Field Effect Transistor

Mata kuliah Elektronika

Oleh:

Desrizal Priyono Putra 11755102215

Febryanzulmi 11755102194

Haddad Alwi 11755100372

Kelas : III D
FakultasSainsdanTeknologi
JurusanTeknikElektro

Universitas Islam Negeri Sultan SyarifKasim

RIAU

2018

1
 KATA PENGANTAR

Segala puji atas kepada Allah SWT Karen aatas limpahan Rahmat dan Kasih-Nyalah
sehingga Kami diberikan kesempatan dan kesehatan untuk dapat menyelesaikan makalah ini
dengan baik.

Kami menyadari sepenuhnya,dalam penyusunan makalah ini tidak lepas dari tantangan
dan hambatan.Namun berkat kerja keras dan motivasi dari pihak-pihak langsung maupun tidak
langsung yang memperlancar jalannya penyusunan makalah ini.
Akhirnya dengan segala kerendahan hati kami menyadari bahwa makalah ini tidak
sepenuhnya sempurna. Oleh karena itu kami dengan lapang menerima saran dan kritikan demi
perbaikan kedepannya.

Pekanbaru, 5 November 2018

Penulis

2
 Daftar isi

Kata Pengantar......................................................................................... 2
Bab I : Pendahuluan ................................................................................. 4
A. Latar Belakang ................................................................................. 4
B Perumusan Masalah ........................................................................... 4
C Tujuan…………………………………………………………………4

Bab II : Pembahasan ................................................................................ 5

A.Definsi JFET ..............................................................................5
B. Simbol dan Konstruksi Junction field-effect transistor JFET……………………6
C.Karakterisitik JFET…. ………………………..8
D.Karakteristik Transfer JFET …………………….9

Bab III : Penutup ..................................................................................... 12

3.1 Kesimpulan......................................................................................... 12
Daftar Pustaka .......................................................................................... 13

3
 BAB I
PENDAHULUAN

A. Latar Belakang

Junction Field Effect Transistor (JFET) adalah komponen yang sangat penting dalam dunia
elektronik modern.Dalam rangkaian analog, JFET digunakan dalam amplifier
(penguat).Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil dan penguat sinyal
radio.Dalamrangkaian-rangkaian digital, JFET digunakan sebagai saklar berkecepatan
tinggi.Beberapa JFET juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic
gate, memori, dan komponen-komponen lainnya.Pada masa kini JFET ada dalam setiap peralatan
elektronika.Jika memahami dasar kerja transistor maka akan lebih mudah mempelajari cara kerja
bebagai peralatan elektronika. JFET merupakan suatu komponen aktif yang dibuatdari bahan
semikonduktor yang berfungsi sebagai penguat arus maupun tegangan, sebagai sirkuit pemutus
dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulas isinyal atau sebagai fungsi lainnya.

B. Rumusan Masalah

1. Apa yang dimaksud denganJFET/

2. Bagaimana Simbol dan struktur JFET?
3. Jelaskan Karakteristik JFET?
4. Bagamainan Karakteristik Transfer dari JFET?
C. Tujuan
Adapun Tujuan pembuatan makalah ini yaitu:
1. Memahami defenisi Junction Field Effect Transistor
2. Memahami simbol dan struktur Junction Field Effect Transistor
3. Memahami karakteristik Junction Field Effect Transistor
4. Memahami Karakteristik transfer dari Junction Field Effect Transistor

4
 BAB II
PEMBAHASAN

2.1 Pengertian Junction field-effect transistor ( JFET)

JFET (junction field effect transistor ) atau yang disebut juga dengan transistor efek medan
persambungan merupakan salah satu jenis transistor unipolar yang pengoperasiannya
dikendalikan oleh tegangan (voltage-controlled device), tentu hal tersebut sangat berbeda dengan
sebuah transistor yang pengoperasiannya dikendalikan oleh arus listrik ( current -controlled
device).JFET adalah perangkat semikonduktor tiga terminal yang dapat digunakan sebagai saklar
elektronik dikontrol , amplifier , atau resistor tegangan dikendalikan .

Tidak seperti transistor bipolar , JFET secara eksklusif tegangan - dikontrol dalam bahwa
mereka tidak membutuhkan arus biasing . Muatan listrik mengalir melalui saluran
semikonduktor antara sumber dan tiriskan terminal . Dengan menerapkan tegangan bias balik ke
terminal gerbang , saluran tersebut " terjepit " , sehingga arus listrik terhambat atau dimatikan
sama sekali . Sebuah JFET biasanya pada saat tidak ada perbedaan potensial antara gerbang dan
sumber terminal . Jika perbedaan potensial dari polaritas yang tepat diterapkan antara gerbang
dan sumber terminal , JFET akan lebih resistif terhadap aliran arus , yang berarti lebih sedikit
saat ini akan mengalir dalam saluran antara sumber dan tiriskan terminal . Dengan demikian ,
JFET kadang-kadang disebut sebagai perangkat penipisan -mode .
JFET dapat memiliki tipe-n atau tipe-p channel . Dalam tipe-n , jika tegangan diterapkan ke
pintu gerbang kurang dari yang diterapkan ke sumber , saat ini akan berkurang ( sama dalam
tipe-p , jika tegangan diterapkan ke pintu gerbang lebih besar daripada diterapkan ke sumber ) .
Sebuah JFET memiliki impedansi masukan yang besar ( kadang-kadang di urutan 1.010 ohm ) ,
yang berarti bahwa ia memiliki efek yang dapat diabaikan pada komponen eksternal atau sirkuit
terhubung ke gerbang .

5
2.2 Simbol dan Konstruksi Junction field-effect transistor ( JFET)

a) Simbol JEFT

Untuk mengambarkan JFET pada skema rangkaian elektronika, bias dipakai symbol seperti
Pada gambar di bawahberikut.

Simbol komponen (a)JFET-n (b)JFET-p

Simbol JFET (junction field-effect transistor) untukkanal-N dankanal-P ditunjukkan pada

gambardiatas.Dalam simbol tersebut, arah tanda panah pada gate merupakan arah arus pada
persambungan seandainya diberi bias maju.Tetapi perlu diingat bahwa daerah kerja JFET adalah
bila persambungan tersebut diberi bias mundur.Oleh karena itulah, maka arus gate IG adalah nol
(sangatkecil) dan akibatnya resistansi input dari JFET adalah tinggi sekali (dalam orde puluhan
mega ohm).

b) Konstruksi JFET (Junction Field Effect Transistor) Kanal P dan N

Untuk menjelaskan prinsip kerja transistor JFET lebih jauh akan ditinjau transistor JFET
kanal-n. Drain dan Source transistor ini dibuat dengan semikonduktor tipe n dan Gate dengan
tipe p. Gambar berikut menunjukkan bagaimana transistor ini di beri tegangan bias. Tegangan
bias antara gate dan source adalah tegangan reverse bias atau disebut bias negatif. Tegangan bias

6
negatif berarti tegangan gate lebih negatif terhadap source. Perlu catatan, Kedua gate terhubung
satu dengan lainnya (tidak tampak dalam gambar).

Lapisan deplesi jika gate-source biberi bias negatif

Dari gambar di atas, elektron yang mengalir dari source menuju drain harusmelewati
lapisan deplesi. Disini lapisan deplesi berfungsi semacan keran air.Banyaknya elektron yang
mengalir dari source menuju drain tergantung dari ketebalan lapisan deplesi. Lapisan deplesi bias
menyempit, melebar atau membuka tergantung dari tegangan gate terhadap source.

Jika gate semakin negative terhadap source, maka lapisan deplesi akan semakin menebal.
Lapisan deplesi bias saja menutup seluruh kanal transistor bahkan dapa tmenyentuh drain dan
source. Ketika keadaan ini terjadi, tidak ada arus yang dapa tmengalir atau sangat kecil
sekali.Jadi jika tegangan gate semakin negative terhadap source maka semakin kecil arus yang
bias melewati kanal drain dan source.

c)

Lapisan deplesi pada saat tegangan gate-source = 0 volt

7
 Jika misalnya tegangan gate dari nilai negatif perlahan-lahan dinaikkan sampai sama
dengan tegangan Source. Ternyata lapisan deplesi mengecil hingga sampai suatu saat terdapat
celah sempit. Arus elektron mulai mengalir melalui celah sempit ini dan terjadilah konduksi
Drain dan Source. Arus yang terjadi pada keadaan ini adalah arus maksimum yang dapat
mengalir berapapun tegangan drain terhadap source. Hal ini karena celah lapisan deplesi sudah
maksimumt idak bisa lebih lebar lagi. Tegangan gate tidak bisa dinaikkan menjadi positif, karena
kalau nilainya positif maka gate-source tidak lain hanya sebagai dioda. Karena tegangan bias
yang negatif, maka arus gate yang disebut IG akan sangat kecil sekali. Dapat dimengerti
resistansi input (input impedance) gate akan sangat besar. Impedansi input transistor FET
umumnya bisa mencapai satuan MOhm. Sebuah transistor JFET diketahui arus gate 2 nA pada
saat tegangan reverse gate 4 V, maka dari hukum Ohm dapat dihitung resistansi input transistor
ini adalah :

Rin = 4V/2nA = 2000 Mohm

Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n, hanya saja
kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas tegangan dan ara
harusberlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n. Simbol rangkaian untuk tipe
p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang berbeda.

8
2.3 Karakateristik JFET

Adapun beberapa karakteristik JFET adalah sebagai berikut:

 JFET terdiri dari suatu channel (saluran) yang terbuat dari sekeping semikonduktor
(misalnya tipe N).
 Pada saluran ini ditempelkan dua pulau yang terbuat dari semikoduktorjenis yang
berbeda (misalnya tipe P). Bagian ini disebut Gate
 Ujung bawah disebut Source sedangkan ujung atas disebut Drain

9
2.4 Karakteristik Transfer JFET

Persamaan Shockley:

Karakter transfer JFET merupakan hubungan antara arus drain ID dengan tegangan gate-
source VGS setelah tercapai titik pinch-off. Apabila harga VGS = 0 dimasukkan ke
persamaan Shockley:

Apabila harga VGS = Vp dimasukkan kedalam persamaan

Selanjutnya dengan memasukkan bernagai harga VGS kedalam persamaan Shockley akan
diproleh kurva transfer lengkap.

10
 Tegangan VDS yang diperlukan untuk membuat arus ID menjadi jenuh (titik pinch-off)
tergantung dari harga VGS-nya. Bila VGS = 0, maka VDS yang diperlukan adalah semakin
kecil. Hubungan VDS(sat) ini dinyatakan dengan persamaan:
VDS(sat) = VGS = Vp
Daerah operasi adalah sesudah titik pinch-off dan dibawah daerah break-down. Pada daerah
ini arus ID jenuh dan tergantung dari harga VGS dan tidak tergantung dari VDS, sesuai dengan
persamaan Shockley. Daerah antara titik pinch-off dan break-down disebut juga dengan daerah
aktif atau daerah jenuh, dimana JFET banyak dipakai sebagai penguat. Sedangkan sebelum titik
pinch-off disebut daerah ohmik atau daerah yang dikendalikan tegangan (voltage-controlled
region), dimana JFET berlaku seperti resistor variable.

11
 BAB III
PENUTUP

A. Kesimpulan

JFET (junction field effect transistor ) atau yang disebut juga dengantransistor efek medan
persambungan merupakan salah satu jenis transistorunipolar yang pengoperasiannya
dikendalikan oleh tegangan (voltage-controlled device), tentu hal tersebut sangat berbeda dengan
sebuah transistor yangpengoperasiannya dikendalikan oleh arus listrik ( current -controlled
device).JFET adalah perangkat semikonduktor tiga terminal yang dapat digunakan sebagai saklar
elektronik dikontrol , amplifier , atau resistor tegangan dikendalikan .JFET sendiri terdiri dari 3
bagian yaitu

 JFET terdiri dari suatu channel (saluran) yang terbuat dari sekeping semikonduktor
(misalnya tipe N).
 Pada saluran ini ditempelkan dua pulau yang terbuat dari semikoduktorjenis yang
berbeda (misalnya tipe P). Bagian ini disebut Gate
 Ujung bawah disebut Source sedangkan ujung atas disebut Drain

12
 Daftar Pustaka

1. Albert Paul Malvino, M. Barmawi, M.O. Tjia, 1986, Prinsip-Prinsip Elektronika,

Jilid 1, Edisi ketiga, Erlangga, Jakarta.
2. Michael Tooley, Irzam Harmein, 2003, Rangkaian Elektronik Prinsip dan
Aplikasi, edisi kedua, Erlangga, Jakarta.

13