EMB09A3HP

 
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
S2 S2 S2 G2
Product Summary: 
  N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2 
BVDSS  30V  30V  D2 / S1

RDSON (MAX.)  9.5mΩ  9.5mΩ 

ID  15A  15A  D1

  D1 D1 D1 PIN 1
(G1)
UIS, Rg 100% Tested 
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  LIMITS  UNIT 

Q1  Q2 

Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  ±20  V 

TC = 25 °C  15  15 

Continuous Drain Current  ID 
TC = 100 °C  12  12  A 

Pulsed Drain Current1  IDM  60  60 

Avalanche Current  IAS  15  15 

Avalanche Energy  L = 0.1mH, RG=25Ω  EAS  11.25  11.25 

mJ 
2
Repetitive Avalanche Energy   L = 0.05mH  EAR  5.62  5.62 

TC = 25 °C  48  69 

Power Dissipation  PD  W 
TC = 100 °C  25  36 

Operating Junction & Storage Temperature Range  Tj, Tstg  ‐55 to 150  °C 

THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  UNIT 

Junction‐to‐Case  RJC  Steady State   2.6  1.8 

Junction‐to‐Ambient  RJA  Steady State   62  60  °C / W

RJA  t ≦ 10 s    27  25 

1
Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2
Duty cycle  1％ 
RJA when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 

2013/11/21 
p.1 
 EMB09A3HP
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  LIMITS  UNIT
MIN  TYP MAX

STATIC 
Drain‐Source Breakdown Voltage  V(BR)DSS  VGS = 0V, ID = 250A  Q1  30      V 
Q2  30     
Gate Threshold Voltage  VGS(th)  VDS = VGS, ID = 250A  Q1  1  1.5 3 

Q2  1  1.5 3 
Gate‐Body Leakage  IGSS  VDS = 0V, VGS = ±20V  Q1      ±100 nA
Q2      ±100
Zero Gate Voltage Drain Current  IDSS  VDS = 24V, VGS = 0V  Q1      1  A
Q2      1 
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  Q1      25 
Q2      25 
On‐State Drain Current1  ID(ON)  VDS = 10V, VGS = 10V  Q1  15      A 
Q2  15     
1
Drain‐Source On‐State Resistance   RDS(ON)  VGS = 10V, ID = 13A  Q1    8.2 9.5 
mΩ
VGS = 10V, ID = 13A  Q2    8.2 9.5 
VGS = 4.5V, ID = 9A  Q1    11 15 
VGS = 4.5V, ID = 9A  Q2    11 15 
1
Forward Transconductance   gfs  VDS = 5V, ID = 13A  Q1    18   S 
VDS = 5V, ID = 13A  Q2    18  

DYNAMIC 
Input Capacitance  Ciss    Q1    828  
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz  Q2    828   pF

Output Capacitance  Coss  Q1    196  

Q2    196  
Reverse Transfer Capacitance    Crss  Q1    174  

Q2    174  
Gate Resistance  Rg  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz  Q1    1.7   Ω 
Q2    1.7  
1,2
Total Gate Charge   Qg(VGS=10V)   Q1    17.6  
VDD = 15V, VGS = 10V, 
Q2    17.6   nC
ID = 10A 
Qg(VGS=4.5V) Q1    12.5  
 
Q2    12.5  

2013/11/21 
p.2 
 EMB09A3HP
 
Gate‐Source Charge1,2  Qgs  VDD = 15V, VGS = 10V,  Q1    2.8  
ID = 10A 
Q2    2.8  
 
Gate‐Drain Charge1,2  Qgd  Q1    7.4  
Q2    7.4  
1,2
Turn‐On Delay Time   td(on)    Q1    8   
Q2    8    nS
1,2
Rise Time   tr   VDD = 15V,    Q1    18  
Q2    18  
Turn‐Off Delay Time1,2  td(off)  ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 2.7Ω  Q1    20  
Q2    20  
1,2
Fall Time   tf    Q1    12  
Q2    12  

SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current  IS    Q1      15 
A 
Q2      15 
Pulsed Current3  ISM    Q1      60 
Q2      60 
Forward Voltage1  VSD  IF = 10A, VGS = 0V  Q1      1.3  V 
IF = 10A, VGS = 0V  Q2      1.3 
Reverse Recovery Time    trr  Q1  Q1    22   nS
IF = 10A, dlF/dt = 100A / S  Q2    22  
Reverse Recovery Charge  Qrr  Q2  Q1    6    nC
IF = 10A, dlF/dt = 100A / S  Q2    6   
1
Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％. 
2
Independent of operating temperature. 
3
Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
 

2013/11/21 
p.3 
 EMB09A3HP
 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB09A03HP for Asymmetric Dual EDFN 5 x 6 
 
 
B09
 

  B09A03: Device Name 
  A03
ABCDEFG ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

2013/11/21 
p.4 
 EMB09A3HP
 
Q1 TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
On‐Region Characteristics On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
  50 3
10V 7V
  6V
5V
40 2.5
  V   = 4.5V
GS

Drain‐Source On‐Resistance
I  ,Drain‐Source Current( A )

V   = 4.5V
GS

R        ,Normalized
30 2
5V

  5.5V

20 1.5 6V
 

DS(ON)
7V
10V
  10 1
D

 
0.5
0 0 10 20 30 40 50
  0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
V   ,Drain‐Source Voltage( V ) I   ,Drain Current( A ) 
D
DS

 
 
On‐Resistance Variation with Temperature On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
  1.8 0.030
I   = 10A
D

  V   = 10V
GS I   = 5A
D
Drain‐Source On‐Resistance

1.6
R        ,Normalized

0.025
R        ,On‐Resistance( ohm )

 
1.4
  0.020
DS(ON)

1.2
 
0.015
  1.0
DS(ON)

°
T   = 125 C
A

  0.8 0.010
°
T   = 25 C
A
 
0.6
‐50 25 50 75 100 125 150 0
‐25 0 10
  T ,Junction Temperature(°C )
j
2 4 6 8
V   ,Gate‐Source Voltage( V )
GS

 
  Body Diode Forward Voltage Variation
Transfer Characteristics with Source Current and Temperature
60
  25
V   = 0V
GS
V   = 10V
DS
T   = ‐55 °C T  = 125°C
  A 25 °C 10
A
I  ,Reverse Drain Current( A )

20

 
I  ,Drain Current( A )

1
125 °C
  15
25°C
0.1
  10 ‐55°C
0.01
 
D

5
S

  0.001

  0 0.0001
0 1 2 3 4 5 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
V   ,Gate‐Source Voltage( V ) V   ,Body Diode Forward Voltage( V )
SD
  GS

 
   

2013/11/21 
p.5 
 EMB09A3HP
 
 
G a te C h a r g e C h a r a c te r is tic s
  12
ID = 1 0 A
10 4
C A P A C IT A N C E  C H A R A C T E R IS T IC S

 
10

C‐CAPACITANCE ( pF )
10 3 C is s
8
VGS ,Gate-Source Voltage( V )

  V DS =5V
10V

  6
15V
C o ss

  4 10 2
C rss

 
2
f  =  1  M H z
  V G S= 0  V

  0
0 10 20 30
0
V
5
DS
10 15 20
 ‐ D R A IN ‐ S O U R C E  V L T A G E  (  V  )
25 30

Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
 
  Single Pulse Maximum Power Dissipation
Maximum Safe Operating Area
100 100
  it 100μs
Single Pulse
Lim R    = 62°C/W
   N  ) 
θJA

  R D S (O 1ms T  = 25°C

A
80
P( pk ),Peak Transient Power( W )

10 10ms

 
I   ‐ Drain Current( A )

100ms
60
  1
1s
10s
  DC 40
V   = 10V
GS
  0.1
D

Single Pulse
R     = 62°C/W
JA 20
  T   = 25°C
A

0.01 0
  0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
V    ‐ Drain‐Source Voltage( V )
DS
t  ,Time ( sec )
1

 
 
Transient Thermal Response Curve
1
  Duty Cycle = 0.5

 
Transient Thermal Resistance

0.2
    r( t ),Normalized Effective

  0.1
0.1

0.05
  Notes:
0.02
  0.01
P DM

t1
0.01 1.Duty Cycle,D =
t2
t1

  Single Pulse 2.R     =62°C/W
θJA
t2

  3.T  ‐  T   = P * R     (t)
J

JA
θ
A

4.R    (t)=r(t) * R
θJA

θJA

  0.001
10
‐4
10
‐3
10
‐2
10
‐1
1 10 100 1000
t  ,Time (sec)
1

 
 
 
 
 

2013/11/21 
p.6 
 EMB09A3HP
 
Q2 TYPICAL CHARACTERISTICS 
  On‐Region Characteristics On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
50 3
  10V 7V
5V
6V
  40 2.5
V   = 4.5V
GS

Drain‐Source On‐Resistance
I  ,Drain‐Source Current( A )

V   = 4.5V
  GS

R        ,Normalized
30 2
5V
 
5.5V

  20 1.5 6V

DS(ON)
7V
  1
10V
10
D

 
0.5
  0 0 10 20 30 40 50
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
V   ,Drain‐Source Voltage( V ) I   ,Drain Current( A ) 
D

  DS

 
  On‐Resistance Variation with Temperature On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
1.8 0.030

  I   = 10A
D

V   = 10V
GS I   = 5A
D
Drain‐Source On‐Resistance

1.6
R        ,Normalized

  0.025
R        ,On‐Resistance( ohm )

1.4
 
0.020
DS(ON)

  1.2

  1.0
0.015
DS(ON)

  °
T   = 125 C
A

0.8 0.010
  °
T   = 25 C
A

0.6
  ‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150 0
2 4 6 8 10
T ,Junction Temperature(°C )
j
V   ,Gate‐Source Voltage( V )
  GS

 
Body Diode Forward Voltage Variation
  Transfer Characteristics with Source Current and Temperature
60
25
V   = 0V
GS

  V   = 10V
DS
T   = ‐55 °C 25 °C
T  = 125°C
A
A
10
I  ,Reverse Drain Current( A )

20
 
I  ,Drain Current( A )

1
125 °C
  15
25°C
0.1
 
10 ‐55°C
  0.01
D

  5
S

0.001

 
0 0.0001
0 1 2 3 4 5 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
  V   ,Gate‐Source Voltage( V )
GS V   ,Body Diode Forward Voltage( V )
SD

 
 
 
 
 
 

2013/11/21 
p.7 
 EMB09A3HP
 
 
  G a te C h a r g e C h a r a c te r is tic s C A P A C IT A N C E  C H A R A C T E R IS T IC S
12 10 4
ID = 1 0 A
 
10
 

C‐CAPACITANCE ( pF )
  8 10 3 C is s
VGS ,Gate-Source Voltage( V )

10V
V DS =5V
 
6
15V
C o ss
  C rss
2
4 10
 
  2
f  =  1  M H z
V G S= 0  V
  0 0 5 10 15 20 25 30
0 10 20 30 V DS  ‐ D R A IN ‐ S O U R C E  V L T A G E  (  V  )
  Q g ,G a te C h a rg e ( n C )

 
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Maximum Safe Operating Area 100
  100
Single Pulse
t
L imi 100μs R    = 62°C/W
θJA
     N  )  T  = 25°C
R D S (O 1ms
80
A
P( pk ),Peak Transient Power( W )

10 10ms
 
I   ‐ Drain Current( A )

100ms 60
  1s
1
  10s
40
DC
  0.1
V   = 10V
GS
D

Single Pulse 20
R     = 62°C/W
  JA
T   = 25°C
A

  0.01 0
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
0.1 1 10 100
V    ‐ Drain‐Source Voltage( V ) t  ,Time ( sec )
  DS 1

 
  Transient Thermal Response Curve
1
  Duty Cycle = 0.5

 
Transient Thermal Resistance

0.2
    r( t ),Normalized Effective

0.1
  0.1
0.05
  Notes:
0.02
P DM

  0.01
t1
0.01 1.Duty Cycle,D =
t2
t1

  Single Pulse 2.R     =62°C/W
θJA
t2

3.T  ‐  T   = P * R     (t)
J A θJA

  4.R    (t)=r(t) * R
JA θ θJA

0.001
  10
‐4
10
‐3
10
‐2
10
‐1
1 10 100 1000
t  ,Time (sec)
1

 
 
 
 
 

2013/11/21 
p.8 
 EMB09A3HP
 
Outline Drawing 
  D D2

  e b
8

θ
 

L
 
L1
 

L3
L2

E2
 
E1
E

L4

E3
 

E5
E4
 

L5
  1
C D3 D4
 
A1
 
 
A

 
Dimension in mm 
Dimension  A  A1  b  c  D  D2  D3  D4  E  E1  E2  E3  E4  E5 

Min.  0.85  0.00  0.35  0.15    4.5  2.125  0.835      2.4  0.40  1.125  0.475 

Typ.  0.90    0.40  0.20  5.2  4.6  2.175  0.885  5.55  6.05  2.45  0.45  1.175  0.525 

Max.  1.00  0.05  0.45  0.25    4.7  2.225  0.935      2.5  0.50  1.225  0.575 

 
Dimension  e  L  L1  L2  L3  L4  L5  F  θ 

Min.    0.35  0  1.375  0.2  1.3  0.575    0° 

Typ.  1.27  0.45    1.475  0.3  1.4  0.675  45°   

Max.    0.55  0.1  1.575  0.4  1.5  0.775    10° 

 
Recommended minimum pads 
4.8
 
0.5
0.65

0.77
 
 
0.6

 
0.725

 
2.6

 
 
0.45

 
1.3

1.9
0.625

 
0.5

 
1.27 0.5
  0.635

2013/11/21 
p.9