TERCER INFORME DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
Caracterización del Diodo Semiconductor
(Diciembre de 2011)
Dylan Rojas Montes, Brian Ospina Agudelo, Sebastián Parra Quiroga, Jonathan García
Téllez, UNIVERSIDAD DEL VALLE
Abstract— En este artículo se presentan las características
fundamentales del diodo rectificador y del diodo zener analizadas a
través de métodos de simulación que permiten obtener perspectivas
reales e ideales de las respuestas eléctricas que presentan estos
componentes ante diferentes arreglos eléctricos.
Palabras clave—Diodo, Efecto Zener, Diodo
Zener,Simulador.
I. INTRODUCCION
N la actualidad la corriente alterna predomina en el campo
E de la generación y distribución de energía eléctrica. Pero en
el uso domestico son pocos los elementos que trabajan
puramente con corriente alterna debido al auge de la
electrónica. Situemos nuestro análisis en un artefacto de mucho
uso domestico, el televisor. El televisor lo alimentamos
eléctricamente del tomacorriente de nuestra casa que
proporciona corriente alterna, pero para generar entretenimiento
este sistema electrónico debe transformar la corriente alterna en
corriente continua. Para ello posee un elemento denominado
puente rectificador que en su forma más pura está compuesto por
cuatro diodos. El diodo es un elemento electrónico que deja
circular corriente siempre que sea polarizado directamente, y se
comporta como un aislante si su polarización es inversa. La
rectificación, como es llamado el proceso de transformar la
corriente alterna en continua, es una de las aplicaciones del
diodo, pues combinado con otros elementos tiene otros usos, por
ejemplo circuitos multiplicadores de voltaje donde intervienen
también capacitores. Atendiendo esta información, es de vital
importancia para los ingenieros de la electricidad comprender a
la perfección el funcionamiento de este componente. Por ello a
través de esta práctica se pretende caracterizar diferentes
modelos de diodos y cotejar su el análisis respecto de diferentes
modelos teóricos ya establecidos para dar juicios de valor que
permitan evidenciar un sólido aprendizaje.
II. MARCO TEÓRICO
El diodo es un componente electrónico discreto que permite la
circulación de corriente en un sentido determinado.
El diodo semiconductor, también conocido como rectificador es
el más común en la actualidad, se forma a partir de la unión de
dos cristales semiconductores con características opuestas, un
cristales tipo N y un cristal tipo P. A esta juntura de cristales se
le añaden dos terminales metálicos que facilitan la conexión del
diodo en diferentes redes eléctricas.
1
La unión de los cristales N y P se conoce como unión PN.
Esta unión posee un una zona llamada zona de juntura.
El diodo es polarizado en directa, es decir el terminal del
cristal P (ánodo) se conecta con un potencial positivo y
el terminal del cristal N (cátodo) con uno negativo; para
que el diodo entre en conducción la diferencia de
potencial entre el ánodo y el cátodo debe superar un
umbral para que los electrones y huecos logren superar
una barrera de potencial producida por la zona de juntura.
Esa diferencia de potencial umbral depende del tipo de
material con que sean fabricados los cristales
semiconductores: en el caso del silicio la barrera umbral
es de 0,7v y en el caso del germanio la barrera umbral es
de 0,3v. De manera contraria, el diodo puede ser
polarizado de manera inversa si el potencial en el ánodo
es negativo y el del cátodo positivo; aquí el diodo no
conducirá a menos que la diferencia de potencial entre el
ánodo y el cátodo supere el umbrales de ruptura y el
diodo entre en una zona de avalancha donde se produce
la ruptura de la zona de juntura y posteriormente puede
ocurrir la destrucción del diodo.
En la Figura 1 se muestran el símbolo esquemático del
diodo. El sentido permitido para la corriente es de A a K.
La punta de la flecha del símbolo esquemático indica el
sentido permitido de la corriente.
Fig. 1. Símbolo del diodo [1].
El funcionamiento del diodo ideal es el de un
componente que presenta resistencia nula al paso de la
corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita
en el sentido opuesto. Características diferentes a las que
presenta el diodo real que en polarización directa no
presenta una resistencia totalmente nula puesto que su
paso de no conducción a conducción no es instantáneo y
se ve reflejado en una disminución progresiva de la
resistencia a partir de que el diodo supera la tensión de
conducción que
TERCER INFORME DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 2

𝑉𝑂𝑁 > 0
El modelo usado por PSpice para representar el diodo
rectificador 1N4004 se representa en la figura 2, haciendo
uso de los valores para corriente de saturación inversa,
y el factor igual a 1,984, además tomando como
temperatura ° y empleando las ecuaciones (1) y (2)
se obtuvo la expresión (3) que relaciona teóricamente la
corriente y el voltaje en el diodo analizado [1]:

denominaremos , además de que en polarización

inversa presenta una pequeña circulación de corriente y a partir
de cierto umbral puede entrar en conducción debido al fenómeno
avalancha.
Fig. 2. Comparación entre (a) Curva característica V-I de un
diodo real (b) Curva característica V-I de un diodo ideal. [1]

En polarización inversa el diodo rectificador no permite el paso

de corriente hasta que la diferencia de potencial entre el ánodo y
cátodo supera la VRmax (ver figura 2) y es cuando el diodo entra
en la zona de ruptura y se produce el efecto zener.
Aprovechando este efecto, que consiste en mantener una tensión
constante entre sus bornes independientemente de la magnitud
de la corriente circulante, Clarence Zener invento el diodo zener.
Fig. 5. Modelo empleado por PSpice para representar un diodo de
referencia 1N4004.
El diodo zener es un tipo especial de diodo que polarizado
inversamente permite que la corriente fluya en contra de la
Para hallar la recta de carga correspondiente al circuito
flecha que lo representa esquemáticamente (ver Figura 3)
de la figura 4 se procedió a cortocircuitar la
manteniendo una tensión constante entre sus terminales; si es
componente alterna de la fuente y se calcularon el
polarizado directamente se comportara como un diodo
voltaje en el diodo cuando por este no fluye corriente y
rectificador común.
el flujo de carga por el mismo cuando su diferencia de
potencial es cero, los circuitos empleados para dichos
cálculos se muestran en la figura 6:

Fig. 3. Símbolo esquemático del diodo zener. [2]

III. METODOLOGÍA

A. Diodo 1N4004.

Se hizo uso de la herramienta Capture CIS de PSpice para

Fig. 6. Circuitos empleados para calcular: a) la corriente por el
modelar el circuito mostrado en la figura 4: diodo cuando su voltaje es cero y b) la diferencia de potencial en el
diodo cuando no fluye corriente a través de él.

Así se obtuvieron en el caso del circuito de la figura 4

valores que fueron empleados para
llegar a la expresión (4) correspondiente a la recta de carga
del circuito presentado en la figura 4:

Fig. 4. Circuito usado para la caracterización del diodo rectificador

1N4004 haciendo uso de PSpice.
TERCER INFORME DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 3

calcular la pendiente de la curva característica en la zona de

conducción como sigue: primero se tabularon varios datos en
dicha zona después del voltaje umbral, ver tabla 2;
Las expresiones (3) y (4) fueron graficadas como se muestra en posteriormente se graficaron y linealizaron dichos datos
la figura 7: llegando a la figura 8.

TABLA II
ALGUNOS VALORES OBTENIDOS DE LA CURVA CARACTERÍSTICA TEÓRICA
DEL DIODO 1N4004 DESPUÉS DEL VOLTAJE CODO.

VD (V) ID (A)
0,52 3,55E-04
0,525 3,92E-04
0,53 4,32E-04
0,535 4,76E-04
0,54 5,25E-04
0,545 5,79E-04
0,55 6,38E-04
0,555 7,03E-04
0,56 7,75E-04
0,565 8,55E-04

Fig. 7. Curva característica y recta de carga teóricas correspondientes al diodo 0,57 9,42E-04
1N4004 y al circuito de la figura 4. 0,575 1,04E-03
0,58 1,15E-03
0,585 1,26E-03
Al igualar las expresiones (3) y (4) se hallo un valor teórico para 0,59 1,39E-03
𝑉𝐷𝑄 igual a 551,619 mV y al reemplazar esta cantidad en la 0,595 1,53E-03
ecuación (3) se encontró 𝐼𝐷𝑄 = 658,356 𝜇𝐴, llegando así al punto 0,6 1,69E-03
Q usando el modelo teórico, siendo la resistencia estática en este
punto igual a 𝑅𝑄 = 837,873 Ω. Se tabularon algunos puntos de
la curva característica teórica presentada en la figura 7 para
determinar el voltaje umbral aproximado.

TABLA I ALGUNOS VALORES OBTENIDOS DE

LA CURVA CARACTERÍSTICA TEÓRICA DEL DIODO 1N4004.

VD (V) ID (µA)
0,30 4,870
0,33 9,337
0,37 17,893
0,40 34,275 Fig. 8. Grafica empleada para calcular el valor de la pendiente de la curva
característica teórica del diodo 1N4004 estudiado.
0,43 65,645
0,47 125,713
En la figura 8 se encontró que la pendiente de la grafica
0,50 240,734
es de 0,016 valor que representa el inverso de la
0,53 460,984 resistencia dinámica del diodo, que para este caso puede
0,57 882,730 considerarse como constante ya que se está trabajando
0,60 1690,000 con señales relativamente pequeñas y es igual a 𝑟 = 62,5
Ω.
Si se observa la tabla 1 se llega a la conclusión de que los
cambios relativamente más grandes en el valor de la corriente se B. Diodo 1N4148.
dan a partir de los 0,5 V por lo cual se puede considerar este
valor como el voltaje umbral en el modelo teórico del diodo En la figura 9 se muestra el circuito utilizado para el
1N4004. Una vez determinado el voltaje umbral se procedió a análisis de las características del diodo 1N4148:
TERCER INFORME DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 4

, siendo la resistencia estática en este punto igual a

. Se tabularon algunos puntos de la curva
característica teórica presentada en la figura 11 para determinar
el voltaje codo aproximado para el diodo estudiado.
TABLA III ALGUNOS VALORES OBTENIDOS DE
LA CURVA CARACTERÍSTICA TEÓRICA DEL DIODO 1N4148.

VD (V) ID (µA)
0,3 1,485
Fig. 9. Circuito usado para la caracterización del diodo 1N4148 haciendo 0,336111 3,179
uso de PSpice.
0,372222 6,804
En la figura 10 se presenta el modelo empleado por
0,408333 14,559
PSpice para simular el diodo de referencia 1N4148, así
0,444444 31,151
tomando los valores de 𝐼𝑜 = 2,682 𝑛𝐴 y 𝜂 = 1,836; con
𝑇 = 27° 𝐶 y haciendo uso de las ecuaciones (1) y (2), se 0,480556 66,646
llego a una expresión (5) para la relación corriente- 0,516667 142,584
voltaje para el diodo estudiado. 0,552778 305,043
0,588889 652,601
0,625 1396,000

Basándose en la tabla 3 se puede concluir que las

Fig. 10. Modelo empleado por PSpice para representar un diodo de
referencia 1N4148.
variaciones relativamente más significativas de corriente
respecto a voltaje ocurren a partir de los 0,51 V así que
se puede considerar a este como el voltaje umbral teórico
del diodo 1N4148. Los datos presentados en la tabla 4
fueron graficados y linealizados como se muestra en la
figura 12 con el fin de obtener la pendiente de la curva
característica en la zona de conducción del diodo.

La recta de carga para este diodo es exactamente la misma que TABLA IV

la recta de carga para el diodo de referencia 1N4004, así se ALGUNOS VALORES OBTENIDOS DE LA CURVA CARACTERÍSTICA TEÓRICA
procedió a graficar las ecuaciones (5) y (4) obteniendo la figura DEL DIODO 1N4148 EN LA ZONA DE CONDUCCIÓN.

11.
VD (V) ID (A)
0,5 1,00E-04
0,505 1,12E-04
0,51 1,24E-04
0,515 1,38E-04
0,52 1,53E-04
0,525 1,70E-04
0,53 1,89E-04
0,535 2,10E-04
0,54 2,33E-04
0,545 2,59E-04
0,55 2,88E-04
0,555 3,20E-04
0,56 3,55E-04
0,565 3,95E-04

Fig. 11. Curva característica y recta de carga teóricas correspondientes al diodo 0,57 4,38E-04
1N4148 y al circuito de la figura 9. 0,575 4,87E-04
0,58 5,41E-04
Se obtuvo el punto de operación estable del circuito de la figura 0,585 6,01E-04
9 igualando las expresiones (5) y (4) obteniendo un valor teórico 0,59 6,68E-04
para igual a 588,095 mV y al reemplazar esta cantidad en la 0,595 7,42E-04
ecuación (5) se encontró 0,6 8,25E-04
TERCER INFORME DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 5

0,605 9,16E-04 La recta de carga correspondiente al circuito de la figura 13 se

0,61 1,02E-03 obtuvo al cortocircuitar la componente alterna de la fuente,
0,615 1,13E-03 calculando en esa nueva configuración el voltaje en el diodo
0,62 1,26E-03 cuando por este no fluye corriente y el flujo de carga por el
0,625 1,40E-03
mismo cuando su diferencia de potencial es cero, los circuitos
empleados para dichos cálculos se muestran en la figura 15:

Figura 15. Circuitos empleados para calcular: a) la corriente por el diodo

cuando su voltaje es cero y b) la diferencia de potencial en el diodo cuando no
fluye corriente a través de él.

Fig. 12. Grafica empleada para calcular el valor de la pendiente de la curva Así se obtuvieron para el circuito de la figura 13 𝐼𝐷 =
característica teórica del diodo 1N4148 estudiado.
valores que fueron empleados para
En la figura 12 se encontró que la pendiente de la grafica llegar a la expresión (6) correspondiente a la recta de carga del
es de 0,009 valor que representa el inverso de la circuito presentado en la figura 13:
resistencia dinámica del diodo, que para este caso puede
considerarse como constante ya que se está trabajando
con señales relativamente pequeñas y es igual a 𝑟 =
111,111 Ω.
IV. DISCUSIÓN DE RESULTADOS
C. Diodo Zener de 5,1 V.
A. Diodo 1N4004.
Se eligió el diodo Zener de 5,1V 1N4733, las figuras 13 y 14
corresponden al circuito empleado para el análisis de las Al simular el circuito de la figura 4 PSpice y haciendo
características de dicho diodo y al modelo usado por PSpice para uso de la herramienta Probe se obtuvieron la curva
representarlo. característica del diodo 1N4004 y la recta de carga en el
circuito estudiado como se muestra en la figura 16:

Figura 13. Circuito usado para la caracterización del diodo Zener 1N4733
haciendo uso de PSpice.
Fig. 16. Curva característica y recta de carga obtenidas mediante
simulación para un diodo 1N4004.

La intersección entre la curva característica del diodo y

Figura 14. Modelo empleado por PSpice para representar un diodo de
referencia 1N4733.
la recta de carga da como resultado el punto de operación
estable del diodo en el circuito analizado, obteniendo de
esta forma los valores de 𝑉𝐷𝑄 = 551,684 𝑚𝑉 y de 𝐼𝐷𝑄 =
658,325 µ𝐴, dichas cantidades presentan una diferencia
del 0,01 y 0,005 % respectivamente, en relación con los
valores determinados para las mismas magnitudes de
forma teórica; mientras que para la resistencia en el
TERCER INFORME DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 6

punto de operación se obtuvo 𝑅𝑄 = 838,012 Ω, resultado 0,550 6,53E-04

que difiere en un 0,02 % del valor obtenido teóricamente, 0,552 6,58E-04
de esta forma se evidencia un alto grado de fidelidad 0,555 7,20E-04
entre el modelo teórico y los resultados de la simulación. 0,560 7,89E-04
El punto de operación estable obtenido presenta los 0,565 8,68E-04
valores de voltaje y corriente que presenta el diodo 0,570 9,57E-04
debido a la componente de continua de la fuente de
0,575 1,05E-03
alimentación usada; así es completamente valido, para
0,580 1,16E-03
analizar las componentes de corriente continua tanto
0,585 1,27E-03
para el flujo de corriente y como para el voltaje,
reemplazar en la figura 4 el diodo por una resistencia 0,590 1,40E-03
igual a 𝑅𝑄 [1]. 0,596 1,55E-03

Al analizar los valores de la corriente por el diodo
respecto al voltaje en el mismo se determino un valor
aproximado del voltaje umbral en el diodo 1N4004,
haciendo uso de la figura 17 se concluyo que el valor para
dicho voltaje esta alrededor de los 0,5 V, lo cual significa
que a partir de este valor de voltaje se observan cambios
más significativos en la corriente a través del diodo para
los mismos intervalos de voltaje.
En la figura 18 se encontró que la pendiente de la grafica es de
0,015 valor que representa el inverso de la resistencia dinámica
del diodo, que para este caso puede considerarse como constante
ya que se está trabajando con señales relativamente pequeñas y
es igual a 𝑟 = 66,67 Ω. Cantidad que difiere en 6,25 % del valor
determinado teóricamente para la misma resistencia, lo cual hace
el dato teórico bastante valido ya que el error es relativamente
pequeño. El valor de la resistencia dinámica para pequeñas

Fig. 18. Grafica empleada para calcular el valor de la pendiente de la curva

Fig. 17. Algunos valores de corriente por el diodo respecto al voltaje en el
mismo obtenidos mediante simulación para un diodo 1N4004.
También se tabularon algunos datos de corriente y voltaje por
encima del voltaje umbral obtenidos a partir de la curva
característica determinada mediante simulación, valores a los
que se les aplico una aproximación lineal para determinar de esa
forma la pendiente en dicha zona llegando a la figura 18.
TABLA V
ALGUNOS VALORES OBTENIDOS DE LA CURVA CARACTERÍSTICA SIMULADA DEL
DIODO 1N4004 EN LA ZONA DE CONDUCCIÓN.
señales como las empleadas en esta práctica puede usarse en
aproximaciones del modelo del diodo para facilitar la realización
de cálculos en circuitos que contengan el diodo estudiado [1].
característica simulada del diodo 1N4004 estudiado.
B. Diodo 1N4148.
Se simuló el circuito de la figura 9 en PSpice y haciendo
uso de la herramienta Probe se obtuvieron la curva
característica del diodo 1N4148 y la recta de carga en el
circuito estudiado como se muestra en la figura 19:

VD (V) ID (A)
0,520 3,70E-04
0,525 4,06E-04
0,530 4,46E-04
0,535 4,91E-04
0,540 5,40E-04
0,545 5,94E-04
TERCER INFORME DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 7

Después de determinado el voltaje umbral se linealizó, como se

muestra en la figura 21 un grupo de datos tomados después de
dicho voltaje, mostrados en la tabla 6, para de esta forma hallar
la pendiente de la curva característica en la región de conducción
en el diodo 1N4148.

TABLA VI
ALGUNOS VALORES OBTENIDOS DE LA CURVA CARACTERÍSTICA SIMULADA DEL
DIODO 1N4148 EN LA ZONA DE CONDUCCIÓN.

VD (V) ID (A)
Fig. 19. Curva característica y recta de carga obtenidas mediante
0,500 1,10E-04
simulación para un diodo 1N4148.
0,505 1,23E-04
0,510 1,36E-04
La curva característica del diodo y la recta de carga se 0,515 1,51E-04
intersecan en el punto de operación estable del diodo en 0,520 1,68E-04
el circuito analizado, obteniendo de esta forma los 0,525 1,87E-04
valores de 𝑉𝐷𝑄 = 588,532 𝑚𝑉 y de 𝐼𝐷𝑄 = 643,849 µ𝐴, 0,530 2,08E-04
dichas cantidades presentan una diferencia del 0,07 y 0,3 0,535 2,31E-04
% respectivamente, en relación con los valores 0,540 2,56E-04
determinados para las mismas magnitudes de forma 0,545 2,85E-04
teórica; mientras que para la resistencia en el punto de 0,550 3,17E-04
operación se obtuvo 𝑅𝑄 = 914,084 Ω, resultado que 0,555 3,53E-04
difiere en un 0,25 % del valor obtenido teóricamente, de
0,560 3,92E-04
esta forma se evidencia un alto grado de fidelidad entre
0,565 4,36E-04
el modelo teórico y los resultados de la simulación. El
0,570 4,84E-04
punto de operación estable obtenido presenta los valores
0,575 5,38E-04
de voltaje y corriente que presenta el diodo debido a la
componente de continua de la fuente de alimentación 0,580 5,98E-04
usada; así es completamente valido, para analizar las 0,585 6,64E-04
componentes de corriente continua tanto para el flujo de 0,590 7,38E-04
corriente y como para el voltaje, reemplazar en la figura 0,595 8,18E-04
9 el diodo por una resistencia igual a 𝑅𝑄 [1]. 0,600 9,09E-04
0,605 1,01E-03
La figura 20 muestra un conjunto de datos sobre la curva 0,610 1,12E-03
característica, a partir de los cuales se deduce que el 0,615 1,24E-03
voltaje a partir del cual se presentan cambios 0,620 1,37E-03
relativamente más significativos en la magnitud de la 0,625 1,53E-03
corriente respecto al voltaje, o voltaje codo esta dado
aproximadamente por 0,52 V.

Fig. 20. Algunos valores de corriente por el diodo respecto al voltaje en el En la figura 21 se encontró que la pendiente de la grafica es de
mismo obtenidos mediante simulación para un diodo 1N4148. 0,01 valor que representa el inverso de la resistencia dinámica
del diodo, que para este caso puede considerarse como constante
ya que se está trabajando con señales relativamente pequeñas y
TERCER INFORME DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 8

es igual a 𝑟 = 100 Ω. Cantidad que difiere en 11,11 % del valor

determinado teóricamente para la misma resistencia, esta
diferencia que aunque no es muy grande debe tenerse en cuenta
puede deberse principalmente a errores de aproximación al
aplicar el modelo teórico. El valor de la resistencia dinámica para
pequeñas señales como las empleadas en esta práctica puede
usarse en aproximaciones del modelo del diodo para facilitar la
realización de cálculos en circuitos que contengan el diodo
estudiado [1].

Fig. 21. Grafica empleada para calcular el valor de la pendiente de la curva

característica simulada del diodo 1N4148 estudiado.

Para el diodo 1N4148 se dedujo una mayor tensión

umbral que para el diodo 1N4004, lo cual implica que el
primero requiere de un mayor voltaje en polarización
directa para entrar en la zona de conducción, lo cual era
de esperarse ya que el valor de la corriente de saturación
inversa para el diodo 1N4004 es mayor que la de el diodo
1N4148 como se evidencia en las figuras 5 y 10.

En cuanto a la pendiente en la zona de conducción esta

es mayor en el diodo 1N4004 que en el diodo 1N4148, y
al ser dicha pendiente la inversa de la resistencia
dinámica se concluye que el diodo 1N4148 se opondrá
más al flujo de corriente que el diodo 1N4004.

C. Diodo Zener de 5,1 V.

Haciendo uso de PSpice se simulo el circuito de la figura

13, y mediante Probe se obtuvo la curva característica
correspondiente al diodo Zener de 5,1 V 1N4733 y la
recta de carga del circuito estudiado, las cuales se
muestran en la figura 22.
Fig. 21. Curva característica y recta de carga obtenidas mediante
simulación para un diodo 1N4733.

Para el circuito analizado en este caso se tiene un punto de

operación estable correspondiente a 𝐼𝐷𝑄 = −32,841 𝑛𝐴 y
𝑉𝐷𝑄 = −2,999 𝑉, datos a partir de los cuales se obtuvo la
resistencia estática del diodo en el circuito de la figura 13
llegando a 𝑅𝑄 ≈ 91 ∙ 106 lo cual muestra que en el circuito
estudiado para la componente DC de la fuente el diodo 1N4733
actúa casi como un circuito abierto al presentar una resistencia
elevada al flujo de la corriente.
TERCER INFORME DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 9

En la curva característica correspondiente a este diodo Zener se

observa un fenómeno que en los dos casos anteriores no se
aprecio, la ruptura Zener, la cual consiste en que después de TABLAS VII Y VIII
ALGUNOS VALORES OBTENIDOS DE LA CURVA CARACTERÍSTICA SIMULADA DEL

Fig. 23. Algunos valores de corriente por el diodo respecto al voltaje en el

mismo obtenidos mediante simulación para un diodo 1N4733.

Basándose en la figura 2 3 se llego a la conclusión de que el

voltaje a partir del cual el diodo entra en su zona de
conducción es decir permite grandes variaciones de
corriente para pequeños cambios en la diferencia de
potencial es aproximadamente los 0,6 V.
Se calculo la pendiente de la curva c aracterística del diodo
1N4733 tanto en la zona de conducción como en la zona de
ruptura Zener a partir de los datos de las tablas 7 y 8
obteniendo los gráficos mostrados en la figura 24.

alcanzado cierto nivel de voltaje en polarización inversa los DIODO 1N4148 EN LA ZONA DE CONDUCCIÓN (IZQUIERDA) Y EN LA ZONA DE
RUPTURA (DERECHA).
electrones empiezan a abandonar los enlaces covalentes
produciendo una avalancha de electrones y por tanto un gran
aumento en la corriente [1].

Como se observa en la figura 24 se presentaron

exactamente las mismas pendientes para la curva
característica en las regiones de conducción y de ruptura,
siendo el valor de estas 0,002, valor que representa el
inverso de la resistencia dinámica del diodo, que para
este caso puede considerarse como constante ya que se
está trabajando con señales relativamente pequeñas y es
igual a
TERCER INFORME DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 10

𝑟 = 500 Ω. corriente en cortocircuito del dispositivo, y buscando el

punto de intersección entre la recta generada por dichas
magnitudes y la curva característica del diodo.

La linealización de la curva característica del diodo luego de

superado el voltaje umbral, cuando se trabaja con señales
relativamente pequeñas de corriente alterna supone un buen
método de aproximación al comportamiento del diodo,
facilitando sustancialmente los cálculos correspondientes a un
circuito que involucre diodos, y adicionalmente permite hallar la
resistencia dinámica del diodo parámetro que puede ser usado
como aproximación teórica al modelo del diodo.

REFERENCIAS
[1] http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/diodo.htm

[2] http://www.unicrom.com/Tut_diodozener_.asp

Fig. 21. Grafica empleada para calcular el valor de la pendiente de la curva

característica simulada del diodo 1N4148 estudiado a) en la zona de
conducción y b) en la zona de ruptura.

V. CONCLUSIONES

La corriente de saturación inversa como parámetro del

diodo semiconductor tanto para el modelo teórico como
para el modelo usado en el simulador influye en que tanto
se opone el diodo estudiado al flujo de corriente, así un
diodo con mayor corriente de saturación inversa
presentara un valor de voltaje umbral y una resistencia
dinámica más pequeños que un diodo con una corriente
de saturación inversa de menor magnitud, como se
demostró al comparar dichas magnitudes entre los diodos
1N4004 y el 1N4148, de los cuales el 1N4004 presentaba
una mayor corriente de saturación y por tanto una menor
tensión umbral y resistencia dinámica, así un diodo con
una corriente de saturación mayor entrara más
rápidamente a la zona de conducción y opondrá menor
resistencia al flujo de corriente una vez se encuentre en
dicha región.
El análisis del comportamiento de un diodo mediante el uso
de la recta de carga es muy útil cuando se tienen señales de
corriente continua como entrada al circuito, ya que permite
hallar la corriente y el voltaje bajo los cuales el diodo opera
en dicho calculando el voltaje en circuito abierto y la