Nombre: Esteban Rodríguez

Fecha: 2019-03-10

SEMICONDUCTORES

 DIODO:
o Es el dispositivo semiconductor más simple y es la base para el desarrollo de
otros componentes como por ejemplo los transistores.
o Se encuentra formado por la unión de un semiconductor tipo N y uno de tipo P
(ánodo y cátodo).
o La conducción a través del diodo depende únicamente de la polarización, es
decir, no puede ser controlado.
o Algunos tipos de diodos son: rectificadores, diodos rápidos, schottky.
o La relación entre la tensión y la corriente que lo atraviesa no es lineal además
que presenta una baja resistencia cuando se lo polariza directamente y una muy
alta resistencia al ser polarizado inversamente, de modo que es un dispositivo
de conducción y bloqueo unidireccional.
o La relación entre la corriente y la tensión se puede obtener haciendo uso de la
ecuación de Schockley (una aproximación pues no se toma en cuenta factores
como resistencia en el cuerpo del diodo, por ejemplo):
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑉𝑇 − 1)
Donde ID es la corriente que circula por el diodo para una tensión VD, IS es la
corriente de saturación inversa.
o La temperatura juega un papel fundamental en el adecuado funcionamiento de
los diodos pues cambios grandes en la temperatura pueden provocar que las
características del diodo varíen y que en casos extremos no funcione de la
manera que necesita el circuito.
o Cada diodo presenta sus propias características como son la tensión máxima
que soportan, la corriente máxima, tensión inversa de trabajo, tensión inversa
de pico que puede ser único o repetitivo, la tensión de ruptura (este dato es de
los más importantes) cada una de estas características deben ser tomadas en
cuenta al momento de decidir que diodo utilizar conociendo las características
del circuito y los valores máximos de corriente y tensión que se podrían
presentar y que podrían llegar a dañar el dispositivo.
o El diodo ideal conduce siempre que se lo polariza directamente, sin embargo,
en la realidad, dependiendo del diodo se necesita un voltaje mínimo para que
este comience a conducir además, si se lo polariza inversamente el diodo no
permitirá el paso de corriente siempre y cuando no se exceda un voltaje o caso
contrario entrará en zona de avalancha y dejará de funcionar.
 o El diodo Zener se diferencia principalmente por el hecho de que se lo utiliza
polarizado inversamente con la finalidad de mantener un voltaje constante que
además es independiente de la corriente que atraviese al diodo.
 BJT:
o Es un dispositivo que permite tanto la conducción como el bloqueo de la
corriente cuando se lo polariza directamente, para su control dispone de un pin
denominado base el al cual debe llegar cierta corriente para cerrar el circuito.
o Se lo utilizó con el fin de reemplazar las válvulas de vacío, desarrollado en 1947
por los Laboratorios Bell.
o Consiste en dos junturas PN que se encuentran conectadas en oposición
compartiendo el elemento de tipo P que compone la base.
La juntura Emisor-ase se polariza directamente mientras que las Base-Colector
de manera inversa, cuando se dan las condiciones adecuadas, la región de la
base se acorta y permite que exista paso de corriente entre el colector y el
emisor.

o Dependiendo de como se encuentran conectadas las junturas, existen

transistores NPN y PNP.
o Los transistores además de ser usados como interruptores controlados tienen
una función como amplificadores.
o Para ser usados como amplificadores se polariza la juntura base-emisor en
directa y la juntura colector-base en inversa, mientras que si ambas junturas se
polarizan de manera directa entonces el transistor funciona en modo de corte
y saturación es decir, como un interruptor.
 o En la tabla anterior se muestran los modos de funcionamiento del transistor, la
fuente controlada, como ahí se indica, hace referencia al transistor funcionando
como amplificador el cual aumentará o disminuirá su ganancia dependiendo de
la corriente que llegue a la base, la fuente controlada inversa es similar a la
directa, pero con una ganancia menor.
o Algunos valores que se den tomar en cuenta de los transistores es:
 Alfa de corriente continua, indica la ganancia de corriente cuando se
trabaja con una configuración de base común.
 Beta de corriente continua, ganancia cuando se trabaja con emisor
común.
 Corriente de saturación inversa, que es la corriente que eciste en la
juntura base-colector cuando el emisor está abierto.
 MOSFET:
o Transistor de metal y óxido semiconductor de efecto de campo (MOSFET) tiene
ciertas ventajas sobre el BJT, una de las características principales es que se lo
controla con voltaje no con corriente, además, es un dispositivo de bloqueo
directo y conducción bidireccional.
o Mejora la frecuencia de conmutación con respeto al BJT y tiene una alta
impedancia de entrada además que generan un nivel de ruido menor.
o El principio de funcionamiento se basa en el potencial aplicado al pin GATE
controlando así la resistencia o conductancia de la región semiconductora o
canal, cuyo ancho se regula dependiendo del voltaje aplicado, de modo que
permite la circulación de electrones desde el pin SOURCE hasta el DRAIN.
o Dependiendo del tipo de aislamiento y material existen algunos tipo de
transistores FET, cuando se utiliza dióxido de Silicio (SiO2) entonces se habla del
MOSFET.
o Es un dispositivo unipolar lo que le permite funcionar a altas frecuencias.
o MOS hace referencia a la estructura Metal-óxido-Silicio.
 o En la figura se muestra como al aplicar un voltaje entonces la placa superior de
la estructura MOS se carga negativamente mientras que la placa inferior lo hace
positivamente, esto provoca que se induzca un campo eléctrico en la placa
superior que hará que los huecos experimenten una fuerza hacia la interfaz
óxido-semiconductor.

o Cuando el MOSFET es polarizado (aplicar voltaje sobre GATE) con una tensión
positiva o negativa lo suficientemente grande para que pase a un estado de
conducción entonces el dispositivo se comporta como una resistencia
controlada por la tensión que se aplica al GATE.
o Los MOSFET de potencia funcionan bajo el mismo principio pero difieren en la
construcción, pues presentan una estructura de canal vertical es decir, SOURCE
y DRAIN se encuentran posicionados opuestamente para poder aumentar la
potencia del dispositivo.

 TIRISTOR:
o Son una familia de dispositivos destinados a soportar altas tensiones y
corrientes, conformados por 3 pines o terminales: GATE, Ánodo y Cátodo.
o Su funcionamiento es el de un interruptor controlado, cuando llega una
corriente a GATE entonces si el Ánodo es más positivo que el Cátodo se cierra
el interruptor y circula corriente entre estas dos terminales.
o Una característica importante de estos dispositivos es que una vez que
comienza la conducción entonces, el pin de GATE ya no tiene control y se
mantiene conduciendo a diferencia de lo que sucede con los transistores por
ejemplo que conducen mientras exista la señal en la base.

o Para apagar el tiristor se debe invertir la polaridad o tensión entre los terminales
de ánodo y cátodo y dependiendo de como se haga este proceso existen dos
tipos:
 Dispositivos conmutados por línea que se apagan siguiendo una tensión
sinusoidal de entrada.
 Dispositivos de conmutación forzada necesitan de un circuito adicional
de conmutación.
o Además de soportar altas tensiones también son capaces de trabajar con
corriente alterna lo que les hace indispensables para el control de motores de
alterna por ejemplo o aplicaciones de electrónica de potencia.
o El tiristor SCR(Rectificador controlado de Silicio) es el más común, también hay
GTO(Tiristor apagado por puerta), RCT(Tiristor de conducción inversa), entre
otros.
o Un modelo de tiristor se puede entender haciendo un circuito de transistores
bipolares complementarios en donde una vez que entran en saturación por más
que se retire la señal de la base, seguirán conduciendo.
BIBLIOGRAFÍA:

[1]González, Mónica Liliana. Dispositivos electrónicos, D - Editorial de la Universidad Nacional

de La Plata, 2015. ProQuest Ebook Central,
https://www.mdconsult.internacional.edu.ec:2095/lib/bibliovirtualuidesp/detail.action?docID
=4499427.

[2]García, Burciaga de Cepeda, Margarita, and Salinas, Arturo Cepeda. Dispositivos electrónicos.
Tomo I, Instituto Politécnico Nacional, 2004. ProQuest Ebook Central,
https://www.mdconsult.internacional.edu.ec:2095/lib/bibliovirtualuidesp/detail.action?docID
=3190091.