PENDAHULUAN

1-1 PENERAPAN DARI ELEKTRONIKA DAYA

Kebutuhan akan pengendalian daya elektrik dari sistem penggerak motor listrik dan
sistem kendali industri telah ada sejak lama, dan kebutuhan ini mengarah pada
pengembangan awal dari sistem Ward-Leonard untuk mendapatkan tegangan dc variabel
untuk pengendalian penggerak motor dc. Elektronika daya menghasilkan revolusi pada
konsep kendali daya untuk konversi energi dan untuk pengendalian penggerak motor
elektris.

Elektronika menggabungkan konsep-konsep tentang energi,elektronika,dan konsep

kendali. Pengendalian berkaitan dengan karakteristik dinamis dan karakteristik keadaan
tunak dari sistem lup tertutup. Konsep-konsep energi akan berkaitan dengan peralatan
daya baik statis maupun berputar untuk pembangkitan,transmisi, dan distribusi energi
elektrik. Elektronika membahas peralatan solid-state dan rangkaian pemroses sinyal
untuk dapat memenuhi tujuan pengendalian yang ingin dicapai. Elektronika daya dapat
didefinisikan sebagai penerapan elektronika solid-state untuk pengendalian dan konversi
tenaga elektrik. Saling keterkaitan antara energi ,elektronika , dan pengendalian pada
gambar 1-.1

Elektronika daya bersandar terutama pada proses pensklaran pada peralatan-

peralatan semikonduktor. Dengan pengembangan teknologi semikonduktor daya , batas
daya yang dapat ditangani dan kecepatan pensklaran dari peralatan daya meningkat
sangat pesat. Pengembangan teknologi mikroprosesor/ mikrokomputer memberikan
pengaruh yang sangat besar dan pengendalian dan sintesa strategi kendali pada peralatan
semikonduktor daya. Peralatan daya modern menggunakan (1) semikonduktor daya yang
dapat diumpamakan sebagai otot, dan (2) mikroelektronik yang memiliki kemampuan dan
kecerdasan otak.

Elektronika daya dengan mudah dapat dilihat aplikasinya pada tempat-tempat yang
cukup penting dari teknologi modern dan sekarang digunakan dalam begitu banyak
variasi produk-produk daya tinggi, mencakup pengendalian suhu , pengontrolan
pencahayaan , pengendalian motor, catu daya sistem propulsi dan sistem-sistem high-
voltage direct-current (HVDC) (arus langsung tegangan tinggi). Akan sulit untuk
menggambarkan batas dari penerapan elektronika daya; terutama melihat trend pada
perkembangan peralatan daya dan mikroprosesor , hampir tidak terbatas. Tabel 1-1
memperlihatkan beberapa aplikasi dan elektronika daya.

Gambar 1-1 Hubungan elektronika daya terhadap daya, elektronik dan kontrol

1-2 DEVAIS SEMIKONDUKTOR DAYA

Sejak thyristor SCR dikembangkan pada akhir 1957, telah berkembang cepat
banyak devais semikonduktor daya yang lebih canggih. Hingga tahun 1970, thyristor
konvensional telah digunakan secara eksklusif pada kendali daya pada aplikasi industri.
Sejak tahun 1970 , banyak tipe devais semikonduktor daya telah dikembangkan dan
disediakan secara komersial. Devais-devais ini dapat dibagi menjadi lima kategori : (1)
diode daya, (2) thyristor, (3) power bipolar junction transistor (BJT), (4) MOSFET daya,
dan (5) insulated-gate bipolar transistor (IGBT) dan static inductor transistor (SIT),
Thyristor dapat dibagi lebih lanjut menjadi delapan tipe: (a) forced-commutated thyristor
,(b) line commutated thyristor , (c) gate-turn-off thyristor (GTO), (d) reverse-conducting
thyristor (RCT), (e) static induction thyristor (SITH), (f) gate-assited turn-off thyristor
(GATT), (g) light-activated silicon-controlled rectifer (LASCR), dan (h) MOS-controlled
thyristor (MCT). Static induction transistor juga tersedia secara komersial.

Ada tiga tipe diode daya: serba guna, kecepatan tinggi (pengisi cepat), dan
Schottky. Diode serba guna tersedia hingga rating 3000 V, 3500 A, dan rating dari diode
pemulihan cepat dapat mencapai 3000 V, 1000 A. Waktu pemulihan mundur akan
berkisar antara 0,1 sampai dengan, 5 µ detik. Diode pemulihan cepat merupakan
komponen dasar untuk proses pensklaran kecepatan tinggi dari konverter daya. Suatu
diode memiliki dua terminal: katode dan anode . Diode schottky memilki tegangan on-
state yang rendah dan waktu pemulihan yang kecil berkisar pada orde nano detik. Arus
bocor bertambah sesuai dengan rating tegangan dan rating tegangan diode schottky akan
terbatas hingga 100 V, 300 A. Suatu diode akan tersambung ketika tegangan anode lebih
tinggi dari tegangan katode; dan tegangan jatuh maju (forward voltage drop) dari diode
daya sangat kecil, berkisar 0,5 V sampai dengan. 1,2 V. Jika tegangan katode lebih besar
dari tegangan anode. Diode dikatakan dalam keadaan blocking mode. Gambar 1-2
memperlihatkan berbagai konfigurasi dari diode serbaguna, yang pada dasarnya terdiri
atas dua tipe. Tipe pertama dikenal sebagai tipe stud atau stud-mounted dan yang lain
dikenal sebagai tipe disk atau press pak atau hockey puck. Pada tipe pertama, anode atau
katode dapat menjadi stud.

Thyristor mempunyai tiga buah terminal: anode, katode dan gate. Ketika suatu arus
kecil melewati terminal gate ke katode, thyristor akan tersambung, jika terminal tegangan
anode lebih tinggi dari katode. Begitu katode berada pada mode tersambung itu,
rangkaian gate tidak lagi memegang kendali dan thyristor akan tetap tersambung. Ketika
thyristor berada pada mode tersambung, tegangan jatuh majunya sangat kecil, berkisar
pada 0,5 sampai dengan 2 V. Thyristor yang tersambung dapat dimatikan dengan
membuat tegangan anode sama atau lebih kecil dari tegangan katode. Line-commutated
thyristor di matikan melalui sifat sinusoidal dari tegangan masukkan, dan forced-
commutated thyristor dimatikan dengan rangkaian khusus yang disebut commutation
circuitry. Gambar 1-3 memperlihatkan banyak konfigurasi kontrol fasa (line commutated)
thyristor: stud, hockey, puck flat, dan tipe pin.

Gambar 1-2 Konfigurasi berbagai dioda serbaguna (Dengan kebaikan Powerex, Inc.)
Gambar 1-3 Bermacam-macam konfigurasi thyristor (Dengan kebaikan Powerex, Inc.)

Natural atau line-commutated thyristor tersedia hingga rating 6000 V, 3500 A.

Turn-off time (waktu mati) dari high-speed reverse-blocking thyristor telah meningkat
hingga mungkin mencapai 10 sampai dengan, 20 µ detik pada thyristor 1200 V, 2000 A.
Turn-off time didefinisikan sebagai interval waktu antara saat arus utama menjadi nol
setelah proses pensklaran eksternal dari rangkaian tegangan utama, dan ketika thyristor
mampu menangani tegangan utama tertentu tanpa dihidupkan [2]. RCT dan GATT
digunakan secara luas pada proses pensaklaran high-speed terutama pada aplikasi traksi.
Suatu RCT dapat dianggap sebagai thyristor dengan inverse-pararel diode. RCT tersedia
hingga rating 2500 V, 1000 A (dan 400 A pada reverse conduction) dengan waktu
pensaklaran 40 µ detik. GATT tersedia hingga 1200 V, 400 A dengan kecepatan 8 µ
detik. LASCR dengan rating hingga 6000 V. 1500 A dan waktu pensaklaran 200 sampai
dengan 400 µ detik cukup baik untuk sistem tenaga tegangan tinggi, terutama HVDC
untuk aplikasi AC daya rendah, TRIAC digunakan secara luas pada semua tipe kendali
panas sederhana, kendali penerangan, kendali motor, dan saklar AC, karakteristik dari
TRIAC mirip dengan dua thyristor dihubungkan dalam hubungan inverse pararel dengan
hanya mempunyai satu terminal gate. Aliran arus yang melalui TRIAC dapat dikontrol
arahnya.

GTO dan SITH merupakan self-turned-off thyristor. GTO dan SITH dihidupkan
dengan memberikan suatu pulsa positif ke gate dan dimatikan dengan pemberian pulsa
negatif pada gate. Keduanya tidak memerlukan suatu commutation circuit. GTO sangat
menarik untuk aplikasi forced commutation dari konverter dan tersedia pada rating
hingga 4000 V, 3000 A. SITH yang rating dapat mencapai 1200 V, 300 A diharapkan
untuk dapa di aplikasikan pada converter kelas menengah dengan frekuensi pensaklaran
pada orde beberapa ratus kilohertz dan di atas daerah frekuensi GTO. Gambar 1-4
memperlihatkan banyak konfigurasi dan GTO. Suatu MCT bersifat sama dengan GTO
hanya disini baik matinya sangat tinggi. MCT tersedia hingga 1000 V, 100 A.

Transistor bipoler daya tinggi High power bipolar transistor biasanya digunakan
konverter daya pada frekuensi dibawah 10 KHz dan efektif dipakai untuk rating daya
hingga 1200 V, 400 A. Beberapa konfigurasi dari bipolar transistor diperlihatkan pada
gambar 13-2 . Sebuah bipolar transistor memiliki tiga terminal: bas, emiter, dan kolektor.
Bipolar transistor di operasikan secara normal sebagai switch pada konfigurasi common-
emitter. Sepanjang base dari transistor NPN berada pada level tegangan yang lebih tinggi
dari emitter dan arus base cukup untuk membawa transistor mencapai kejauhannya,
transistor akan tetap on bias seperlunya. Tegangan jatuh maju pada transistor berada pada
daerah 0,5 sampai dengan 1,5 V. Jika tegangan drive base dihilangkan, transistor akan
kembali ke keadaan mati.

Gambar 1-4 Thyristor Gate mati (Dengan kebaikan International Rectifiers)

Tabel 1-2 RATING DEVAIS SEMIKONDUKTOR DAYA

Types Voltage/current Switching On

rating time (µs) voltage/current
Diodes General Purposes 3000 V/3500 A 1.6 V/10 kA
High speed 3000 V/1000 A 2-5 3 V/3000 A
Schottky 40 V/60 A 0.23 0.58 V/60 A
Forced-turn-off Reverse blocking 3000 V/1000 A 400 2.5 V/10 kA
thyristors High speed 1200 V/1500 A 20 2.1 V/4500 A
Reverse blocking 2500 V/400 A 40 2.7 V/1250 A
Reverse conducting 2500V/1000 40 2.1 V/1000 A
A/R400 A
GATT 1200 V/400 A 8 2.8 V/1250 A
Light triggered 6000 V/1500 A 200-400 2.4 V/4500 A
TRIACs 1200 V/300 A 1.5 V/420 A
Self turn-off thyristor GTO 3600 V/600 A 25 2.5 V/1000 A
SITH 4000 V/2200 A 6.5 2.3 V/400 A
Power transistor Single 400 V/250 A 9 1 V/250 A
400 V/40 A 6 1.5 V/49A
630 V/50 A 1.7 0.3 V/20 A
Darlington 900 V/200 A 40 2V
SITs 1200 V/10 A 0.55 1.2 Ω
Power MOSFETS 500 V/8.6 A 0.7 0.6
1000 V/4.7 A 0.9 23Ω
500 V/10 A 0.6 0.4 Ω
Tabel 1-3 KARAKTERISTIK DAN SIMBOL DARI BEBERAPA DEVAIS DAYA
 MOSFET daya digunakan untuk konverter kecepatan tinggi dan tersedia pada
rating daya yang relatif rendah pada daerah 1000 V, 50 A pada daerah frekuensi beberapa
puluh kilohertz. Beberapa MOSFET daya dalam berbagai ukuran diberikan pada Gambar
13-22. Rating daya dari devais semikonduktor daya yang tersedia secara komersial
diberikan pada tabel 1-2, dengan on-voltage merupakan on-state voltage drop dari devais
pada arus tertentu. Tabel 1-3 memperlihatkan karakteristik v-i dan simbol-simbol yang
biasa digunakan pada devais semikonduktor daya.

1-3 KARAKTERISTIK KENDALI DARI DEVAIS DAYA

Devais semikonduktor daya dapat dioperasikan sebagai switch dengan memberikan

sinyal kontrol pada terminal gate dari thyristor (atau base pada BJT). Keluaran yang
dikehendaki diperoleh dengan mengubah-ubah conduction time dari devais pensaklaran
ini. Gambar 1-7 memperlihatkan karakteristik tegangan keluaran dan kontrol yang biasa
digunakan pada devais daya pensaklaran daya. Begitu thyristor berada pada mode
conduction, sinyal negatif ataupun positif yang diberikan pada gate tidak berpengaruh
apapun, seperti terlihat pada Gambar 1-7a. Bentuk gelombang output pada Gambar 1-7
terlihat bahwa tegangan jatuhnya dapat diabaikan, dan kecuali dianggap lain, asumsi ini
akan digunakan pada bab-bab selanjutnya.

Devais pensaklaran semikonduktor daya dapat diklasifikasikan secara mendasar

menjadi :

1. Uncontrolled turn-on and off (contoh: Dioda)

2. Controlled turn-on and uncontrolled turn-off (contoh: SCR)
3. Controlled turn-on and turn-off (contoh: BJT, MOSFET, GTO, SITH, IGBT, MCT)
4. Continuous gate signal requirement (BJT, MOSFET, IGBT, SIT)
5. Pulse gate requirement (contoh: SCR, GTO, MCT)
6. Bipolar voltage withstanding capability (SCR, GTO)
7. Unipolar voltage withstanding capability (BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT)
8. Bidirectional current capability (TRIAC, RCT)
9. Unidirectional current capability (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT, SIT,
diode)
1-4 TIPE-TIPE RANGKAIAN ELEKTRONIKA DAYA

Untuk pengendalian daya elektrik atau pengkondisian daya, konversi daya

elektrik dari satu bentuk ke bentuk lain menjadi penting dan karakteristik pensaklaran
dari devais-devais daya memungkinkan hal ini. Suatu convert dapat dipandang sebagai
matriks pensaklaran. Rangkaian elektronika daya dapat dikategorikan menjadi enam tipe:

Gambar 1-5 Karakteristik Kontrol devais pensaklaran daya

 Gambar 1-6 Rangkaian penyearah fase tunggal

1. Penyearah diode
2. Konverter ac-dc (penyearah terkontrol)
3. Konverter ac-ac (kontroler tegangan ac)
4. Konverter dc-dc (dc chopper)
5. Konverter dc-ac (inverter)
6. Saklar/switch statis

Devais-devais pada konverter-konverter berikut hanya digunakan sebagai ilustrasi

dari konsep dasarnya saja. Aksi pensaklaran dari konverter dapat dilakukan dengan satu
atau lebih devais. Pemilihan devais ini akan tergantung pada spesifikasi tegangan, arus
dan kecepatan yang diinginkan dari konverter.

Penyearah. Rangkaian penyearah diode mengubah tegangan ac ke tegangan dc

tetap dan diperlihatkan pada Gambar 1-8. Tegangan masukan ke penyearah dapat bersifat
satu fasa ataupun tiga fasa.

Konverter ac-dc. Suatu rangkaian konverter satu fasa dengan dua natural
commutated thyristor diperlihatkan pada Gambar 1-9. Nilai rata-rata dari tegangan output
dapat dikendalikan dengan mengubah-ubah conduction time dari satu thyristor satu sudut
firing delay, α. Inputnya dapat berupa sumber satu atau tiga fasa. Konverter-konverter ini
juga dikenal sebagai penyearah terkontrol.

Konverter ac-ac. Konverter ini digunakan untuk memperoleh tegangan keluaran

ac variabel dari sumber ac tetap dan konverter satu fasa dengan suatu TRIAC diberikan
pada Gambar 1-10. Tegangan keluaran dikendalikan dengan mengubah-ubah conduction
time dari TRIAC atau sudut delay penyalaan, α. Tipe konverter ini dikenal juga sebagai
kontroler tegangan ac.
 Konverter dc-dc. Konverter dc-dc juga dikenal sebagai dc chopper atau
pensaklaran regulator dan suatu rangkaian transistor chopper diberikan pada Gambar 1-
11. Tegangan keluaran rata-rata dikendalikan dengan mengubah-ubah conduction time t
dari transistor 𝑄1 . Jika T adalah periode chopping, maka 𝑡1 = 𝛿𝑇. 𝛿 dikenal sebagai duty
cycle dari chopper nya.

Gambar 1-7 Penyearah ac-dc fase tunggal

Konverter dc-ac. Konverter dc-ac dikenal juga sebagai inverter. Suatu inverter
transistor fasa tunggal diperlihatkan pada Gambar 1-12. Jika transistor 𝑀1 dan 𝑀2
tersambung pada setengah periode, dan 𝑀3 dan 𝑀4 tersambung pada setengah periode
lainnya, keluaran akan berbentuk tegangan ac. Tegangan keluaran dapat dikendalikan
dengan mengubah-ubah conduction time dari transistor.

Saklar/switch statis. Karena devais daya dapat dioperasikan sebagai switch atau
kontaktor, dengan tegangan sumber dapat berupa tegangan ac atau dc dan switchnya
dikenal sebagai ac static switches atau dc static switches.

Gambar 1-8 Penyearah ac-ac fase tunggal

 Gambar 1-9 Penyearah dc-dc

Gambar 1-10 Penyearah dc-ac fase tunggal

1-5 PERANCANGAN PERALATAN DAYA

Perancangan peralatan elektronika daya dapat dibagi menjadi empat bagian:

1. Perancangan rangkaian daya

2. Proteksi devais daya
3. Penentuan strategi kontrol
4. Perancangan rangkaian logika dan rating

Pada bab-bab selanjutnya, berbagai tipe rangkaian elektronika daya akan diberikan
dan dianalisis. Pada analisis ini devais daya diasumsikan sebagai saklar ideal kecuali
dinyatakan sebelumnya; dan efek induktansi rangkaian, resistansi rangkaian, dan
induktansi sumber diabaikan. Devais daya pada praktek dan rangkaiannya tentu saja
berbeda dengan kondisi ideal ini dan perancangan rangkaian juga akan terpengaruh
dengannya. Akan tetapi, pada tahap awal perancangan, analisis rangkaian yang
disederhanakan akan sangat berguna untuk memahami cara beroperasinya rangkaian dan
untuk menghasilkan strategi kontrol dan karakteristikanya.

Sebelum suatu purwa rupa dibangun, perancang harus menyelidiki efek dari
banyak parameter rangkaian (dan ketidaksempurnaan devais) dan mengubah hasil
perancangannya jika perlu. Hanya setelah purwa rupanya dibangun dan dites, perancang
dapat yakin tentang validitas dari hasil perancangan dan memperkirakan parameter
rangkaian dengan lebih akurat (misalnya induktansi).

1-6 EFEK-EFEK PERIFERAL

Operasi dari konveter daya didasarkan pada proses pensaklaran dari devais
semikonduktor daya; dan sebagai hasilnya konverter akan menghasilkan harmonisa
tegangan dan arus ke suplai daya sistem dan ke keluaran konverter. Hal ini akan
menyebabkan masalah distrosi pada tegangan output, pembangkitan harmonisa pada
suplai daya ke sistem, dan interferensi dengan rangkaian pensinyalan dan komunikasi.
Biasanya akan perlu ditambahkan tapi pada masukan dan keluaran sistem konverter untuk
mereduksi tingkat harmonisa ke tingkat yang dapat ditolerir. Gambar 1-13
memperlihatkan diagram blok dari konverter daya secara umum. Penerapan elektronika
daya untuk memberikan daya ke beban elektronik yang sensitif merupakan tantangan
pada isu-isu kualitas daya dan menghasilkan masalah-masalah yang harus diselesaikan
oleh para peneliti. Kuantitas masukan ataupun keluaran dari suatu konverter dapat berupa
ac atau dc. Faktor-faktor seperti total harmonic distortion (THD), displacement factor
(DF), input power factor (IPF) merupakan ukuran dari kualitas bentuk gelombang. Untuk
mengevaluasi kinerja dari konverter, tegangan/arus masukan dan keluaran diberikan
dalam deret Fourier. Kualitas daya ditentukan dari kualitas bentuk gelombang tegangan
dan arusnya.

Gambar 1-11 Sistem penyearah daya yang umum

 Strategi kontrol untuk konverter daya memainkan bagian yang penting pada
pembangkitan harmonic dan distorsi bentuk gelombang dan dapat diarahkan untuk
meminimisasi persoalan-persoalan ini. Konverter daya dapat menyebabkan interferensi
frekuensi radio melalui radiasi elektromagnetik dan rangkaian gerbang dapat
menghasilkan sinyal-sinyal yang palsu. Interferensi ini dapat dihindari dengan grounded
shielding.

Ringkasan

Sebagai teknologi untuk perangkat semikonduktor daya dan sirkuit terpadu yang
berkembang, potensi penerapan elektronika daya menjadi lebih luas. Sudah ada banyak
perangkat semikonduktor daya yang tersedia secara komersial; Namun, perkembangan ke
arah ini berlanjut. Pengkonversian daya ukuran umumnya jatuh kedalam enam kategori
(1) Penyearah, (2) konverter ac-dc, (3) konverter ac-ac, (4) konverter dc-dc, (5) konverter
dc-ac, dan (6) statis switch. Perancangan sirkuit elektronika daya membutuhkan
perancangan rangkaian daya dan kontrol. Harmonisa tegangan dan arus yang dihasilkan
oleh konverter daya dapat dikurangi (atau diminimalkan) dengan pilihan strategi kontrol
yang tepat.