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TRANSÍSTORES DE JUNÇÃO BIPOLAR (BJT)

Estrutura e tipos (NPN e PNP)


C

ELECTRÓNICA I NPN: C n p n E B

B
E

PNP: C p n p E B

TRANSÍSTORES B C
C
E
Análise DC IC
IC VBC
VCB
IB IB
V CE B VEC
B
ESEM/EMM
VBE VEB
IE
IE
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E E

Zonas de Funcionamento Zona Activa:


I C  βF I B  (1  βF )I C0

Zona Activa:
Muitas vezes, é razoável considerar I C  βF I B
•Junção base-emissor polarizada directamente I E  I B  I C  (1  βF )I B
•Junção base-colector polarizada inversamente
VCE  VCB  VBE VBEcon  0.7V PNP: VEC  VBC  VEB

Zona de Saturação:
•Ambas as junções polarizadas directamente

Zona de Corte:
•Ambas as junções polarizadas inversamente

Zona Inversa:
•Junção base-emissor polarizada inversamente
•Junção base-colector polarizada directamente Saturação: Corte:
FI B  ICSAT VCE  VCESAT VCE  VCC IC  0
ENIDH - Victor Gonçalves 3 I C  I C0 ENIDH - Victor Gonçalves 4
Características de transístores
Tipos de transístores

De uso geral:
• Suportam sinais fracos (tipicamente, correntes abaixo de 0.5A).
• Baixas frequências.

De RF:
• Suportam sinais fracos.
• Altas frequências.

De potência:
• Correntes elevadas.
• Baixas frequências.

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Montagens típicas (do ponto de vista de sinal)


Alguns Tipos de Caixas de Transístores
Emissor comum
v o (t)

v i (t)

Colector comum
v o (t)

v i (t)

Base comum
v i (t) v o (t)

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Montagens típicas O transístor como inversor
+VCC
Emissor comum (EC):
• Impedância de entrada: média (kΩ) RC VCC=5V
Vo
• Impedância de saída: alta (kΩ a dezenas de kΩ) Rb Rc=4.7kΩ
T
• Ganho de corrente: elevado (da ordem das dezenas ou centenas) Rb=3.3kΩ
• Ganho de tensão: elevado (com inversão de fase; módulo do ordem das centenas)
V i (t) :
5V
 F  100
• Ganho de potência: elevado 0V
VBECON  0.7V
Colector comum (CC):
• Impedância de entrada: alta (centenas de kΩ)
• Impedância de saída: muito baixa (dezenas ou centena de Ω) Para Vi=5V:
• Ganho de corrente: elevado
• Vi  VBE Ib=1.3 mA
Ganho de tensão: baixo (aprox. 1) Ib 
• Ganho de potência: médio Rb

Base comum (EC): VCC  I C R C  VCE


• Impedância de entrada: baixa


Impedância de saída: muito alta
Ganho de corrente: baixo
I CSAT  (VCC  VCESAT ) / R C
• Ganho de tensão: elevado
• Ganho de potência: baixo ENIDH - Victor Gonçalves I CSAT  VCC / R C I CSAT  1.1mA Vo  VCESAT  0
9 ENIDH - Victor Gonçalves 10

FIb > I CSAT Analisar o circuito

I C  I CSAT
Logo:
Vo  VCESAT +VCC
R1 RC
Vo
VCC=5V
Rc=4.7kΩ
Vi=0V: Rb=3.3kΩ
Vi
 F  100
T ao corte
VBECON  0.7V
VCESAT  0.2V
Vo  VCC

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O transístor como elemento de circuitos lógicos Análise de um circuito

• Determinar:
• A equação da recta de carga estática
• O PFR e a zona de funcionamento
• A excursão máxima do sinal na saída sem distorção

VCC  15V
+VCC R 1  68k
R1 RC R C  820
v o (t)  F  50
v i (t) 
T : VBECOND  0.7 V

VCESAT  0.2V
v i t   VM sent ;   2f
ENIDH - Victor Gonçalves 1 / C  0
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Recta de carga estática e PFR

Resultados (com cálculos intermédios):

I b  210 A

 F I b  10.5 mA
I CSAT  18 mA

T na zona activa
Recta de carga estática

VCE  6.4V

PFR: (6.4V, 10.5mA)

VoMAX  12.4Vpp
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Montagem de emissor comum Resultados (com cálculos intermédios):
Determinar
• A equação da recta de carga estática Usando o teorema de Thévenin
• O PFR e a zona de funcionamento
+VCC
• A excursão máxima do sinal na saída sem distorção
RC R2
IC Veq  VCC .
• A potência dissipada no transístor R eq IB R1  R 2
V CE
• Efeitos duma variação de temperatura Veq +
+VCC VCC  10V - VBE
R eq  R 1 // R 2 
R 1 .R 2
R1  R 2
R1 RC R 1  68k
R 2  10k Veq  VBE
o IB 
v i (t) R C  1k R eq

 F  100 VBE
 2.2mV/º C Veq  1.28V
R2  T
R eq  8.72k
T : VBESAT  0.7 V

 
I C0 25º C  20nA
I b  66.5A
VCESAT  0
 F I B  6.65mA  I CSAT I CSAT  10mA
v i t   VM sent ;   2f
VCE  3.35V
1 / C  0 ENIDH - Victor Gonçalves 17
VoMAX  6.7Vpp
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A potência dissipada:
Montagem de colector comum
Pt  VBE .I B  VCE .I C
Determinar
• A equação da recta de carga estática
• O PFR e a zona de funcionamento
Efeitos de variação da temperatura:
• A excursão máxima do sinal na saída sem distorção
VBE
VBE (T1 )  VBE (T0 )   T1  T0  VCC  12V
T +VCC
R 1  R 2  10k
R1 R E  560
IC0 T1   I C0 T0   2(T1 T0 )/10
v i (t)  F  75

v o(t) T : VBECOND  0.7V
R2 
VCESAT  0.3V
RE

v i t   VM sent ;   2f
1 / C  0
ENIDH - Victor Gonçalves 19 ENIDH - Victor Gonçalves 20
Montagem de emissor comum com resistência de
+VCC emissor
V CB
R eq IB V CE
Veq+ Determinar equação da recta de carga estática e o PFR
-
VBE
RE IE

+VCC
VCC  9V
Veq  VBE
IB  I E  (1   F )I b R1 RC R1  680k
R eq  (1   F )R E v o (t)
R2  150k
v i (t)
C1 RC  12k
Veq  6V RE  1.2k
R2 RE
R eq  5k   200
T : F
VBE  0.7V
I b  112.8A
 F I B  8.6mA
21 22
VCE  7.2V ENIDH - Victor Gonçalves ENIDH - Victor Gonçalves

Analisar o circuito
+VCC
RC IC VCC  9V
+VCC
R eq IB VCE R1  6.8k
R1 RC
v o (t) R2  5.6k
Veq+ VBE
-
I v i (t) RE  820
RE E
C1 RC  10k
R2 RE CE  F  100
Veq  1.63V 
T : VBECOND  0.7V

R eq  122.89k VCESAT  0.2V
v i t   VM sent ;   2f
I B  2.5A
1 / C  0
I C  500mA
I E  502.5mA
VCE  2.4V ENIDH - Victor Gonçalves
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Analisar o circuito Analisar o circuito

+VCC
+VCC
R1 RC
R1 RC v o (t)
v o (t) T2
Vc1(t) Vcc=12V
C3 v i (t)
v i (t) C1 T1 R1=47k
C1
R2 RE R2=4,7k
R2 RL RC=820
RE C2
RE=10k
F1= F2=50

PFR’s e zonas de funcionamento do transístores

Máxima excursão de sinal sem distorção

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O par Darlington

+VCC
R1 RC
v o(t)
T2
Vc1(t) T3
v i (t)
C1 T1
I E3  1   F2 1   F3 I B2
R2 RE

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