5.

1 Tujuan Praktikum
1. Mahasiswa dapat membuat grafik nilai VCE terhadap Ic
2. Mahasiswa dapat menentukan nilai β atau penguatan pada transistor
3. Mahasiswa dapat membuat analisa dc sweep dengan menggunakan multisim

5.2 Teori Transistor

Sebelum membahas karakteristik dan daerah kerja Transistor, perlu disepakati terlebih dahulu
beberapa simbol tegangan yang terdapat pada Transistor. Rangkaian Transistor memiliki tiga tipe
tegangan. Ketiga tipe tegangan itu adalah:
 Sumber Tegangan Transistor : VBB dan VCC
 Tegangan Terminal Transistor : VB, Vc dan VE
 Tegangan Lintas Persambungan : VBE, VCE, dan VCB
Sebagaimana yang tampak pada Gambar 9.1 di bawah ini.

Gambar 6.1. Tegangan-tegangan pada Rangkaian Transistor

Karakteristik yang paling penting dari Transistor adalah grafik Dioda Kolektor-Emiter, yang biasa
dikenal dengan Kurva Tegangan-Arus (V-I Curve). Kurva ini menggambarkan arus Kolektor, IC, dengan
tegangan lintas persambungan Kolektor – Emiter, VCE, dimana harga-harga tersebut diukur dengan
arus Basis, IB, yang berbeda-beda. Rangkaian yang digunakan untuk mendapatkan kurva tampak pada
Gambar 6.2 di bawah ini.

Gambar 6.2 Rangkaian Transistor Common Emitter untuk Kurva Tegangan-Arus

Hasil pengukuran rangkaian Transistor tersebut ditunjukkan secara kualitatif mengindikasikan

bahwa terdapat 4 (empat) buah daerah operasi, yaitu:
 Daerah Potong (Cutoff Region)
 Daerah Saturasi (Saturation Region)
 Daerah Aktif (Active Region), dan
 Daerah Breakdown.
Setiap daerah memiliki karakteristik masing-masing. Fungsi dan kegunaan Transistor dapat diketahui
dengan memahami karakteristik-karakteristik Transistor tersebut.

5.3 Alat/Bahan
Percobaan ini membutuhkan alat/bahan sebagai berikut,
No Nama Jumlah
1. Transistor NPN 1
2. Resistor 50kohm 1
3. Resistor 100 ohm 1
4. DC Power Supply 1
5. Potensiometer 50 kohm 2
6. projectboard 1
7. oscilloscop 1
 8 Function Generator 1
9 Kabel jumper

5.4 Prosedur Percobaan :

1) Rangkai alat dan bahan seperti pada Gambar 6.3. Chanel 1 sebagai nilai X-axis input dan . Chanel 2
sebagai nilai Y-axis input. X sebagai nilai VCE dan Y sebagai nilai IE

Gambar 6.3 Rangkaian Transistor Common Emitter untuk Kurva Tegangan-Arus

2) Atur nilai VBB sehingga menunjukkan nilai 100µA, letakkan channel 1 pada kaki kolektor dan channel
2 pada kaki emiter.

3) Atur volt/div dan kontrol position pada kedua channel sehingga tampak pada layar sebagai berikut:

Gambar 6.4 Grafik IE terhadap VCE

4) Nilai β dapat dihitung yaitu β=IC/ IB=5mA/20µA= 250

5) kemudian tingkatkan nilai VBB sehingga arus basis IB terus naik sesuai dengan tabel 6.1
 Tabel 1. Karakteristik transistor

IB VE Ic = VE/RL β=IC/ IB

5.5 Tugas
1. Ambil gambar tiap percobaan yang anda lakukan
2. Lakukan analisa secara teori terhadap percobaan yang telah dilakukan. Kemudian
bandingkan hasilnya dengan hasil percobaan.
3. Buatlah kesimpulan dari hasil analisa yang saudara lakukan.

5.6 Pertanyaan Pengembangan

1. Simulasikan dengan salah satu program simulasi masing-masing rangkaian percobaan
saudara.

5.7 Daftar Pustaka

[1] http://www.electronics-tutorials.ws (diakses tanggal 27 september 2015)
[2] http://www.keysight.com (diakses tanggal 27 september 2015)