Anda di halaman 1dari 11

KARAKTERISTIK THYRISTOR DAN

SILICON CONTROLLED RECTIFIER


(SCR)

Nama : Muhammad Fahmi Mukhlis


NPM : 14416801

Kelas : 3IB02

TEKNIK ELEKTRO

UNIVERSITAS GUNADARMA
2019
 Thyristor

Thyristor berasal dari bahasa Yunani yang berarti ‘pintu’. Sifat dan cara kerja
komponen ini memang mirip dengan pintu yang dapat dibuka dan ditutup untuk
melewatkan arus listrik. Thyristor merupakan salah satu tipe devais semikonduktor
daya yang paling penting dan telah banyak digunakan secara ekstensif pada
rangkaian daya . Thyristor biasanya digunakan sebagai saklar/bistabil, beroperasi
antara keadaan non konduksi ke konduksi. Pada banyak aplikasi, thyristor dapat
diasumsikan sebagai saklar ideal akan tetapi dalam prakteknya thyristor memiliki
batasan karakteristik tertentu. Beberapa komponen yang termasuk thyristor
antara lain PUT (Programmable Uni-junction Transistor), UJT (Uni-Junction
Transistor ), GTO (Gate Turn Off Thyristor), SCR (Silicon Controlled Rectifier), LASCR
(Light Activated Silicon Controlled Rectifier), RCT (Reverse Conduction Thyristor),
SITH (Static Induction Thyristor), MOS-Controlled Thyristor (MCT).

Gambar 1 Thyristor

Struktur dan Simbol Thyristor

Thyristor adalah suatu bahan semikonduktor yang tersusun atas 4 lapisan (layer)
yang berupa susunan P-N-P-N junction, sehingga thyristor ini disebut juga sebagai
PNPN diode. Struktur Thyristor dan simbolnya dapat dilihat pada Gambar 1.

1
Struktur dasar thyristor adalah struktur 4 layer PNPN seperti yang ditunjukkan pada
Gambar 1. Sebuah thyristor dapat bekerja dan dapat disimulasikan terdiri dari
sebuah resistor R on, Sebuah induktor Lon, sebuah sumber tegangan DC V yang
terhubung seri dengan Switch (SW). SW dikontrol oleh signal Logic yang yang
bergantung pada tegangan Vak, arus Iak dan signal Gate (G). Simulasi ini dapat
dilihat pada Gambar 2.

2
Gambar 3 memperlihatkan bahwa kolektor transistor Q1 tersambung pada base
transistor Q2 dan sebaliknya kolektor transistor Q2 tersambung pada base
transistor Q1. Rangkaian transistor yang demikian menunjukkan adanya loop
penguatan arus di bagian tengah. Dimana diketahui bahwa Ic = Ib, yaitu arus
kolektor adalah penguatan dari arus base. Jika misalnya ada arus sebesar Ib yang
mengalir pada base transistor Q2, maka akan ada arus Ic yang mengalir pada
kolektor Q2. Arus kolektor ini merupakan arus base Ib pada transistor Q1, sehingga
akan muncul penguatan pada pada arus kolektor transistor Q1. Arus kolektor
transistor Q1 tdak lain adalah arus base bagi transistor Q2. Demikian seterusnya
sehingga makin lama sambungan PN dari thyristor ini di bagian tengah akan
mengecil dan hilang. Tertinggal hanyalah lapisan P dan N dibagian luar. Jika
keadaan ini tercapai, maka struktur yang demikian todak lain adalah struktur dioda
PN (anoda-katoda) yang sudah dikenal. Pada saat yang demikian, disebut bahwa
ON dan dapat mengalirkan arus dari anoda menuju katoda seperti layaknya sebuah
dioda.

3
Karakteristik Thyristor

Pada Gambar 4 terlihat bahwa ketika tegangan anode dibuat lebih positif
dibandingkan dengan tegangan katode, sambungan J1 dan J3 berada pada kondisi
forward bias, dan sambungan J2 berada pada kondisi reverse bias sehingga akan
mengalir arus bocor yang kecil antara anode dan katode. Pada kondisi ini thyristor
dikatakan forward blocking atau kondisi off-state, dan arus bocor dikenal sebagai
arus off-state ID. Jika tegangan anode ke katode VAK ditingkatkan hingga suatu
tegangan tertentu , sambungan J2 akan bocor. Hal ini dikenal dengan avalance
breakdown dan tegangan VAK tersebut dikenal sebagai forward breakdown
voltage, VBO. Dan karena J1 dan J3 sudah berada pada kondisi forward bias, maka
akan terdapat lintasan pembawa muatan bebas melewati ketiga sambungan , yang
akan menghasilkan arus anode yang besar. Thyristor pada kondisi tersebut berada
pada kondisi konduksi atau keadaan hidup. Tegangan jatuh yang terjadi
dikarenakan oleh tegangan ohmic antara empat layer dan biasanya cukup kecil
yaitu sekitar 1 V. Pada keadaan on, arus dari suatu nilai yang disebut dengan
latching current IL, agar diperoleh cukup banyak aliran pembawa muatan bebas
yang melewati sambungan-sambungan , jika tidak maka akan kembali ke kondisi
blocking ketika tegangan anode ke katode berkurang. Latching current ( IL ) adalah
arus anode minimum yang diperlukan agar membuat thyristor tetap kondisi hidup,
begitu thyristor dihidupkan dan sinyal gerbang dihilangkan. Ketika berada pada
kondisi on, thyristor bertindak sebagai diode yang tidak terkontrol. Devais ini terus
berada pada kondisi on karena tidak adanya lapisan deplesi pada sambungan J2
karena pembawa – pembawa muatan yang bergerak bebas. Akan tetapi, jika arus
maju anode berada dibawah suatu tingkatan yang disebut holding current IH,
daerah deplesi akan terbentuk disekitar J2 karena adanya pengurangan banyak
pembawa muatan bebas dan thyristor akan berada pada keadaan blocking. Holding
current terjadi pada orde miliampere dan lebih kecil dari latching current IL, IH>IL.
Holding current IH adalah arus anode minimum untuk mempertahankan thyristor
pada kondisi on. Ketika tegangan katode lebih positif dibanding dengan anode,
sambungan J2 terforward bias, akan tetapi sambungan J1 dan J3 akan ter-reverse
bias. Hal ini seperti diode – diode yang terhubung secara seri dengan tegangan balik
bagi keduanya. Thyrstor akan berada pada kondisi reverse blocking dan arus bocor
reverse dikenal sebagai reverse current IR. Thyristor akan dapat dihidupkan dengan
meningkatkan tegangan maju VAK diatas VBO, tetapi kondisi ini bersifat merusak.
dalam prakteknya, tegangan maju harus dipertahankan dibawah VBO dan thyristor
dihidupkan dengan memberikan tegangan positf antara gerbang katode. Begitu
thyristor dihidupkan dengan sinyal penggerbangan itu dan arus anodenya lebih
4
besar dari arus holding, thyristor akan berada pada kondisi tersambung secara
positif balikan, bahkan bila sinyal penggerbangan dihilangkan . Thyristor dapat
dikategorikan sebagai latching devais. Thyristor dapat bertingkah seperti dua
transistor dengan penurunan rumus sebagai berikut :

IB1 = IC2 + IGn

IB2 = IC1 + IGp

Gambar 5 Karakterisitik Thyristor

5
Thyristor mempunyai 3 keadaan atau daerah, yaitu :

1. Keadaan pada saat tegangan balik (daerah I)


2. Keadaan pada saat tegangan maju (daerah II)
3. Keadaan pada saat thyristor konduksi (daerah III)

Pada daerah I, thyristor sama seperti diode, dimana pada keadaan ini tidak ada arus
yang mengalir sampai dicapainya batas tegangan tembus (Vr). Pada daerah II
terlihat bahwa arus tetap tidak akan mengalir sampai dicapainya batas tegangan
penyalaan (Vbo). Apabila tegangan mencapai tegangan penyalaan, maka tiba – tiba
tegangan akan jatuh menjadi kecil dan ada arus mengalir. Pada saat ini thyristor
mulai konduksi dan ini adalah merupakan daerah III. Arus yang terjadi pada saat
thyristor konduksi, dapat disebut sebagai arus genggam (IH = Holding Current).
Arus IH ini cukup kecil yaitu dalam orde miliampere. Untuk membuat thyristor
kembali off, dapat dilakukan dengan menurunkan arus thyristor tersebut dibawah
arus genggamnya (IH) dan selanjutnya diberikan tegangan penyalaan.

Secara umum, aplikasi Thyristor adalah :

• Mengontrol kecepatan dan frekuensi

• Penyearahan

• Pengubahan daya

• Manipulasi robot

• Kontrol temperatur

• Kontrol cahaya

6
 SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Thursday, October 30th, 2014 - Komponen Aktif

SCR (silicon controlled rectifier) merupakan salah satu jenis thyristor dengan 3
buah pin yaitu Anoda, Katoda dan Gate. Untuk membuat SCR menjadi ON adalah
dengan memberi arus trigger lapisan P yang dekat dengan katoda. Yaitu dengan
membuat kaki gate pada thyristor PNPN seperti pada gambar dibawah. Karena
letaknya yang dekat dengan katoda, bisa juga pin gate ini disebut pin gate katoda
(cathode gate). Konstruksi SCR dan simbol SCR digambarkan seperti gambar
berikut.

SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Konstruksi Dan Simbol SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Melalui kaki (pin) gate tersebut memungkinkan komponen ini di trigger menjadi
ON, yaitu dengan memberi arus gate. Ternyata dengan memberi arus gate Ig yang
semakin besar dapat menurunkan tegangan breakover (Vbo) sebuah SCR. Dimana
tegangan ini adalah tegangan minimum yang diperlukan SCR untuk menjadi ON.
Sampai pada suatu besar arus gate tertentu, ternyata akan sangat mudah membuat
SCR menjadi ON. Bahkan dengan tegangan forward yang kecil sekalipun. Misalnya
1 volt saja atau lebih kecil lagi.

7
Karakteristik SCR (Silicon Controlled Rectifier)
Kurva tegangan dan arus dari sebuah SCR adalah seperti yang ada pada gambar
berikut.

Karakteristik Arus Dan Tegangan SCR

Pada gambar tertera tegangan breakover Vbo, yang jika tegangan forward SCR
mencapai titik ini, maka SCR akan ON. Lebih penting lagi adalah arus I g yang dapat
menyebabkan tegangan Vbo turun menjadi lebih kecil. Pada gambar ditunjukkan
beberapa arus Ig dan korelasinya terhadap tegangan breakover. Pada datasheet
SCR, arus trigger gate ini sering ditulis dengan notasi IGT (gate trigger current). Pada
gambar ada ditunjukkan juga arus Ih yaitu arus holding yang mempertahankan SCR
tetap ON. Jadi agar SCR tetap ON maka arus forward dari anoda menuju katoda
harus berada di atas parameter ini.

Sejauh ini yang dikemukakan adalah bagaimana membuat SCR menjadi ON. Pada
kenyataannya, sekali SCR mencapai keadaan ON maka selamanya akan ON,
walaupun tegangan gate dilepas atau di short ke katoda. Satu-satunya cara untuk
membuat SCR menjadi OFF adalah dengan membuat arus anoda-katoda turun
dibawah arus Ih (holding current). Pada gambar-5 kurva I-V SCR, jika arus forward
berada dibawah titik Ih, maka SCR kembali pada keadaan OFF. Berapa besar arus
holding ini, umumnya ada di dalam datasheet SCR.
Cara membuat SCR menjadi OFF tersebut adalah sama saja dengan menurunkan
tegangan anoda-katoda ke titik nol. Karena inilah SCR atau thyristor pada umumnya
tidak cocok digunakan untuk aplikasi DC. Komponen ini lebih banyak digunakan

8
untuk aplikasi-aplikasi tegangan AC, dimana SCR bisa OFF pada saat gelombang
tegangan AC berada di titik nol.

Ada satu parameter penting lain dari SCR, yaitu VGT. Parameter ini adalah tegangan
trigger pada gate yang menyebabkab SCR ON. Kalau dilihat dari model thyristor
seperti pada gambar sebelumny diatas, tegangan ini adalah tegangan Vbe pada
transistor Q2. VGT seperti halnya Vbe, besarnya kira-kira 0.7 volt. Seperti contoh
rangkaian gambar dibawah ini sebuah SCR diketahui memiliki IGT = 10 mA dan VGT =
0.7 volt. Maka dapat dihitung tegangan Vin yang diperlukan agar SCR ini ON adalah
sebesar :

Vin = Vr + VGT
Vin = IGT(R) + VGT = 4.9 volt

Rangkaian Bias Tegangan SCR (Silicon Controlled Rectifier)

9
Daftar Pustaka

Petruzella F.D., 2001, Elektronik Industri, Andi Yogyakarta

Rashid M.H., 1999, Elektronika Daya, PT. Prenhallindo, Jakarta

Rockis G., Solid State Fundamentals for Electricians, Energy Concepts Inc.

Hasad A. 2011. Materi Kuliah Elektronika Industri, Teknik Elektro, UNISMA, Bekasi.

http://zonaelektro.net/scr-silicon-controlled-rectifier/

10