UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FÍSICAS Y FORMALES

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECANICA, MECANICA-
ELECTRICA Y MECATRONICA

CIRCUITOS ELECTRONICOS
PRÁCTICA

Informe Nº1:

CARACTERISTICAS DEL DIODO

Integrantes

COLQUE CAYLLAHUA EDISON JHON

TOVAR SANIZ PEDRO ELEAZAR

Grupo:

N. º 02

Docente:

Arequipa, 4 de abril del 2019

 I. OBJETIVOS:

 Analizar, comprender y entender como fluye la corriente a través de un circuito

con diodos y resistores.
 Comparar el voltaje, intensidad y resistencia de los diodos del silicio y germanio
en los circuitos a estudiar.

II. INTRODUCCION:

Un diodo es un elemento electrónico que tiene un cierto comportamiento cuando se le

induce una corriente eléctrica a través de él, pero depende de las características de esta
corriente para que el dispositivo tenga un comportamiento que nos sea útil.

Es el más sencillo de los dispositivos semiconductores, pero desempeña un papel vital

en los sistemas electrónicos, con sus características que se asemejan en gran medida a
las de un sencillo interruptor. Se encontrará en una amplia gama de aplicaciones, que
se extienden desde las simples hasta las sumamente complejas. Aparte de los detalles
de su construcción y características, los datos y gráficas muy importantes que se
encontrarán en las hojas de especificaciones también se estudiarán para asegurar el
entendimiento de la terminología empleada y para poner de manifiesto la abundancia
de información de la que por lo general se dispone y que proviene de los fabricantes.

La gran utilidad del diodo esta en los dos diferentes estados en que se puede encontrar
dependiendo de la corriente eléctrica que este fluyendo en él, al poder tener estos dos
estados, estos dos comportamientos los diodos tienen la opción de ser usados en
elementos electrónicos en los que estos facilitan el trabajo.
III. RESUMEN:
Una vez en el laboratorio, con el multímetro se usó la función de prueba de diodos en
los diodos del silicio y germanio, cambiando los terminales para verificar si este es
polarizado y determinando demás propiedades.
Se armó el primer circuito con el diodo en polarización directa, con ayuda del
multímetro y la fuente se regulo el voltaje del circuito a 0.1 V. Se comenzó a medir el
voltaje en los diodos de silicio y germanio, aumentado en 0.1 V con la fuente llegando
hasta 0.9 V. Se midió los voltajes de silicio y germanio sucesivamente. Con el mismo
circuito se regulo el voltaje del circuito a 1 V aumentando de 1 V hasta 9 V, finalmente
se midió los voltajes de los diodos de silicio y germanio.
Se armó el segundo circuito, pero con el diodo en polarización inversa, con un resistor
de 1MΩ y el circuito regulado a 20 V. Se midió el voltaje (VR) del diodo de silicio y
germanio sucesivamente. Con las ecuaciones dadas se calculó la corriente de saturación
inversa.

IV. EQUIPO Y MATERIALES

o Fuente: DC, DMM

o Resistores ¼ W:1KΩ, 1MΩ
o Diodos: Silicio 1N4007 y 1N4148, Germanio 1N6

Figura 01: Diodo: Silicio 1N4007 Figura 02: Resistores 1/4W: 1M Figura 03: Diodo: Silicio 1N4148
 Figura 04: Diodo: Figura 06: Dispositivo de
Germanio 1N60 Figura 05: Resistor 1/4W: 1K Medida Múltiple (DMM)

Figura 07: Fuente de

Figura08: Protoboard Figura 09: cables de conexión
corriente continúa

V. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

PARTE 1: PRUEBA DEL DIODO

 Escala de prueba de diodos del DMM

Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de
cada diodo.

TABLA1: CONDICIÓN DE LOS DIODOS

TEST SI:1N4007 SI:1N4148 GE:1N60

DIRECTO
INVERSO
  Escala de resistencia del DMM
Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de
cada diodo.

TABLA2: CONDICIÓN DE LOS DIODOS

TEST SI:1N4007 SI:1N4148 GE:1N60

DIRECTO
INVERSO

PARTE2: CARACTERÍSTICAS DEL DIODO EN POLARIZACIÓN DIRECTA

o Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

𝑅𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜=995Ω

o Incremente el voltaje de la fuente hasta que VR=0,1V

o Mida el 𝑉𝐷 y calcule 𝐼𝐷 . Anote en la tabla 3, 4 y 5 según el tipo de diodo. Obtener
datos suficientes para dibujar las curvas características del diodo de silicio y
germanio

TABLA 3: VOLTAJE DEL DIODO 1N4007 (SI) VARIANDO EL VOLTAJE EN UNA

RESISTENCIA.

VR(V) 0.11 0.19 0.33 0.4 0.49 0.59 0.7 0.81 0.89
VD(V)
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 /𝑹𝒎𝒆𝒅 (𝒎𝑨)
VR(V)
VD(V)
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 /𝑹𝒎𝒆𝒅 (𝒎𝑨)
 TABLA 4: VOLTAJE DEL DIODO 1N60 (GE) VARIANDO EL VOLTAJE EN UNA
RESISTENCIA.

VR(V) 0.11 0.21 0.28 0.43 0.48 0.57 0.68 0.78 0.88
VD(V)
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 /𝑹𝒎𝒆𝒅 (𝒎𝑨)
VR(V)
VD(V)
𝑰𝑫 = 𝑽𝑹 /𝑹𝒎𝒆𝒅 (𝒎𝑨)

PARTE 3: POLARIZACIÓN INVERSA

 Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor

𝑅𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜=1.002𝑀Ω

 Mida el voltaje 𝑉𝑅 calcule la corriente de saturación inversa con la ecuación

𝑉𝑅
𝐼𝐷 =
𝑅𝑚𝑒𝑑 ǁ𝑅𝑚

𝑅𝑚 es la resistencia interna del DMM (10MΩ)

TABLA 5: CORRIENTE DE SATURACIÓN INVERSA CON UNA RESISTENCIA DE

10 MΩ

(SI) (GE)
𝑹𝒎 10MΩ 10MΩ
𝑽𝑹 MEDIDO
𝑰𝑫 CALCULADO
  Determine los niveles de resistencia DC para los diodos usando la ecuación.
𝑉 − 𝑉𝑅
𝑅𝐷𝐶 =
𝐼𝐷

𝑅𝐷𝐶 (Si 1N4007) =

𝑅𝐷𝐶 (Ge 1N60) =

PARTE 4: RESISTENCIA DC

Usando las curvas características de los diodos, determine el voltaje de diodo en los
niveles de corriente indicados en la tabla 6, 7 y 8

TABLA 6: VOLTAJE DEL DIODO: 1N4007(SI) HACIENDO USO DE SU CURVA

CARACTERÍSTICA

𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 𝑽𝑫 𝑹𝑫𝑪
0.2
1
5
10

TABLA 7: VOLTAJE DEL DIODO: 1N60(GE) HACIENDO USO DE SU CURVA

CARACTERÍSTICA

𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 𝑹𝑫𝑪

0.2
1
5
10
VI. CUESTIONARIO FINAL

1. ¿Cómo podría identificar los terminales de un diodo que no está marcado?

Al introducirlo en un simple circuito en serie, si existe una corriente de energía
considerable el terminal p o ánodo está conectado al lado positivo de la fuente y el
terminal n o cátodo al lado negativo de la fuente.

2. ¿Qué es la resistencia directa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los
diodos analizados en laboratorio?
También llamada “Barrera de Potencial” o “Zona de Depleción” es el voltaje en el
diodo que tiene que superar para que este funcione como un conductor (Tensión
Umbral), esto pasa en la polarización directa.
Analizamos 2 tipos de diodos en el laboratorio, sus respectivas Tensiones
Umbrales son:
o DIODO 1N60 (Ge): 0.3 V
o DIODO 1N4007 (Si): 0.7 V

3. ¿Qué es la resistencia inversa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los
diodos analizados en laboratorio?

4. De la ficha técnica de los diodos, anote los valores más importantes y/o
usuales a consultar para los diodos revisados en el laboratorio y para los
diodos en general. Anote los valores de acuerdo a la elección hecha.
VII. CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES

OBSERVACIONES:
o A medida que la intensidad aumenta, el voltaje también lo hace, pero en forma
lineal, si no similar a una función exponencial.
o Cuando la Tensión y la Intensidad de corriente aumenta la resistencia disminuye.

CONCLUSIONES:
o Al medir con el multímetro los diodos en polarización inversa no se obtiene valor
alguno ya que trabajaría como circuito abierto, mientras que en polarización
directa como circuito cerrado.
o La proporcionalidad entre el voltaje y la intensidad en el diodo se asemeja a la
parte positiva de una función cuadrática o exponencial
o Al retroceder 0.2 – 0.3 V en caso del Diodo de Germanio y 0.5-0.6 V con el Silicio
la resistencia aumenta mucho y al parecer tiende al infinito por lo que no conducirá
corriente alguna como si el circuito estuviera abierto.
o Al superar la Tensión Umbral (diferentes en cada tipo de diodo) la intensidad o
corriente aumenta en mayores proporciones cada vez con una resistencia al paso
de corriente mínima, acercándose a ser un perfecto conductor.

RECOMENDACIÓNES:
o Antes de medir, comprobar si es corriente o voltaje para realizar una buena
práctica, y no malograr los materiales del laboratorio.
o Comprobar antes de la práctica si hay continuidad en los cables.

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VIII. BIBLIOGRAFIA