DEPARTAMENTO DE ENERGÍA Y MECÁNICA

INGENIERÍA MECATRÓNICA

DISEÑO ELECTRÓNICO
LABORATORIO N°01
NIVEL: 7mo “B”

TÍTULO:

CORTE-SATURACIÓN EN UN TRANSISTOR BJT NPN

AUTORES:
HARO RONNY
MEJÍA JUAN
TORRES BRYAN

ING. FABRICIO PÉREZ

LATACUNGA
2018
1.TEMA: Corte-Saturación en un transistor BJT NPN

2. Objetivo General:

Comprobar el funcionamiento de un transistor en corte y saturación para controlar el encendido y

apagado de un Led.

3. Objetivos Específicos:

 Investigar el funcionamiento de un transistor BJT en corte y saturación.

 Diseñar el circuito del transistor en configuración de interruptor
 Simular el circuito diseñado
 Implementar el circuito diseñado
 Comparar los resultados medidos con los simulados y calculados

4. Marco Teórico

4.1. Transistor BJT como interruptor

La figura ilustra la operación básica de un BJT como dispositivo de conmutación. En la parte a), el transistor está

en la región de corte porque la unión base-emisor no está polarizada en directa. En esta condición, existe,

idealmente, una abertura entre el colector y el emisor, como lo indica el equivalente de interruptor. En la parte

b), el transistor está en la región de saturación porque la unión base-emisor y la unión base-colector están

polarizadas en directa y la corriente en la base llega a ser suficientemente grande para provocar que la corriente

en el colector alcance su valor de saturación. En esta condición, existe, idealmente, un corto entre el colector y el

emisor, como lo indica el equivalente de interruptor. En realidad, normalmente ocurre una pequeña caída de

voltaje a través del transistor de unos cuantos décimos de volt, la cual es el voltaje de saturación. [1]
 Fig. 1. Operación en corte y saturación de un transistor BJT.

4.2. Condiciones en corte

Un transistor está en la región de corte cuando la unión base-emisor no está polarizada en directa. Si se ignora la
corriente de fuga, todas las corrientes son cero y VCE es igual a VCC.

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶

4.3. Condiciones en saturación

Cuando la unión base-emisor está polarizada en directa y existe suficiente corriente en la base para producir una
corriente máxima en el colector, el transistor está en saturación. La fórmula para la corriente de saturación de
colector es

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑐𝑒
𝐼𝑐(𝑠𝑎𝑡) =
𝑅𝑐

Puesto que VCE(sat) es muy pequeño comparado con VCC, casi siempre puede ser despreciado. El valor máximo
de la corriente en base requerida para producir saturación es:

𝐼𝑐(𝑠𝑎𝑡)
𝐼𝐵(𝑚𝑖𝑛) =
𝛽𝐶𝐷

Normalmente, IB debe ser significativamente más grande que IB(mín) para garantizar que el transistor esté en
saturación.
4.4. Datasheet transistor 2n2222a
4.5. Curva de polarización de un transistor NPN

Fig. 2 Curvas de polarización de un transistor NPN

Para la configuración para que el transistor funcione como interruptor tiene una configuración en emisor común, las

características de salida son una gráfica de la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCD) para un intervalo de

valores de la corriente de entrada (IB). Las características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada (IB) contra

el voltaje de entrada (VBE) para un intervalo de valores del voltaje de salida (VCE). IB está en microamperes en

comparación con los miliamperes de IC. Se considera también que las curvas de IB no son tan horizontales como las

obtenidas para IE en la configuración en base común, lo que indica que el voltaje colector a emisor influye en la magnitud

de la corriente del colector. La región activa para la configuración en emisor común es esa parte del cuadrante superior

derecho de mayor linealidad, es decir, la región de las curvas de IB son casi rectas o y equidistantes. En la figura esta

región existe a la derecha de la línea de rayas vertical en VCEsat y arriba de la curva de IB igual a cero. La región a la

izquierda de VCEsat se llama región de saturación. En la región activa de un amplificador en emisor común, la unión base-

emisor se polariza en directa en tanto que la unión colector-base está en inversa. [2]
5. Materiales

Equipos Valores Características

Voltaje
Fuente de alimentación dc para el circuito
Generador de Señal
5V
GWInstek

Vce=
40Vdc Transistor BJT NPN que trabajara en corte y
2n2222a
saturación
Ic=500ma
Voltaje Es un tablero con orificios que se encuentran
Protoboard conectados eléctricamente entre sí de manera
0–110 V interna
17.250 kΩ
Oposición al flujo de electrones al moverse a través
Resistencias
de un conductor.
290 Ω
Conductor de electricidad (cobre), generalmente
Cables de conexión Calibre 18 recubierto de un material aislante o protector, para
insertar en el protoboard
Diodos emisor de Luz Se trata de un diodo de unión p-n, que emite luz
0.7v cuando está activado, si se aplica una tensión
adecuada a los terminales

5. RESULTADOS
Cálculo de los parámetros del diseño

Fig. 3 Esquema del circuito a diseñar

Para proceder con el cálculo de los parámetros necesarios para el encendido y apagado del led

con la utilización del transistor BJT, hay que tener en cuenta que para que el led opere es

necesario mantener un voltaje de 1.7V (𝑉𝑙𝑒𝑑 ) a una corriente de 0.01 A (𝐼𝑐 ). Se estableció que

𝑉𝑐𝑐 = 5 𝑉 , 𝑉𝑒𝑛𝑡 = 3 𝑉 y ℎ𝐹𝐸 = 75 . Se procederá a calcular el valor de la resistencia de base

(𝑅𝐵 ) y la resistencia en el colector (𝑅𝐶 ).

Para el valor de 𝑹𝑪
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑙𝑒𝑑 − 𝑉𝐶𝐸(𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛) 5𝑉 − 1.7𝑉 − 0.4𝑉
𝑅𝐶 = = = 290 Ω
𝐼𝐶 0.01 𝐴

𝑃𝑅𝑐 = 𝐼𝐶 2 ∗ 𝑅𝑐 = (0.01 𝐴)2 ∗ (290Ω ) = 0.029 𝑊

Para el valor de 𝑹𝑪
𝐼𝐶 0.01𝐴
𝐼𝐵 = = = 133 𝜇𝐴
ℎ𝐹𝐸 75
𝑉𝑒𝑛𝑡 − 𝑉𝐵𝐸 (3𝑉 − 0.7𝑉) ∗ 75
𝑅𝐵 = = = 17250 Ω
𝐼𝐵 0.01 𝐴

2 0.01 𝐴 2
𝑃𝑅𝑛 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝑐 = ( ) ∗ (17250 Ω ) = 307 𝑚𝑊
75

Tabla 1
Valores obtenidos

Parámetro Rango de
Calculados Simulados Medidos tolerancia del
multímetro
Vr1 [V] 2.3 2.27 2.357 2.2362V-2.4749V
Vr2 [V] 2.9 2.87 3.01 2.8595V-3.1605
Vled [V] 1.7 1.73 1.92 1.824V-2.016V
Ic [A] 0.01 0.01 0.01012 0.010A-0.01022 A
Ib [uA] 133 133 126 127.47 uA-127.2 uA
Simulación

Fig. 4 Diseño del circuito para apagado-encendido de un LED

6. Análisis de Resultados
Se utilizó el transistor como interruptor para encender y apagar un LED, se aplica un voltaje de entrada de onda

cuadrada de amplitud de 3V para generar este tipo de onda se utilizó un pulsador, cuando la onda cuadrada es de

0 V, el transistor está en corte; y en vista de que no hay corriente en el colector, el LED no emite luz. Cuando la

onda cuadrada alcanza un nivel alto, el transistor se va a saturación. Esto polariza en directa el LED, y la corriente
resultante en el colector que pasa a través del LED hace que emita luz. De este modo, el LED prende durante el

tiempo que se mantenga activo el pulsador y se apaga cuando se deja de pulsar el botón.

Cálculo de error porcentual

𝑬𝒓𝒓𝒐𝒓𝒂𝒃𝒔 = |𝑽𝒂𝒍𝒐𝒓𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐 − 𝑽𝒂𝒍𝒐𝒓𝒄𝒂𝒍𝒄𝒖𝒍𝒂𝒅𝒐 |

𝑬𝒓𝒓𝒐𝒓𝒂𝒃𝒔
𝑬𝒓𝒓𝒐𝒓% = ∗ 𝟏𝟎𝟎%
𝑽𝒂𝒍𝒐𝒓𝒎𝒆𝒅𝒊𝒅𝒐

Parámetro 𝑬𝒓𝒓𝒐𝒓% medido-calculado 𝑬𝒓𝒓𝒐𝒓% medido-simulado

[%] [%]
Vr1 [V] 2.41 3.69
Vr2 [V] 3.65 4.65
Vled [V] 13.08 11.55
Ic [A] 1.19 1.19
Ib [uA] 5.56 5.56

7. Conclusiones

8. Recomendaciones

9. Referencias Bibliográficas

[1] T. Floyd, Dispositivos Electrónicos, México: PEARSON EDUCACIÓN, 2008.

[2] L. Boylestad, Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, México:

PEARSON EDUCACIÓN, 2009.