ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DE

CHIMBORAZO

FACULTAD DE MECÁNICA

ESCUELA DE INGENIERÍA MECÁNICA

INGENIERÍA DE MATERIALES I

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

NOMBRES: CODIGOS:

- HENRY GARCIA 7074

- MIGUEL RUIZ 7048
- OSCAR NACIMBA 7026
- JOSE RAMIREZ 7073

SEMESTRE: 5 “A”

DOCENTE: ING. CARLOS SERRANO

FECHA DE ENTREGA: 17/12/2018

PERIODO ACADÉMICO

OCTUBRE 2018 – FEBRERO 2019

RESUMEN

El uso de semiconductores en la industria electrónica se ha vuelto cada vez más

importante. La capacidad de los fabricantes de semiconductores para poner circuitos

eléctricos extremadamente complejos en un solo chip de silicio de casi 1 𝑐𝑚2 o menos y

alrededor de 200 mm de espesor, ha revolucionado el diseño y la manufactura de

incontables productos. Un ejemplo de la circuitería electrónica compleja que es posible

poner en un chip de silicio de un microprocesador avanzado o “computadora en un chip”.

El microprocesador constituye la base de muchos de los productos más recientes que

utilizan la miniaturización progresiva de la tecnología de semiconductores basada en

silicio. En esta sección se estudiarán primero las interacciones electrónhueco en una unión

pn y se examinará después el funcionamiento del diodo de unión pn. Se considerarán

después algunas aplicaciones de los diodos con este tipo de unión. Finalmente, se

examinará de manera breve la operación del transistor de unión bipolar.

INTRODUCCIÓN

La presente investigación hablaremos sobre los dispositivos semiconductores los cuales

veremos todas sus características y cualidades que nos ayudaran para visualizar cuál es

su comportamiento mediante la aplicación de procesos químicos y mecánicos para

obtener un comportamiento deseado y ver qué es lo que pasa en su estructura y analizar

los posibles fallos que tengan dependiendo del tipo de semiconductor.

Además, veremos las características de los semiconductores y como se forman

dependiendo de cada proceso aplicado y dependiendo del material al cual se realice dicho

proceso.
MARCO TEORICO

LA UNIÓN PN.

Los dispositivos semiconductores más comunes dependen de las propiedades de la

frontera entre los materiales tipo p y tipo n y, en consecuencia, se examinarán algunas de

las características de esta frontera. Un diodo de unión pn puede producirse haciendo crecer

un solo cristal de silicio intrínseco e impurificándolo primero con material de tipo n y

después con material de tipo p (figura 1 a). Sin embargo, de manera más común, la unión

pn se produce por la difusión en estado sólido de un tipo de impureza (por ejemplo, tipo

p) en material tipo n existente (figura 1 b). El diodo de unión pn en equilibrio Se

considerará un caso ideal en el cual se unen semiconductores de silicio tipo p y tipo n para

formar una unión. Antes de ésta, ambos tipos de semiconductores son eléctricamente

neutros. En el material tipo p los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones

los portadores minoritarios. En el material tipo n los electrones son los portadores

mayoritarios y los huecos los minoritarios.

Después de unir los materiales tipo p y n (es decir, después de que se forma la unión pn

en la fabricación real), los portadores mayoritarios cerca o en la unión se difunden a través

de la misma y se recombinan (figura 2 a). Puesto que los iones restantes cercan o en la

unión son físicamente más grandes y pesados que los electrones y huecos, permanecen en

sus posiciones en la retícula de silicio (figura 2 b). Después de unas cuantas

recombinaciones de portadores mayoritarios en la unión, el proceso se interrumpe debido

a que los iones negativos grandes repelen a los electrones que cruzan la unión en el

material tipo p. De manera similar, los huecos que cruzan la unión se repelen por causa de

los iones positivos grandes en el material tipo n. Los iones inmóviles en la unión crean

una zona agotada de portadores mayoritarios que se conoce como región de agotamiento.

En condiciones de equilibrio (esto es, condiciones de circuito abierto) existe ahí una
diferencia de potencial o barrera para el flujo de portadores mayoritarios. De este modo,

no hay flujo de corriente neta en las condiciones de circuito abierto.

Fig. 2 Diodo de unión pn

a) Diodo de unión pn que muestra los portadores mayoritarios (huecos en el material tipo

p y electrones en el material tipo n) difundiéndose hacia la unión.

b) Formación de la región de agotamiento en y cerca de la unión pn debido a la pérdida

de portadores mayoritarios en esta región por recombinación. Sólo permanecen iones en

esta región en sus posiciones en la estructura cristalina.

EL DIODO DE UNIÓN PN POLARIZADO INVERSAMENTE.

Cuando se aplica un voltaje externo a una unión pn, se dice que ésta está polarizada. Se

considerará el efecto de aplicar un voltaje externo de una batería a la unión pn. Se dice

que la unión pn está inversamente polarizada si el material tipo n de la unión se conecta

a la terminal positiva de la batería y si el material tipo p se conecta a la terminal negativa

(figura 3). Con este arreglo, los electrones (portadores mayoritarios) del material tipo n

son atraídos a la terminal positiva de la batería lejos de la unión y los huecos (portadores

mayoritarios) del material tipo p son atraídos a la terminal negativa de la batería lejos de

la unión (figura 3). El movimiento de los electrones y huecos de los portadores

mayoritarios lejos de la unión aumenta su ancho de barrera, y como resultado la corriente

que se produce a partir de los portadores mayoritarios no circulará. Sin embargo, los

portadores minoritarios generados térmicamente (huecos en el material tipo n y electrones

en el material tipo p) serán arrastrados hacia la unión de manera que puedan combinarse

y crear un flujo de corriente muy pequeño bajo condiciones de polarización inversa. Esta

minoría o corriente de fuga suele ser del orden de microamperes (figura 4).

Fig. 3 Diodo de unión pn polarizado inversamente. Los portadores mayoritarios son

atraídos lejos de la unión, creando una región de agotamiento más ancha que cuando

la unión está en equilibrio. El flujo de corriente debido a los portadores mayoritarios se

reduce casi a cero. Sin embargo, los portadores minoritarios están polarizados

directamente, lo que crea una pequeña corriente de fuga, como se ilustra en la figura 6.
 Fig. 4 Diagrama esquemático de las características de corriente-voltaje de un diodo

de unión pn. Cuando el diodo de unión pn está polarizado inversamente, existe una

corriente de fuga debido a la combinación de los portadores minoritarios. Cuando el

diodo de unión pn se polariza directamente, fluye una gran corriente debido a la

recombinación de los portadores mayoritarios.

EL DIODO DE UNIÓN PN POLARIZADO DIRECTAMENTE.

El diodo de unión pn se dice que está polarizado directamente si el material tipo n de la

unión se conecta a la terminal negativa de una batería externa (u otra fuente eléctrica) y

si el material tipo p se conecta a la terminal positiva (figura 5). En este arreglo los

portadores mayoritarios se repelen hacia la unión y pueden combinarse; esto es, los

electrones se repelen lejos de la terminal negativa de la batería hacia la unión y los huecos

se repelen alejándose de la terminal positiva hacia la unión. En el caso de polarización

directa —esto es, polarización directa con respecto a los portadores mayoritarios— la

barrera de energía en la unión se reduce de manera que algunos electrones y huecos

pueden cruzar la unión y recombinarse subsecuentemente. Durante la polarización directa

de una unión pn, los electrones de la batería entran en el material negativo del diodo

(figura 5). Por cada electrón que cruza la unión y se recombina con un hueco, entra otro

electrón desde la batería. Además, para cada hueco que se recombina con un electrón en

el material tipo n, se forma un nuevo hueco siempre que un electrón deja el material tipo

p y fluye hacia la terminal positiva de la batería. Puesto que la barrera de energía para el

flujo de electrones se reduce cuando la unión pn está polarizada directamente, es posible

que fluya una corriente considerable, como se indica en la figura 6. El flujo de electrones

(y en consecuencia, el flujo de corriente) puede continuar siempre que la unión pn esté

polarizada directamente y la batería proporcione una fuente de electrones.

Fig. 5 Diodo de unión pn polarizado directamente. Los portadores mayoritarios se

repelen hacia la unión y la cruzan para recombinarse de manera que fluye una

corriente considerable.
Fig. 6 Diagrama de voltaje-corriente que ilustra la acción rectificadora de un diodo de

unión pn que convierte corriente alterna (CA) en corriente directa (CD). La corriente

de salida no es del todo corriente directa pero es en gran parte positiva. Esta señal de

CD puede suavizarse utilizando otros dispositivos electrónicos.

RECTIFICADORES (DISPOSITIVOS DE UNIÓN P-N)

Los rectificadores se producen uniendo un semiconductor tipo n con un semiconductor

tipo p, formando una unión p-n. Los electrones se concentran en la unión tipo n y los

huecos en la unión tipo p. El desequilibrio eléctrico resultante crea un voltaje o un

potencial de contacto a través de la unión.

 Comportamiento de un dispositivo de unión p-n.

Fig. a Se provoca el equilibrio al concentrarse electrones del lado n y huecos del

lado p.

Fig. b Una polarización positiva hará que fluya una corriente

 Fig. c Una polarización negativa no permitirá que fluya corriente

Si en la unión p-n se aplica un voltaje externo, de manera que la terminal negativa

este del lado tipo n, los electrones y los huecos genera una corriente net. Esto se

conoce como polarización directa (Fig. b). Si se incrementa la polarización directa,

aumentará la corriente que pasa a través de la unión (Fig. a).

Sin embargo, si se invierte el voltaje aplicado creando una polarización inversa,

tanto los huecos como los electrones se separan de la unión (Fig. c). Sin portadores

de carga en la zona de agotamiento, la unión se comporta como un aislante y casi no

fluye corriente (Fig. d)

En vista de que la unión p-n permite el flujo de corriente sólo en una dirección,

únicamente pasará la mitad de una corriente alterna, convirtiendo esta última en

corriente directa (Fig. e) Estas uniones se conocen como diodos rectificadores.

 Fig. d Característica de corriente voltaje en una unión p-n. Note la diferencia de

escalas en el primer y tercer cuadrante.

Fig. e Si se aplica una señal alterna, ocurre una rectificación y sólo la mitad de la

señal de entrada pasará a través del rectificador

Típicamente, en el caso de polarización inversa se produce una pequeña fuga de

corriente, debido al, movimiento de electrones y huecos térmicamente activados. Sin

embargo, cuando la polarización inversa se hace demasiado grande, cualquier

portador que llegue a fugarse a través de la barrera aislante de la unión se acelerará

de manera importante, excitando otros portadores de carga y cuando una corriente

elevada en dirección inversa (Fig. d). Se puede utilizar este fenómeno para diseñar

dispositivos limitadores de voltaje. Al dopar y construir adecuadamente la unión p-n,

se puede seleccionar el voltaje de avalancha o de ruptura. Cuando el voltaje en el

circuito excede el voltaje de ruptura, fluirá una corriente elevada a través de la unión

y será derivada del resto del circuito. Estos dispositivos, llamados Diodos Zener se

utilizan para proteger los circuitos contra altos voltajes accidentales.

TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR.

Un transistor se puede utilizar como interruptor o como amplificador. Un ejemplo es

el transistor de unión bipolar (BJT), que se utiliza a menudo en unidades de

procesamiento central de computadoras por su rápida respuesta a la conmutación. Un

transistor de unión bipolar es un emparedado de materiales semiconductores ya sea

n-p-n o p-n-p. En el transistor hay tres zonas: el emisor, la base y el colector. Igual

que en la unión p-n, los electrones inicialmente están concentrados en el material tipo

n y los huecos en el tipo p.

La figura f muestra un transistor n-p-n y su círculo eléctrico, tanto de manera

esquemática como de la forma en que podría aparecer al estar implantado en un chip

de silicio. La señal eléctrica a amplificar está conectada entre la base y el emisor, con

un voltaje pequeño entre estas dos zonas. La salida del transistor o señal amplificada

está conectada entre el emisor y el colector, y opera a un voltaje superior. El circuito

está conectado de manera que se produce una polarización directa entre el emisor y la

base (el voltaje positivo estará en la base tipo p), en tanto que se produce una

polarización inversa entre la base y el colector (con el voltaje positivo tanto que se

produce una polarización inversa entre la base y el colector (con el voltaje positivo en

el colector tipo n). La polarización directa hace que los electrones salgan del emisor

y entren en la base.
 Fig. f Circuito para un transistor de unión bipolar n-p-n. La entrada crea una

polarización directa y otra inversa que hace que los electrones se muevan alejándose

del emisor, a través de la base y hacia el colector, creando una salida amplificada.

Fig. g Esquema de la sección transversal del transistor

Los electrones y los huecos intentan recombinarse en la base; sin embargo, si la base es

excepcionalmente delgada y con un dopado ligero, o se el tiempo de recombinación ꞇ es

largo, casi todos los electrones pasan a través de la base y entran en el colector. La

polarización inversa entre base y colector acelera los electrones a través del colector,

completando el circuito, y se produce una señal de salida. La corriente a través del

colector está dada por:

𝑉𝐸
𝐼ꞇ = 𝐼𝑜 exp ( )
𝐵

Donde 𝐼𝑜 y B son constantes y 𝑉𝐸 es el voltaje entre el emisor y la base. Si se incrementa

el voltaje de entrada 𝑉𝐸 , se produce una corriente 𝐼ꞇ muy grande.

MICROELECTRONICA

La tecnología moderna de los semiconductores ha hecho posible poner miles de

transistores en un chip de silicio de aproximadamente 5 mm cuadrados de área y 0.2 mm

de espesor. Esta capacidad de incorporar gran número de elementos electrónicos en chips

de silicio ha incrementado de manera considerable la capacidad de los sistemas de

dispositivos electrónicos.
Esta fotografía muestra una oblea, circuitos integrales individuales y tres paquetes de

chips (el paquete de en medio es cerámico y los otros dos son platicos). Los tres

dispositivos más grandes en la parte media de esta oblea son monitores de control de

procesos para supervisar la calidad técnica de la matriz sobre la oblea.

[Cortesía de American Microsystems, Inc. (AMI), Santa Clara, Calif.]

Los circuitos micro electrónicos integrados a gran escala se fabrican empezando con una

oblea de un mono cristal de silicio (tipo p o n) de alrededor de 100 a 125 mm de diámetro

y 0.2 mm de espesor. La superficie de la oblea debe pulirse bastante y no tener defectos

en un lado que los dispositivos semiconductores se fabrican en la superficie pulida de la

oblea. Primero se examinara la estructura de transistor bipolar de tipo plano fabricado en

una superficie de oblea de silicio. Después se revisara de manera breve la estructura de

un tipo de transistor más compacto llamado el MOSFET, o metal oxide semiconductor

field-effect transistor (transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido

metálico), el cual se usa en muchos sistemas de dispositivos semiconductores modernos.

Por último, se describirán algunos de los procedimientos básicos que se emplean en la

fabricación de circuitos micro electrónicos modernos.

TRANSISTORES BIPOLARES PLANOS MICROELECTRONICOS

Los transistores bipolares planos micro electrónicos se fabrican en la superficie de una

oblea de un mono cristal de silicio mediante una serie de operaciones que requieren

acceso a solo una superficie de la oblea de silicio. En la figura se muestra un diagrama

esquemático de la sección transversal de un transistor bipolar plano npn. En su

fabricación, una isla relativamente grande de silicio tipo n se forma primero en una base

de sustrato de silicio tipo p. después se crean islas más pequeñas de silicio tipo p y tipo n
en la isla más grande tipo n. de este modo, las tres partes fundamentales del transistor

bipolar npn individual descrito en la sección anterior, la unión emisor – base se polariza

directamente y la unión base – colector inversamente. Así, cuando los electrones del

emisor se inyectan en la base, la mayoría de ellos van al colector y solo un pequeño

porcentaje (1 a 5 %) se recombina con los huecos de la terminal de la base. El transistor

bipolar plano micro electrónico puede entonces funcionar como un amplificador de

corriente en la misma forma que el transistor bipolar micro electrónico individual.

Transistor npn bipolar plano microelectronico fabricado en un monocristal de silicio

mediante una serie de operaciones que requieren acceso únicamente a una superficie del

chip de silicio. El chip completo se impurifica con impurezas tipo p, y luego se forman

las islas para definir los tres elementos fundamentales del transistor: el emisor, la base y

el colector. En este transistor bipolar microelectronico, la unión emisor- base esta

polarizada directamente y la unión colector- base inversamente. El dispositivo exhibe

ganancia debido a que una pequeña señal aplicada a la base puede controlar a una grande

en el colector.
(Tomado de J. D. Meindl, Microelectronic Circuit Elements, Sc. Am, septiembre 1977,

p. 75 Copyright Scientific American Inc. derechos reservados.)

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO PLANOS MICROELECTRONICOS

Debido a que en muchos sistemas micros electrónicos modernos de hoy en día, otro tipo

de transistor, llamado transistor de efecto de campo, se usa debido a su bajo costo y su

calidad de compacto. El transistor de efecto de campo más común utilizado en Estados

Unidos es el transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico tipo n. el

MOSFET tipo n, o NMOS, se crean dos islas de silicio tipo n en un sustrato de silicio tipo

p, como se muestra en la figura. En el dispositivo NMOS el contacto donde los electrones

entran se conoce como la fuente y el drenaje, hay una región tipo p sobre cuya superficie

se forma una delgada capa de dióxido de silicio que actúa como un aislante. En la parte

superior del óxido de silicio otra capa de polisilicio (o metal) se deposita para formar un

tercer contacto del transistor, denominado la compuerta. Puesto que el dióxido de silicio

es un excelente aislador, la conexión de la compuerta no está en contacto eléctrico directo

con el material tipo p debajo del óxido.

Diagrama esquemático de un transistor de efecto de campo NMOS: a) estructura completa

y b) vista de la sección transversal.

El MOSFET, al igual que el transistor bipolar, es capaz también de amplificar corriente.

La ganancia en dispositivos MOSFET suele medirse en términos de cociente de voltaje

en vez de un cociente de corriente como en el transistor bipolar. Los MOSFET tipo p con

huecos para los portadores mayoritarios pueden fabricarse de manera similar, utilizando

las islas tipo p para la fuente y el drenaje en un sustrato tipo n. puesto que los portadores

de corriente son electrones en los dispositivos NMOS y huecos en los PMOS, estos se

conocen como dispositivos de portadores mayoritarios.

La tecnología MOSFET es la base para la mayor parte de los circuitos de memoria

integrados a gran escala, sobre todo porque el MOSFET individual requiere menor área

del chip de silicio que el transistor bipolar y, en consecuencia, es posible obtener mayores

densidades de transistores. Además, el costo de fabricación de los MOSFET LSI es menor

que el de los tipos de transistores bipolares. Sin embargo, hay algunas aplicaciones en las

que son necesarios los transistores bipolares.

Distribución de ingeniería de una red de circuito integrado.

(Cortesía de Harris Corporation.)

FABRICACIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS MICROELECTRÓNICOS

El diseño de un circuito integrado microelectrónico se plasma primero a gran escala, casi

siempre con asistencia de computadora, de manera que pueda lograrse el diseño que

ahorre más espacio (figura 1). En el proceso de fabricación más común la disposición se

usa para preparar un conjunto de fotomáscaras, en cada una de las cuales hay un patrón

para una capa de circuito integrado terminado de capas múltiples (figura 2).
 Figura 1: Diseño de circuito integrado.

Fuente: Fundamentos de la Ciencia e Ingeniería 4ta edición Smith

Figura 2: Dos tipos de máscaras fotolitográficas utilizadas en la fabricación de

circuitos integrados.

Fuente: Fundamentos de la ciencia e ingeniería 4ta edición Smith

FOTOLITOGRAFÍA
El proceso mediante el cual un patrón microscópico se transfiere desde una fotomáscara

hasta la superficie de la oblea de silicio del circuito integrado, se conoce como

fotolitografía. En la figura 3 se muestran los pasos necesarios para formar una capa de

dióxido de silicio aislante sobre la superficie de silicio, la cual contiene un patrón de

regiones de sustrato de silicio expuesto

Figura3: Fotolitografía

Fuente: Fundamentos de la ciencia e ingeniería 4ta edición Smith

DIFUSIÓN E IMPLANTACIÓN DE IONES DE IMPUREZAS EN LA

SUPERFICIE DE OBLEAS DE SILICIO

Para formar elementos de circuito activo como los transistores bipolar y MOS en circuitos

integrados, es necesario introducir impurezas (donantes) de manera selectiva en el

sustrato de silicio para crear regiones localizadas tipo n y tipo p. Hay dos técnicas

principales para introducir impurificaciones en las obleas de silicio: 1) difusión y 2)

implantación de iones.

Los pasos del proceso fotolitográfico. En este proceso un patrón microscópico puede

transferirse de una fotomáscara a una capa de material en un circuito real. En esta

ilustración se muestra un patrón que se está grabando en una capa de dióxido de silicio

sobre la superficie de la oblea de silicio. La oblea oxidada 1) se recubre primero con una

capa de un material sensible a la luz llamado fotoresist 2) y después se expone a luz

ultravioleta a través de la fotomáscara 3). La exposición produce la fotomáscara insoluble

en una solución de revelador; en consecuencia, se deja un patrón de fotoresist en todos

los puntos en que la máscara es transparente 4). La oblea se sumerge después en una

solución de ácido fluorhídrico, la cual ataca de manera selectiva al dióxido de silicio, sin

afectar al patrón de fotoresist y al sustrato de silicio 5). En el paso final el patrón de

fotoresist se remueve mediante otro tratamiento químico 6).

LA TÉCNICA DE DIFUSIÓN

Átomos impurificadores importantes como el boro y el fósforo se mueven con mucha

mayor lentitud a través del dióxido de silicio que a través de la red cristalina de silicio.

Patrones de dióxido de silicio delgados pueden servir como máscaras para evitar que los

átomos impurificadores penetren dentro del silicio (figura 4). Así, un enrejado de obleas

de silicio puede colocarse en un horno de difusión a 1 000−1 100°C en un a atmósfera

que contiene fósforo (o boro), por ejemplo. Los átomos de fósforo entrarán en la

superficie no protegida del silicio y se difundirán de manera lenta dentro de la masa de la

oblea, como se muestra en la figura 4.

 Figura 4: La técnica de difusión.

Fuente: Fundamentos de la ciencia e ingeniería 4ta edición Smith

LA TÉCNICA DE IMPLANTACIÓN DE IONES.

Otro proceso de impurificación selectivo para obleas de silicio de circuitos integrados, es

la técnica de implantación de iones (figura 4) que tiene la ventaja de que las impurezas

donantes pueden incrustarse a temperatura ambiente. En este proceso los átomos

impurificadores se ionizan (los electrones se remueven de los átomos para formar iones)

y los iones se aceleran hasta altas energías a través de una diferencia de potencial elevada

de 50 a 100 kV. Cuando los iones inciden sobre la oblea de silicio, se incrustan hasta

profundidades variables, dependiendo de su masa y energía y del tipo de protección

superficial de la superficie de silicio. Un patrón de fotoresist o de dióxido de silicio puede

enmascarar regiones de la superficie donde no se desea la implantación de iones. Los

iones acele rados provocan cierto daño en la red cristalina de silicio, pero gran parte del

mismo puede regenerarse mediante recocido a una temperatura moderada. La

implantación de iones es útil dondequiera que el nivel de impurificación deba controlarse

con exactitud. Otra ventaja importante de la implantación de iones es la capacidad para

introducir impurezas dopantes a través de una delgada capa de óxido. Esta técnica

posibilita ajustar los voltajes de umbral de los transistores MOS. Mediante la

implantación de iones, tanto los transistores NMOS como los PMOS pueden fabricarse

sobre la misma oblea.

TECNOLOGÍA DE FABRICACIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

Hay muchos procedimientos diferentes que se utilizan en la fabricación de circuitos

integrados MOS. Continuamente se logran nuevas innovaciones y descubrimientos para

mejorar el diseño de equipos y el procesamiento de CI en esta tecnología que avanza con

rapidez. La secuencia de procesamiento general para un método de producción de

circuitos integrados NMOS se describe en los siguientes pasos4 y se ilustra en las figuras

5 y 6.
 Figura 5: Tecnología de fabricación de circuitos integrados MOS

Fuente: Fundamentos de la ciencia e ingeniería 4ta edición Smith

Figura 6: Tecnología de fabricación de circuitos integrados MOS

Fuente: Fundamentos de la ciencia e ingeniería 4ta edición Smith

Dispositivos de semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS,

por sus siglas en inglés) Es posible fabricar un chip que contenga ambos tipos de

MOSFET (NMOS y PMOS), aunque sólo aumentando la complejidad del circuito y

reduciendo la densidad de los transistores. Los circuitos que contienen dispositivos tanto

NMOS como PMOS se denominan circuitos complementarios o CMOS, y pueden

formarse, por ejemplo, aislando todos los dispositivos NMOS con islas de material tipo p

(figura 7). Una ventaja de los circuitos CMOS es que los dispositivos MOS pueden

arreglarse para lograr un menor consumo de potencia. Los dispositivos CMOS se utilizan

en una diversidad de aplicaciones. Por ejemplo, los circuitos CMOS integrados a gran
escala se usan en casi todos los relojes y calculadoras electrónicos modernos. Además, la

tecnología CMOS se está volviendo de mayor importancia en el uso de

microprocesadores y memorias de computadora.

Figura 7: Dispositivos de semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS,

Fuente: Fundamentos de la ciencia e ingeniería 4ta edición Smith

CONCLUSIONES

 las uniones de diodos pn se pueden obtener tanto con el crecimiento de un sólo

cristal de silicio e impurificandolo con materiales p y n; y mediante la difusión en

estado sólido de una impureza sobre un material de tipo n existente.

 Los electrones y huecos intentan recombinarse en la base, sin embargo, si la base

es excepcionalmente delgada y con un dopado ligero, O el tiempo de

recombinacion en largo casi todos los electrones pasan a través de la base y entran

en el colector.

BIBLIOGRAFÍA

Fundamentos de la ciencia e ingeniería de materiales de 4th, Edición William.F. Smith