LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRONICOS

U.N.M.S.M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y
DE TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES: MATRICULA:

CCARI VIVAR RODRIGO 17190021

CURSO: TEMA:

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y CARACTERISTICAS BASICAS DEL DIODO

COMPONENTES ELECTRONICOS SIMICONDUCTOR

INFORME: FECHAS: NOTA:

PREVIO REALIZACION: ENTREGA:

NUMERO:
MIERCOLES 18 DE MIERCOLES 25 DE
1 ABRIL DEL 2018 ABRIL DEL 2018

MODULO: PROFESOR:

3 ING. CÓRDOVA RUIZ RUSSEL

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRONICOS

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA, ELECTRICA Y
TELECOMUNICACIONES
INFORME PREVIO
I. OBJETIVOS:

 Utilizar las características de operación de los diodos semiconductores.

II. MARCO TEORICO:

Los diodos son semiconductores son componentes electrónicos con dos

terminales, que son el ánodo y el cátodo. En los semiconductores sí importa el
sentido de cómo se conecte, en los diodos solo deja pasar la corriente en un
solo sentido que es de ánodo a cátodo es por eso que se llaman
semiconductores.
Existen tres tipos de diodos que son los diodos rectificadores, diodos zener y
los diodos led.

III. MATERIALES Y EQUIPOS:

1. Una fuente de corriente continua variable.

2. Un multímetro
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3. Un miliamperímetro y un microamperímetro

4. Un diodo semiconductor de Si y Ge.

5. Un voltímetro de corriente continua.

6. Resistencia de 100.
7. Cables conectores.

IV. PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS:

1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo de

silicio, registrar los datos en la Tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1.
a) Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y
el voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la Tabla 2.
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b) Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los

instrumentos, proceder como en a), registrando los datos en la tabla 3.

Tabla 1
R directa R inversa
570Ω ≥60M Ω

Tabla 2

Vcc(V) 0.423 0.495 0.537 0.612 0.735 0.856 1.159 1.473 2.213 2.751
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(V) 0.414 0.449 0.479 0.508 0.541 0.562 0.594 0.616 0.644 0.657

Tabla 3

Vcc(V) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(V) 0.003 1.948 3.914 5.873 7.870 9.770 11.79 14.71 19.64
Id(μA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0

3. Usando el ohmímetro, medir la resistencia directa e inversa del diodo de

germanio. Registrar los datos en la tabla 4.

Tabla 4

R directa R inversa
243Ω 0.075 Ω

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al

paso 2; proceder a llenar la tabla 5 y 6.
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Tabla 5

Vcc(V.) 0.189 0.23 0.279 0.338 0.459 0.575 0.884 1.29 1.43 1.65 1.97 2.52

Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v.) 0.163 0.190 0.211 0.239 0.269 0.292 0.334 0.366 0.384 0.398 0.417 0.444

Tabla 6

Vcc(V.) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0

Vd(V.) 0.002 0.973 1.963 3.919 5.894 7.87 9.81 11.78 14.69 17.63 19.52

Id(  A.) 0 0.6 0.9 1.2 1.5 1.7 1.9 2.4 14.7 14.4 28.3

V. DISCUSIÓN DE RESULTADOS:
1. Como se puede apreciar en la tabla 1 y la tabla 4 el diodo de silicio tiene
valores muy altos de resistencia en cambio el diodo de germanio tiene valores
pequeños en comparación con el diodo de silicio.
2. Si el diodo de silicio lo conectas de forma directa se comportara como un
interruptor cerrado pero si inviertes la polaridad se comportara como
interruptor abierto.
3. Si el diodo de germanio lo conectas de forma directa se comportara igual que
un diodo de silicio (interruptor cerrado), pero en polarización inversa se
comportara como una fuente.

VI. CUESTIONARIO:

1. Buscar en los manuales y detallar las características de los diodos a utilizar

(P600B, BY127, ECG109, ECG110).

To be replaced ECG Replacement

BY127 506
PART NUMBER NTE REPLACEMENT
P600B 5812
ECG109 109
ECG110 110MP
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PRV Max, average Rectified forward Description IFSM VF @ IF Max. Tc Case

Volts current IF in amperes @IF (ºC) Style
100 6A (NTE5812) R-400PRV,6A, 400A 0.9V +60 Axial
Axial Lead max lead
0.8V
typ

ECG Description Peak Average Forward current Reverse Forward

TYPE reverse rectified repetitive peak recovery voltage drop
voltage PRV forward IFRM max time trr max VF
max V current I0 Max
ECG506 Sw, fast Si 1400 2A 3.5A 500ns 1.0V at 1A
recover, best
damp,
blanking
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NTE Material Description Case Diag. Maximum Maximum Max. Maximum Reverse
Type and style Nº Peak Average Peak Forward Recovery
Nº application Reverse Forward Surge Voltage Time (ns)
Voltage Current forward Drop
(Volts) (Amps) current (Volts)
(Amps)
PRV IF IFSM VF trr
109 Ge Gen Purp, DO7 91 100 0.2 0.5 1 -
Fast Switch
110MP Ge Gen Purp. DO7 91 30 100 μA - - -
AFC,
Matched
Diode Pair

2. Explicar los conceptos de resistencia dinámica, corriente de polarización

directa, corriente de polarización inversa y tensión de pico inverso.
a) Resistencia dinámica: se da cuando un diodo trabaja con un voltaje
variable, es por eso que el valor de la resistencia tiende a variar.
Se puede calcular mediante la ecuación:

Δ𝑉
𝑟𝑛 =
Δ𝐼

b) Corriente de polarización directa: se da cuando la corriente que es emitida

por una fuente entra por el ánodo y sale por el cátodo, para este caso el
diodo rectificador se comportara como un interruptor cerrado.
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c) Corriente de polarización inversa: se da cuando la corriente que es emitida

por una fuente entra por el cátodo y sale por el ánodo, para este caso el
diodo rectificador se comportara como un interruptor abierto.
d) Tensión de pico inverso: es cuando la tensión inversa es aplicado sobre un
diodo ideal, este no conduce corriente, pero todos los diodos reales
presentan una fuga de corriente muy pequeña de unos pocos μA (10-6A) o
maso menos. Esto puede ignorarse o despreciarse en la mayoría de los
circuitos porque será mucho más pequeña que la corriente que fluye en
sentido directo.

VII. REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS:

Manual NTE y manual ECG
https://www.youtube.com/watch?v=UxCtnTLKAh0
https://www.youtube.com/watch?v=Xet6pmpEX7I
https://es.slideshare.net/BasilioMndez/resistencia-esttica-y-dinamica-de-diodos
https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo