INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGERIERIA MECANICA Y ELECTRICA

UNIDAD ZACATENCO
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ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y

ELÉCTRICA
(ESIME)

INTEGRANTES:

HERNANDEZ MARTINEZ HUGO GERARDO

OLIVA LEÓN ÁNGEL ANTONIO

REYES MARÍN MARIANA

VALENCIA RODRÍGUEZ ITZEL MARISOL

GRUPO:4AM3
PROFESOR: RODRÍGUEZ GALVAN JORGE
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TRANSISTOR BIPOLAR
Descripción básica El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico de tres
terminales, construido mediante dos junturas de semiconductores tipo P y N. La relación
entre Tensión y Corriente del puerto de salida (colector-emisor) varía según la intensidad de
corriente que circula por el puerto de entrada (base-emisor). Hay dos clases de transistores
BJT, los NPN y los PNP, el nombre se refiere al tipo de material semiconductor utilizado en
cada parte, Colector-Base-Emisor respectivamente.

Ilustración 1 Símbolos del transistor

TIPOS DE TRANSISTORES
Existen varios tipos que dependen de su proceso de construcción y de las aplicaciones a las
que se destinan.

 Transistor bipolar de unión (BJT)

 Transistor de efecto de campo, de union (JFET)
 Transistor de efecto de campo, de metal oxido
semiconductor (MOSFET)
 Fototransistor

Ilustración 2 Tipos de transistores

CONDICIONES DE OPERACIÓN
Para obtener condiciones normales de operación las junturas deben estar polarizadas * base-
emisor con polarización directa (en un NPN, Vbase > Vemisor) * base-colector con
polarización inversa (en un NPN, Vbase < Vcolector ) Además (por ley de Kirchoff de
corrientes) se verifica que : Ie = Ib + Ic
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REGIONES DE OPERACIÓN
En el transistor BJT se reconocen 3 regiones de operación

Ilustración 3 Regiones de operación

Región activa
Esta región de operación se considera de corriente constante, se cumple aproximadamente
la relación : Ic = hFE . Ib (En la cual hFE es la ganancia de corriente continua y depende de
la construcción del transistor.)

Aunque en la práctica Ic varía levemente para diferentes valores de Vce, para esta región
se puede pensar que: la corriente Ic es una versión amplificada de la corriente Ib. [Zona
Lineal]

Regio de saturación
Si Vce es demasiado pequeño, Ic ya no es proporcional a Ib, es decir, aunque Ib aumente,
Ic no sigue ese crecimiento Ic < hFE . Ib La tensión Vce permanece prácticamente constante
en un valor llamado Vsat, para esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el
transistor trabaja “como una llave cerrada”. [Zona No lineal]

Región de corte
Cuando Ib es muy pequeña o nula, implicará además Ic = 0. Lo que equivale a decir que no
hay conducción entre colector y emisor. En esta región se puede pensar que: entre colector
y emisor, el transistor trabaja “como una llave abierta”. [Zona No lineal]

CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR

Todos los transistores BJT, NPN, PNP pueden polarizarse de manera que quede una
terminal común en su circuito de polarización; es decir, un elemento que forma parte tanto
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de lazo de entrada como del lazo de salida. Este puede ser cualquiera de las tres terminales
del dispositivo (Emisor, Base, Colector). Así entonces se tiene tres configuraciones.

Emisor Común Base Común y Colector Común son las tres configuraciones básicas del
transistor y están presentes en las estructuras de los amplificadores.

BASE COMÚN
La amplificación en base común presenta como terminal común para la entrada y la salida a
la base. La entrada se realiza por el emisor y la salida por el colector.

El siguiente circuito podemos analizarlo con leyes de Kirchhoff tomando en cuenta que la
suma de las corrientes de entrada es iguale a la suma de corrientes de salida, así 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 +
𝐼𝐵 . Esto nos dice que la corriente de entrada del emisor es grande.

Ilustración 4 Configuración base común

Como se puede observar en el circuito hay dos resistencias, la resistencia que se encuentra
en la terminal del emisor se le llama resistencia de entrada y la resistencia que se encuentra
en el colector se le llama resistencia de carga.

Con los valores de las corrientes y las resistencias se puede obtener la ganancia de tensión.

Vout Ic ∗ RL
A= =
Vin IE ∗ Rin

Es posible realizar esta configuración con un transistor NPN como con un PNP, como se
muestra el siguiente imagen.
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Ilustración 5 NPN y PNP

PARÁMETROS DE ENTRADA

Ilustración 6 Curvas de entrada

Se relaciona la corriente de entrada 𝐼𝐸 con la tensión de entrada 𝑉𝐵𝐸 para varios niveles de
tensión de salida 𝑉𝐶𝐵 . Una vez que el transistor esté en funcionamiento se supondrá que
𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉.

PARÁMETROS DE SALIDA

Ilustración 7 Curvas de salida

Se relaciona la corriente de salida 𝐼𝐶 con la tensión de salida 𝑉𝐶𝐵 para varios niveles de
corriente de entrada.
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REGIONES DE OPERACIÓN

Ilustración 8 Regiones de operación Base común

Región activa
La unión base-colector se polariza inversamente, mientras que la unión base-emisor se
polariza directamente. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de
la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región
es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

Región de saturación
Un transistor está saturado cuando la corriente de colector = corriente de emisor = corriente
máxima, (Ic=Ie=Imáxima) en este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentación del circuito y de los resistores conectados en el colector o en el emisor o en
ambos. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande.
(Recordar que Ic/Ib= β).

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es 0V.

Región de corte
Un transistor esta en corte cuando corriente de colector = corriente de emisor = 0A,
(Ic=Ie=0A) en este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentación del circuito.

Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0A (Ib=0A).

CARACTERÍSTICAS
 Ganancia de voltaje (Av) elevada
 Ganancia de corriente (Ai) = 1
 Impedancia de entrada (Zi) muy baja
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 Impedancia de salida alta (Zo)

 La señal de salida del amplificador está en fase con la señal de la entrada. (Desfase =
0°)

EMISOR COMÚN
La terminología de EC se deriva del hecho de que el emisor es común tanto a la entrada
como a la salida de la configuración. El emisor se conecta tanto de la señal de entrada como
a la de salida.

Ilustración 9 Transistor npn y pnp configuración de emisor común

Para describir el comportamiento de la configuración EC, se requiere de dos conjuntos de

características:

 Parámetros de entrada

 Parámetros de salida

Parámetros de entrada
Se relaciona la corriente de entrada (IB ) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles
de voltaje de salida (VCE).

Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá que el VBE es: VBE = 0.7V
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Ilustración 10 Curva característica de entrada

PARÁMETROS DE SALIDA
Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCE) para varios niveles de
corriente de entrada (IB).

Ilustración 11 Curva de parámetros de salida

REGIONES DE OPERACIÓN

Región Activa
La corriente de emisor, que es la corriente de salida, está formada por la suma de la corriente
de base y la de colector:

IE = IC + IB

En la configuración EC, también se mantiene la relación siguiente que se usó en la

configuración BC:
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IC = αIE

Región de Corte
En la región de corte la IC no es igual a cero cuando IB es cero.

Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión), el corte para la configuración
EC se definirá mediante:

IC = ICEO

Para IB = 0µA La región por debajo de IB = 0µA debe evitarse si se requiere una señal de
salida sin distorsión.

Ilustración 12 Región de corte

Región de Saturación
Cuando VCE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a que las uniones están en polarización
directa, las corrientes se anulan.

Ilustración 13 Región de satiracion

Un transistor está saturado cuando: (IC = IE = IMáxima)

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Los amplificadores con emisor a tierra pueden proporcionar ganancias de voltaje y de

potencia mucho mayores que los de base común.
CARACTERÍSTICAS
 Baja impedancia de entrada (Z IN).

 Alta impedancia de salida (ZOUT).

 Alta ganancia de corriente entre 20 y 300.

 • Alta ganancia de voltaje.

APLICACIONES
 Es la configuración más usada, puesto que amplifica tanto corriente como voltaje.

 El más usado para circuitos de baja frecuencia, debido a la alta impedancia de

entrada.

 Usado en amplificadores de audio y de altas frecuencias de radio.

COLECTOR COMÚN
La configuración en colector común se utiliza sobre todo para igualar impedancias, puesto
que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.

Ilustración 14 A la izquierda se encuentra un transistor tipo pnp, a la derecha un transistor

tipo npn, ambos con colector comun

Configuración de colector común:

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Ilustración 15 configuración de colector común con el resistor de carga conectado desde el emisor a tierra. El
colector está unido a tierra aun cuando el transistor está conectado del mismo modo que en la configuración en
emisor común

Las características de salida de la configuración en colector común son las mismas de la

configuración en emisor común. Para la configuración en colector común las características
de salida son una gráfica de IE contra VCE con un rango de valores de IB. La corriente de
entrada es, por consiguiente, la misma tanto con las características en emisor común como
en colector común. Por último, ocurre un cambio casi imperceptible en la escala vertical de
IC de las características en emisor común si IC se reemplaza con IE para las características
en colector común, para el circuito de entrada de la configuración en colector común bastan
las características básicas en emisor común para obtener la información requerida.

LIMITES DE OPERACIÓN
Todos los límites de operación se definen en una hoja de especificaciones del transistor.
Algunos de los límites de operación se explican por sí solos, como la corriente máxima del
colector y el voltaje máximo del colector al emisor.

Ilustración 16 REPRESENTACIÓN DE LA DISTRIBUCIÓN DE TENSIONES DENTRO DE UNA CONFIGURACIÓN EN COLECTOR COMÚN.

CARACTERISTICAS
 Logra una muy baja distorsión sobre la señal de salida.
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 Alta ganancia en corriente definida como ß +1.

 Nula amplificación de tensión, menos de la unidad.
 Buen comportamiento del circuito, frente a variaciones de temperatura.
 Alto porcentaje de potencia disipada.
 La tensión aplicada a la base es reproducida por el emisor.

APLICACIONES
 Acoplador de impedancias.
 Para la adaptación de fuentes de señal baja.
 Adaptadores de impedancias.