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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR

DE SAN MARCOS
Facultad de Ingeniería Eléctrica y
Electrónica

Curso: Circuitos Electrónicos

Tema: Características del Diodo Semiconductor

Profesor: Sotelo Ortiz Jaime

Alumno: Palomino De la Cruz 16190135

LIMA-2018
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1. MATERIALES

Dispositivo: Diodo de silicio 1N4007

Resistor variable: R = 250k Ω - 2 w

Fuente DC: Rango [0, 60] v

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2. FUNDAMENTO TEÓRICO

¿Qué es un diodo semiconductor?

El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede
encontrar, prácticamente en cualquier circuito electrónico. Los diodos se fabrican
en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio.

Viendo el símbolo del diodo en el gráfico se observan: A – ánodo, K – cátodo.

Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por
una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en
el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.

Principio de operación de un diodo

El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y
el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones). Cuando
una tensión positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el
lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material P mas
allá de los límites del semiconductor.
De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa
al lado del material N y los huecos fluyen a través del material N.

En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al
lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P
son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se
mueven y en consecuencia no hay corriente. El diodo se puede hacer trabajar de 2
maneras diferentes:

Polarización directa
Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del
diodo), o sea del ánodo al cátodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con
mucha facilidad comportándose prácticamente como un corto circuito.
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Polarización inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la
flecha del diodo), o sea del cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa el
diodo, y se comporta prácticamente como un circuito abierto.

Nota: El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, ésto quiere decir
que el diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en casi todos los
casos), tanto en polarización directa como en polarización inversa.

3. PROCEDIMIENTO
3.1 Implementar el siguiente circuito

3.2 Llenar las siguientes tablas y haga el gráfico de la curva de tensión –

corriente del diodo.

TABLA A: Polarización Directa

VD = VAK ID (mA) RD (Ω)

0.170 0.0001 mA 250k
0.200 0.0005 mA 250k
0.280 0.0007 mA 250k
0.370 0.0008 mA 250k
0.500 0.2 mA 250k
0.514 0.21 mA 250k
0.530 0.34 mA 250k
0.540 0.37 mA 250k
0.600 1.4 mA 250k
0.700 10.47 mA 250k
0.800 115.1 mA 250k
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TABLA B: Polarización Inversa

VD = VKA ID (µA) RD (Ω)

-1.03 0.0 250k
-2.06 -0.1 250k
-5.03 -0.3 250k
-9.90 -0.9 250k
-15.20 -1.4 250k
-20.00 -1.9 250k
-25.00 -3.2 250k
-30.10 -4.3 250k
-32.34 -5.9 250k
-35.19 -8.9 250k
-40.20 -12.8 250k
-45.39 -18.9 250k
-50.56 -45.2 250k

Polarización Directa
140
Corriente en el Diodo (mA)

120

100

80

60

40

20

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Tensión en el Diodo (V)
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Usando la ecuación del diodo, grafique la curva para los valores dados en las
tablas A y B.

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝐾.𝑇 − 1)

𝑉
De la fórmula: 𝑖 = 𝐼𝑠. ( 𝑒 𝑛𝑉𝑡 -1)
Para valores muy grandes de voltaje se puede eliminar el 1, obteniendo:
𝑉
𝑖 = 𝐼𝑠. ( 𝑒 𝑛𝑉𝑡 -1) … (𝛼)
Donde:

 i = Corriente en el diodo
 V= Voltaje en el diodo
 n: Constante del diodo
 Is: Corriente de saturación inversa
 VT: voltaje térmico del diodo
Además, sabemos que:
𝑘𝑇
𝑉𝑇 = 𝑄

Dónde:

 k =1.38 x 10−23
 q = 1.6 x 10−19;
 T = temperatura en grados kelvin = 298 k

Tomando logaritmo en la ecuación (𝛼)

𝑉
𝐿𝑛(𝑖) = 𝐿𝑛(𝐼𝑠) +
𝑛𝑉𝑇

Comparando con la ecuación de una recta: 𝑦 = 𝑚𝑥 + 𝑏

1
Tenemos: m = 𝑛𝑉𝑇…(𝛽) b = 𝐿𝑛(𝐼𝑠)…(𝛾)

1) Hallamos n:
Usando la ecuación 𝛽:
1
18.49 =
298.1.38 x 10−23
𝑛.
1.6 x 10−19

𝑛 = 2.10
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Corriente de Saturación
4

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Corriente

-2

-4

-6

-8

-10
Voltaje (V)

1) Hallamos Is:
Usando la ecuación 𝛾:

30.19 = 𝐿𝑛(𝐼𝑠)

𝑒 30.19 = 𝐼𝑠

𝐼𝑠 = 1.29 ∗ 1013
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4. CONCLUSIONES

-El cambio abrupto de dirección de la curva se debe al cambio de las escalas de corriente de
arriba hacia abajo del eje.
-la curva no es la misma que en una simulación. Ya que en el caso de este último. El diodo es
ideal, y en el caso real los diodos poseen factores como son la “resistencia de cuerpo y
resistencia interna”.
-La temperatura juega un rol importante en el accionar del diodo ya que a temperatura de
ambiente y si esta se incrementa, se produce una caída de tensión, lo cual es significativo
para una representación de en décimas de volts.