Transporte de Portadores Por Difusión

TRANSPORTE Y PROPIEDADES OPTICAS EN SEMICONDUCTORES
FÍSICA ELECTRÓNICA-UNP
INDICE
TRANSPORTE Y PROPIEDADES OPTICAS EN

SEMICONDUCTORES
- INTRODUCCIÓN
-OBJETIVOS
4.1 DISPERSIÓN EN SEMICONDUCTORES
4.2 RELACIONES DE VELOCIDAD CAMPO ELÉCTRICO EN
SEMICONDUCTORES
4.2.1. Respuesta de campo de baja intensidad: movilidad
4.2.2 Transporte en campo de gran magnitud
4.3 TRANSPORTE EN CAMPO MUY INTENSO: FENOMENOS DE RUPTURA
4.3.1 Ionización de impacto o ruptura por avalancha
4.4 TRANSPORTE DE PORTADORES POR DIFUSIÓN
4.5 TRANSPORTE POR DERIVA Y DIFUSIÓN: LA RELACION DE EINSTEIN
4.6 INYECCIÓN DE CARGA Y CAUSI NIVELES DE FERMI
4.6.1 Cuasi niveles de Fermi
4.7 INYECCIÓN DE CARGA Y RECOMBINACIÓN RADIATIVA
4.8 INYECCIÓN DE CARGA: EFECTIVOS NO RADIATIVOS
4.9 CONCLUSIONES
4.10 BIBLIOGRAFIA
1
INTRODUCCIÓN
En este capítulo hemos discutido los fenómenos físicos básicos

sobre lo que se basan los dispositivos electrónicos y
optoelectrónicas. En todos los dispositivos interviene alguna
respuesta física a perturbaciones externas. Estas perturbaciones son
por lo general campos eléctricos o campos electromagnéticos. El
desempeño del dispositivo depende de cómo respondan los
electrones a estos estímulos externos
2
OBJETIVOS
 Consecuencias de la dispersión en las propiedades de

transporte tales como la conductividad y la movilidad.
 Causas de ruptura en semiconductores a campos muy altos
 El movimiento de portadores cuando existe un gradiente de
concentración.
 Electrones y huecos que no están en equilibrio: Concepto de
causi niveles de Fermi.
 Recombinación electrón – hueco y emisión de luz:
Recombinación radiativa.
 Obtener expresiones que permitan obtener la concentración de
electrones en la banda de conducción y de huecos en la banda
de valencia en un cristal semiconductor.
3
4.1 TRANSPORTE Y PROPIEDADES OPTICAS EN SEMICONDUCTORES

El teorema de bloch para semiconductores perfectos nos dice que no habrá
dispersión de electrones a medida que se desplacen a través del complicado
pero periódico potencial de fondo de los iones. La ecuación de movimiento de
tales electrones libres es sencillamente: L
ћ𝑑𝑘
= 𝐹𝑒𝑥𝑡 (4.1)
𝑑𝑡
Donde hk es el momento cristalinos efectivo de los electrones .De este modo, si

no hay una fuerza externa el momento efectivo del electrón hk no se modifica.
Es solamente la presencia de imperfecciones lo que ocasiona la dispersión de
electrones en un semiconductor . De hecho, todos los semiconductores tienen
impurezas e imperfecciones, ya sean intencionales o no intencionales, y esto a
su vez causa dispersión de electrones.
4.1 DISPERSION EN SEMICONDUCTORES
El teorema de bloch nos da a conocer que en un potencial perfectamente
periódico, los electrones presentan un comportamiento tipo electrón libre, y no
se permite la dispersión .
En cambio en los semiconductores reales, debido a las imperfecciones que
presenta, ocurre dispersión si se considera un haz de electrones que se mueve
inicialmente con el mismo momento, entonces, debido a procesos de dispersión,
el momento y la energía perderán gradualmente coherencia con respecto a
valores de estados iniciales. El tiempo promedio que toma perder la coherencia
o memoria de las propiedades de estado inicial se denomina “tiempo de
relajación” o tiempo de dispersión.
Tabla
.Una lista de importantes fuentes de dispersión en semiconductores .Estas
fuentes causan dispersión en electrones que afectan sus propiedades de
transporte
Fuentes importantes de dispersión en semiconductores
Impurezas ionizadas → Debidas a adulterantes en los semiconductores
Fonones → Debidas a vibraciones de red a temperaturas finitas
Aleación → Fluctuaciones aleatorias de potencial en semiconductores
de aleación
Aspereza de la interfaz → Importante en dispositivos de heteroestructuras
Impurezas químicas → Debidas a impurezas no intencionales con potencial
de rangos corto
4
DISPERCION EN SEMICONDUCTORES:
Ө ---------→ t=0 Ө t=𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝

Ө ---------→ ↘
Ө ---------→ Ө
Ө ---------→ ↙
Fig4.1: En estas dos figuras podemos observar un esquema del efecto de la
dispersión sobre la velocidad de los electrones. a) Un haz de electrones con
velocidad constante se considera el tiempo de t=0 ; la flecha es el vector que
representa la velocidad. b) Después de un tiempo de relajación o dispersión
t=𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝
los electrones han perdido la memoria de sus velocidades
4.2 Relaciones de velocidad-Campo eléctrico semiconductores

Cuando una distribución electrónica está sujeta a un campo eléctrico, los
electrones tienden en dirección del campo (dirección opuesta al campo f) y a
ganar velocidad a expensas del campo. Sin embargo, debido a las
imperfecciones, se dispersan en dirección aleatorias. Se establece un estado
estacionario en el cual los electrones tienen alguna velocidad de deriva neta en
dirección del campo
En breve discutiremos las relaciones velocidad-en campos eléctricos de baja
magnitud y en campos eléctricos moderadamente altos.
4.2.1 Respuesta de campo de baja intensidad:
En campos eléctricos menores las propiedades de transporte macroscópicas

(movilidad, conductividad) pueden relacionarse con las propiedades
microscópicas (taza de dispersión o tiempo de relajación. Seguiremos un
enfoque desarrollado por Drude al final del siglo, excepto que a la vez Drude no
tenía conocimiento acerca del concepto de maza efectiva y la fuente de
dispersión. A continuación haremos las suposiciones siguientes derivadas de
modificaciones al enfoque de Drude:
i)Los electrones en el semiconductor no interactúan entre sí. Esta aproximación

se denomina la aproximación de electrón independiente.
ii) Los electrones sufren colisiones de varias fuentes de dispersión y el tiempo

𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝 describe el tiempo promedio entre colisiones sucesivas
iii) Los electrones se mueven de acuerdo con la ecuación del electrón libre
ћ𝑑𝑘
= 𝐹𝑒𝑥𝑡 (4.1)
𝑑𝑡
De acuerdo con estas suposiciones, inmediatamente después de una colisión la
velocidad del electrón es la misma que la dada en condiciones en equilibrio
térmico. Está velocidad promedio es entonces 0 , después de las colisiones. El
5
electrón gana una velocidad entre colisiones, es decir, solo durante el tiempo
𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝
Esta ganancia de velocidad promedio es por tanto la de un electron con m* que
viaja a un campo F durante un tiempo 𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝
F=m*a (4.2)
𝐹
E=𝑞 (4.3)
F=Eq (4.4)
𝑣𝑑 =a𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝 (4.5)
𝑣𝑑
a= 𝜏 (4.6)
𝑑𝑖𝑠𝑝
𝑣𝑑
Eq=m*𝜏 (4.7)
𝑑𝑖𝑠𝑝
𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝
𝑣𝑑 =Eq =𝑣𝑝𝑟𝑜𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 (4.8)
𝑚∗
*Donde 𝑣𝑑 es la velocidad de deriva. La densidad de corriente es ahora:

𝑛𝑒 2 𝜏
J=-ne𝑣𝑑 = 𝑚∗𝑑𝑖𝑠𝑝 (4.9)
*Al comparar esto con el resultado de la ley de Ohm para conductividad σ
J=σF (4.10)
𝑛𝑒𝐹𝑒𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝
J= (4.11)
𝑚∗
𝑛𝑒 2 𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝 𝐹
J= (4.12)
𝑚∗
𝑛𝑒 2 𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝 𝐹
=σF (4.13)
𝑚∗
𝑛𝑒 2 𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝
σ= (4.14)
𝑚∗
*La resistividad del semiconductor es sencillamente el inverso de la

conductividad de la definición de movilidad μ para electrones
𝑣𝑑 =μF (4.15)
𝑣 𝐹𝑒𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝
μ= 𝐹𝑑 = (4.16)
𝑚∗𝐹
𝑒𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝
μ= (4.17)
𝑚∗
6
Ejemplo4.1: La movilidad de los electrones en GaAs puro a 300k es de 8500

𝑐𝑚2 /V-s. a)Calcule el tiempo de relajación. Si la muestra GaAs esta adulterada
en 𝑁𝑑 =1017 𝑐𝑚−3la movilidad disminuye a 5000𝑐𝑚2 /V-s. b) Calcule el tiempo de
relajación debido a la dispersión de impurezas ionizadas.
El tiempo de relajación se relaciona por medio de

𝑒𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝
a) μ= (4.17)
𝑚∗
(1) 𝑚∗𝜇 (0.067∗0.91∗10−3 𝑘𝑔)(8500∗10−4 𝑚2 /V−s)

𝑡𝑑𝑖𝑠𝑝 = =
𝑒 1.6∗10−19 𝐶
(1)
𝑡𝑑𝑖𝑠𝑝 =3.24*10−13
b) Si las impurezas ionizadas están presentes, el tiempo es
(2) 𝑚∗𝜇
𝑡𝑑𝑖𝑠𝑝 = =1.9*10−13
𝑒
De acuerdo con la regla de Mathieson, el tiempo relacionado con las impurezas

𝑡𝑖𝑚𝑝 esta dado por
1 1 1
(2) = (1) + (𝑖𝑚𝑝)
𝑡𝑑𝑖𝑠𝑝 𝑡𝑑𝑖𝑠𝑝 𝑡𝑑𝑖𝑠𝑝
lo cual da :
(𝑖𝑚𝑝)
𝑡𝑑𝑖𝑠𝑝 = 4.6*10−13 s
4.3 Transporte en campo muy intenso: Fenómenos de rupturas
Cuando el campo eléctrico llega a hacer extremadamente intenso (≥100

kV/𝑐𝑚−1), el semiconductor sufre una “ruptura “en la cual la corriente exhibe un
comportamiento “desbocado” o “galopante”. La ruptura ocurre debido a la
multiplicación de portadores que surge de las dos fuentes que se discuten a
continuación. Por multiplicación de portadores queremos decir que el número de
electrones y huecos que pueden participar en el flujo de corriente se incrementa.
Por supuesto, el número total de electrones se conserva siempre
4.3.1 Ionización de impacto o ruptura por avalancha
En el transporte considerado en la sección anterior, el electrón (hueco)

permanece en la misma banda durante el transporte. Para campos eléctricos
muy fuertes, esto último ya no resulta cierto
7
4.4 TRANSPORTE DE PORTADORES POR DIFUSIÓN
El transporte de portadores por difusión, es un importante mecanismo de

transporte que no involucra fuerzas directas (no hay campo eléctrico), es un
fenómeno maravilloso que proviene de la termodinámica.
Tanto los electrones como los huecos están en movimiento producto de la
energía térmica.
La corriente de portadores que aparece en un semiconductor cuando existe una

variación espacial de la concentración de estos portadores. Los portadores, en
estos casos, tienden a moverse en un sentido determinado siempre desde las
zonas de más concentración hacia las de baja concentración.
Este proceso puede ser visto con facilidad cuando se ilumina una pequeña región
cerca del centro de una larga y delgada barra de material semiconductor. Este
exceso de portadores se moverá aleatoriamente hacia la derecha y hacia la
izquierda de la zona de generación, dando lugar a un flujo de partículas que se
aleja del centro.
A medida que las partículas se mueven sufren colisiones aleatorias.
A continuación, sabremos cómo se mueven (difunden) los electrones cuando hay
un gradiente de concentración en el espacio.
En la siguiente figura Fig. 4.4.1, la cual muestra una concentración de electrones
que varía en el eje x. El cristal está en equilibrio térmico de forma que la energía
térmica promedio no varía con x, sólo varía n(x). Se pretende calcular el flujo de
electrones que atraviesa un área unidad en la unidad de tiempo.
Debido a la temperatura, los electrones tendrán unos movimientos térmicos
aleatorios con una velocidad térmica 𝑉𝑡ℎ y un recorrido libre medio, l. (ℓ=𝑉𝑡ℎ .𝜏𝑐
Donde τc es el tiempo de colisión medio).
Se va a considerar un plano de área unidad dispuesto en la abscisa x = 0. El
número de electrones que atraviese esta área procederá de aquellos que estén
situados ambos lados del plano una distancia igual al recorrido libre medio 1. Ello
es debido a que, por la propia definición de 1, todos aquellos electrones que
estén situados a una distancia 1 no habrán colisionado todavía y lo harán
atravesando el plano x = 0.
Por otra parte y en promedio sólo la mitad de la concentración de electrones

situados en la posición (-)1 y de idéntica forma los situados en la posición +1
fluirán al área localizada en x = 0. Las otras mitades fluirán en sentido opuesto,
debido a que hay una probabilidad del 50% de ir tanto a la izquierda como a la
8
derecha (esto es debido a que al no haber ningún campo eléctrico aplicado no

hay ninguna dirección privilegiada de movimiento).
Fig.4.4.1 Concentración de electrones en función de la distancia

A fin de obtener una expresión para la densidad de corriente se calculará primeramente
el flujo promedio de electrones (número de electrones) atravesando la unidad de área
por unidad de tiempo desde la posición (-)1 hacia x = 0, 𝐹1 viene dado por:
(1⁄2).𝑛(−1)ℓ 1
𝐹1 = = ∙ 𝑛(−1) ∙ 𝑉𝑡ℎ (4.4.1)
𝜏𝑐 2
Donde 𝜏𝑐 es el tiempo libre medio (tiempo promedio entre colisiones).

Análogamente, el flujo 𝐹2 desde la posición +1 que atraviesa la sección
localizada en x=0 es:
(1⁄2).𝑛(+1)ℓ 1
𝐹2 = = 2 ∙ 𝑛(+1) ∙ 𝑉𝑡ℎ (4.4.2)
𝜏𝑐
El flujo neto (considerando sentido positivo del flujo el de aumento de la

concentración de electrones) será:
1
𝐹 = 𝐹1 − 𝐹2 = 2 ∙ 𝑉𝑡ℎ [𝑛(−1) − 𝑛(+1)] < 0 (4.4.3)
Dado que n (+1) > n(-1), el flujo neto será negativo, es decir, en el sentido de
mayor a menor concentración de electrones (este resultado es lógico, pues la
mitad de una cantidad mayor es mayor que la mitad de una cantidad menor).
Para obtener una expresión más explícita de dicho flujo, se pueden aproximar
ambas concentraciones en x = ±1 por los dos primeros términos del desarrollo
en serie de Taylor alrededor de x = 0:
1 𝑑𝑛 𝑑𝑛 𝑑𝑛
𝐹= ∙ 𝑉𝑡ℎ ∙ {[𝑛(0) − ℓ ∙ |𝑥=0 ] − [𝑛(0) + ℓ ∙ |𝑥=0 ]} = (−)𝑉𝑡ℎ ∙ ℓ |
2 𝑑𝑥 𝑑𝑥 𝑑𝑥 𝑥=0
(4.4.4)
9
Este resultado ha sido obtenido para el plano en x = 0, en general, para un plano

situado en la posición x del semiconductor:
𝑑𝑛 𝑑𝑛
𝐹 = (−)𝑉𝑡ℎ ∙ ℓ ∙ ≡ (−)𝐷𝑛 ∙ (4.4.5)
𝑑𝑥 𝑑𝑥
Donde 𝐷𝑛≡ 𝑉𝑡ℎ ∙ ℓ es el llamado coeficiente de difusión o difusividad y sus

unidades son 𝑐𝑚2 /𝑠
Las expresiones anteriores muestran que el flujo de electrones (F) en un
semiconductor que posea una variación espacial de su concentración de
𝑑𝑛
electrones se produce en el sentido opuesto al gradiente ( ). Suponiendo una
𝑑𝑥
𝑑𝑛
concentración que aumente en el sentido de las x positivas ( > 0 ) dará lugar
𝑑𝑥
a un flujo de electrones hacia la parte negativa del eje x (los electrones se
mueven hacia zonas de menor concentración).
La corriente de difusión generada fluirá en sentido opuesto al movimiento de los
electrones y tendrá el sentido de este gradiente, es decir, hacia el sentido de las
x positivas.
Este flujo de electrones origina una corriente cuya densidad es el producto de la
carga de cada electrón –q por dicho flujo:
𝐽𝑛=(−)𝑞∙𝐹=𝑞∙𝐷 𝑑𝑛 (4.4.6)
𝑛 ∙ 𝑑𝑥
De forma análoga, para los portadores positivos:
𝐽𝑝=𝑞∙𝐹=(−)𝑞∙𝐷 𝑑𝑝 (4.4.7)
𝑝 ∙𝑑𝑥
Este proceso de difusión es muy importante cuando se tienen en cuenta las

corrientes de difusión de portadores minoritarios en semiconductores y que se
verán más adelante.
10
4.5 TRANSPORTE POR DERIVA Y DIFUSIÓN: LA RELACIÓN EINSTEIN
En mucho de los dispositivos electrónicos la carga se mueve bajo la influencia

combinada de campos eléctricos y gradiente de concentración. La corriente está
dada por:
𝑑𝑛(𝑥)
𝐽𝑛 (𝑥) = −𝑒𝜇𝑛 𝑛(𝑥)𝐹(𝑥) + 𝑒𝐷𝑛 (4.5.1)
𝑑𝑥
𝑑𝑝(𝑥)
𝐽𝑛 (𝑥) = −𝑒𝜇𝑝 𝑝(𝑥)𝐹(𝑥) + 𝑒𝐷𝑝 (4.5.2)
𝑑𝑥
Las movilidades del electrón y el hueco son constantes solo en campos eléctricos
de baja intensidad. En campos de gran intensidad las movilidades disminuyen y
el producto µF alcanza una constante correspondiente con la velocidad de
saturación. Es así como la corriente deriva se satura y llega a ser independiente
del campo.
En nuestra discusión del coeficiente de difusión, habíamos indicado que es

controlado esencialmente por los mismos mecanismos de dispersión que
controlan la movilidad.
Las bandas de energía representan los niveles de energía del electrón, incluso
el efecto de la carga negativa. Si se aplica un campo eléctrico F(x), la fuerza
sobre los electrones es −𝑒𝐹(𝑥) y por lo tanto energía potencial 𝑈(𝑥) y la fuerza
estarán relacionados por
𝐹𝑢𝑒𝑟𝑧𝑎 = −∇𝑈(𝑥) (4.5.3)

Para campo eléctrico uniforme podemos escribir
𝑈(𝑥) = 𝑒𝐹(𝑥) ∙ 𝑥 (4.5.4)
11
Así, puesto que la carga del electrón −𝑒 es negativa, las bandas se curvan como
se ilustra en la figura 4.4.2 de acuerdo con la relación
𝐸𝐶 (𝑥) = 𝐸𝑐 (𝐹 = 0) + 𝑒𝐹(𝑥) ∙ 𝑥 (4.5.5)

En equilibrio, las corrientes totales de electrón y hueco son individualmente cero
𝐷 1 𝑑𝑛(𝑥)
𝐹(𝑥) = 𝜇𝑛 𝑛(𝑥) (4.5.6)
𝑛 𝑑𝑥
Fig.4.4.2 Las bandas de energía en la presencia

𝐸𝑐 de un campo eléctrico F(x). Las bandas se
dibujan de manera convencional para la
energía del electrón y justificar la carga
negativas del electrón.
𝐸𝐹𝑖
𝐸𝑣
Si suponemos que la distribución del electrón está dada por la distribución de

Boltzman, obtenemos
𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝐹 (𝑥)

𝑛(𝑥) = 𝑛𝑖 exp {− ( )} (4.5.7)
𝑘𝑏 𝑇
Donde 𝐸𝐹𝑖 y 𝐸𝐹 (𝑥) son el nivel de Fermi intrínseco y el nivel de Fermi en

presencia de cargas extrínsecas. Esto da
𝑑𝑛 𝑛(𝑥) 𝑑𝐸𝐹𝑖 𝑑𝐸𝐹

= ( − ) (4.5.8)
𝑑𝑥 𝑘𝑏 𝑇 𝑑𝑥 𝑑𝑥
12
En equilibrio, el nivel de Fermi no puede varias especialmente, de otro modo la

probabilidad de hallar electrones a lo largo de una posición de energía constante
variara a lo largo del semiconductor. Esto podría ocasionar que los electrones a
un nivel dado de energía en una región donde la probabilidad es baja para
moverse a la misma energía en una región donde la probabilidad es alta.
Puesto que no está permitido por definición de las condiciones de equilibrio, el
nivel de fermi tiene que ser constante en equilibrio
𝑑𝐸𝐹
=0 (4.5.9)
𝑑𝑥
1 𝑑𝐸𝐹𝑖
Entonces, mediante la relación 𝐹(𝑥) = 𝑞 𝑑𝑥
𝐷𝑛 𝑘𝑏 𝑇
= (4.5.10)
𝜇𝑛 𝑒
Es la relación de Einstein satisfecha para electrones. Hay una relación semejante

para los huecos.
Los valores de difusividad y movilidad para Si y GaAs a 300K se muestran en
Fig. 4.4.3. A una temperatura fija existe una relación de proporcionalidad entre
ellas de ahí que puedan representarse conjuntamente utilizando dos escalas en
el eje y.
Fig. 4.2.3: Movilidades y difusividades en el Si y GaAs a 300K en función de la

concentración de impurezas
13
4.6 INYECCION DE CARGA Y CUASI NIVELES DE FERMI

En la discusión del coeficiente de absorción y el tiempo de recombinación, no
hemos mencionado si los electrones y los huecos se encuentran realmente
presentes en los estados que están involucrados en los procesos ópticos. Por
ejemplo, en la absorción de fotones hemos supuesto que el estado inicial en la
banda de valencia está ocupado mientras que el estado final se encuentra vacío.
En general, esto puede no ser cierto. Si los electrones y huecos son inyectados
en un semiconductor, ya sea por contactos externos o mediante excitación
óptica, el sistema puede no estar en equilibrio, y entonces surge la pregunta:
¿qué clase de función de distribución describe la ocupación de electrones y
huecos? Sabemos que en equilibrio la ocupación del electrón y el hueco se
representan por la función de fermi. Se necesita una nueva función para describir
el sistema cuando los electrones y los huecos no se hallan en equilibrio.
4.6.1 Cuasi niveles de Fermi
Sabemos que en equilibrio la distribución de electrones y huecos esta por la
función de fermi que está definida una vez que se conoce el nivel de fermi.
También el producto de electrones y huecos, 𝑛𝑝 es contante. Si los electrones y
huecos se inyectan en exceso se inyectan en el semiconductor, claramente la
misma función no describirá la ocupación de los estados. Bajo ciertas
suposiciones son:
i) Los electrones están esencialmente en equilibrio térmico en la banda
de conducción y los huecos en exceso se hayan en equilibrio en la
banda de valencia. Esto significa que los electrones no están ni
ganando ni perdiendo energía de los átomos de la red cristalina.
ii) El tiempo de recombinación electrón-hueco es mucho mayor que el
tiempo para que los electrones y huecos alcancen el equilibrio dentro
de las bandas de conducción y valencia respectivamente.
En la mayoría de los problemas de interés, el tiempo para alcanzar el

equilibrio en la misma banda es aproximadamente de unos cuantos
picosegundos mientras el tiempo de recombinación e-h se encuentra
en algún lugar entre un nanosegundo y un microsegundo. De este
modo, las suposiciones anteriores por lo general se cumplen. En este
caso, los electrones y huecos en causi-equilibrio pueden
representarse por una función de electrón de Fermi 𝑓 𝑒 (con nivel de
fermi de elctron) y una función de fermi de hueco 𝑓 ℎ (con un diferente
nivel de fermi de hueco). Ahora tenemos que 𝐸𝑐
14
∞
n=∫𝐸 𝑁𝑒 (𝐸) 𝑓 𝑒 (𝐸)𝑑𝐸 (4.46)
𝑐
𝐸
p= ∫∞𝑣 𝑁ℎ (𝐸) 𝑓 ℎ (𝐸)𝑑𝐸 (4.47)
Donde
1
𝑓 𝑒 (𝐸)= 𝐸−𝐸𝐹𝑛 (4.48)
exp( )+1
𝑘𝐵 𝑇
1
𝑓 ℎ (𝐸)=1-𝑓 𝑣 (𝐸) = 1 − 𝐸−𝐸𝐹𝑝
exp( )+1
𝑘𝐵 𝑇
1
= 𝐸𝐹𝑝 −𝐸 (4.49)
exp( )+1
𝑘𝐵 𝑇
En equilibrio, 𝐸𝐹𝑛 = 𝐸𝐹𝑝 .Si electrones y huecos en exceso se inyectan en

el semiconductor el nivel de fermi de electrón 𝐸𝐹𝑛 se mueve hacia la banda de
conducción, mientras el nivel d Fermi del hueco 𝐸𝐹𝑝 lo hace hacia la banda de
valencia. La habilidad para definir cuasi-niveles de Fermi 𝐸𝐹𝑛 y 𝐸𝐹𝑝 no
proporciona un enfoque muy poderoso para resolver problemas fuera de
equilibrio los cuales son, por supuesto, de enorme interés en dispositivos.
Al definir niveles de Fermi separados para electrones y huecos, se pueden
estudiar las propiedades de los portadores en exceso por medio de la misma
relación entre el nivel de Fermi y la densidad de portador como desarrollamos
para el problema en equilibrio. De esta manera, en la aproximación de Boltzmann
tenemos
15
𝐸𝐹𝑛 −𝐸𝑐
n = 𝑁𝑐 exp[ ]
𝑘𝐵 𝑇
𝐸𝑣 −𝐸𝐹𝑝
p =𝑁𝑣 𝑒𝑥𝑝 [ ]
𝑘𝐵 𝑇
(4.50)
En la más precisa aproximación Joyce-Dixon tenemos que (véase la sección 1.5)
𝑛 𝑛
(𝐸𝐹𝑛 − 𝐸𝑐 ) = 𝑘𝐵 𝑇 [ℓ𝑛 𝑁 + ] (4.51)
𝑐 8𝑁𝑐
Con una expresión similar para 𝐸𝑣 − 𝐸𝐹𝑝 . Advierta el cambio de signo para la
expresión de causi-nivel de Fermi para el hueco.
4.7 INYECCION DE CARGA Y RECOMBINACION RADIATIVA

En las secciones anteriores hemos discutido como un fotón que incide sobre un
semiconductor Puede ser absorbido al mover un electrón de la banda de valencia
a la banda de conducción. El haz de fotones decae así a medida que se mueve
a través del semiconductor. El proceso de absorción requiere que los estados de
la banda de valencia tengan electrones presentes y los estados de la banda de
conducción no tengan electrones. ¿Qué pasa si la banda de valencia tiene
huecos y la banda de conducción tiene electrones? Normalmente, una situación
de este tipo no ocurre, pero si los electrones son inyectados en la banda de
conducción y los huecos en la banda de valencia (como ocurre en los dispositivos
emisores de luz discutidos en el capítulo 11), esto podría suceder. Bajo tales
condiciones que los pares de electrón-hueco podrían recombinarse y emitir más
fotones que podrían ser absorbidos. De este modo se debe hablar acerca del
coeficiente de emisión menos el coeficiente de absorción .Este término se
denomina la ganancia del material. Si la ganancia es positiva, crecerá un haz
óptico a medida que se mueve a través del material en lugar de decaer. En las
bandas parabólicas simples tenemos la ganancia 𝑔(ℎ𝜔) dada por la
generalización de la ecuación 4.40 (ganancia = coeficiente de emisión –
coeficiente de absorción)
𝜋𝑒 2 ℏ 2
𝑔(ℏ𝜔) = 𝐸 2 |𝑎. 𝑝𝑖𝑓 | 𝑁𝑐𝑣 (ℏ𝜔)[𝑓 𝑒 (𝐸 𝑒 ) − (1 − 𝑓 ℎ (𝐸 ℎ ))] (4.52)
𝑟 𝑐𝑚0 (ℏ𝜔)
16
El termino dentro de los paréntesis cuadrados surge puesto que la emisión de

fotones es proporcional a 𝑓 𝑒 . 𝑓 ℎ , mientras por otro lado el proceso de absorción
es proporcional a (1 − 𝑓 𝑒 ). (1 − 𝑓 ℎ ). La diferencia de estos términos aparece
en la ecuación (4.52).
Las energías 𝐸 𝑒 y 𝐸 ℎ son (véase a figura 4.16) determinadas advirtiendo lo
siguiente (véase la ecuación 4.38)
ℏ2 𝑘 2
ℏ𝜔 - 𝐸𝑔 = (4.53)
2𝑚𝑟∗
ℏ2 𝑘 2 𝑚∗
𝐸 𝑒 = 𝐸𝑐 + = 𝐸𝑐 + 𝑚𝑟∗ (ℏ𝜔 - 𝐸𝑔 ) (4.54)
2𝑚𝑟∗ 𝑒
ℏ2 𝑘 2 𝑚∗
𝐸 𝑔 = 𝐸𝑐 + ∗ = 𝐸𝑣 + 𝑚∗𝑟 (ℏ𝜔 - 𝐸𝑔 ) (4.55)
2𝑚ℎ ℎ
𝑩𝒂𝒏𝒅𝒂 𝒅𝒆 𝒄𝒐𝒏𝒅𝒖𝒄𝒄𝒊𝒐𝒏
_ _ 𝑬𝒆
- -_ _- 𝑬𝒄
𝑬𝑭𝒏 -------------------------
𝑬𝒈 ℏ𝝎
𝑬𝑭𝒑 -------------------------
+ +
+ + 𝑬𝒉
𝑩𝒂𝒏𝒅𝒂 𝒅𝒆 𝒗𝒂𝒍𝒆𝒏𝒄𝒊𝒂
17
𝒌=𝟎
Figura 4.16
Las posiciones de las energías de los cuasi-niveles de fermi, electrón y el hueco
para valores verticales. Las energías del electrón y el hueco están determinados
por la energía del fotón y las masas de los portadores
Si 𝑓 𝑒 (𝐸 𝑒 ) = 0 y 𝑓 ℎ (𝐸 ℎ ) = 0, es decir, si no hay electrones en la banda de

conducción y no hay huecos en la banda de valencia, observaremos que la
ganancia es sencillamente −𝛼(ℏ𝜔) lo que hemos discutido al principio. Un valor
positivo de la ganancia se presenta cuando
𝑓 𝑒 (𝐸 𝑒 ) > 1 − 𝑓 ℎ (𝐸 ℎ ) (4.56)
Una condición que se conoce como inversión. En este caso la onda luminosa
que pasa en el material tiene una dependencia espacial
𝐼(𝓏) = 𝐼0 exp(g𝓏) (4.57)
Lo que crece con la distancia en vez de disminuir como generalmente lo hace si

𝑔(ℏ𝜔) es negativa. La ganancia en la intensidad óptica es la base para el láser
de semiconductor.
A medida que los electrones y huecos son ‘’bombardeados’’ dentro del
semiconductor se recombinan a través dl proceso de emisión espontanea. Este
proceso no requiere que estén presentes fotones para que el proceso de la
emisión de fotones tena que jugar. La tasa espontanea es dada al (tasa por
unidad de volumen) integrar la ecuación 4,43sobre todas la energías después de
dar cuenta de las funciones de ocupación 𝑓 𝑒 y 𝑓 ℎ . Esto da, mediante la definición
de 𝜏𝑜 de la ecuación 4.45,
1
𝑅𝑒𝑠𝑝𝑜𝑛 = 𝜏𝑜
∫ 𝑑( 𝑙ℏ𝑤) 𝑁𝑐𝑣 {𝑓 𝑒 (𝐸 𝑒 )}{ 𝑓 ℎ (𝐸 ℎ )} (4.58)
La tasa de recombinación espontanea es bastante importante tanto para

dispositivos electrónicos como optoelectrónicas. Es importante examinar la tasa
18
para varios casos importantes. Se proporcionara los resultados para la

recombinación electrón-hueco para los casos siguientes:
i) Inyección de portador minoritario. Si n≫p y la muestra está
fuertemente adulterada, podemos suponer que 𝑓 𝑒 (𝐸) esta cerca de la
unidad. Entonces tenemos para la tasa a la que los huecos se
recombinaran con electrones
3⁄
1 1 𝑚𝑟∗ 2
𝑅𝑒𝑠𝑝𝑜𝑛 = ∫ 𝑑(ℏ𝜔)𝑁𝑐𝑣 𝑓 ℎ (𝐸ℎ ) = ∫ 𝑑(ℏ𝜔)𝑁ℎ 𝑓 ℎ (𝐸ℎ ) ( ∗ )
𝜏0 𝜏0 𝑚ℎ
3⁄
1 𝑚𝑟∗ 2
≅ (
∗ ) 𝑝 (4.59)
𝜏0 𝑚ℎ
De esta forma, la tasa de recombinación es proporcional a la

densidad de portador minoritario (huecos en este caso).Esta
condición es útil para diodos p-n y transistores bipolares que serán
discutidos después.
ii) Inyección fuerte. En este caso es importante cuando se inyecta una
alta intensidad tanto de electrones como de huecos. Ahora podemos
suponer que tanto 𝑓 𝑒 como 𝑓 ℎ son funciones de paso agudo y
obtenemos aproximadamente
𝑛 𝑝
𝑅𝑒𝑠𝑝𝑜𝑛 = =𝜏 (4.60)
𝜏0 0
iii) Inyección débil. En este caso podemos utilizar la distribución de

Boltzmann para describir las funciones de Fermi. Tenemos que
(𝐸𝐹𝑝 −𝐸𝑣 (ℎ𝑤−𝐸𝑔 )

𝑓 𝑒 . 𝑓 ℎ = exp {−(𝐸𝑐𝐾−𝐸𝑇𝐹𝑛} exp {− 𝐾𝐵 𝑇
} exp {− 𝐾𝐵 𝑇
} (4.61)
𝐵
La tasa de emisión espontanea ahora resulta ser de
3⁄
1 2𝜋ℏ2 𝑚𝑟∗ 2
𝑅𝑒𝑠𝑝𝑜𝑛 = 2𝜏 (𝐾 ∗ ∗ ) 𝑛𝑝 (4.62)
0 𝐵 𝑇𝑚𝑒 𝑚ℎ
19
Si escribimos la carga total como la carga en equilibrio más el exceso

de carga,
𝑛 = 𝑛0 + △ 𝑛 ; 𝑝 = 𝑝0 + △ 𝑛 (4.63)
Tenemos para la recombinación de portador en exceso (nótese que en

equilibrio las tareas de recombinación y generación son iguales)
3⁄
1 2𝜋ℏ2 𝑚𝑟∗ 2
𝑅𝑒𝑠𝑝𝑜𝑛 = (𝐾 ∗ ∗ ) (△ 𝑛𝑝0 +△ 𝑝𝑛0 ) (4.64)
2𝜏0 𝐵 𝑇𝑚𝑒 𝑚ℎ
Si △ 𝑛 = △ 𝑝, podemos definir la tasa de una recombinación de portador

△𝑛
en exceso simple como 𝜏 , donde
𝑟
3⁄
1 1 2𝜋ℏ2 𝑚𝑟∗ 2
= (𝐾 ) (𝑛0 + 𝑝0 ) (4.65)
𝜏𝑟 2𝜏0 𝐵 𝑇𝑚∗ 𝑚∗
𝑒 ℎ
Para inyección baja 𝜏𝑟 es mucho mayor que 𝜏0 y bes un resultado del

hecho que, para inyección baja, los electrones tienen una baja
probabilidad de encontrar un hueco con el cual recombinarse.
iv) Condición de inversión. Otra aproximación útil ocurre cuando las

densidades del electrón y del hueco son de tal forma que 𝑓 𝑒 + 𝑓 ℎ = 1.
Esta es la condición para inversión cuando los coeficientes de emisión
y de absorción llegan a ser iguales. Si suponemos en este caso que
𝑓 𝑒 ∼ 𝑓 ℎ = 1/2, obtenemos la relación aproximada
𝑛 𝑝
𝑅𝑒𝑠𝑝𝑜𝑛 = = (4.66)
4𝜏0 4𝜏0
El tiempo de vida de la recombinación es de aproximadamente 40 en

este caso. Este es un resultado útil para estimar la corriente de umbral
de los láseres de semiconductor.
Los procesos de ganancia y recombinación discutidos aquí son muy
importantes tanto para dispositivos electrónicos como opto
electrónicos, que serán discutidos más tarde. Apuntamos la discusión
anterior que el tiempo de recombinación para un portador en exceso
simple puede escribirse en muchas situaciones en la forma
△𝑛
𝜏𝑟 = (4.67)
𝑅𝑒𝑠𝑝𝑜𝑛
20
Para inyección de portadores minoritarios o inyección fuerte 𝜏𝑟 ≅ 𝜏0 .

En general, 𝑅𝑒𝑠𝑝𝑜𝑛 tiene una fuerte dependencia de la densidad de
portador como 𝜏𝑟
4.8 INYECCION DE CARGA NO RADIATIVOS

En semiconductores perfectos, no hay estados electrónicos permitidos en la
región de la banda de separación. Sin embargo, en semiconductores reales,
siempre hay impurezas intencionales o no intencionales que producen niveles
electrónicos que se encuentran en la banda de separación. Estos niveles de
niveles pueden provenir de impurezas químicas o de defectos nativos tales como
una vacancia o un defecto antisitio (es decir, en semiconductores compuestos,
un átomo en la subred equivocada: un Ga en un lugar reservado para As, por
ejemplo).
Los niveles de la banda de separación son estados en los que el electrón esta
‘’localizado’’ en un espacio finito cercano al defecto a diferencia de los estados
usuales de Bloch que representan los estados de las bandas de valencia y
conducción, y que están extendidos en el espacio. A medida que los electrones
‘’libres’’ se mueven en las bandas permitidas, pueden ser atrapados por los
defectos (véase en la figura 4.17). Los defectos también pueden permitir la
recombinación de un electrón y un hueco sin la emisión de un fotón, como era
en el caso de la sección anterior. Esta recombinación no radiativa compite con
la recombinación radiativa, y pude tener un impacto positivo o negativo según el
dispositivo. Por ejemplo, en un láser la recombinación no radiativa no es
deseable, pero es incrementada a propósito en los diodos 𝑝𝑛 para aumentar la
velocidad. Discutiremos brevemente los procesos no radiativos en que interviene
un nivel de separación medio con densidad 𝑁𝑣
Un estado vacío puede asignarse a una sección trasversal de captura 𝜎 𝑒 de
modo que físicamente si un electrón llega dentro de esta área alrededor de una
trampa, será capturado. Si 𝑣𝑡ℎ es la velocidad del electrón y 𝑛 es la concentración
de electrones, la tasa de captura será de
𝑟𝑛𝑐 = 𝑁𝑡 (1 − 𝑓(𝐸𝑡 )) 𝜎𝑒 𝑣𝑡ℎ 𝑛 (4.68)
Donde 𝑓(𝐸𝑡 ) es la probabilidad de ocupación del estado trampa para la energía

𝐸𝑡 .una vez que un electrón es atrapado en el sitio del defecto, puede ser
reemitido con una tasa 𝑃𝑛 desde cada sitio. La tasa total de emisión total es
entonces
21
𝑟𝑛𝑐 = 𝑁𝑡 𝑓(𝐸𝑡 )𝑃𝑛 (4.69)
Si un electrón es atrapado por un sitio de defecto, ese sitio también puede atrapar
un hueco. Si 𝜎ℎ es la sección transversal de captura del hueco, y 𝑣𝑡ℎ la velocidad
térmica (suponiendo lo mismo que para el electrón), la tasa de captura de huecos
es de
𝑟𝑝𝑐 = 𝑁𝑡 𝑓(𝐸𝑡 )𝜎ℎ 𝑣𝑡ℎ 𝑃𝑛 (4.70)
Como en el caso del electrón, un estado vacante puede emitir un hueco para la
banda de valencia (físicamente captura un electrón de la banda de valencia).La
tasa es
𝑟𝑝𝑐 = 𝑁𝑡 (1 − 𝑓(𝐸𝑡 ))𝑃𝑝 (4.71)
En condiciones de estado estacionario, las tasas de captura y emisión para

ambos portadores individuales son iguales
𝑟𝑛𝑐 = 𝑟𝑛𝑒 , 𝑟𝑝𝑐 = 𝑟𝑝𝑒 (4.72)
Observamos que
𝐸𝐹 −𝐸𝐹𝑖
𝑛 = 𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝 ( ) (4.73)
𝑘𝐵 𝑇
𝐸 −𝐸
1 exp( 𝑖 𝐹 )
𝑘𝐵 𝑇
𝑓(𝐸) = 𝐸 −𝐸 ; 1 − 𝑓(𝐸𝑡 ) = 𝐸 −𝐸 (4.74)
1+𝑒𝑥𝑝( 𝑖 𝐹 ) 1+𝑒𝑥𝑝 ( 𝑖 𝐹 )
𝑘𝐵 𝑇 𝑘𝐵 𝑇
De modo que se obtiene, al resolver para 𝑃𝑛 mediante las ecuaciones 4.68, 4.72,
4.73 y 4.74
𝐸𝑡 −𝐸𝐹𝑖
𝑃𝑛 = 𝑛𝑖 𝑣𝑡ℎ 𝜎ℎ 𝑒𝑥𝑝 ( ) (4.75)
𝑘𝐵 𝑇
En forma similar
22
𝐸𝑡 −𝐸𝐹𝑖
𝑃𝑝 = 𝑛𝑖 𝑣𝑡ℎ 𝜎𝑝 𝑒𝑥𝑝 − ( )
𝑘𝐵 𝑇
Estamos interesados en la tasa de cambio de las concentraciones del hueco y

del electrón móvil, que es ahora
−𝑑𝑛 −𝑑𝑝
= 𝑟𝑛𝑐 − 𝑟𝑛𝑒 = = 𝑟𝑝𝑐 − 𝑟𝑝𝑒 (4.77)
𝑑𝑡 𝑑𝑡
Se define
1 1
𝜏𝑛 = Y 𝜏𝑝 = (4.78)
𝑁𝑖 𝑣𝑡ℎ 𝜎𝑛 𝑁𝑖 𝑣𝑡ℎ 𝜎𝑝
Y obtenemos para la tasa de recombinación (después de un poco de

matemáticas tediosas)
−𝑑𝑛 −𝑑𝑝 𝑛𝑝−𝑛𝑖2

𝑅𝑡 = = = −𝐸𝑡 −𝐸𝐹𝑖 𝐸 −𝐸 (4.79)
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝜏𝑛 [𝑝+𝑛𝑖 exp( )]+𝜏ℎ [𝑛+𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝( 𝑡 𝐹𝑖 )]
𝑘𝐵 𝑇 𝑘𝐵 𝑇
Esta expresión se conoce como la ecuación de Shockley, Read, Hall (SRH) para
la tasa de recombinación vía los niveles vía los niveles profundos en la banda de
separación. Para simplificar esta expresión, hacemos las suposiciones
siguientes: 𝑖) 𝜏𝑛𝑟 = 𝜏𝑛 = 𝜏𝑝 ; 𝑖𝑖) 𝐸𝑡 = 𝐸𝐹𝑖 , es decir, los niveles trampa se
encuentran esencialmente a la mitad de banda de separación; 𝑖𝑖𝑖) 𝑛𝑝 ≫ 𝑛𝑖2 bajo
las condiciones de inyección. Esto da
𝑛𝑝
𝑅𝑡 = (4.80)
𝜏𝑛𝑟 (𝑛+𝑝)
La constante de tiempo 𝜏𝑛𝑟 depende de la densidad de impurezas, la sección

transversal asociada con el defecto y la velocidad térmica del electrón como se
vio en la ecuación 4.78
Veremos en el capítulo 5 como la recombinación no radiativa conduce q
característica 1-V no ideales para el diodo 𝑝 − 𝑛
23
4.9. CONCLUSIONES
- TIEMPO DE DISPERSION Y MOVILIDAD
 Debido a imperfecciones, los electrones se dispersan a medida que
se mueven a través del cristal.
 La movilidad de los electrones (hueco) es proporcional al tiempo
de dispersión.
- TRANSPORTE DE CAMPO DE BAJA INTENSIDAD
 La movilidad de portador es constante y la velocidad se incrementa
linealmente con campo eléctrico aplicado ( para campos ≤1Kv/cm)
- TRANSPORTE DE CAMPO DE GRAN INTENSIDAD
 La velocidad del portador tiende a saturarse y la movilidad= v/F
comienza a decrecer.
 El GaAs y otros semiconductores con banda de separación directa
muestran regiones donde la velocidad disminuye a medida que el
campo se incrementa, es decir, tiene regiones de resistencia
negativa.
- COEFICIENTE DE DIFUSIÓN
 Debido al movimiento aleatorio de los electrones en ausencia de
campos, los electrones se mueven desde las regiones de
concentración alta hacia las regiones de baja concentración. El
movimiento está definido por el coeficiente de difusión.
 La movilidad y los coeficientes de difusión se encuentran
relacionados por la relación de Einstein.
- CAUSI –NIVELES DE FERMI
 Para las concentraciones del electrón en no equilibrio y el hueco,
la ocupación de los portadores está dada por una función de Fermi
de electrón y de hueco independiente entre sí.
 Nótese que en equilibrio la misma función de Fermi describe tanto
electrones como huecos.
- RECOMBINACIÓN DE ELECTRÓN-HUECO DE PORTADORES EN
EXCESO
 Los electrones y los huecos pueden recombinarse por emisión de
fotones. El proceso depende de que el electrón encuentre un hueco
y tiene una fuente dependencia de la densidad de carga.
 Los portadores pueden recombinarse también vía capturas. Tales
recombinaciones son no radiatvas y dependen de la densidad de
captura
24
4.10 BIBLIOGRAFIA
http://www.ediuns.uns.edu.ar/files/disp_semi_pedro_julian.pdf
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/mater_semic.htm
http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Clase03.pdf
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap01.htm#1.5
http://www.uv.es/candid/docencia/Tema2(01-02).pdf
SEMICONDUCTORES_ JASPRIT: capítulo 04
25

Transporte de Portadores Por Difusión

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TRANSPORTE Y PROPIEDADES OPTICAS EN SEMICONDUCTORES

TRANSPORTE Y PROPIEDADES OPTICAS EN

En este capítulo hemos discutido los fenómenos físicos básicos

 Consecuencias de la dispersión en las propiedades de

4.1 TRANSPORTE Y PROPIEDADES OPTICAS EN SEMICONDUCTORES

Donde hk es el momento cristalinos efectivo de los electrones .De este modo, si

Ө ---------→ t=0 Ө t=𝜏𝑑𝑖𝑠𝑝

4.2 Relaciones de velocidad-Campo eléctrico semiconductores

4.2.1 Respuesta de campo de baja intensidad:

En campos eléctricos menores las propiedades de transporte macroscópicas

i)Los electrones en el semiconductor no interactúan entre sí. Esta aproximación

ii) Los electrones sufren colisiones de varias fuentes de dispersión y el tiempo

*Donde 𝑣𝑑 es la velocidad de deriva. La densidad de corriente es ahora:

*La resistividad del semiconductor es sencillamente el inverso de la

Ejemplo4.1: La movilidad de los electrones en GaAs puro a 300k es de 8500

El tiempo de relajación se relaciona por medio de

(1) 𝑚∗𝜇 (0.067∗0.91∗10−3 𝑘𝑔)(8500∗10−4 𝑚2 /V−s)

b) Si las impurezas ionizadas están presentes, el tiempo es

De acuerdo con la regla de Mathieson, el tiempo relacionado con las impurezas

4.3 Transporte en campo muy intenso: Fenómenos de rupturas

Cuando el campo eléctrico llega a hacer extremadamente intenso (≥100

4.3.1 Ionización de impacto o ruptura por avalancha

En el transporte considerado en la sección anterior, el electrón (hueco)

4.4 TRANSPORTE DE PORTADORES POR DIFUSIÓN

El transporte de portadores por difusión, es un importante mecanismo de

La corriente de portadores que aparece en un semiconductor cuando existe una

Por otra parte y en promedio sólo la mitad de la concentración de electrones

derecha (esto es debido a que al no haber ningún campo eléctrico aplicado no

Fig.4.4.1 Concentración de electrones en función de la distancia

Donde 𝜏𝑐 es el tiempo libre medio (tiempo promedio entre colisiones).

El flujo neto (considerando sentido positivo del flujo el de aumento de la

Este resultado ha sido obtenido para el plano en x = 0, en general, para un plano

Donde 𝐷𝑛≡ 𝑉𝑡ℎ ∙ ℓ es el llamado coeficiente de difusión o difusividad y sus

De forma análoga, para los portadores positivos:

Este proceso de difusión es muy importante cuando se tienen en cuenta las

4.5 TRANSPORTE POR DERIVA Y DIFUSIÓN: LA RELACIÓN EINSTEIN

En mucho de los dispositivos electrónicos la carga se mueve bajo la influencia

En nuestra discusión del coeficiente de difusión, habíamos indicado que es

𝐹𝑢𝑒𝑟𝑧𝑎 = −∇𝑈(𝑥) (4.5.3)

𝑈(𝑥) = 𝑒𝐹(𝑥) ∙ 𝑥 (4.5.4)

𝐸𝐶 (𝑥) = 𝐸𝑐 (𝐹 = 0) + 𝑒𝐹(𝑥) ∙ 𝑥 (4.5.5)

Fig.4.4.2 Las bandas de energía en la presencia

Si suponemos que la distribución del electrón está dada por la distribución de

𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝐹 (𝑥)

Donde 𝐸𝐹𝑖 y 𝐸𝐹 (𝑥) son el nivel de Fermi intrínseco y el nivel de Fermi en

𝑑𝑛 𝑛(𝑥) 𝑑𝐸𝐹𝑖 𝑑𝐸𝐹

En equilibrio, el nivel de Fermi no puede varias especialmente, de otro modo la

Es la relación de Einstein satisfecha para electrones. Hay una relación semejante

Fig. 4.2.3: Movilidades y difusividades en el Si y GaAs a 300K en función de la

4.6 INYECCION DE CARGA Y CUASI NIVELES DE FERMI

En la mayoría de los problemas de interés, el tiempo para alcanzar el

En equilibrio, 𝐸𝐹𝑛 = 𝐸𝐹𝑝 .Si electrones y huecos en exceso se inyectan en

En la más precisa aproximación Joyce-Dixon tenemos que (véase la sección 1.5)

4.7 INYECCION DE CARGA Y RECOMBINACION RADIATIVA

El termino dentro de los paréntesis cuadrados surge puesto que la emisión de

Si 𝑓 𝑒 (𝐸 𝑒 ) = 0 y 𝑓 ℎ (𝐸 ℎ ) = 0, es decir, si no hay electrones en la banda de

𝐼(𝓏) = 𝐼0 exp(g𝓏) (4.57)

Lo que crece con la distancia en vez de disminuir como generalmente lo hace si

La tasa de recombinación espontanea es bastante importante tanto para

para varios casos importantes. Se proporcionara los resultados para la

De esta forma, la tasa de recombinación es proporcional a la

iii) Inyección débil. En este caso podemos utilizar la distribución de

(𝐸𝐹𝑝 −𝐸𝑣 (ℎ𝑤−𝐸𝑔 )