GUÍA DE PRACTICA

DE LABORATORIO
INGENIERÍA MECATRONICA

ASIGNATURA Laboratorio y Electrónica

ÁREA Mecatrónica
Nº DE PRÁCTICA 03
TÍTULO DE LA PRÁCTICA Transistor Bipolar
LUGAR DE DESARROLLO DE LA Laboratorios de Mecatrónica
PRÁCTICA
FECHA DE REALIZACIÓN DE LA 8 de junio del 2017
PRÁCTICA
GUERRERO ALEXANDER
BECERRA DAVID
INTEGRANTES JÁCOME CRISTIAN
JIMA JAVIER
1. OBJETIVOS
1.1 Verificar los modos de funcionamiento de un transistor bipolar

2. CONCEPTOS
2.1 Transistor Bipolar
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que,
atendiendo a su fabricación, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. En la figura 1 se encuentran
los símbolos de circuito y nomenclatura de sus terminales. La forma de distinguir un
transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN
esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro.
Además, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido de la corriente que circula
por el emisor del transistor.

Tecnología electrónica (2011) Transistor Bipolar. Simbología [Figura 1] Recuperado de

goo.gl/hi2RTN

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Tecnología electrónica (2011) Transistor Bipolar. Corrientes [Figura 2] Recuperado de

goo.gl/hi2RTN

Tecnología electrónica (2011) Transistor Bipolar. Voltajes sobre el transistor [Figura 3]

Recuperado de goo.gl/hi2RTN

2.2 Estructura física

El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones semiconductoras, entre las
cuales se forman unas uniones (uniones PN).
El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas, de
forma que se obtengan las tres regiones antes mencionadas.

Tecnología electrónica (2011) Transistor Bipolar. Estructura de un TRT bipolar [Figura 4]

Recuperado de goo.gl/hi2RTN

3. MATERIALES Y EQUIPOS
- Resistencias :
220 Ω, 1 KΩ , 2,2 KΩ, 6,8 KΩ,180KΩ, 390 KΩ
- Fotorresistencia (LDR)
- Condensadores :
- 1 de 100 uF
- 1 de 470 uF
- 2 de 10 uF
- Diodo led rojo
- Transistores:
BD136
BD137

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BC547

4. DESARROLLO
1.- Seleccione un par transistores BIPOLARES NPN (BD137) y PNP (BD136). Anote su
código e identifique sus terminales.
-NPN(BD137)
Código: T0-126
Hfe: 25
Terminales:

Desconocido(2010) Transistor NPN.Terminales[ Figura ]Recuperado el 10 del 2017 de:

goo.gl/azDIh0

-NPN(BD136)
Código:

Terminales:

Datasheed (2010) BD136 [ Figura ]Recuperado el 10 del 2017 de: goo.gl/latVsR

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2.- Verifique el funcionamiento de los transistores utilizando la técnica para verificar diodos.
Coloque las puntas de prueba en el multímetro entre os terminales: BE, EB, BC y CB.Anote
y explique los resultados.

Gutiérrez.(2017)Prueba de transistores [ Figura ]Recuperado el 10 de junio del 2017

de:nelson.gutierrez_20170522_102103217

Unicrom(2012)Prueba de Transistores [ Figura ]Recuperado el 10 del 2017 de:

goo.gl/latVsR
La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y C. Los métodos a
seguir en el transistor NPN y PNP son opuestos
Se clasifican los extremos como E, B y C. Se hacen mediciones en ambas polaridades entre
los extremos EB, EC y BC. Las mediciones que den alta resistividad en ambas polaridades,
descartan que los extremos seleccionados sea la BASE. O sea, si los extremos EB y BE dan
alta resistividad, el extremo C es la BASE.
Para determinar si es PNP o NPN, se tomamos la base como referencia y uno de los otros
dos extremos. Se hace las mediciones entre ellos y la medición que tenga menor resistencia
determinará si es PNP o NPN.
Para identificar el colector y el emisor, medimos entre ambos extremos. Elegimos la
medición que presenta mayor resistencia. En esa posición, si el transistor es PNP, el colector
es el electrodo que tiene aplicado el polo positivo; si es NPN, el colector es el que tiene
aplicado el terminal negativo.
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

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1. Variando VBB (en pasos de 0.5 V), obtener los datos que se piden en la tabla, para
tres estados de: conducción, saturación y corte respectivamente.
Vcc: 17 V, Rc: 2.2 KΩ, Rb: 180 KΩ, Transistor BD137

Gutiérrez.(2017)Polarización del transistor [ Figura ]Recuperado el 10 de junio del 2017

de:nelson.gutierrez_20170522_102103217

Imagen del circuito armado

Circuito 1 [Imagen 1]

Resultados

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Vcc,
17 V
VBB VBE VBC (V) VCE () IB (uA) IC (mA) IE (mA) Modo de
(V) (V) funcionamiento
0 0,02 17 17 0 0 0 Corte
0,5 0,44 16,5 17 0,4 0,184 0,188 Corte
1 0,48 16,2 16,8 2,89 0,134 0,137 Corte
1,5 0,5 16 16,4 5,57 0,258 0,264 Corte
2 0,5 15,6 16,1 8,29 0,383 0,392 Corte
2,5 0,5 15,4 16 11 0,5 0,5 Saturación
3 0,51 15 15,61 13,8 0,64 0,64 Conducción
3,5 0,52 14,8 15,3 16,5 0,76 0,77 Conducción
4 0,53 14,5 15 19,3 0,9 0,9 Conducción
Polarización del transistor [Tabla1]

Simulación en Proteus

Simulacion.Circuito 1 [Imagen 1]

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2. A partir de la tabla 1 determinar la ganancia(B) del transistor

𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐶 = 𝑖𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐶
𝑆𝑖 𝑉𝐶𝐸 = 0 ; 𝑖𝐶 = 𝑅𝐶
17 𝑉
𝑖𝐶 = = 0,72 𝑚𝐴
2,2 𝑘 𝛺
𝑆𝑖 𝐼𝐶 = 0 ; 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 =17 V
𝑖𝐶 0,4 𝑚𝐴
𝐵= 𝑄= = 48,25
𝑖𝐵 8,29 𝑢𝐴

3. Dibujar la recta de carga situado en el punto “Q” sobre ella.

RECTA DE CARGA; CURVA DE ENTRADA

𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸

𝑉𝐵𝐵 = 𝑖𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐵𝐵
𝑆𝑖 𝑉𝐵𝐸 = 0 ; 𝑖𝐵 = 𝑅𝐵
𝑆𝑖 𝐼𝐵 = 0 ; 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐵

Ganancia Del transistor [Imagen 1]

RECTA DE CARGA; CURVA DE SALIDA
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐶 = 𝑖𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐶
𝑆𝑖 𝑉𝐶𝐸 = 0 ; 𝑖𝐶 = 𝑅𝐶
17 𝑉
𝑖𝐶 = 2,2 𝑘 𝛺 = 0,72 𝑚𝐴
𝑆𝑖 𝐼𝐶 = 0 ; 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 =17 V

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Ganancia Del transistor [Imagen 1]

OPERACIÓN EN CORTE Y SATURACION

Una forma práctica de comprobar el funcionamiento en corte y saturación es mediante un
circuito detector de luz.
Este circuito utiliza una Resistencia LDR para detectar la presencia de luz. La resistencia
LDR varía su valor en función de la luz que recibe:
Disminuye su valor óhmico al aumentar la luz que incide sobre ella. Se emplean como
Sensores de luz, barreras fotoeléctricas.
Para comprobarlo, montar la LDR en el Protoboard y utilizando el ohmetro medir su
resistencia a plena luz. Repetir la medición obstruyendo la luz que incide en la LDR.
Registrar los resultados.
Luego armar el siguiente circuito, obstruir la luz sobre la LDR y observar el comportamiento
del diodo LED, medir los voltajes Vce y Vbe en cada caso.

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Gutiérrez.(2017)Circuito 2 [ Figura ]Recuperado el 10 de junio del 2017

de:nelson.gutierrez_20170522_102103217
Resultados:
- Resistencia LDR con luz:
Circuito con la fotorresistencia sin obstruir la luz:
V CE (V) 2,76 V
V BE (V) 0,72 V
V BC (V) 2,03 V
V res 220 Ω (V) 1,23 V
V res 2,2 kΩ (V) 0,05 V
V res 6,8 kΩ (V) 0,77 V
LDR con luz [Tabla1]
- Resistencia LDR sin luz:

Circuito con la fotorresistencia con obstrucción de luz:

V CE (V) 5V
V BE (V) 0,55 V
V BC (V) 4,71 V
V res 220 Ω (V) 0,003 V
V res 2,2 kΩ (V) 0,0001 V
V res 6,8 kΩ (V) 0,55 V
LDR sin luz [Tabla1]
Imagen del circuito armado

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Circuito 2 [Imagen 1]

Simulación en Proteus

Simulación Circuito 2 [Imagen 1]

TEMPORIZADOR A LA DESCONEXION
Armar el siguiente circuito

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Gutiérrez.(2017)Circuito 3 [ Figura ]Recuperado el 10 de junio del 2017

de:nelson.gutierrez_20170522_102103217
Abrir el interruptor P1 y observar los resultados.
Cambiar el condensador por uno de 470 uF y anotar los resultados.

Resultados:
Interruptor Abierto
Capacitor V Tiempo en V en la V en la V V V
(uF) capacitor apagarse el resistencia resistencia
(V) led 220 ohm 2,2 K ohm CE BE BC
(segundos)
(V) (V) (V) (V) (V)

100 uF 0,60 V 1,4 0,04 V 0V 4,1 0,5 3,89

segundos
470 uF 6,05 V 12 0V 0V 4,74 0,57 4,2
segundos
Resultados. Circuito 3 [Tabla1]
Interruptor Cerrado
Capacitor V V en la V en la V V V
(uF) capacitor resistencia resistencia
220 ohm 2,2 K ohm CE BE BC
(V)
(V) (V) (V) (V) (V)

100 uF 6 3,44 5,5 0,51 0,95 0,44

470 uF 6 3,44 5 0,4 0,95 0,5
Resultados. Circuito 3 [Tabla1]

Simulación en Proteus:

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Simulación. Circuito 3 [Imagen 1]

Imagen del circuito armado

Circuito 3 [Imagen 1]

EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

1. Analizar el siguiente circuito de polarización fija para calcular: IBQ, IcQ, VCEQ, VBC,
verificar (demostrar) si el circuito amplifica, y calcular la ganancia del amplificador con
los niveles de voltaje (C.A.) obtenidos a la entrada y salida del circuito.

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Gutiérrez.(2017)Circuito 4 [ Figura ]Recuperado el 10 de junio del 2017

de:nelson.gutierrez_20170522_102103217
Imagen del circuito armado

Circuito 4 [Imagen 1]

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Rectas de carga estática y dinámica del circuito[Imagen ]

Cálculos:
- Transistor BD 137
Rc<RB
1k Ω<390k Ω=Amplificación

I B Q:

I C Q:
V CE Q:
v BC:
Ganancia(β):

- Transistor BD 136
I B Q:
I C Q:
V CE Q:
v BC:
Ganancia(β):

- Transistor BD 547

I B Q:
I C Q:
V CE Q:
v BC:
Ganancia(β):

2. Armar el circuito y medir experimentalmente IBQ, IcQ, VCEQ, VBC y comparar los
resultados con los datos calculados. La medición de estas variables son únicamente
con el Vcc aplicado y sin señal de entrada.

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Curva Característica del circuito de entrada[Imagen ]

Curva Característica del circuito de salida[Imagen ]

Mediciones experimentales :
- Transistor BD 137

I B Q:
I C Q:
V CE Q(V): 16 V
v BC (mV):0,15 mV
- Transistor BD 136
I B Q:
I C Q:

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V CE Q(V): 16 V
v BC (mV):0,15 mV
- Transistor BD 547

I B Q:
I C Q:
V CE Q:
v BC:

Resultados:
Demostración que el circuito amplifica:
- Forma de onda de entrada y salida
Transistor BD 137

Forma de onda.Transitor BD137 [Figura1]

Transistor BD 136

Forma de onda.Transitor BD136 [Figura1]

Transistor BD 547

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Forma de onda.Transitor BD547 [Figura1]

5. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
5.1 Conclusiones
 Podemos concluir que en esta práctica profundizamos el conocimiento del
funcionamiento de amplificación de los transistores , determinando el punto de
operación y las impedancias de entrada y salida, con lo cual observamos
evidentemente que no es posible obtener una amplificación sin una adecuada
polarización DC
 En la configuración emisor común se obtienen elevadas ganancias de tensión y
corriente, haciéndolo el circuito ideal para amplificación de pequeñas señales.
 cuando se realiza el diseño del circuito es conveniente que el punto Q esté situado
en el centro de la recta de carga y que la ganancia no sea excesivamente alta para
dar estabilidad al circuito y evitar distorsiones respectivamente
5.2 Recomendaciones
 Se recomienda determinar bien los terminales del transistor ya que si los
terminales del transistor no están correctamente identificados y conectados no
obtendremos el resultado deseado en nuestro circuito

6. CUESTIONARIO.
A) Indique y evidencie cual es el desfase entre la señal de entrada y salida de voltaje en
un amplificador de emisor común.
Desfase:180°

Imágenes desfase con el osciloscopio

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B) Indique cual es la ganancia de voltaje y corriente en el amplificador implementado en

la práctica.
C) Explique el funcionamiento del circuito temporizador a la desconexión de la práctica.
Indique que efecto tiene el conectar un condensador de mayor valor.
 Al principio no existe corriente por la base del transistor, el transistor permanece
en corte y el diodo LED está apagado.
Al cerrar el pulsador, el condensador se carga y toda la tensión aparece en la base
del transistor, por lo que este se polariza y el diodo LED se enciende. En el
momento que soltamos el pulsado, el condensador se descarga a través de la
resistencia de base de 220 ohm y la base del transistor durante un tiempo. Una
vez descargado el condensador, el transistor entra en corte y el diodo LED se
apaga.
 El tiempo de retardo de la desconexión será mayor cuanto mayor sea la capacidad
del condensador, es decir el diodo LED tardaría en apagarse debido a que el
capacitor estaría cargado de mayor voltaje.
D) En el circuito de corte y saturación que efecto tendría el intercambiar la posición de la
LDR con la R1, explique el funcionamiento.
El diodo LED permanece prendido independientemente si está o no esta con
obstrucción de luz. Se comporta como una resistencia normal del circuito.
El transistor deja de estar en corte, ya que hay una circulación de corriente por la base
del transistor.
Si aumentamos la intensidad de luz en la LDR el voltaje en la resistencia de 6,8 kΩ
aumenta.
Resultados:
Voltajes:
V (V) V (V) V (V) V (V) V (V) V (V) V (V)
diodo Res Res Res CE BE BC
LED (6,8kΩ ) (220 Ω ) (2,2 KΩ )
2V 4V 3,3 V 1,27 V 0,6 V 0,79 V 0,25 V

Corrientes:
I (mA) I (mA) I (mA) I 1 (mA) I 2(mA) I 3 (A)
C B E
15,15 mA 0,48 mA 16,1 mA 16 mA 0,58 mA 0,13 mA

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Corrientes. Operación en corte y saturación [Figura1]

7. BIBLIOGRAFÍA.
Electrónica.Unicrom (2016) Transitores NPN. Recuperado el 10 de junio del 2017 de:
goo.gl/9tyDwQ

Cacos (2016) Transitores. México Recuperado el 10 de junio del 2017 de: goo.gl/7uYOxH

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