Apuntes Electronicos

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
CENTRO DE ESTUDIOS CIENTÍFICOS Y TECNOLÓGICOS

“JUAN DE DIOS BÁTIZ”
CARRERA DE TÉCNICO EN SISTEMAS DIGITALES
UNIDAD DE APRENDIZAJE ELEMENTOS ELECTRONICOS.
Competencia general:
Construye circuitos electrónicos utilizando dispositivos semiconductores, que le permiten

solucionar problemáticas de su entorno, de manera responsable y colaborativa.
UNIDAD I
Conoce la teoría de los Semiconductores aplicada en la constitución física y

funcionamiento de dispositivos discretos.
Contenido Pagina
Teoría atómica. 3
Semiconductores. 7
Semiconductores Intrínsecos y extrínsecos. 10
Materiales tipo N y P. 11
Portadores mayoritarios y minoritarios de carga. 12
UNIDAD II
Conoce la teoría y el comportamiento de Diodos semiconductores como fundamento

de la electrónica.
Contenido Pagina
La Unión PN 13
Diodo semiconductor 16
Símbolo y características de operación. 16
Curva característica 17
Polarización directa e inversa 21
Aplicaciones de los diodos semiconductores. 30
Diodo Zener 48
Diodo LED 51
ELEMENTOS ELECTRONICOS 1
Programa de estudio
Teoría atómica
La materia es cualquier cosa que tenga peso y que ocupe un lugar en el espacio. Los
elementos son los materiales básicos que constituyen toda la materia ejemplos el oxigeno
y el hidrogeno. Existen poca más de 100 elementos algunos son artificiales y otros
naturales, 92 son naturales y los demás artificiales o hechos por el hombre, ejemplos de
elementos naturales son: Hidrógeno, helio, litio Fósforo Germanio, silicio, de los artificiales
son: Plutonio, Curio. Etc.
Figura 1.1 Materia
Un compuesto es la combinación de dos elementos para producir materiales cuyas

características son totalmente distintas de las que tienen los elementos constitutivos. El
hidrógeno y el oxigeno aunque son gases, pueden producir el agua que es un líquido.
Figura 1.2. Compuesto
La molécula es la partícula más pequeña a la que puede reducirse un compuesto, antes

de que se descomponga en sus elementos. Por ejemplo si se toma un gramo de sal de
mesa y se divide sucesivamente en dos, hasta obtener el trocito más pequeño posible,
seguiría siendo sal y el trocito sería una molécula de sal. Si nuevamente se lograra dividirlo
en dos, la sal se descompondría en sus elementos.
Figura 1.3. Molécula
El átomo es la partícula más pequeña a la que se puede reducir un elemento y que

conserva las propiedades de ese elemento las partes que componen un átomo son el
electrón, protón y neutrón.
Figura 1.4. Átomo
Los protones (partículas con carga positiva, es más pequeño pero 1,840 veces más
pesado que el electrón, es difícil desalojarlo del núcleo. Las líneas de fuerza de esta carga
irradian desde el protón en toda dirección) y neutrones (partículas que no tienen ninguna
carga), se encuentran en el núcleo del átomo.
Los electrones son partículas con carga negativa es más ligero que el protón, giran
alrededor del núcleo en órbitas y es más fácil de desalojar. Las líneas de fuerza de esta
carga vienen desde todas partes, en forma radial, directamente hacia el electrón.
Por lo general los átomos tienen el mismo número de electrones que de protones por lo
que se les considera eléctricamente neutros. Pero si un átomo tiene más electrones que
protones se conoce como ion negativo, pero si tiene más protones que electrones es un
ión positivo.
La diferencia entre los átomos de un elemento y otro es el número de protones que tienen
en su núcleo, este número se le conoce como el número atómico de cada elemento. Como
el átomo es eléctricamente neutro tiene el mismo número de protones y electrones, así un
átomo de silicio que tiene 14 protones tiene 14 electrones girando en órbita alrededor del
núcleo (observar figura 1.5).
Figura 1.5. Número Atómico.
Un átomo puede tener hasta 7 capas, la primera capa, la más cercana al núcleo no puede
tener más de dos electrones, la segunda no puede tener más de 8 electrones, la cuarta
no más de 32 y así sucesivamente.
A continuación se muestra algunos elementos y sus capas electrónicas.
CAPAS ELECTRÓNICAS
Electrones por capa
Número Elemento 1 2 3 4 5 6 7
Atómico
5 Boro (B) 2 3
13 Aluminio (Al) 2 8 3
14 Silicio (Si) 2 8 4
15 Fósforo (P) 2 8 5
29 Cobre (Cu) 2 8 18 1
32 Germanio (Ge) 2 8 18 4
33 Arsénico (As) 2 8 18 5
49 Indio (In) 2 8 18 18 3
81 Talio (Tl) 2 8 18 32 18 3
La capa exterior de un átomo recibe el nombre de capa de valencia esta no puede tener
más de ocho electrones, los electrones que giran en esta capa se les conoce como
electrones de valencia.
Aunque todos los electrones tienen la misma carga negativa, no todos poseen el mismo
nivel de energía los electrones más alejados del núcleo tiene mayor nivel de energía que
los que se encuentra cerca del núcleo, si agregamos energía a un electrón que gira en
una órbita, lo sacaríamos de esa a otra más alta pero si se le agrega suficiente energía a
un electrón de valencia este se liberará de su átomo ya que no puede haber órbitas más
altas, puesto que ocho es el número mayor de electrones que caben en la capa de
valencia los elementos que tienen 5 o más electrones de valencia son buenos aislantes
ya que tienden a captar más electrones y no a cederlos, en cambio los átomos con menos
de cuatro electrones de valencia dejan que estos se liberen a fin de vaciar su capa de
valencia y utilizar la siguiente capa que ya está llena ,estos elementos son los mejores
conductores eléctricos.
Esto es importante en nuestro estudio ya que si el átomo tiene mayor estabilidad química
es decir es más estable para ceder electrones hablamos de materiales aislantes, en el
caso contrario hablamos de conductores. Un semiconductor es un material ubicado entre
los conductores y los aisladores en cuanto a sus propiedades de conducción.
Como se menciono con anterioridad los electrones existen dentro de las bandas
energéticas, cada capa alrededor del núcleo corresponde a una cierta banda energética
y está separada por capas adyacentes por espacios energéticos, donde no puede haber
electrones (banda prohibida). En la figura 6 se muestra el diagrama de las bandas
energéticas para un átomo de silicio.
Figura 1.6. Átomo de silicio sin excitación.
En un aislante la separación entre la banda de valencia y la banda de conducción es muy

grande (aproximadamente de 10 eV), y esto significa que un electrón en la banda de
valencia necesita mucha energía para ser liberado y convertirse en un electrón libre
necesario para la conducción. En un conductor las dos bandas están solapadas, no
necesitándose ninguna energía para alcanzar la conducción. En un semiconductor la
banda prohibida es muy estrecha, o lo que es lo mismo, es muy fácil que un electrón sea
liberado y pueda contribuir a la conducción.
Figura 1.7. Bandas energéticas.
Existen varios materiales semiconductores, pero los dos materiales semiconductores más
utilizados en los dispositivos electrónicos son el silicio y el germanio.
Estructura Atómica del germanio y silicio
El átomo de germanio tiene 32 electrones orbitales, en tanto que el silicio (el más
empleado en la industria electrónica) tiene 14 alrededor del núcleo como se pude ver en
la figura 1.8. Ambos materiales tienen 4 electrones en la capa de valencia por lo que
se dice que son átomos tetravalentes.
Figura 1.8. Átomo de Silicio y Germanio.
En un cristal (patrón o arreglo de átomos que conforman un material sólido) puro de silicio
o germanio los 4 electrones de valencia se encuentran unidos a 4 átomos adyacentes.
A continuación (figura 1.9) se muestra el átomo de silicio con sus cuatro átomos
adyacentes (como se observa comparten un electrón con cada uno de sus cuatro vecinos),
este tipo de unión formada por electrones compartidos recibe el nombre de enlace
covalente.
Figura 1.9. Enlace covalente del átomo de Silicio.
Material Intrínseco
Intrínsecos es el estado puro o natural de un material. Aunque el enlace covalente permite

una unión fuerte entre los electrones de valencia de los átomos existe la posibilidad de
que los electrones de valencia absorba suficiente energía proveniente de causas naturales
para romper el enlace y asumir el estado “libre” es decir que no están adheridos a ningún
átomo y se desplazan esencialmente al azar a través del material a estos electrones libres
se les conoce como portadores intrínsecos.
Un semiconductor puro (o cualquier compuesto), siempre tienen algunos electrones libres

que pueden formar alguna corriente. Además los semiconductores siempre tienen uniones
del tipo covalente, de modo que los huecos aceptan fácilmente nuevos electrones.
Materiales extrínsecos
Podemos alterar las características de los materiales semiconductores mediante la adición

de ciertos átomos de impureza en el material semiconductor relativamente puro.
Cuando un material semiconductor se ha sometido a un proceso de impurificación se

denomina material extrínseco es decir se les agrega un número predeterminado de
átomos de impureza a una base de silicio o germanio. Los dos materiales extrínsecos
usados para la fabricación de dispositivos semiconductores (como el diodo, transistor
etc.), son el tipo n y el tipo p.
Material tipo n
El material tipo n se forma añadiendo (dopando) átomos que tengan cinco electrones de
valencia (pentavalentes), como el fósforo, antimonio y arsénico. El propósito del dopaje
tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.
En la siguiente figura se muestra el enlace covalente de este proceso en un átomo de

silicio añadiéndole impurezas de Arsénico que se incorpora a la red cristalina en el lugar
de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón
no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el
número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese
caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un
electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores.
Figura 1.10. Material extrínseco tipo n.
Material tipo p
El material tipo p se forma añadiendo (dopando) átomos que tengan tres electrones de
valencia (trivalentes), como el Boro (B), Aluminio (Al), Indio (In) ó Talio (Tl), con esto se
aumentan los huecos en el material En la siguiente figura se observa este fenómeno.
Figura 1.11. Material extrínseco tipo p.
Observamos que le hace falta un electrón de valencia para formar las uniones covalentes
de modo que queda un hueco entre estas uniones
Como resultado en un semiconductor inyectado con impurezas trivalentes, los portadores

positivos predominan sobre los negativos, a este semiconductor se le llama semiconductor
tipo p. Los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones son los portadores
minoritarios.
Unión P-N
Si a un material semiconductor ya sea de germanio o de silicio, se introducen impurezas

tipo P en un extremo e impurezas tipo N en el otro se obtiene una unión P-N tal como se
muestra en la figura 2.1.
Figura 2.1. Unión P-N.
En la zona P existen iones negativos y huecos mientras que en la zona n hay iones
positivos y electrones.
Al realizar la unión se produce una difusión de electrones hacia la zona p y de huecos

hacia la zona n para recombinarse entre ellos, hasta el momento en que en la zona P haya
concentración de cargas negativas y en la zona N de cargas positivas, que interrumpe la
difusión por establecerse un campo eléctrico o barrera de potencial (también se le conoce
como de agotamiento o empobrecimiento) que impide el paso de cargas eléctricas a no
ser que se les aplique una energía suficiente, en la siguiente figura 2.2 se observa lo
anterior.
Figura 2.2. Zona de agotamiento.
Polarización directa.
Si a la unión p-n se le aplica una diferencia de potencial en el sentido en que se indica en

la figura (polarización directa), conseguimos dar a los electrones la energía necesaria para
superar la barrera de potencial y llegar a la zona p (imaginemos lo mismo para los huecos
en su trayecto hacia la zona N). Por el circuito exterior fluye entonces una corriente
relativamente grande llamada corriente directa (IF), que estará formada por portadores
mayoritarios (huecos en la región P y electrones en la región N)
Figura 2.3. Polarización directa.
El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal
n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose
en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo
positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del
cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería.
Polarización inversa.
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a

la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a
continuación:
Figura 2.4. Polarización inversa.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n,
los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su
electrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa
de valencia, ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo
que se convierten en iones positivos.
 El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la
zona p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con
lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio,
tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los átomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere
el mismo potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto
de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados
de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente
inversa de saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial
de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la
superficie del diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de
suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como
de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin
dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la
corriente superficial de fugas es despreciable.
Diodo semiconductor.
Este dispositivo está constituido por un semiconductor tipo p y otro tipo n, los dos
combinados forman la unión p-n, las cuales tienen muchas características útiles (como se
analizaron anteriormente), A este tipo de dispositivo se le llama diodo semiconductor,
diodo p-n o diodo de unión. Es el más sencillo de los dispositivos semiconductores pero
vitales en los sistemas electrónicos
Figura 2.5. Diodo semiconductor.
El símbolo del diodo es como se muestra a continuación
Figura 2.6. Símbolo del diodo semiconductor.
La punta de la flecha indica la sección p y apunta en sentido del flujo de huecos o en el

de mayor resistencia, la corriente de electrones libres fluye en sentido opuesto a la flecha
que es el sentido de poca resistencia.
En su cuerpo está marcada la señalización de las regiones y el código de identificación.
Figura 2.7. Aspecto físico del diodo semiconductor.
Las terminales se denominan:
Ánodo (A), conectado a la región P
Cátodo (K), conectado a la región N
Curva característica del diodo semiconductor.
La curva característica para un diodo es una gráfica de la corriente del diodo en función
del voltaje. Se obtienen datos para la curva haciendo variar el voltaje aplicado a través del
diodo y tomando nota de la cantidad de flujo de corriente. En la siguiente figura 2.8, se
muestra un circuito apropiado. El voltaje se establece en valores escogidos mediante la
variación del potenciómetro P (Se puede omitir el potenciómetro si se dispone de una
fuente de potencia de voltaje variable).
La resistencia R es la limitadora de la corriente y se escoge de tal modo que, con el

potenciómetro al máximo, la corriente no sobrepase la clasificación máxima de corriente
del diodo. Puesto que un semiconductor tiene cierta conducción en ambos sentidos, es
necesario tomar los datos con polaridad directa e inversa del voltaje aplicado.
Figura 2.8. Circuito para obtener la curva característica del diodo.
En la siguiente figura se muestra la curva característica típica de diodo.
Figura 2.9. Curva característica del diodo semiconductor.
Obsérvese que cuando el diodo está polarizado en la dirección hacia adelante –

polarización directa o característica directa-, fluye una corriente relativamente alta,
incluso cuando se aplican bajos voltajes., ya que con el flujo de corriente directa, el diodo
p-n se comporta como un dispositivo lineal a lo largo de una gran parte de su curva de
operación. Sin embargo, la pequeña parte de la curva que empieza con 'polarización cero,
es no lineal, según se ve en la figura. Esto sucede porque -según se ha explicado-- la
corriente total comprende, tanto la mayoritaria como la minoritaria.
Como los portadores minoritarios son de baja energía, al principio sólo fluye la corriente
mayoritaria pero, después al elevarse el voltaje, se le agrega la minoritaria lo cual origina

una elevación súbita y no lineal en la curva de la corriente. Pero, al aumentar aún más el
voltaje, la corriente minoritaria que sólo consta de unos cuantos portadores minoritarios
queda saturada. Entonces, la curva sólo refleja el aumento de la corriente mayoritaria, que
es lineal., en otras palabras cuando el voltaje en directa se aproxima al valor del potencial
de barrera (típicamente de 0.7 V para el silicio y 0.3 V para el germanio.
Evidentemente, la resistencia hacia adelante es baja (una resistencia de unos cuantos

cientos de ohms).
Con polaridad inversa de voltaje aplicado -polarización inversa-, sólo pasa una pequeña
cantidad de flujo de corriente (debida a los portadores minoritarios) y en dirección inversa.
En este caso, la resistencia es alta a menudo, se aproxima a 100,000 ohms.
Por lo tanto, es práctica común, al tratar curvas características de diodos, el utilizar

diferentes magnitudes de escala para cada dirección. Obsérvese en la figura b, que la
corriente directa está en miliamperios mientras que la inversa está-en microamperios.
Asimismo, debe tomarse nota de la diferencia en las escalas de voltaje (con diodos de
silicio, la conducción inversa es del orden de 1 000 veces menor).
Región Zener
A medida que el potencial inverso se vuelve más y más negativo, a la larga se alcanza un
punto en el que unos cuantos portadores minoritarios libres han desarrollado la velocidad
suficiente para liberar portadores adicionales por medio de la ionización. Esto es chocan
con electrones de valencia y les imparten suficiente energía para permitir que puedan
abandonar el átomo, estos portadores adicionales pueden contribuir al proceso de
ionización al grado en que se establece una elevada corriente de avalancha y se
determina la región de rompimiento de avalancha (Vz).
La región Zener del diodo semiconductor debe evitarse. El potencial máximo de

polarización inversa que es posible aplicar antes de entrar a esta región se denomina
voltaje pico inverso (o VPI nominal).
Los diodos de silicio tienen, en general valores nominales VPI y de corriente más altos e
intervalos de temperatura más amplios que los diodos de germanio.
En la siguiente figura se muestra este fenómeno.
Figura 2.10. Región Zener.
Modelos del diodo
Modelo ideal
Idealmente el diodo se comporta como un interruptor. En polarización directa se cierra en

polarización inversa permanece abierto.
Figura 2.11. Modelo ideal del diodo
Un parámetro muy importante para el diodo es la resistencia en el punto o región de

operación. Si consideramos la región definida por la dirección de id y la polaridad de Vd
(ver figura cuadrante superior derecho de la grafica), encontraremos que el valor de la
resistencia
𝑉𝑓 0
Rf = = = 0Ω
𝐼𝑓 2,3, … . 𝑜 𝑐𝑢𝑎𝑙𝑞𝑢𝑖𝑒𝑟 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜
Donde Vf, es el voltaje en sentido directo a través del diodo e If es la corriente en sentido
directo a través del diodo.
Si consideramos la región del potencial aplicado negativamente (tercer cuadrante) de la

grafica encontramos que:
𝑉𝑟 −2, −5, −7𝑜 𝑐𝑢𝑎𝑙𝑞𝑢𝑖𝑒𝑟 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑜

Rf = = =∞
𝐼𝑟 0
Donde Vr, es el voltaje en sentido inverso a través del diodo e Ir es la corriente inversa
en el diodo.
Modelo de
potencial de barrera
El siguiente nivel superior de exactitud es el modelo de potencial de barrera. En esta

aproximación, el diodo polarizado en directa se representa como un interruptor cerrado en
serie con una pequeña "batería" igual al potencial de barrera VB (de 0.7 V para el Si y 0.3
V para el Ge), como se muestra en la figura , El extremo positivo de la batería equivalente
es hacia el ánodo. No olvide que el potencial de barrera no puede medirse realmente con
un voltímetro, sino que sólo tiene el efecto de batería al aplicarse polarización en directa.
El diodo polarizado en inversa se representa por un circuito abierto, como en el caso ideal,
pues el potencial de barrera no afecta la polarización en inversa. Lo anterior se muestra
en la parte (c). La curva característica para este modelo se muestra en la figura 23.
Figura 2.12. Modelo de potencial de barrera.
El modelo completo
En este punto se considerará un nivel más de exactitud. En la figura se observa el modelo

del diodo polarizado en directa junto con el potencial de barrera y la resistencia en directa
(volumétrica) de bajo valor. En la figura se muestra cómo la elevada resistencia en inversa
afecta al modelo con polarización en inversa. La curva característica se muestra en la
figura. Otros parámetros, como capacitancia de unión y voltaje de ruptura, adquieren
importancia sólo bajo ciertas condiciones de operación y se considerarán cuando sea
apropiado.
Figura 2.13. Modelo de potencial de barrera.
Análisis de circuitos utilizando diodos
1.- Para el siguiente circuito determinar VD, VR e ID
Solución
Observamos que el diodo esta polarizado directamente por lo que se encuentra en el

estado de conducción. El cual lo podemos representar como se muestra a continuación
par efectos del análisis.
VD= 0.7 V (Ya que el voltaje de operación de un diodo de silicio es 0.7V, ante la
polarización).
VR= V1- VT = 12 -0.7 = 11.3V
𝐕𝐑 𝟏𝟏.𝟑𝐕
𝐈D = 𝐈𝐑 = 𝐑
= 𝟐.𝟐 𝐊Ω= 5.13mA
En cuanto a la práctica obtenemos los siguientes valores
Conclusión:
En este ejercicio podemos observar claramente como la teoría se cumple ya que

simulando el circuito observamos que las mediciones son las mismas que se obtuvieron
en cálculos.
2.- Para el siguiente circuito determinar VD, VR e ID
Solución
Observamos que el diodo esta polarizado inversamente y que el equivalente de éste se
encuentra en circuito abierto. El cual lo podemos representar como se muestra a
continuación par efectos del análisis.
De acuerdo al análisis de circuitos recordamos que:
1. Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje entre sus terminales, pero la
corriente siempre es igual a cero.
2. Un circuito en corto tiene una caída de voltaje de 0 V entre sus terminales, pero la
corriente está limitada sólo por la red circundante.
Por lo que:
ID= 0 A debido a que el circuito está abierto,
VR= R * ID = (0)*(2.2KΩ)= 0V
Para VD; Aplicando la ley de kirchhoff alrededor de la malla se obtiene
V1 – VD -VR = 0
VD= V1 – VR = 12 – 0 = 12V
En la práctica obtenemos:
Nota: Observamos que existe un voltaje en la resistencia (aunque sea en µV); esto puede
ser debido a que el multímetro me está entregando un mínimo voltaje para la mediación
o a la acción de los portadores minoritarios del diodo.
3.- Determine VO, I1, ID1 e ID2 para el siguiente circuito
Solución:
Observamos que los diodos están polarizados directamente por lo que ambos están en el
estado de conducción, para el análisis del circuito lo podemos representar como se
muestra a continuación:
VO= 0.7 (ya que se trata de un diodo de silicio).
𝐕𝐑 𝐄−𝐕𝐃 𝟏𝟐−𝟎.𝟕𝐕
𝐈𝟏 = = = =34.24 mA
𝐑 𝐑 𝟎.𝟑𝟑 𝐊Ω
Suponiendo que los diodos son iguales

𝐈
𝐈𝐃𝟏 = 𝐈𝐃𝟐 = = 17.12 mA.
𝟐
Observamos que midiendo con multimetro obtenemos:
NOTA: Con el ejemplo anterior podemos comprender como se utilizan los diodos en
paralelo para limitar la corriente para no dañar algún dispositivo.
Aplicaciones del diodo
Los diodos tienen muchas aplicaciones en el campo de la electrónica dentro de las más
notables podemos mencionar que son usados como:
 Rectificadores de una señal

 Recortadores
 Sujetadores
 Multiplicadores de voltaje
Rectificadores de una señal
Es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna en corriente continua.

Esto se realiza utilizando diodos rectificadores. Tenemos rectificadores de media onda y
de onda completa.
Rectificador de media onda
Debido a su capacidad para conducir corriente en una sola dirección los diodos se utilizan
en circuitos denominados rectificadores que convierten voltaje de ca en voltajes de cd,
estos se localizan en todas las fuentes de alimentación de cd que operan a partir de una
fuente de voltaje de ca.
Podemos decir que un rectificador es un circuito empleado para eliminar la parte negativa
o positiva de una señal de corriente alterna de entrada convirtiéndola en corriente directa
de salida.
Lo podemos construir a partir de un diodo.
Figura 2.14. Rectificador de media onda.
Si recordamos cómo funciona el diodo en Polarización directa (Vi > 0), En este caso, el
diodo permite el paso de la corriente sin restricción, provocando una caída de potencial
que suele ser de 0,7 V. Este voltaje de 0,7 V se debe a que usualmente se utilizan diodos
de silicio. En el caso del germanio, que es el segundo más usado el voltaje es de 0,3 V
Vo = Vi - VD → Vo = Vi - 0,7 V
y la intensidad de la corriente puede fácilmente calcularse mediante la ley de Ohm:
Polarización inversa (Vi < 0) En este caso, el diodo no conduce, quedando el circuito
abierto. La tensión de salida es nula, al igual que la intensidad de la corriente:
Vo = 0 ; I = 0
Tensión rectificada
→ →
Figura 2.15. Gráfica del rectificador de media onda.
El valor promedio(valor de cd) de la señal está determinado por :
Vcd promedio (valor de cd) = 0.318 (VP- VT)
Vp= Vi
Ejemplo:
Dibujar la salida Vo y determinar el nivel de cd de la salida para el siguiente circuito
Solución
Bajo estas condiciones el diodo conducirá durante la parte negativa de la entrada, para el
periodo completo el nivel de cd es:
Vcd= -0.318Vp = -0.318(20-0.7)= -0.318(19.3)= -6.14V
Podemos checar la forma de onda si colocamos un osciloscopio a la salida del circuito
Nota: En la fuente tenemos valor de entrada en Vrms, por lo que convirtiendo el Vp a este
valor nos da:
VRMS = VPICO x 0.707
VRMS = 20 x 0.707= 14.14 V
Rectificador de onda completa
Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una señal de

corriente alterna de entrada (Vi) en corriente directa de salida (Vo) pulsante. A diferencia
del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la señal se convierte en
positiva o bien la parte positiva de la señal se convertirá en negativa, según se necesite
una señal positiva o negativa de corriente continua.
Existen dos alternativas empleando dos diodos o empleando cuatro diodos (puente de
Graetz).
Rectificador de onda completa utilizando dos diodos
Este tipo de rectificador necesita un transformador con derivación central. La derivación

central es una conexión adicional en el bobinado secundario del transformador, que
divide la tensión (voltaje) en este bobinado en dos voltajes iguales.
Esta conexión adicional se pone a tierra, observar circuito siguiente:
Figura 2.16. Rectificador de onda completa con dos diodos.
Durante el semiciclo positivo de la tensión en corriente alterna (ver Vin color rojo) el diodo
D1 conduce.
La corriente pasa por la parte superior del secundario del transformador, por el diodo D1
por RL y termina en tierra. El diodo D2 no conduce pues está polarizado en inversa
Durante el semiciclo negativo (ver Vin color azul) el diodo D2 conduce. La corriente pasa
por la parte inferior del secundario del transformador, por el diodo D2 por RL y termina
en tierra. El diodo D1 no conduce pues está polarizador en inversa.
Ambos ciclos del voltaje de entrada son aprovechados y el voltaje de salida se verá como
en el siguiente gráfico
Figura 2.17. Gráfica del Rectificador de onda completa.
Rectificador de onda completa utilizando cuatro diodos (puente de Graetz).
El circuito rectificador de onda completa de la figura 2.18, es el que se utiliza si lo que

se desea es utilizar todo el voltaje del secundario del transformador
Figura 2.18. Puente de Graetz.
Los diodos D1 y D3 son polarizados en directo en el semiciclo positivo, los diodos D2 y

D4 son polarizados en sentido inverso. Ver que la corriente atraviesa la resistencia de
carga RL.
Figura 2.19. Diodos D1 y D3 conducen.
El semiciclo negativo, la polaridad del transformador es el inverso al caso anterior y los

diodos D1 y D3 son polarizados en sentido inverso y D2 y D4 en sentido directo. La
corriente como en el caso anterior también pasa por la carga RL, en el mismo sentido
que en el semiciclo positivo.
Figura 2.20. Diodos D2 y D4 conducen.
La salida tiene la forma de una onda rectificada completa.
Figura 2.21. Onda rectificada completa
Esta salida es pulsante y para "aplanarla" se pone un condensador (capacitor) en

paralelo con la carga.
Figura 2.22. Onda rectificada completa
Este capacitor se carga a la tensión máxima y se descargará por RL mientras que la

tensión de salida del secundario del transformador disminuye a cero ("0") voltios, y el
ciclo se repite.
Figura 2.23. Forma de onda rectificada completa con el capacitor.
RECORTADORES
Estos circuitos tienen la característica que “recortan” una parte de la señal de entrada,
sin distorsionar la parte restante de la forma de onda alterna, se utilizan para eliminar
parte de una forma de onda que se encuentre por encima o por debajo de algún
nivel de referencia (nivel de cd). También se conocen como limitadores o selectores
de amplitud. Existen dos categorías:
 En serie
 En paralelo
 En serie-paralelo o mixtos
Recortadores en serie
Es aquella en la que el diodo esta en serie con la carga.
Figura 2.24. Recortador en serie.
Recortadores en paralelo
En esta configuración esta el diodo en paralelo con la carga
Figura 2.25. Recortador en paralelo.
Sujetadores con diodos.
El objetivo de un sujetador es sumar un nivel de cd a una señal de ca. A los sujetadores

algunas veces se les denomina fijadores de nivel o restauradores de cd. Estos circuitos
basan su funcionamiento en la acción del diodo, recordaremos que los limitadores
modifican la forma de onda de entrada en cambio los sujetadores añaden a la señal de
entrada un determinado nivel de c.c. El circuito debe tener un capacitor, un diodo y un
elemento resistivo, pero también pude emplear una fuente de cd independiente para
introducir un corrimiento adicional.
La magnitud de R y C debe elegirse de manera tal que la constante de tiempo T=RC sea
lo suficientemente grande para asegurar que el voltaje en el capacitor no descargue en
forma significativa durante el intervalo en el que el diodo no esté condiciendo.
Existen cuatro tipos básicos
 Sujetador positivo.
 Sujetador negativo.
 Sujetador positivo polarizado.
 Sujetador negativo polarizado.
Sujetador positivo
Hace que el menor nivel alcanzado por la señal sea 0, fijando el nivel de referencia en un
valor positivo.
Sujetador negativo
Hace que el mayor nivel alcanzado por la señal sea 0, es decir desplaza el nivel de
referencia hacia un valor menor que 0.
Sujetador positivo polarizado
Añade el efecto de la polarización de una batería pudiendo ser de dos tipos, según la
disposición de la fuente de polarización.
Polarizado positivo
Polarizado negativo.
Ejemplo: Determinar el voltaje de salida (Vo), para el siguiente circuito
Solución:
Iniciamos el análisis considerando la señal de entrada que polarizara directamente al

diodo. Este lo obtenemos con el periodo de t1 a t2, quedando el siguiente circuito
Para este intervalo obtenemos Vo= 5 V, ya que la salida es a través de R quien se

encuentra en paralelo con la batería.
Para saber con qué voltaje se carga el capacitor aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff a
la trayectoria de entrada, por lo que obtenemos la siguiente ecuación,
-Ventrada + Vc – Vo = 0
Despejando Vc y sustituyendo valores obtenemos lo siguiente
Vc = Ventrada + Vo
Vc = 20V + 5V = 25V
Por lo que el capacitor se cargara hasta 25V.
Cuando se analiza el periodo 0 a t1 el diodo se polariza inversamente por lo que no

conduce y se le considera como circuito abierto para el diodo. Quedando el circuito.
Aplicando la ley de kirchhoff obtenemos lo siguiente:
+10 Vcd + 25 Vcd - Vo = 0

Vo = 35 V
La constante de tiempo de descarga de la figura se determina mediante el producto RC y

su magnitud es:
t = RC = (100 kW )(0.1 mF) = 0.01 s = 10 ms

El tiempo de descarga total es, por lo tanto, 5t = 5(10 ms) == 50 ms.
Como el intervalo t2 a t3 durará sólo 0.5 ms, es sin duda una buena aproximación suponer
que el capacitor sostendrá su voltaje durante el período de descarga entre pulsos de la
señal de entrada. La salida que resulta aparece en la figura siguiente figura junto con la
señal de entrada. Obsérvese que la excursión de la salida de 30 Vcd equivale a la excursión
de entrada.
Multiplicadores de voltaje
Es un circuito eléctrico que convierte tensión de una fuente de corriente alterna a otra de
corriente continua de mayor voltaje mediante etapas de diodos y condensadores.
Por ejemplo si se tiene un transformador de 12 V AC en el secundario, podrán generar

tensiones de 24, 36, 48, … Volt DC, con este tipo de circuitos.
Figura 2.26.
Multiplicador de voltaje.
Hoja de especificación del diodo o datasheets

Los datos relativos a dispositivos semiconductores específicos se proporcionan nor-
malmente por el fabricante en dos formas. Una es una muy breve descripción de un
dispositivo que permitirá, en unas cuantas páginas, una rápida revisión de todos los
dispositivos disponibles. El otro es una revisión completa de un dispositivo, incluso
gráficas, aplicaciones, etc., que suelen aparecer como una entidad separada. Esta última
normalmente se proporciona sólo cuando se solicita en forma específica.
Sin embargo, hay ciertas partes de los datos que casi siempre aparecen en cualquiera
de las dos. Ellas se señalan a continuación:
1. El máximo voltaje en sentido directo VF(máx) (a temperatura y corriente especificadas)
2. La máxima corriente en sentido directo IF(máx) (a una temperatura especificada)
3. La máxima corriente inversa IR(máx) (a una temperatura especificada)
4. El valor nominal de voltaje inverso (VPI) o bien PRV o (BR), donde BR proviene
del término "ruptura" (a una temperatura especificada)
S. Capacitancia máxima
6. tri (tiempo de recuperación en sentido inverso) máximo
7. La máxima temperatura de operación (o del encapsulado)
Dependiendo del tipo de diodo que se está considerando, es posible que también se
proporcionen datos adicionales, como el rango de frecuencia, el nivel de ruido, el tiempo
de conmutación, los niveles de resistencia térmica y los valores pico repetitivos. Para la
aplicación que se tiene en mente, la importancia de los datos casi siempre será evidente
por sí misma. Si la potencia máxima o el valor nominal de disipación se proporciona
también, se entiende que será igual al siguiente producto:
PDmáx = VDID
donde ID y VD son la corriente y el voltaje del diodo en un punto de operación particular,

sin que cada variable exceda su valor máximo.
Figura 2.27. Hoja de especificaciones para el diodo 1N4150.
Encapsulados del diodo
Figura 2.28. Encapsulados de los diodos.
Prueba del diodo con el multimetro
Figura 2.29. Prueba del diodo utilizando multimetro analógico y digital.
DIODO ZENER
El diodo zéner basa su funcionamiento en el efecto zéner, de ahí su nombre.
Recordemos que, en polarización inversa y alcanzada esta zona, a pequeños aumentos

de tensión corresponden grandes aumentos de corriente.
Este componente es capaz de trabajar en dicha región cuando las condiciones de

polarización lo determinen y, una vez hayan desaparecido éstas, recupera sus
propiedades como diodo normal, no llegando por este fenómeno a su destrucción salvo
que se alcance la corriente máxima de zéner IZmáx indicada por el fabricante.
Lógicamente, la geometría de construcción es diferente al resto de los diodos, estribando

su principal diferencia en la delgadez de la zona de unión entre los materiales tipo P y tipo
N, así como de la densidad de dopado de los cristales básicos.
Sus parámetros principales son:
Vz = Tensión nominal de zéner. Polarización inversa en torno a la cual su funcionamiento

es efectivo.
IZmín = Mínima corriente inversa que ha de atravesar el diodo para asegurar su correcto
funcionamiento, también llamada corriente de mantenimiento.
IZmáx = Máxima corriente inversa que lo puede atravesar con garantía de no destrucción.
Pz = Potencia de disipación nominal del componente que no debe ser sobrepasada.
Existen distintos símbolos para su representación esquemática; la Figura 2.30 presenta

los más usuales y su aspecto exterior, que no difiere nada de los diodos semiconductores
normales. En su designación se da información del tipo y de su tensión nominal de zéner.
Figura 2.30. Símbolos del diodo Zener.
Funcionamiento
Como ha quedado expuesto, el diodo zéner está ideado para trabajar con polarización
inversa, careciendo de interés su funcionamiento en polarización directa, que es igual al
de cualquier diodo semiconductor.
La Figura 2.31, corresponde a su característica tensión-corriente, y en ella nos apoyare-

mos para estudiar su funcionamiento.
Figura 2.31. Características tensión-corriente del diodo Zener.
Cuando el zéner está polarizado inversamente, con pequeños valores de tensión se

alcanza la corriente inversa de saturación, prácticamente estable y de magnitudes despre-
ciables a efectos prácticos. .
Si sigue aumentando la tensión de polarización inversa se alcanza un determinado valor,

denominado tensión de codo o de giro, donde los aumentos de corriente son
considerables frente a los aumentos de tensión (apréciese en torno a esta tensión la
curvatura de la gráfica). Sobrepasada esta zona, a pequeños incrementos de tensión
corresponden aumentos elevados de la corriente Iz.
Alcanzada la circunstancia anterior, nos encontramos en la región de trabajo efectivo del

zéner. Debemos hacer ciertas consideraciones en este momento:
1. Se ha de asegurar que, en régimen de trabajo, el diodo sea atravesado como
mínimo por una corriente inversa, IZmín, expresada por el fabricante para excluir la
región de giro del funcionamiento normal.
2. No se debe sobrepasar en ningún caso IZmáx para asegurar la supervivencia del

componente.
3. Estos dos valores de Iz llevan asociados un par de valores de tensión, Vz; aproxi-
madamente, el valor medio de ellos representa la tensión nominal de zéner Vznom.
Se suele expresar en las características un porcentaje de tolerancia sobre la
tensión nominal.
4. La potencia disipada en cada momento, Pz, vendrá expresada por el producto de

los valores instantáneos de Vz e Iz.
5. Los valores de IZmín e IZmáx con sus valores de Vz asociados representan la región
de trabajo.
En estos momentos estamos en condiciones de asegurar que, en la región de trabajo,
el zéner es capaz de mantener en sus extremos una tensión considerablemente estable.
En muchas circunstancias la tensión aplicada a una carga puede sufrir variaciones

indeseables que alteren el funcionamiento normal de la misma.
Estas variaciones generalmente vienen provocadas por:
1. Una variación de la resistencia de carga, que lleva emparejada una variación de la

intensidad de carga.
2. Variaciones de la propia fuente de alimentación.
3. Por ambas causas.
Por lo que la principal aplicación de estos diodos se ve en los Reguladores de Tensión y

actúa como dispositivo de tensión constante (como una pila).
Si elegimos un diodo zéner de tensión nominal igual a la que es necesaria aplicar a la

carga y somos capaces de hacerlo funcionar en su región de trabajo, conseguiremos una
tensión sin apenas variaciones.
DIODO LED DIODO EMISOR DE LUZ (Light-Emitting Diode)
Es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz policromática, es decir, con

diferentes longitudes de onda, cuando se polariza en directa y es atravesado por la
corriente eléctrica.
Los LED´s han reemplazado a los focos en diversas aplicaciones debido a las siguientes
ventajas:
1. Consumen poco voltaje

2. Su vida útil es muy larga (más de 20 años)
3. Su tiempo de conmutación es muy breve (nanosegundos, ns)
En los diodos rectificadores, los electrones libres y los huecos se recombinan en la unión.
Cuando un electrón libre cae en un hueco, desciende de un nivel de energía mayor a uno
menor. Conforme esto sucede, el electrón irradia energía en forma de calor y luz (este
exceso de energía que se libera en forma de paquetes de luz conocidos como fotones).
Como el silicio es opaco no es transparente, no existe la posibilidad de que la luz irradie
al exterior. En otros materiales como el fosfuro arseniuro de galio (GaAsP) ) o el fosfuro
de galio (GaP), el número de fotones de la energía luminosa emitida es suficiente para
crear una fuente luminosa muy visible. El proceso de producción de luz aplicando una
fuente de energía eléctrica se denomina electroluminiscencia.
El funcionamiento físico consiste en que, un electrón pasa de la banda de conducción a

la de valencia, perdiendo energía. Esta energía se manifiesta en forma de un fotón
desprendido, con una amplitud, una dirección y una fase aleatoria.
Figura 2.32. Diodo LED.
El dispositivo semiconductor está comúnmente encapsulado en una cubierta de plástico

de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las lámparas
incandescentes. Aunque el plástico puede estar coloreado, es sólo por razones estéticas,
ya que ello no influye en el color de la luz emitida.
Figura 2.33. Aspecto físico del Diodo LED.
La diferencia de potencial varía de acuerdo a las especificaciones relacionadas con el

color y la potencia soportada.
En términos generales puede considerarse:
Rojo = 1,6V
Rojo alta luminosidad = 1,9V
Amarillo = 1,7V a 2V
Verde = 2,4V
Naranja = 2,4V
Blanco brillante = 3,4V
Azul = 3,4V
Azul 430nm = 4,6V
Blanco = 3,7V
Aplicaciones
Sus usos principales son en circuitos de lectura digital y en despliegues alfanuméricos,
pero también se utilizan como fuentes moduladas de luz en dispositivos como son las
lámparas contra robos, mecanismos para abrir puertas automáticamente, contadores de
líneas, lectores de tarjetas digitales , sistemas de sonido, control remotos etc.

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UNIDAD DE APRENDIZAJE ELEMENTOS ELECTRONICOS.

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Figura 1.1 Materia

Un compuesto es la combinación de dos elementos para producir materiales cuyas

Figura 1.2. Compuesto

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La molécula es la partícula más pequeña a la que puede reducirse un compuesto, antes

Figura 1.3. Molécula

El átomo es la partícula más pequeña a la que se puede reducir un elemento y que

Figura 1.4. Átomo

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Figura 1.5. Número Atómico.

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A continuación se muestra algunos elementos y sus capas electrónicas.

Electrones por capa

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Figura 1.6. Átomo de silicio sin excitación.

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En un aislante la separación entre la banda de valencia y la banda de conducción es muy

Figura 1.7. Bandas energéticas.

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Estructura Atómica del germanio y silicio

Figura 1.8. Átomo de Silicio y Germanio.

Figura 1.9. Enlace covalente del átomo de Silicio.

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Intrínsecos es el estado puro o natural de un material. Aunque el enlace covalente permite

Un semiconductor puro (o cualquier compuesto), siempre tienen algunos electrones libres

Podemos alterar las características de los materiales semiconductores mediante la adición

Cuando un material semiconductor se ha sometido a un proceso de impurificación se

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En la siguiente figura se muestra el enlace covalente de este proceso en un átomo de

Figura 1.10. Material extrínseco tipo n.

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Figura 1.11. Material extrínseco tipo p.

Como resultado en un semiconductor inyectado con impurezas trivalentes, los portadores

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Si a un material semiconductor ya sea de germanio o de silicio, se introducen impurezas

Figura 2.1. Unión P-N.

Al realizar la unión se produce una difusión de electrones hacia la zona p y de huecos

Figura 2.2. Zona de agotamiento.

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Si a la unión p-n se le aplica una diferencia de potencial en el sentido en que se indica en

Figura 2.3. Polarización directa.

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En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a

Figura 2.4. Polarización inversa.

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Figura 2.5. Diodo semiconductor.

El símbolo del diodo es como se muestra a continuación

Figura 2.6. Símbolo del diodo semiconductor.

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La punta de la flecha indica la sección p y apunta en sentido del flujo de huecos o en el

En su cuerpo está marcada la señalización de las regiones y el código de identificación.

Figura 2.7. Aspecto físico del diodo semiconductor.

Las terminales se denominan:

Ánodo (A), conectado a la región P

Cátodo (K), conectado a la región N