UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA

PREVIO Nro. 1

“LABORATORIOS 4 Y 5 DE LA GUÍA”
CURSO:
Laboratorio de análisis y diseño de circuitos electrónicos ML 831

DOCENTE:
Capcha Buiza Pedro

ALUMNOS:
AVILA TARRILLO MARLON 20161188F
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FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA

LABORATORIO Nro. 4

DISEÑO Y ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR MONO-ETAPA:

CONEXIÓN EN CASCADA Y AMPLIFICADOR DARLINGTON

OBJETIVOS
 Diseñar y analizar el funcionamiento de un circuito amplificador mono-etapa, haciendo uso
de un transistor bipolar, teniendo en cuenta la corriente, la ganancia de tensión e
impedancia de entrada y de salida.

 Implementar y analizar el funcionamiento de un circuito amplificador cascada, teniendo en

cuenta la ganancia de tensión, la onda de entrada y la onda de salida.

 Implementar y analizar el funcionamiento de un circuito amplificador Darlington, teniendo

en cuenta la ganancia de tensión, la onda de entrada y la onda de salida.

FUNDAMENTO TEÓRICO

1. TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor de unión bipolar es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través
de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

El transistor bipolar está compuesto por 3 terminales, llamadas base, colector y emisor.
Estos dispositivos son controlados por corriente. Existen 3 tipos de configuraciones de
transistores bipolares con características particulares cada una de estas configuraciones.

Mencionaremos las 3 configuraciones de un transistor bipolar:

1- Emisor Común.
2- Base Común.
3- Colector Común.
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1.1. ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO:

Figura 1. Estados de funcionamiento del transistor bipolar

1.1.1 SATURACIÓN. El transistor permite el paso de corriente desde el colector

al emisor. De todas formas esta corriente no puede ser demasiado elevada,
ya que la propia corriente calienta al transistor por efecto Joule y si se
calienta excesivamente, puede estropearse de forma permanente.

Para un transistor de silicio que se encuentra en saturación la tensión entre

la base y el emisor es de 0,7 V y entre la base y el colector de unos 0,5 V, de
donde se deduce que la tensión entre el colector y el emisor será de unos
0,2 V.

1.1.2. CORTE. En este estado el transistor no permite el paso de corriente entre

el colector y el emisor, se comporta como si fuera un interruptor abierto.

Para un transistor de silicio que se encuentra en corte las corrientes de

emisor y de colector son nulas y las tensiones entre la base y el emisor y
entre la base y el colector son ambas menores de 0,7 V.

1.1.3. AMPLIFICACIÓN. Cuando un transistor se encuentra en este estado de

funcionamiento, permite amplificar la potencia de una señal.

Por lo tanto si lo que se pretende es que el transistor se comporte como un

interruptor controlado electrónicamente, lo único que hay que conseguir es
que pase de los estados de saturación a corte y viceversa. Eso sí hay que
tener en cuenta las limitaciones de corriente, para no deteriorarle.
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En electrónica digital, los transistores suelen estar funcionando en

saturación o en corte.

2. AMPLIFICADOR MONOETAPA CON TRANSISTORES BIPOLARES

En esta figura vemos un amplificador mono-etapa de emisor común para señales débiles,
este está excitado mediante un generador de tensión. Primero procederemos a realizar el
estudio estático para obtener el punto Q de polarización.

Figura 2. Amplificador monoetapa con transistores bipolares

1.2. ANÁLISIS ESTÁTICO

Como vamos a realizar el estudio en continua se cortocircuito el generador (se anula la

excitación) y como la frecuencia es cero, entonces los capacitores se comportan como un
circuito abierto, eso quiere decir que la reactancia capacitiva tiende a infinito.

𝟏
𝐗𝑪 = = 𝒊𝒏𝒇𝒊𝒏𝒊𝒕𝒐
𝟐𝝅𝒇𝒄

Entonces el circuito nos queda de la siguiente manera:

Figura 3. Análisis estático del amplificador monoetapa

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Observando este circuito podemos obtener el punto Q de polarización debemos obtener la

corriente de colector y la tensión colector emisor. En primer lugar analizamos la malla de
entrada del transistor, aplicando el teorema de Thevenin podemos obtener los puntos de
polarización. Podemos plantear al circuito de otra manera aplicando el teorema de Thevenin.

𝑹𝟐
𝑽𝑻𝒉 = 𝑽𝒄𝒄
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐

𝑹𝒃 = 𝑹𝟏 // 𝑹𝟐

Utilizando la Segunda Ley de Kirchoff: 𝑽𝑻𝒉 – 𝑰𝒃 𝑹𝒃 – 𝑽𝒃𝒆 – 𝑰𝒄𝒒 𝑹𝒆 = 𝟎.

Como: 𝑰𝒄𝒒 = 𝑰𝒃 𝑯𝒇𝒆

𝑹𝒃
𝑽𝑻𝒉 – 𝑰𝒄𝒒 − 𝑽𝒃𝒆 – 𝑰𝒄𝒒 𝑹𝒆 = 𝟎.
𝑯𝒇𝒆

Figura 4. Teorema de Thevenin aplicado al análisis estático del amplificador mono-etapa

Si el ℎ𝑓𝑒 (ganancia estática del transistor) es muy grande podemos llegar a despreciar ese
término y la ecuación de entrada nos queda de la siguiente manera.

𝑽𝑻𝒉 − 𝑽𝒃𝒆
𝑰𝒄𝒒 =
𝑹𝒆

Mediante esta ecuación sacamos las siguientes conclusiones, en primer lugar la corriente
del colector depende del valor de la resistencia del emisor (también podemos verla como
un generador de corriente). En caso que Re sea grande la corriente del colector sería una
pequeña y demostraremos más adelante que disminuye la ganancia de tensión del
transistor.

Ahora analizaremos la malla de salida del transistor.

𝑽𝒄𝒄 – 𝑰𝒄𝒒 𝑹𝑪 – 𝑹𝒄𝒆𝒒 – 𝑰𝒄𝒒 𝑹𝒆 = 𝟎

𝑽𝒄𝒆𝒒 = 𝑽𝒄𝒄 – 𝑰𝒄𝒒 (𝑹𝑪 + 𝑹𝒆 )

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Figura 5. Análisis de malla de salida del transistor del amplificador mono-etapa

1.3. ANÁLISIS DINÁMICO

Se aplica una alimentación alterna al transistor, las reactancias capacitivas se comportan

como un cortocircuito (𝑋𝐶 tendería a cero), anulándose las fuentes de alimentación de
corriente continua. Veremos el circuito equivalente a continuación.

Figura 6. Análisis dinámico del amplificador monoetapa

Desarrollaremos un poco más en detalle al transistor:

Figura 7. Transistor detallado

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Dónde:

𝑹𝒊 : Resistencia de entrada del transistor.

𝑹𝒊𝒂 : Resistencia de entrada de la etapa amplificadora.

𝑹𝒊𝒔 : Resistencia de entrada del sistema.

Por otro lado 𝑹𝒊𝒂 es igual al paralelo de la resistencia 𝑹𝒃 con la 𝑹𝒊 o 𝒉𝒊𝒆

𝑹𝒊𝒂 = 𝑹𝒃 // 𝒉𝒊𝒆

Lo cual 𝑹𝒊𝒂 sería prácticamente igual a 𝒉𝒊𝒆 , debido que 𝑹𝒃 ˃˃ 𝒉𝒊𝒆 , entonces:

𝑹𝒊𝒂 ≅ 𝒉𝒊𝒆

𝑹𝒐 : Resistencia de salida del transistor.

𝟏
𝑹𝒐 = 𝒉 : El 𝒉𝒐𝒆 es la conductancia de salida del transistor.
𝒐𝒆

𝑹𝒐𝒂 : Resistencia de salida del amplificador. La 𝑹𝒐𝒂 es el paralelo entre la resistencia

de salida 𝑹𝒐 con 𝑹𝒅 , la 𝑹𝒅 llamada resistencia dinámica es el paralelo entre
𝑹𝒄 // 𝑹𝒍 . Como 𝑹𝒐 es muchísima más grande que la resistencia, entonces podemos
adoptar que 𝑹𝒐𝒂 es prácticamente 𝑹𝒅 .

𝑹𝒐𝒔 : Resistencia de salida del sistema.

Ahora colocamos en la salida del transistor una resistencia de carga, el circuito equivalente
sería similar al anterior, con esto analizaremos las características de esta mono-etapa del
transistor.

En primer lugar calcularemos la ganancia de corriente del amplificador.

Figura 8. Cálculo de la ganancia de corriente del amplificador

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ganancia de corriente del amplificador: ganancia de corriente del sistema:

𝑰𝒐 𝑰𝒐
𝑨𝒍 = 𝑨𝒊𝒔 =
𝑰𝒃 𝑰

𝑹𝑪 𝑹𝑪 𝑰𝒐 𝑰𝒐 𝑰𝒃
𝑰𝒐 = 𝑰𝑪 = 𝑰𝒃 𝒉𝒇𝒆 𝑨𝒊𝒔 = =
𝑹𝑪 + 𝑹𝒍 𝑹𝑪 + 𝑹𝒍 𝑰 𝑰𝒃 𝑰

𝑹𝑪 𝑰𝒃 𝑹𝒃
𝑨𝒍 = 𝒉𝒇𝒆 =
𝑹𝑪 + 𝑹𝒍 𝑰 𝑹𝒃 +𝑹𝒊

𝑹𝒃
𝑨𝒊𝒔 = 𝑨𝒊 𝑹
𝒃 +𝑹𝒊

Figura 9. Cálculo de la ganancia de corriente del sistema

Calculamos la ganancia de tensión:

La 𝑅𝑑 es el paralelo entre la resistencia del Por último, calcularemos la ganancia de

colector (𝑅𝑐 ) y la resistencia de carga (𝑅𝐼 ) tensión del sistema:
𝑽𝒐
𝑨𝒗𝒔 =
𝑽𝒐 = − 𝒈𝒎 𝑽 𝑹𝒅 𝑽𝒔

𝑽𝒐 𝑽𝒐 𝑽𝟏 𝑹𝒊𝒂
𝑨𝒗 = 𝑨𝒗𝒔 = = −𝒈𝒎 𝑹𝒅
𝑽 𝑽𝟏 𝑽𝒔 𝑹𝒊𝒂 + 𝑹𝒔

𝑨𝑽 = − 𝒈𝒎 𝑹𝒅 𝑹𝒊𝒂
𝑨𝒗𝒔 = 𝑨𝒗
𝑹𝒊𝒂 + 𝑹𝒔

Figura 10. Cálculo de la ganancia de tensión del sistema

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3. AMPLIFICADOR MULTIETAPAS

Cuando nos referimos a un amplificador, estamos hablando de un circuito capaz de procesar las
señales de acuerdo a la naturaleza de la aplicación. El amplificador sabrá extraer información de
toda señal, de tal manera, que permita mantener o mejorar las características del sensor o
transductor utilizado la nuestra aplicación. Por ejemplo: Si la aplicación está inmersa en algún tipo
de ruido, el amplificador no deberá amplificar el ruido, es más, debe atenuarlo de toda la
señal y/o del medio imperante.

La tarea se deberá realizar sin distorsionar la señal, sin perder información, ni inteligencia. Un
criterio universal al plantearse el diseño de un amplificador, consiste en, seleccionar la primera
etapa de este como un pre amplificador, es decir, como un amplificador que permita preparar
adecuadamente la fuente de señal para ser posteriormente procesada y amplificada. Una segunda
etapa, consistirá netamente en obtener amplificación de o las variables involucradas. En muchos
casos, y con el fin de evitar niveles de saturación, se reserva más de una etapa para esta tarea. Por
regla general, la etapa final será exclusivamente una etapa de potencia. Esta etapa, es en realidad
la que permite la materialización de nuestra aplicación en un ambiente completamente ajeno a
las pequeñas señal.

4. CONEXIÓN EN CASCADA

Una conexión popular de etapas de amplificador es la conexión en cascada.

Básicamente en cascada es una conexión en serie con la salida de una etapa aplicada
como entrada a la segunda etapa. La conexión en cascada proporciona una multiplicación
de la ganancia de cada etapa para una mayor ganancia general.

La ganancia general del amplificador en cascada es el producto de las ganancias y de las

etapas.

En la siguiente figura se muestra un amplificador en cascada con acoplamiento Rc usando

BJT.

La ganancia de voltaje de cada etapa es:

−𝑹𝑪 // 𝑹𝑳
𝑨𝒗𝟏 =
𝒓𝒆

La impedancia de entrada del amplificador es la de la etapa 1:

𝒁𝟏 = 𝑹𝟏 // 𝑹𝟐 // 𝜷𝒓𝒆

Y la impedancia de salida del amplificador es la de la etapa 2:

𝒁𝟐 ≈ 𝑹𝑪 // 𝒓𝒐
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Figura 11. Diagrama de Conexión en Cascada

5. CONEXIÓN EN DARLINGTON

El transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores

bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.

Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran
ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos
transistores normales en la misma configuración. La ganancia total del Darlington es el
producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo típico tiene una
ganancia en corriente de 1000 o superior. También tiene un mayor desplazamiento de
fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmente
en inestable. La tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de ambas
tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un
transistor o par Darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales.

Figura 12. Diagrama de Conexión en Darlington

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la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.
𝛃𝐃𝐚𝐫𝐥𝐢𝐧𝐠𝐭𝐨𝐧= 𝛃𝟏 𝛃𝟐 + 𝛃𝟏 + 𝛃𝟐

Si β1 y β2 son suficientemente grandes, se da que:

𝛃𝐃𝐚𝐫𝐥𝐢𝐧𝐠𝐭𝐨𝐧 ≈ 𝛃𝟏 𝛃𝟐

Un inconveniente es la duplicación aproximada de la base-emisor de tensión. Ya que hay

dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor
equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:

𝐕𝐁𝐄= 𝐕𝐁𝐄𝟏 + 𝐕𝐁𝐄𝟐 ≅ 𝟐𝐕𝐁𝐄𝟏

MATERIALES
o Transistores 2N2222
o Transistores BC142
o Transistor 2N3904
o Resistencias
o Capacitores
o Un generador de funciones
o Protoboard
o Multímetro
o Osciloscopio
o Cables telefónicos
o Fuentes de alimentación 0 a 30v.

CIRCUITOS DEL LABORATORIO

1. ANÁLISIS DE UN AMPLIFICADOR MONOETAPA BASADO EN UN TRANSISTOR
BIPOLAR
12V

R1 Rc
3.3k
Vs Rs Vo
600 1uF Q1
-50/50mV +
2N3904
Vi
R2
+

Re Ce
1kHz 330 1uF

Figura 24. Circuito del amplificador mono-etapa basado en transistor bipolar

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2. CONEXIÓN EN CASCADA

Vcc 24V

R1 R3 C1 R5
150k 150k R7 C4
V1 4.7k 22uF 22uF
C5 + 4.7k +
-100u/100uV
22uF
+ Q1 Q2
2N2222 2N2222

+
1kHz R9

+
R2 R4 C2 R8 C3
1.2k R6 10uF 10k
22k 10uF 22k 1.2k

Figura 25. Circuito con Conexión en Cascada

3. CONFIGURACIÓN DARLINGTON COMO SEGUIDOR EMISIVO

Vcc 20V

V1 R1 2N2222
-100m/100mVC5 75k
22uF
+ 2N2222
R3 C3
1kHz 100k 22uF
+ +
R8 R9
100uF 15k 10k
R2 C1
12k

Figura 26. Circuito con Configuración Darlington como seguidor emisivo

4. CONEXIÓN CASCODE

Figura 27. Circuito con Cascode Connection