridad + o -) a los componentes para que funcionen correctamente.

Un polo P estará polarizado directamente si se conecta al positivo de la pila, el polo N estará polarizado directamente si
se conecta al polo negativo. El revés estarían polarizados inversamente.

Hay una gama muy amplia de transistores, por lo que antes de conectar deberemos identificar sus 3 patillas y saber si es
PNP o NPN. En los transistores NPN se debe conectar al polo positivo el colector y la base, y en los PNP el colector y la
base al polo negativo.

La unión BASE-EMISOR siempre polarizado directamente, y la unión COLECTOR–BASE siempre polarizado


inversamente en los dos casos.

Diferencias entre el transistor PNP y el NPN

Fíjate en los 2 tipos, la principal diferencia es que en el PNP la corriente de salida (entre el emisor y colector) entra por el
emisor y sale por el colector. Fíjate que la flecha en el símbolo "pincha a la base". Una regla para acordarse es que el PNP
pincha (la p del principio).

En el NPN la corriente entra por el colector y sale por el emisor, al revés. Si te fijas en la flecha la flecha "no pincha a la
base". Según la regla NPN = no pincha (la N del NPN). Con esta regla te acordarás muy fácilmente si el símbolo es de un
PNP o NPN. Recuerda pincha PNP, no pincha NPN.

Otra cosa muy importante a tener en cuenta, es la dirección de las corrientes y las tensiones de un transistor, sea NPN o
PNP. Fíjate en la siguiente imagen. En este caso hemos puesto el emisor abajo y el colector arriba, no pasa nada es lo
mismo, pero en algunos esquemas te los encontrarás de esta forma y es bueno verlos así también.
Si te fijas, es fácil averiguarlas por intuición con la flecha del símbolo. Si es PNP lógicamente la I del emisor (IE) tendrá
la dirección del emisor, por que entra por él. Por donde entran las corrientes estará el positivo de las tensiones. Si la
corriente del emisor entra por el emisor (PNP), la tensión emisor colector tendrá el positivo por donde entre, es decir en el
emisor, y se llamará Tensión emisor-colector (Ve-c). Si la corriente entra por el colector, o lo que es lo mismo sale por el
emisor se llamara Tensión colector-emisor (Vc-e) y la corriente saldrá por el emisor. No te líes que es muy fácil, solo
tienes que fijarte un poco, y no hace falta aprenderlas de memoria.

Formulas del Transistor

Si te fijas en un PNP la corriente que entra es la del emisor, y salen la del colector + la corriente de la base, pero al ser la
de base tan pequeña comparada con las otras dos, se puede aproximar diciendo que IE = IC. En realidad las intensidades
en un transistor serían:

IE = IC + IB; para los 2 tipos de transistores. Fíjate en la flecha del símbolo y las deducirás.

Si nos dan 2 intensidades y queremos calcular la tercera solo tendremos que despejar.

¿Cómo serían las intensidades en corte? Pues todas cero.

Otro dato importante en un transistor es la ganancia, que nos da la relación que hay entre la corriente de salida IC y la
necesaria para activarlo IB (corriente de entrada). Se representa por el símbolo beta β.

β = IC / IB

La ganancia es realmente lo que se amplifica la corriente en el transistor. Por ejemplo una ganancia de 100 significa que
la corriente que metamos por la base se amplifica, en el colector, 100 veces, es decir será 100 veces mayor la de colector
que la de la base. Como la de colector es muy parecida a la del emisor, podemos aproximar diciendo que la corriente del
emisor también es 100 veces mayor que la de la base.

En un transistor que tenga una ganancia de 10, si metemos 1 amperio por la base, por el colector obtendremos 10
amperios. Como ves, el transistor también es un amplificador. Pero OJO imagina que el transistor que tienes solo permite
como máximo 5 amperios de salida, ¿qué pasaría si metemos 1 amperio en la base? ¡¡¡Se quemaría!! por que no soportaría
esa corriente de 10A en el colector.

También es muy importante que sepas que la corriente del colector depende del receptor que tengamos conectado a la
salida, entre el colector y el emisor. La corriente del colector será la que "chupe" ese receptor, nunca mayor. Si en el caso
anterior el receptor fuera un lámpara que solo consumiera 3 amperios no pasaría nada, ya que entre el emisor y el colector
solo circularían los 3 amperios que demanda la lámpara. Fíjate en el siguiente circuito:
La lámpara "chupa" 3 amperios, pues la corriente máxima que pasará entre emisor y colector, o lo que es lo mismo la
corriente que circulará por el circuito de salida será 3A, nunca más de 3 Amperios, que es la que demanda la lámpara.

En ese circuito para que la lámpara luzca necesitamos meter una pequeña corriente por la base para activar el transistor.
Si no hay corriente de base la lámpara no lucirá, por que el transistor actúa como un interruptor abierto entre el colector y
el emisor.

De todas formas hay que fijarse muy bien en las corrientes máximas que aguanta el transistor que estemos usando para no
quemarlo.

Otro dato importante es la potencia máxima que puede disipar el transistor. Según la fórmula de la potencia: P = V x I, en
el transistor sería:

P = Vc-e x Ic tensión colector-emisor por intensidad del colector.

Tenemos que saber la potencia total que tiene el receptor o los receptores que pongamos en el circuito de salida para
elegir un transistor que sea capaz de disipar esa misma potencia o superior, de lo contrario se quemaría.

En el caso del circuito anterior P = 3A x 6V = 18w, con lo cual el transistor para el circuito deberá ser de esa misma
potencia, mejor un poco mayor.

Por último hablemos de las tensiones. Todos los transistores cumplen que Vcb + Vbe = Vce, es decir las tensiones de la
base son iguales a la tensión de salida.

El circuito básico de un transistor es el que ves a continuación:

La resistencia de base sería la de 20KΩ (kilo ohmios) y la resistencia de 1KΩ sería el receptor de salida. Muchas veces se
usa la misma pila para todo el circuito, como verás más adelante.

Material semiconductor
Características del material semiconductor

Tensión directa Máxima


Material Movilidad de electrones Movilidad de huecos
de la unión temperatura de unión
semiconductor m2/(V·s) @ 25 °C m2/(V·s) @ 25 °C
V @ 25 °C °C
Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100

Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200

GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200

Al-Si 0.3 — — 150 a 200

Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los transistores de Silicio (Si) actualmente
predominan, pero ciertas versiones avanzadas de microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto
semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación semiconductora de silicio-germanio (SiGe). El material
semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se describe como elemental.

Los parámetros en bruto de los materiales semiconductores más comunes utilizados para fabricar transistores se dan en la
tabla adjunta; estos parámetros variarán con el aumento de la temperatura, el campo eléctrico, nivel de impurezas, la
tensión, y otros factores diversos.

La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor-base de un transistor bipolar de unión con el fin de
hacer que la base conduzca a una corriente específica. La corriente aumenta de manera exponencial a medida que aumenta
la tensión en directa de la unión. Los valores indicados en la tabla son las típicos para una corriente de 1 mA (los mismos
valores se aplican a los diodos semiconductores). Cuanto más bajo es la tensión de la unión en directa, mejor, ya que esto
significa que se requiere menos energía para colocar en conducción al transistor. La tensión de unión en directa para una
corriente dada disminuye con el aumento de la temperatura. Para una unión de silicio típica, el cambio es de –
2.1 mV/°C.35 En algunos circuitos deben usarse elementos compensadores especiales (sensistores) para compensar tales
cambios.

La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función del campo eléctrico que forma el canal
y de varios otros fenómenos tales como el nivel de impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se
introducen deliberadamente en la fabricación de un MOSFET, para controlar su comportamiento eléctrico.

Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran la velocidad media con que los
electrones y los huecos se difunden a través del material semiconductor con un campo eléctrico de 1 voltio por metro,
aplicado a través del material. En general, mientras más alta sea la movilidad electrónica, el transistor puede funcionar
más rápido. La tabla indica que el germanio es un material mejor que el silicio a este respecto. Sin embargo, el germanio
tiene cuatro grandes deficiencias en comparación con el silicio y arseniuro de galio:

1. Su temperatura máxima es limitada.


2. Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
3. No puede soportar altas tensiones.
4. Es menos adecuado para la fabricación de circuitos integrados.

Debido a que la movilidad de los electrones es más alta que la movilidad de los huecos para todos los materiales
semiconductores, un transistor bipolar n-p-n dado tiende a ser más rápido que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro
de galio tiene el valor más alto de movilidad de electrones de los tres semiconductores. Es por esta razón que se utiliza en
aplicaciones de alta frecuencia. Un transistor FET de desarrollo relativamente reciente, el transistor de alta movilidad de
electrones (HEMT), tiene una heteroestructura (unión entre diferentes materiales semiconductores) de arseniuro de galio-
aluminio (AlGaAs)-arseniuro de galio (GaAs), que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una unión de
barrera GaAs-metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMT se utilizan en los receptores de satélite
que trabajan a frecuencias en torno a los 12 GHz. Los HEMT basados en nitruro de galio y nitruro de galio aluminio
(AlGaN/GaN HEMT) proporcionan una movilidad de los electrones aún mayor y se están desarrollando para diversas
aplicaciones.

Los valores de la columna de Máximo valor de temperatura de la unión han sido tomados a partir de las hojas de datos de
varios fabricantes. Esta temperatura no debe ser excedida o el transistor puede dañarse.
Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de metal-semiconductor de alta velocidad (de
aluminio-silicio), conocidos comúnmente como diodos Schottky. Esto está incluido en la tabla, ya que algunos transistor
IGFET de potencia de silicio tienen un diodo Schottky inverso "parásito" formado entre la fuente y el drenaje como parte
del proceso de fabricación. Este diodo puede ser una molestia, pero a veces se utiliza en el circuito del cual forma parte.