Transistor Bipolar

Dr. Andres Ozols

FIUBA
2007
Dr. A. Ozols 1
Diodo = 1 juntura (pn) Dispositivo pasivo

Transistor Bipolar = 2 junturas (np + pn)

1. Ganancia de tensión
Dispositivo activo 2. Control de la ganancia de corriente
3. Ganancia de potencia de la señal

1. Transistor Bipolar
2. MOSFET Transistor de Efecto de Campo
Tipos de Transistores Semiconductor Óxido Metal
3. JFET Transistor de Efecto de Campo de Juntura

Dr. A. Ozols 2
Transistor Bipolar La fuente de corriente controlada por tensión

Objetivo: determinación de los factores de ganancia de corriente

Dr. A. Ozols 3
ACCIÓN del TRANSISTOR BIPOLAR

Dr. A. Ozols 4
Transistor Bipolar La fuente de corriente controlada por tensión

Objetivo: determinación de los factores de ganancia de corriente

Principio Básico de Operación

Diagrama de bloques y símbolos

Transistor npn Transistor pnp

Dr. A. Ozols 5
 Principio Básico de Operación

Modo de operación activa-directa

•La juntura pn base-emisor (B-E) es polarizada en directa

•La juntura pn base-emisor (B-C) es polarizada en inversa

Dr. A. Ozols 6
Modo de operación activa-directa

(B-E) en directa

Electrones inyectados
desde emisor a través de
la juntura B-E en la base

Creación de exceso de
minoritarios en la base
(B-C) en inversa

La concentración de
electrones en el borde B-C
es nula

Dr. A. Ozols 7
Modo de operación activa-directa
El gradiente elevado
de electrones Los electrones
inyectados desde el
emisor difunden a
través de la base
hacia la juntura B-C El campo eléctrico
acelera a los
electrones hacia del
colector

La región de la base tiene que ser lo más fina posible para permitir el
mayor número de electrones en el colector, evitando la recombinación

La concentración de
Las junturas B-E y B-C son
electrones minoritarios es
inter-actuantes
función de las tensiones B-
E y B-C
Dr. A. Ozols 8
Modo de operación activa-directa
Inyección y colección de
electrones en modo directo
activo

Número de electrones por

unidad de tiempo es
proporcional al número de
electrones inyectado en la
base

Número de electrones
Los huecos son
inyectados es función de la
inyectados desde la base
tensión B-E y casi independiente
hacia el emisor
del potencial inverso B-C

Control de la corriente de
Acción del transistor colector por medio de la
tensión BE
Dr. A. Ozols 9
Principio Básico de Operación en modo directo activo

Dr. A. Ozols 10
 Modos de Operación

El transistor puede polarizarse en

tres modos de operación

1- Modo de corte: VBE ≤ 0 los

electrones mayoritarios del
emisor no son inyectados a la
base y la juntura B-C está en
inversa.
Las corrientes de emisor
colector son nulas.

Modos de emisor común

Dr. A. Ozols 11
 Modos de Operación

2- Modo activo directo: VBE >0 los electrones

mayoritarios del emisor son inyectados en la
base y la juntura B-C está en inversa.

VCC = I C RC − VBC + VBE = VR − VBC + VBE

Si VBE crece
La corriente IC y VR
crecen

La magnitud de VBC
disminuye

La combinación de VR y
VCC hace VBC=0

Dr. A. Ozols 12
Modos de Operación

3- Modo de saturación: Un pequeño incremento

de IC produce la polarización directa VBC >0
como también BE

IC deja de estar controlada VBE

4- Modo activo inverso: La juntura B-E está

polarizada en inversa mientras que la B-C en
directa

Los papeles del colector y emisor están

invertidos pero con magnitudes distintas

Dr. A. Ozols 13
DISTRIBUCIÓN de PORTADORES MINORITARIOS

Dr. A. Ozols 14
Notación Definición
Para transistores NPN y PNP

NE , NB, NC Concentraciones de dopaje en las regiones de emisor, base y colector

XE , XB, XC Ancho de las zonas de vaciamiento de carga de las regiones de emisor, base y colector
DE , DB, DC Coeficientes de difusión de portadores minoritarios en las regiones de emisor, base y
colector

τE0 , τB0, τC0 Tiempos de vida de portadores minoritarios en las regiones de emisor, base y colector
Para NPN

PE0 , nB0, PC0 Concentraciones de portadores minoritarios en las regiones de emisor, base y colector

PE(x´) , nB(x´), PC(x´) Concentraciones total de portadores minoritarios en las regiones de emisor, base y colector

δPE(x´) , δnB(x´), δPC(x´) Concentraciones de exceso de portadores minoritarios en las regiones de emisor, base y
colector

Para PNP

nE0 , PB0, nC0 Concentraciones de portadores minoritarios en las regiones de emisor, base y colector

nE(x´) , PB(x´), nC(x´) Concentraciones total de portadores minoritarios en las regiones de emisor, base y colector

δnE(x´) , δPB(x´), δnC(x´) Concentraciones de exceso de portadores minoritarios en las regiones de emisor, base y
colector

Dr. A. Ozols 15
Modo Activo-Directo

Dr. A. Ozols 16
Modo Activo-Directo

Dr. A. Ozols 17
Modo Activo-Directo

Región de la base
La ecuación ambipolar en ausencia de campo eléctrico y en la situación
estacionaria

∂ 2 (δ nB ( x ) ) δ nB ( x )
DB − =0
∂x 2
τ B0
La concentración en exceso

δ nB ( x ) = nB ( x ) − nB 0
La solución general

δ nB ( x ) = Ae x / L + Be − x / L
B B

Donde LB es longitud de difusión del portador minoritario LB = DBτ B 0

Dr. A. Ozols 18
Modo Activo-Directo

Región de la base
Las condiciones de contorno

δ nB ( x = 0 ) = δ nB ( 0 ) = A + B

δ nB ( x = xB ) = δ nB ( xB ) = Ae x B / LB
+ Be− xB / LB

La juntura BE está polarizada en directo de modo que

δ nB ( 0 ) = nB 0 ⎡⎣eeV
BE / kT
− 1⎤⎦

La juntura BC está polarizada en inversa de modo que

δ nB ( xB ) = nB ( xB ) − nB 0 = 0 − nB 0 = − nB 0
Dr. A. Ozols 19
Modo Activo-Directo

Región de la base

δ nB ( 0 ) = nB 0 ⎣⎡eeV / kT − 1⎦⎤ = A + B
BE

B = nB 0 ⎣⎡eeVBE / kT − 1⎦⎤ − A
δ nB ( xB ) = −nB 0 = Ae x / L + Be − x / L
B B B B

( )
−nB 0 = Ae xB / LB + nB 0 ⎡⎣eeVBE / kT − 1⎤⎦ − A e − xB / LB

−nB 0 = A ( e xB / LB − e − xB / LB ) + nB 0 ⎡⎣eeVBE / kT − 1⎤⎦ e − xB / LB

Dr. A. Ozols 20
Modo Activo-Directo

Región de la base
⎛ xB ⎞
− nB 0 − nB 0 ⎡⎣ e eVBE / kT
− 1⎤⎦ e − xB / LB
= 2 Asenh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠
1 + ( eeVBE / kT − 1) e − xB / LB
− nB 0 =A
⎛ xB ⎞
2 senh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠

− nB 0 − nB 0 ⎡⎣eeVBE / kT − 1⎤⎦ e − xB / LB
A=
⎛ xB ⎞
2 senh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠

Dr. A. Ozols 21
Modo Activo-Directo

Región de la base
nB 0 + nB 0 ⎡⎣eeVBE / kT − 1⎤⎦ e − xB / LB
B = nB 0 ⎡⎣eeVBE / kT − 1⎤⎦ +
⎛ xB ⎞
2senh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠

nB 0 ⎡⎣eeVBE / kT − 1⎤⎦ e xB / LB + nB 0
B=
⎛ xB ⎞
2 senh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠

Dr. A. Ozols 22
 Modo Activo-Directo

Región de la base
La solución será

−nB 0 − nB 0 ⎡⎣eeVBE / kT − 1⎤⎦ e − xB / LB x / L nB 0 ⎡⎣ eeVBE / kT − 1⎤⎦ e xB / LB + nB 0 − x / L

δ nB ( x ) = e B+ e B
⎛ xB ⎞ ⎛ xB ⎞
2senh ⎜ ⎟ 2 senh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠ ⎝ LB ⎠
La solución será

⎛ xB − x ⎞ ⎛ x ⎞
(e eVBE / kT
− 1) senh ⎜ ⎟ − senh ⎜ ⎟
δ nB ( x ) = nB 0 ⎝ LB ⎠ ⎝ LB ⎠
⎛ xB ⎞
senh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠

Dr. A. Ozols 23
Modo Activo-Directo

Región de la base
⎛ x ⎞ x
La solución aproximada para xB < LB senh ⎜ ⎟≅
⎝ LB ⎠ LB

xB − x x
( eeVBE / kT − 1) −
⎡( eeVBE / kT − 1) ( xB − x ) − x ⎤
LB LB nB 0
δ nB ( x ) = nB 0 =
xB xB ⎣ ⎦
LB

Dr. A. Ozols 24
Modo Activo-Directo

Región del Emisor

La ecuación ambipolar en ausencia de campo eléctrico y en la situación
estacionaria

∂ 2 ( δ pE ( x ) ) δ pE ( x )
DE − =0
∂x 2
τ E0
La concentración en exceso

δ pE ( x ) = nE ( x ) − nE 0
La solución general

δ pE ( x´) = Ce x´/ L + De− x´/ L

E E LE = DEτ E 0

Donde LE es longitud de difusión del portador minoritario en la región del emisor

Dr. A. Ozols 25
 Modo Activo-Directo

Región del Emisor

El exceso de los huecos minoritarios tienen las condiciones de contorno

δ pE ( x´≥ 0 ) ≡ δ pE ( 0 ) = C + D

δ pE ( x ' = xE ) = δ pE ( xE ) = Ce x E / LE
+ De − xE / LE

La juntura BE está polarizada en directo de modo que

δ pE ( 0 ) = pE ( x´= 0 ) − pE 0 = pE 0 ⎡⎣eeV BE / kT
− 1⎤⎦

En cambio, la alta velocidad de recombinación superficial en X´= XE.

δ p E ( xE ) = 0
Dr. A. Ozols 26
Modo Activo-Directo

Región del Emisor

δ pE ( 0 ) = C + D = pE 0 ⎡⎣eeV / kT − 1⎤⎦
BE
D = pE 0 ⎣⎡eeVBE / kT − 1⎦⎤ − C
δ pE ( xE ) = 0 = Ce x / L + De− x / L
E E E E

0 = Ce xE / LE + ⎡⎣ pE 0 ( eeVBE / kT − 1) − C ⎤⎦ e − xE / LE

0 = C ( e xE / LE − e − xE / LE ) + pE 0 ( eeVBE / kT − 1) e − xE / LE
⎛ xE ⎞
E0 ( ) E0 ( )
− xE / LE − xE / LE
0 = 2Csenh ⎜ ⎟ + p e eVBE / kT
− 1 e p e eVBE / kT
− 1 e
⎝ LE ⎠ C=
⎛ xE ⎞
2senh ⎜ ⎟
⎝ LE ⎠
Dr. A. Ozols 27
Modo Activo-Directo

Región del Emisor

pE 0 ( eeVBE / kT − 1) e − xE / LE
D = pE 0 ( eeVBE / kT − 1) −
⎛ xE ⎞
2 senh ⎜ ⎟
⎝ LE ⎠
⎛ ⎞
⎜ − xE / LE ⎟
D = pE 0 ( eeVBE / kT − 1) ⎜1 − ⎟
e
⎜ ⎛ xE ⎞⎟
⎜⎜ 2 senh ⎜ ⎟ ⎟⎟
⎝ ⎝ LE ⎠⎠

Dr. A. Ozols 28
 Modo Activo-Directo

Región del Emisor

⎛ ⎞
pE 0 ( eeVBE / kT − 1) e − xE / LE x´/ L ⎜ − xE / LE ⎟
e E + pE 0 ( eeVBE / kT − 1) ⎜1 − ⎟ e − x´/ LE
e
δ pE ( x´) =
⎛ xE ⎞ ⎜ ⎛ xE ⎞ ⎟
2 senh ⎜ ⎟ ⎜⎜ 2senh ⎜ ⎟ ⎟⎟
⎝ LE ⎠ ⎝ ⎝ LE ⎠ ⎠
⎛ ⎞
pE 0 ( eeVBE / kT − 1) e − xE / LE x´/ L ⎜ − xE / LE ⎟
e E + pE 0 ( eeVBE / kT − 1) ⎜1 − ⎟ e − x´/ LE
e
δ pE ( x´) =
⎛ xE ⎞ ⎜ ⎛ xE ⎞ ⎟
2 senh ⎜ ⎟ ⎜⎜ 2senh ⎜ ⎟ ⎟⎟
⎝ LE ⎠ ⎝ ⎝ LE ⎠ ⎠
pE 0 ( eeVBE / kT − 1)
δ pE ( x´) = ⎡e( x´− xE )/ LE + ( e xE / LE + e − xE / LE − e − xE / LE ) e − x´/ LE ⎤
⎛ xE ⎞ ⎣ ⎦
2 senh ⎜ ⎟
⎝ LE ⎠
Dr. A. Ozols 29
Modo Activo-Directo

Región del Emisor pE 0 ( eeVBE / kT − 1)

δ pE ( x´) = ⎡⎣e( xE − x´)/ LE + e − ( xE − x´)/ LE ⎤⎦
⎛ xE ⎞
2 senh ⎜ ⎟
⎝ LE ⎠
⎛ xE − x´ ⎞
senh ⎜ ⎟
δ pE ( x´) = pE 0 ( eeV − 1) ⎝ ⎠
BE / kT LE

⎛ xE ⎞
senh ⎜ ⎟
⎝ LE ⎠
⎛ xE − x´ ⎞ xE − x´
La solución aproximada para X´-XE < LE senh ⎜ ⎟≅
⎝ LE ⎠ LE

xE − x´
δ pE ( x´) ≅ pE 0 ( eeV BE / kT
− 1)
LE

Dr. A. Ozols 30
Modo Activo-Directo

Región del Colector

La ecuación ambipolar en ausencia de campo eléctrico y en la situación
estacionaria
∂ 2 (δ pC ( x ) ) δ pC ( x )
DC − =0
∂x 2
τC0
La concentración en exceso

δ pC ( x ) = nC ( x ) − nC 0
La solución general

δ pC ( x¨ ) = Ce x ¨/ L + He − x ¨/ L
C C LC = DCτ C 0

Donde LE es longitud de difusión del portador minoritario en la región del emisor

Dr. A. Ozols 31
 Modo Activo-Directo

Región del Colector

Si la región del colector es larga la condición para mantener soluciones finitas ⇒ H = 0

δ pC ( x ") = − pC 0 e− x "/ L
E
Resultado para la polarización en inversa

Modo de corte

Dr. A. Ozols 32
Modo de saturación

Dr. A. Ozols 33
GANANCIA de CORRIENTE de BASE
COMÚN a BAJA FRECUENCIA

Dr. A. Ozols 34
GANANCIA de CORRIENTE de BASE COMÚN

Cociente de corrientes de colector y emisor

Contribución de Factores

Flujos de partículas

Dr. A. Ozols 35
Contribución de Factores
Flujos de partículas

JnE difusión de electrones minoritarios en la base en x = 0

JnC difusión de electrones minoritarios en la base en x = xE

JRB diferencia entre JnE y JnC debido a la recombinación de electrones
(portadores minoritarios) con los mayoritarios (huecos) en la base.
Es el flujo de huecos en la base perdidos por la recombinación

JpE difusión de huecos minoritarios en el emisor en x´ = 0

JR es la recombinación de huecos minoritarios en el colector en x”=0
JpC0 difusión de huecos minoritarios en el colector en x”=0
JG generación de portadores en la juntura B-C polarizada en inversa

Dr. A. Ozols 36
Contribución de Factores
Flujos de partículas

JRB, JpE JR son corrientes en la juntura B-E que no contribuyen a la corriente

de colector

JpC0 JG son corrientes de la juntura B-C. No contribuyen a la ganancia de

corriente.
IC
α0 =
La ganancia de corriente a base común IE

J C J nC + J G + J pC 0
α0 = =
JE J nE + J R + J pE

Dr. A. Ozols 37
Contribución de Factores

La dependencia de la corriente del colector de la de emisor puede explicitarse

∂J C J nC
α= =
∂J E J nE + J R + J pE

Reescribiendo ⎛ J nE ⎞ ⎛ J nC ⎞ ⎛ J nE + J pE ⎞
α =⎜ ⎟⎟ ⎜ ⎟ ⎜⎜ ⎟⎟
⎜J +J
⎝ nE pE ⎠ ⎝ J nE ⎠ ⎝ J nE + J R + J pE ⎠

α = γα γ δ

⎛ J nE ⎞ ⎛J ⎞ ⎛ J nE + J pE ⎞
γ =⎜ ⎟⎟ αT = ⎜ nC ⎟ δ =⎜ ⎟⎟
⎜J +J ⎜J +J +J
⎝ nE pE ⎠ ⎝ J nE ⎠ ⎝ nE R pE ⎠
Factor de eficiencia de Factor de transporte Factor de
inyección en emisor en base recombinación
Dr. A. Ozols 38
Modo activo inverso

Dr. A. Ozols 39
Factores de Ganancia de Corriente

Factor de eficiencia de inyección de emisor

Se define el factor de eficiencia de inyección de emisor

J nE
γ=
J nE + J pE
Las corrientes pueden calcularse a partir de las concentraciones de los excesos

d δ pE
J pE = −eDE
dx x´ = 0

d δ nB
J nE = −eDB
dx x´ = 0

Dr. A. Ozols 40
Densidades de Corrientes

Dr. A. Ozols 41
Factor de eficiencia de inyección de emisor

⎡ ⎛ xE − x´ ⎞ ⎤
pE 0 ( eeVBE / kT − 1) ⎢⎣ ⎟⎥
d senh ⎜
d δ pE ⎝ L ⎠⎦
J pE = −eDE = −eDE
E

dx x´ = 0 ⎛ xE ⎞ dx
senh ⎜ ⎟
⎝ LE ⎠
x ´ =0

J pE =−
p
eDE E 0 ( e eVBE / kT
− 1) ⎛ xE ⎞
(−1) cos h ⎜ ⎟
LE ⎛ xE ⎞ ⎝ LE ⎠
senh ⎜ ⎟
⎝ LE ⎠

J pE =
p
eDE E 0 ( e eVBE / kT
− 1)
LE ⎛ xE ⎞
tan h ⎜ ⎟
⎝ LE ⎠

Dr. A. Ozols 42
 Factor de eficiencia de inyección de emisor

⎡ eVBE / kT ⎛ xB − x ⎞ ⎛ x ⎞⎤
d ⎢( e − 1) senh ⎜ ⎟ − senh ⎜ ⎟⎥
dδ nB eDB nB 0 ⎣ ⎝ LB ⎠ ⎝ LB ⎠⎦
J nE = −eDB =−
dx x =0 ⎛ xB ⎞ dx
senh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠
x =0
⎡ ⎛ xB ⎞ ⎤
⎢− ( e − 1) cos h ⎜ ⎟ − cosh ( 0 ) ⎥
eVBE / kT

eDB nB 0 ⎣ ⎝ LB ⎠ ⎦
J nE = −
⎛ xB ⎞ LB
senh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠
⎡ eVBE / kT ⎛ xB ⎞ ⎤
⎢( e − 1) cos h ⎜ ⎟ + 1⎥
eDB nB 0 ⎣ ⎝ LB ⎠ ⎦
J nE =
LB ⎛ xB ⎞
senh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠
Dr. A. Ozols 43
Factor de eficiencia de inyección de emisor

⎡ eVBE / kT ⎛ xB ⎞ ⎤
⎢( e − 1) cos h ⎜ ⎟ + 1⎥
eDB nB 0 ⎣ ⎝ LB ⎠ ⎦
J nE =
LB ⎛ xB ⎞
senh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠

⎡ ⎤
⎢( )+ 1
⎢ eeVBE / kT − 1 ⎥
eDB nB 0 ⎥
J nE =
LB ⎢ ⎛ xB ⎞ ⎛ xB ⎞⎥
⎢ tanh ⎜ ⎟ senh ⎜ ⎟⎥
⎢⎣ ⎝ LB ⎠ ⎝ LB ⎠ ⎥⎦

Dr. A. Ozols 44
Factor de eficiencia de inyección de emisor

Si la polarización de la juntura BE es próxima al potencial de juntura

⎡ ⎤
eVBE
1 ⎢ eVBE / kT ⎥
kT J nE ≅
eDB nB 0 ⎢ e +
1 ⎥
LB ⎢ ⎛ xB ⎞ ⎛ xB ⎞ ⎥
⎢ tanh ⎜ ⎟ senh ⎜ ⎟ ⎥
⎢⎣ ⎝ LB ⎠ ⎝ LB ⎠ ⎥⎦

eeVBE / kT 1 eD n eeVBE / kT
Además  J nE ≅ B B0
⎛ xB ⎞ ⎛ xB ⎞ LB ⎛ xB ⎞
tanh ⎜ ⎟ senh ⎜ ⎟ tanh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠ ⎝ LB ⎠ ⎝ LB ⎠

Dr. A. Ozols 45
Factor de eficiencia de inyección de emisor

Si la polarización de la juntura BE es próxima al potencial de juntura

J nE 1 1
γ= = =
J nE + J pE J pE eDE E 0 ( − 1)
eVBE / kT
p e
1+
J nE LE ⎛x ⎞
tan h ⎜ E ⎟
1+ ⎝ LE ⎠
eDB nB 0 eeVBE / kT
LB ⎛ xB ⎞
tanh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠
1
γ=
⎛ xB ⎞
tanh ⎜ ⎟
1+
DE LB pE 0 ⎝ LB ⎠
DB LE nB 0 ⎛ xE ⎞
tan h ⎜ ⎟
⎝ LE ⎠
Dr. A. Ozols 46
Factor de eficiencia de inyección de emisor

Considerando los dopajes de la base y el emisor

n 2i n 2i
pE 0 = nB 0 =
NE NB
Y las dimensiones de la base y emisor cortas en relación a las longitudes de difusión

xE  LE xB  LB

1 1
γ= γ≅
n 2i xB DE xB N E
1+
1+
DE LB N B LB DB xE N B
DB LE n 2i xE
NE LE

Dr. A. Ozols 47
 Factor de transporte de la base

d δ nB
J nC = −eDB
J nC dx
αT = x = xB
J nE
d δ nB
J nE = −eDB
dx
⎡ eVx =/0kT ⎛x −x⎞ ⎛ x ⎞⎤
d ⎢( e BE
− 1) senh ⎜ B ⎟ − senh ⎜ ⎟⎥
d δ nB eDB nB 0 ⎣ ⎝ B ⎠
L ⎝ LB ⎠⎦
J nC = −eDB =−
dx x = xB ⎛ xB ⎞ dx
senh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠
x = xB

⎡ ⎛ xB − x ⎞ ⎛ x ⎞⎤
⎢ − ( e eVBE / kT
− 1) cos h ⎜ ⎟ − cosh ⎜ ⎟⎥
eDB nB 0 ⎣ ⎝ LB ⎠ ⎝ LB ⎠ ⎦ x = xB
J nC = −
⎛x ⎞ LB
senh ⎜ B ⎟
⎝ LB ⎠
Dr. A. Ozols 48
Factor de transporte de la base

⎡ eVBE / kT ⎛ xB ⎞ ⎤
⎢( )
eDB nB 0
J nC = e − 1 + cosh ⎜ ⎟⎥
⎛x ⎞⎣ ⎝ LB ⎠ ⎦
LB senh ⎜ B ⎟
⎝ LB ⎠

Además
⎡ eVBE / kT ⎛x −x⎞ ⎛ x ⎞⎤
(⎢ e − 1) cos h ⎜ B ⎟ + cosh ⎜ ⎟⎥
eDB nB 0 ⎣ ⎝ LB ⎠ ⎝ LB ⎠ ⎦ x =0
J nE =
⎛x ⎞ LB
senh ⎜ B ⎟
⎝ LB ⎠

⎡ eVBE / kT ⎛ xB ⎞ ⎤
⎢( ) ⎜L
eDB nB 0
J nE = e − 1 cos h ⎟ + 1⎥
⎛x ⎞⎣ ⎝ B ⎠ ⎦
LB senh ⎜ B ⎟
⎝ LB ⎠

Dr. A. Ozols 49
Factor de transporte de la base

⎡ eVBE / kT ⎛ xB ⎞ ⎤
⎢( e − 1) + cosh ⎜ ⎟ ⎥
eDB nB 0
⎛x ⎞⎣ ⎝ LB ⎠ ⎦
LB senh ⎜ B⎟
αT =
J nC
= ⎝ LB
⎠
eDB nB 0 ⎡ eVBE / kT ⎛ xB ⎞ ⎤
⎢( e − 1) cos h ⎜ ⎟ + 1⎥
J nE
⎛ xB ⎞ ⎣ ⎝ LB ⎠ ⎦
LB senh ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠

⎛ xB ⎞
(e eVBE / kT
− 1) + cosh ⎜ ⎟
αT = ⎝ LB ⎠
⎛x ⎞
(e eVBE / kT
− 1) cos h ⎜ B ⎟ + 1
⎝ LB ⎠

Dr. A. Ozols 50
Factor de transporte de la base
eVBE
eVBE
1
Para tensiones de polarización altas
kT e kT
1

eeVBE / kT 1
αT ≅ =
eVBE / kT ⎛ xB ⎞ ⎛ xB ⎞
e cos h ⎜ ⎟ cos h ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠ ⎝ LB ⎠

2
Además xB  LB 1 1 ⎛ xB ⎞
αT ≅ 2
= 1− ⎜ ⎟
1 ⎛ xB ⎞ 2 ⎝ LB ⎠
1+ ⎜ ⎟
2 ⎝ LB ⎠

Dr. A. Ozols 51
Factor de recombinación

J nE + J pE J nE 1
δ= ≅ =
J nE + J R + J pE J nE + J R 1 + J R
J nE
Donde se supuso J pE  J nE

La corriente de recombinación en polarización directa en la juntura pn

exBE n i eV BE eVBE
JR = e 2 KT = J r 0 e 2 KT
2τ 0

xBE El ancho de la zona de vaciamiento

Dr. A. Ozols 52
Factor de recombinación

⎡ eVBE / kT ⎛ xB ⎞ ⎤ eDB nB 0 eeVBE / kT

⎢( ) ⎜L
eDB nB 0
J nE = e − 1 cos h ⎟ + 1⎥ ≅
⎛x ⎞⎣ ⎝ B ⎠ ⎦ L tanh ⎛ xB ⎞
LB senh ⎜ B ⎟ B ⎜ ⎟
⎝ LB ⎠ ⎝ LB ⎠

eVBE
eDB nB 0
J nE = J s 0 e KT J s0 =
donde ⎛x ⎞
LB tanh ⎜ B ⎟
⎝ LB ⎠
1 1
δ≅ ≅ 1
JR eVBE
δ≅
1+ J r 0 e 2 KT eV
J r 0 − 2 KTBE
J nE 1 + eVBE 1+ e
J s0
J s 0 e KT

Dr. A. Ozols 53