INFORME FINAL 3

Laboratorio de Circuitos Analógicos (IT 144 M)

Amplificador con transistor FET
Vera Chinchay Moises (20141368I),
Morales Taza Raúl (20160403K),
Huayhua Ormachea Ronny (20154065J).
Medina Alzamora Caroline (20160658I)
Lima, Perú
Universidad Nacional de Ingeniería
rhuayhuao@uni.pe , caroline.medina.a@uni.pe, raul.morales.t@uni.pe, moisesvera11@gmail.com

Resumen- En esta experiencia se analizará la 1.2 Teniendo cuidado de verificar la conexión del
polarización de transistores unipolares, su JFET, mida el punto de operación, tomando las
comportamiento a través de las rectas de carga , curva de tensiones de los terminales del transistor, respecto a
transferencia y constatar la ganancia de voltaje.
tierra, y las corrientes tomadas en forma indirecta
(V/I).
I. INTRODUCCIÓN
Continuando con el capítulo de transistores, esta No tome entre terminales del dispositivo, ni mida las
oportunidad veremos el funcionamiento del transistor FET; resistencias internas con el multímetro, pues se
que a diferencia de los BJT; los primeros son controlados por pueden exceder las corrientes permitidas en directa,
tensión aplicada en la puerta (G), y requieren una pequeña conociendo que el Gate trabaja en polarizado inversa.
inyección de corriente de entrada.
Además se detallará algunas características de los
transistores utilizados.
Rs=3.3K y
Cto. Orig. Rs=1K Rs=5.6K
RD=5.6K
II. DESARROLLO DE CONTENIDOS
1. Presentar las mediciones efectuadas del circuito original VD 7.45V 2.75V 8.44V 8.57V
en una hoja completa con todas las indicaciones. VS 0.84V 0.73V 0.88V 0.84V

VG 14.3mV 14.3mV 14.3mV 14.3mV

1.1 Del circuito original:

Para una señal senoidal 40mV pico-pico y frecuencia de

1KHz. 1.3 Con el circuito original, aplique una señal senoidal
de 20mV pico a una frecuencia de 1KHz y determine
la ganancia en tensión midiendo la salida.

V0  470mV

La ganancia en tensión será de:

V0 470mV
AV    23.5
VI 20mV
1.4 Aumente el nivel de Vi hasta observar una distorsión en la
señal de salida V0. La deformación no debe llegar a recortes
de la señal, sino hasta que aprecie una alinealidad,
deformando las ondulaciones positivas y negativas en
distintas proporciones.
2. Trace la curva de transferencia Id vs V gs, indicando los
puntos de operación de la tabla llenada y las rectas de rectas
de polarización; obtenida de:
. Vgs   I D * RS

V0 MAX  1.23V De la curva aproximar los datos del FET como Idss y Vpo
Para el circuito original:
 Esta es la tensión aproximadamente la máxima en la
cual se observó en la experiencia que existía una ligera
diferencia de la comba positiva con respecto a la comba
negativa Id(mA)

1.5 Manteniendo Vi constante, varíe la frecuencia del

generador llenando la tabla adjunta. Idss

f(Hz) 50 100 200 500 1K 2K 5k 0.26

425m 460m 470m 475m 477m 475m 475m

Vo
V V V V V V V Vgs(V
Vpo
-0.858

f(Hz) 10K 20k 50k 100k 200k 2M Rs= 1K

Vo 475mV 464mV 472mV 472mV 475mV 475mV

1.6 Retire el condensador de 22uF, y determine la ganancia Idss

de tensión.
0.73
V 42.5mV
AV  0   2.125
Vi 20mV
Vgs(V)
Vpo -0.73 )
 Se obtuvo una ganancia que aproximadamente es la
décima parte de la original, debido que al retirar el
condensador de acoplo de la resistencia de la fuente, se Id(mA)
Rs=5.6K
percibirá una corriente del Drenador mucho más grande,
de manera que la tensión de salida disminuya
Idss
considerablemente.

0.16

Vgs(V)
Vpo -0.896
)
 Rs=1K
Rs=3.3K y Rd=5.6K

Id(mA) Id(mA)

Idss 0.9

0.73

0.254
.

1.97 10 Vds(V)
Vgs(V)
Vpo )
-0.838 )
Rs= 5.6K
La corriente de drenaje se satura a un valor, corriente de
saturación drenaje a fuente igual a :

Id(mA)
I DSS  0.8mV

 Cuando se incrementa Vgs, para este caso más negativo 0.64

por ser de canal n, que se forma en la zona desértica y
se corta para un valor menor que id.
0.16
 Sin importar Vds, y este valor de Vgs se denomina
tensión de estrangulamiento (Vp).

7.504 10 Vds(V)
3. Trace la curva de salida Id (vs) Vds indicando los puntos 8 )
de operación obtenidos.
Indique la zona del transistor y la recta de carga en cada Rs= 3.3K y Rd= 5.6K
caso.

( RD  RS ) * I D  VDS  10V
Id(mA)
Para el circuito original:

1.12
7
Id(mA) 0.254

0.75

7.739 10 Vds(V)
0.26
)

 Para el circuito original el transistor se encuentra en la

zona activa o de saturación.
6.542 10 Vds(V)
 Para Rs= 1K, se observa que se encuentra en la zona
) ohmica.
 Para Rs= 5.6K, se observa que se encuentra en la zona
de corte.

4. Explica por qué se limita Vomáx sin distorsión de señal.


Antes de distorsionarse la onda, el JFET siempre
permanecerá en la zona activa o de amplificación, la cual
provoca una ganancia de tensión.
De manera que con este valor de tensión se sabe hasta que
nivel de voltaje se puede inyectar a la entrada sin que
deforme la señal de salida.
5. Dibuje la respuesta en frecuencia: Curva 20log(Av) - vs -
log(f).
6. Explique la Ganancia obtenida en el paso 5.
Como se observa en la gráfica, se obtiene una ganancia
aproximada de 24.5, el cual es un valor cercano al que
obtuvimos en el paso 1.3.
Se obtiene esta ganancia ya que, en este circuito el transistor
funciona como un buen amplificador de señal.
7. Solucione el circuito mostrado en la figura siguiente
dando el punto “Q” y la Ganancia de Tensión. Explique las
ventajas y desventajas que se logra.
Realizando en análisis en DC:
- Eliminamos las fuentes de tensión en AC
- El condensador se comporta como circuito abierto en
el análisis en DC
Utilizando fórmulas y desarrollando las ecuaciones,
obtenemos:
Vgs = -1.64 V
Id = 0.49 mA
Ahora, para hallar la ganancia de tensión del circuito,
tenemos que realizar el análisis en DC:
- Eliminamos las fuentes de tensión en DC
Del circuito, se observa:
Vo= -gm*Vgs*((33*10)/43)k
Vo= -gm*Vgs*7.67k
Como Vgs= -Vi, reemplazando
Vo= -gm*Vi*7.67k
Vo/Vi = -gm*7.67
Además, se sabe que gm depende de Idds y Vt
Idss: de la tabla de datos de este dispositivo, se sabe
que varía entre 4 a 10 mA, por lo que tomando el valor
promedio se obtiene 7mA.
Vt: de la tabla de datos, se sabe que varía entre 0.5V a
4V, entonces tomamos como dato 2V.
Reemplazando estos valores en la fórmula:
Resulta: gm = 1.85
Por lo tanto, Vo/Vi= -14.205
En el resultado, se observa que la amplificación es
negativa, lo que significa que la salida es en sentido
inverso a la señal de entrada.
REFERENCIAS
[1] https://unicrom.com/punto-trabajo-q-recta-carga-estatica-transistor/
[2] https://biblioseb.files.wordpress.com/2013/04/savant-disec3b1os-
electronicos-circuitos-de-sistema.pdf
[3] https://biblioseb.files.wordpress.com/2013/04/savant-disec3b1os-
electronicos-circuitos-de-sistema.pdf