LABORATORIO N°3 Transistor BJT

Instituto Profesional
Duoc UC – Sede Maipú

Av. Esquina Blanca 501
ESCUELA DE INGENIERIA
Evaluación - Laboratorio Nº 3 – Transistor BJT
NOMBRE y APELLIDOS:
RUT:
DOCENTE:
CARRERA: ASIGNATURA: SECCIÓN: FECHA:

Electricidad y Automatización
DEP5101
Industrial
Tiempo Duración: 180 Minutos.

Puntaje Total: 50 Puntos Nota: 7.0
Puntaje: 30 Puntos Nota: 4.0
Puntaje obtenido: NOTA:
Resultado de Aprendizaje:
INSTRUCCIONES GENERALES
1.- La Experiencia que se dispone a desarrollar está compuesta por 5 Ítem.
2.- Esta experiencia será evaluada con una escala de 1 a 7. La nota mínima de
aprobación (4.0) se obtiene con 30 puntos y la nota máxima (7.0) con 50 puntos.
3.- Se debe utilizar las herramientas acorde a lo necesario para realizar la experiencia.
4.- Se debe utilizar los instrumentos de medición adecuadamente.
5.- Debe utilizar protoboard de forma correcta. Realizar el circuito de forma segura y
ordenada.
6.- Realizar la experiencia en coordinación con los demás compañeros de grupo.
DEP5101 – Configuración de dispositivos de Electrónica de Potencia

Jorge F. Huerta
LABORATORIO N° 3
Transistor BJT
OBJETIVOS.
 Identificar de forma práctica los terminales del transistor bipolar.
 Conocer las zonas de operación del transistor: corte, saturación y activa
 Utilizar instrumentos básicos y herramientas, y aplicarlos en la realización de circuitos con
transistor.
MARCO TEÓRICO
Descripción del transistor bipolar.
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo
a su fabricación, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. En la figura 1 se encuentran los símbolos de
circuito y nomenclatura de sus terminales. La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un
PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del
transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro. Además, en funcionamiento normal, dicha
flecha indica el sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor
Figura 1: Representación del transistor BJT
Zonas de operación.
Para la configuración Emisor común mostrado en la Figura 2 el transistor podrá trabajar en tres
zonas de operación:
 Corte: El transistor se comporta como un circuito abierto. No fluye corriente por el

colector, y la corriente de base es nula o no es suficiente para permitir la conducción del
bjt.
 Activa: El transistor se comporta como un amplificador, en donde la corriente de base se
amplifica por cierta ganancia (Ic = β*Ib), y la tensión entre colector y emisor VCE comienza a
disminuir al aumentar la corriente de base.
 Saturación: Cuando un aumento adicional de la corriente de base no produce que VCE
disminuya más, el transistor está saturado. En tal caso, el transistor se comportará como
un circuito cerrado, en donde la tensión VCE será muy pequeña (VCEsat) y la corriente de

Jorge F. Huerta
colector dependerá principalmente de la resistencia de colector (la carga) y la tensión de

alimentación Vcc. Ya no se cumple la relación Ic = β*Ib.
Figura 2: Características del transistor NPN
Característica de entrada.
La característica de entrada se refiere a la relación entre base y emisor. El comportamiento que

tendrá el transistor entre la base y emisor será prácticamente la misma que tendrá un diodo. La
Fig. 2 (b) muestra la relación entre la tensión base- emisor VBE y la corriente de base Ib
Característica de salida.
Esta característica muestra la relación entre Ic y VCE. En la Fig. 2(c) se puede identificar las tres
zonas de operación: corte, activa y saturación.
Funcionamiento en convertidores de electrónica de potencia.
En el ámbito de la electrónica de potencia, se busca que siempre el transistor bipolar trabaje en

zona de corte y saturación.
 En zona de corte, la corriente de colector es muy cercana a cero y la tensión colector-

emisor será la tensión de la fuente. En tal caso, la potencia que disipa el transistor será
muy reducida.
 En zona de saturación, la tensión colector-emisor alcanzará un valor mínimo, típicamente
entre 0.2V y 0.8V y la corriente de colector será la máxima, dada por la carga y fuente. La
potencia disipada por el transistor será superior que en zona de corte, pero será reducida.

Jorge F. Huerta
INTRODUCCION
El transistor es un bloque de construcción fundamental de todos los dispositivos electrónicos

modernos. En un transistor la corriente IB fluye hacia la base controlando la corriente IC que fluye
desde colector a emisor en un transistor tipo NPN. El símbolo del transistor se muestra en la figura
N°1.
Figura N°1, Símbolo
Existen dos (2) diferentes régimen de operación para un transistor cuando esta encendido.
Régimen “Lineal” y régimen “No lineal”. En el régimen lineal, la corriente que fluye por el colector
es proporcional a la corriente que circula por la base, es decir.
𝐼𝐶 = 𝛽 ∙ 𝐼𝐵 (1)
La igualdad anterior aplica solo cuando el transistor opera en régimen lineal.
La constante β conocida como “Ganancia de Corriente” presenta un valor alto, típicamente entre
100 – 300, y es efectivamente constante en régimen lineal (No cambia de valor). Ya que la
corriente de base es prácticamente despreciables cuando el transistor opera en régimen lineal y
además, la corriente de colector es esencialmente igual a la corriente de emisor.
𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶
Si la corriente de base es grande, el transistor entra en régimen no lineal y la expresión 1 no aplica.

Cuando esto sucede se dice que es transistor esta “Saturado” y por lo tanto el β ya no es
“Constante” y VCE = 0.1-0.5v
COMPETENCIA A EVALUAR
Utiliza información técnica de dispositivos electrónicos industriales de acuerdo a especificaciones

del proyecto y necesidades del cliente.
RESULTADOS DE APRENDIZAJE A EVALUAR
Determinar componentes de reemplazo en dispositivos discretos de electrónica de potencia, de

acuerdo a la operación del elemento, las características presentes en las hojas de datos y su
disponibilidad en el mercado.

Jorge F. Huerta
ACTIVIDAD
I.- IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES EN UN TRANSISTOR
Con la ayuda de internet, busque la hoja de datos para los siguientes transistores,
identifique sus terminales y datos relevantes que lo caracterizan.
TRANSISTOR TIP122
TIPO:_______
IC:__________
VCBO:________
VCEO:________
VEBO:________
PC:__________
β: __________
TRANSISTOR 2N2222
TIPO:_______
IC:__________
VCBO:________
VCEO:________
VEBO:________
PC:__________
β:___________

Jorge F. Huerta
II.- OBTENCION DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DEL TRANSISTOR β
Arme el siguiente circuito el en el protoboard
Mediante la siguiente formula calcule IB para los distintos valores de RX, además mida IC,
VC, Calcule β, complete la Tabla N°1 y realice el gráfico β en función de R.
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = (𝐴)
𝑅 + 4700
Además:
𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵
RX (KΩ) IC (mA) VC (V) IB (mA) β

0
20
30
47
75
100
220
470
820
1000
Tabla N°1

Jorge F. Huerta
III.- TRANSISTOR COMO CONMUTADOR
Arme el siguiente circuito en protoboard.
A).- ¿Qué pasa en el Colector cuando el SW1 pasa a la posición 1? ¿Por qué?
B).- ¿Qué pasa en el Colector cuando el SW1 pasa a la posición 2? ¿Por qué?

Jorge F. Huerta
C).- Ubique el SW1 en la posición 1 y mida IB e IC y calcule β
IB = __________________, IC = ________________
β = ____________________.
D).- Calcule la resistencia de la bobina.
E).- Mida y complete las siguientes tablas.
SW en posición 1
IB VBE VCE VCB V en bobina IC
SW en posición 2
IB VBE VCE VCB V en bobina IC
IV.- SIMULACIÓN
Implemente mediante simulación un circuito con transistor BJT un amplificador de señal

en alterna. Demuestre como se modifica la señal de entrada alterna cuando se modifica la
corriente de be base. Para lo anterior utilizar un potenciómetro que controle la corriente en la
base. Adjunte imágenes.

Jorge F. Huerta
V.- CONCLUYA
1. A partir del datasheet ¿Se superan algunos de los límites máximos que da el fabricante?
2. ¿Por qué no se hace trabajar el transistor en zona activa para aplicaciones de electrónica de
potencia?
3. Cuando se trabaja el transistor como conmutador ¿Por qué β presenta dicho valor si en Hoja de
datos del transistor se especifica entre 100 y 300 el valor de β?
4. ¿Cómo influye la corriente de base cuando el transistor está trabajando en la zona activa y se
está amplificando una señal?
5. Explique detalladamente la diferencia entre utilizar un transistor polarizado para trabajar como
amplificador y como conmutador.

Jorge F. Huerta
EVALUACIÓN
Nombre: Rut:
CONFIGURACIÓN DE DISPOSITIVOS DE
Asignatura ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Sigla DEP5101 Sección
N° Actividad 03 Nombre Transistor BJT
Fecha
Habilidad 1
Comprueba el funcionamiento básico de dispositivos discretos de control de potencia, en función de operación e información técnica
Ponderación Puntaje Descripción

Puntaje Total
Obtenido
Identificar terminales
10% 5 Puntos Obtener tabla de datos requerida en base a Datasheet
de transistor
Gráfico de ganancia Grafica correctamente el comportamiento lineal y no lineal de la
20% 10 Puntos
de corriente (β) ganancia de corriente de un transistor BJT
Diferenciar
funcionamiento de 10% 5 Puntos Diferenciar el funcionamiento del transistor en corte y saturación
corte y saturación
Simulación transistor Simular y corroborar el comportamiento de amplificación del
10% 5 Puntos
como amplificador transistor BJT
Habilidad 2
Comprueba el funcionamiento básico de dispositivos discretos de control de potencia, en función de operación e información técnica
Puntaje Descripción
Ponderación Puntaje Total
Obtenido
Conclusiones 50% 25 Puntos Obtiene conclusiones acorde a la experiencia realizada
Resultados de Aprendizaje
Determinar componentes de reemplazo en dispositivos discretos de electrónica de potencia, de acuerdo a la operación del elemento, las
características presentes en las hojas de datos y su disponibilidad en el mercado
Puntaje
Ponderación Puntaje Total
Obtenido
Calificación Resultado de
Habilidad 1 50% 25 Puntos Puntaje Total Obtenido
aprendizaje
Habilidad 2 50% 25 Puntos
Estado de resultado de aprendizaje
Logrado Medianamente Logrado No Logrado
Firma Alumno

Jorge F. Huerta

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CARRERA: ASIGNATURA: SECCIÓN: FECHA:

Tiempo Duración: 180 Minutos.

Puntaje obtenido: NOTA:

1.- La Experiencia que se dispone a desarrollar está compuesta por 5 Ítem.

4.- Se debe utilizar los instrumentos de medición adecuadamente.

6.- Realizar la experiencia en coordinación con los demás compañeros de grupo.

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Descripción del transistor bipolar.

Figura 1: Representación del transistor BJT

 Corte: El transistor se comporta como un circuito abierto. No fluye corriente por el

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colector dependerá principalmente de la resistencia de colector (la carga) y la tensión de

Figura 2: Características del transistor NPN

La característica de entrada se refiere a la relación entre base y emisor. El comportamiento que

Funcionamiento en convertidores de electrónica de potencia.

En el ámbito de la electrónica de potencia, se busca que siempre el transistor bipolar trabaje en

 En zona de corte, la corriente de colector es muy cercana a cero y la tensión colector-

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El transistor es un bloque de construcción fundamental de todos los dispositivos electrónicos

Figura N°1, Símbolo

La igualdad anterior aplica solo cuando el transistor opera en régimen lineal.

Si la corriente de base es grande, el transistor entra en régimen no lineal y la expresión 1 no aplica.

Utiliza información técnica de dispositivos electrónicos industriales de acuerdo a especificaciones

RESULTADOS DE APRENDIZAJE A EVALUAR

Determinar componentes de reemplazo en dispositivos discretos de electrónica de potencia, de

DEP5101 – Configuración de dispositivos de Electrónica de Potencia

I.- IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES EN UN TRANSISTOR

DEP5101 – Configuración de dispositivos de Electrónica de Potencia

II.- OBTENCION DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DEL TRANSISTOR β

Arme el siguiente circuito el en el protoboard

RX (KΩ) IC (mA) VC (V) IB (mA) β

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III.- TRANSISTOR COMO CONMUTADOR

Arme el siguiente circuito en protoboard.

DEP5101 – Configuración de dispositivos de Electrónica de Potencia

C).- Ubique el SW1 en la posición 1 y mida IB e IC y calcule β

D).- Calcule la resistencia de la bobina.

E).- Mida y complete las siguientes tablas.

Implemente mediante simulación un circuito con transistor BJT un amplificador de señal

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N° Actividad 03 Nombre Transistor BJT

Ponderación Puntaje Descripción

Conclusiones 50% 25 Puntos Obtiene conclusiones acorde a la experiencia realizada

Habilidad 2 50% 25 Puntos

Estado de resultado de aprendizaje

Logrado Medianamente Logrado No Logrado

DEP5101 – Configuración de dispositivos de Electrónica de Potencia

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