MUHAMMAD HIDAYAT[3221801022]
DAVID SUGIANTO LIMBONG[3221801027]
GREACE HANNA R. PANGGABEAN[3221801003]
VIKTOR TORKIS SIAHAAN[3221801008]
Program Studi Teknik Elektronika Manufaktur Politeknik Negeri Batam
1. PENDAHULUAN
Transistor adalah alat semikonduktor yang berfungsi sebagai penguat, switching,
dan stabilisasi tegangan. Pada umumnya transistor di bagi 2, yaitu transistor PNP dan
NPN. Dari pembagian ini akan diklasifikasikan lagi tergantung jenis-jenis transistor
tersebut. Transistor PNP adalah transistor yang sumbernya terletak pada gate positif.
Sedangkan NPN adalah transistor yang sumbernya terletak pada gate negatif.
Transistor dapat berfungsi sebagai switching dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau
tegangan inputnya (FET) memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari
sumber listriknya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik
modern. Dalam rangkain analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat).
Rangkain analog melingkupi pengeras suara, penyetabil sumber listrik, dan penguat
sinyal radio. Dalam rangkain digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan
tinggi sehingga berfungsi sebagai gerbang logika, memori, dll.
TUJUAN PRAKTIKUM
Setelah melakukan percobaan ini diharapkan mahasiswa dapat:
1) Mengetahui perbedaan antara transistor bipolar dan transistor efek medan
2) Menggambar kurva karakteristik drain
3) Menggambar kurva karakteristikarus drain dengan tegangan gate-source berbeda
4) Menggambarkan kurva transduktansi sebuah FET dari kurva ID VS VGS.
2. STUDI PUSTAKA
JFET adalah komponen tiga terminal dimana salah satu terminal dapat mengontrol
arus antara dua terminal lainnya. JFET terdiri atas dua jenis, yakni kanal-N dan kanal-
P, sebagaimana transistor terdapat jenis NPN dan PNP. Pada umumnya penjelasan
tentang JFET (junction field-effect transistor) adalah kanal-N, karena untuk kanal-P adalah
kebalikannya.
3. METODOLOGI
Alat dan Bahan:
1) Power supply DC 1 buah
2) Multimeter digital 2 buah
3) Resistor 560 ohm 1 buah
4) JFET 1 buah
5) Kabel secukupnya
Langkah Kerja:
1) Buatlah rangkaian seperti gambar 2.
2) Atur tegangan VDD seperti ditunjukan pada tabel 1, amatilah perubahan nilai yang
ditunjukan oleh ampermeter, masukanlah hasilnya dala tebel1.
3) Buatlah rangkaian seperti gambar 3.
4) Dengan mempertahankan VGG = 0V, atur tegangan VDD sesuai dengan tabel 1.
5) Amatilah perubahan nilai yang ditunjukan oleh ampermeter, masukanlah hasilnya
dala tebel 2.
6) Ulangi langkah 4 dan 5 untuk nilai-nilai tegangan VDD yang lain pada tabel.
560
0 -20 V
560
0 -20 V
0 – 10 V
4. HASIL DAN ANALISIS
TABEL 1
VDD ID(mA)
0 0
1 1
2 2
3 3.3
4 4.3
5 5.3
6 6.5
7 7.5
8 8.5
9 9.6
10 10.6
TABEL 2
VGG VDD ID(mA)
0 0
1 0.5
2 1.5
3 2.5
4 3.5
0 5 4.5
6 5.6
7 6.5
8 7.5
9 8.5
10 9.5
0 0.053
1 1.3
2 2.3
3 3.3
4 4.4
1 5 5.5
6 6.6
7 7.5
8 8.5
9 9.8
10 10.8
0 1.5
1 2.5
2 3.5
3 4.5
4 5.5
2 5 6.5
6 7.5
7 8.5
8 9.9
9 10.8
10 12
0 2.5
1 3.5
2 4.5
3 5.5
4 6.5
3 5 7.5
6 8.5
7 9.9
8 10.8
9 11.8
10 13
0 3.5
1 4.5
2 5.5
3 6.5
4 7.5
4 5 8.5
6 10
7 10.8
8 12
9 13
10 14
0 4.5
1 5.5
2 6.5
3 7.5
4 8.5
5 5 10
6 11
7 12
8 13
9 14
10 15
ANALISIS
1. TABEL 1
IDSS = 0.4 mA
VP = 5 VOLT
2. TABEL 2
TUGAS PENDAHULUAN
1) BJT dikendalikan arus sedangkan FET dikendalikan tegangan
2) Kurva transkoduktansi adalah perubahan arus ID terhadap perubahan VGS
3) Jika channel antara source dengan drain cukup lebar maka elektron akan mengalir dari
source ke drain. Jika channel antara source dengan drain menyempit maka elektron akan
berkurang bahkan berhenti sama sekali. Lebar channel ditentuka Vgs
4) Pinch-off adalah tegangan drain di atas tegangan ini arus drain menjadi konstan
5)
6. KESIMPULAN
Semakin besar nilai tegangan Vds yang di berikan makan semakin besar pula arus
drain yang mengalir dan semakin negatif tegangan Vgs yang diberikan maka arus drai
semakin kecil pula akibatnya semakin melebarnya lapisan deplation layer.
7. DAFTAR PUSTAKA
- Elektronika dasar.web.id