BAB I

PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Kita sehari-hari mungkin suda banyak mendengarkan kata dioda, Tetapi masih banyak
yang kita tidak ketahui dan memahami yang bagaimana itu model dari sebuah dioda, dan di
mana alat-alat tersebut baik dari segi defenisinya, fungsinya, dan jenis-jenis alat tersebut.

Untuk itu kita perlu memahami dan mempelajari dengan baik dan teliti agar kita dapat
mengetahui tentang alat-alat tersesbut, sehingga dapat bermanfaat bagi diri kita sendiri.

Dioda pada umumnya merupakan komponen elektronika yang berfungsi sebagai

penyearah (rectifier) untuk mengubah tegangan bolak-balik (AC) menjadi tegangan searah (DC).
Dioda menjadi sangat penting karena hampir semua peralatan elektronika memerlukan sumber
arus searah (DC).
Dioda daya mempunyai spesifikasi yang sama dengan dioda biasa pada umumnya,
perbedaan yaitu dioda daya mempunyai kapasitas daya (arus dan tegangan) yang lebih tinggi dari
dioda-dioda sinyal biasa, namun kecepatan penyaklaran pada dioda daya relatif lebih rendah.
Melihat karakteristik dioda daya yang mempunyai kapasitas daya yang lebih tinggi dari dioda
biasa, maka seringkali doda daya digunakan di dalam rangkaian elektronika sebagai penyearah.
Selain sebagai penyearah, dioda daya juga seringkali digunakan sebagai freewheeling (bypass)
pada regulator-regulator penyakelaran,rangkaian pemisah, rangkaian umpan balik dari beban ke
sumber, dan lain-lain.

1.2 Rumusan masalah

Dalam karya tulis ini saya akan membahas beberapa permasalasahan. Diantaranya adalah
1. Apakah yang dimaksud dengan Karakteristik Dioda ?
2. Apakah yang dimaksud dengan Pendekatan Dioda ?
3. Apakah yang dimaksud dengan Resistansi Reverse ?
4. Apa yang dimaksud dengan Kapasitansi Dioda ?
5. Apa saja jenis Dioda ?
6.

1
1.3 Batasan Masalah
Dalam makalah ini kami akan membatasi topic permasalahan yang akan kami bahas
yaitu,Mengenai dioda.

1.4 Tujuan
Tujuan penyusun karya tulis ini yang pertama adalah untuk memenuhi tungas mata kuliah
Dasar Elektronika . Yang kedua adalah agar para penyusun mendapatkan ilmu dan kompetensi
yang lebih dalam Dasar Elektronika , terutama Dioda. Yang ketiga adalah agar karya tulis ini
dapat dijadikan sumber referensi oleh para pembaca sebagai dasar pemikiran untuk
dikembangkan atau untuk dilengkapi.

1.5 Manfaat

Mempelajari lebih dalam mengenai Dioda serta mempelajari fungsional diode dalam pemahaman
materi guna memudahkan disaat pratikum.

2
 BAB II
TINJAUAN UMUM
2.1Karakteristik Dioda
Dioda merupakan bahan semikonduktor yang sering digunakan sebagai komponen dalam
dunia elektro sebagai penyearah dari arus AC. Dioda terdiri dari sambungan
semikonduktor yang bersifat positif dan negatif (biasa disebut junction PN). Pada junction
PN terdapat daerah deplesi yang memiliki energi sebesar 0,7 volt untuk dioda berbahan
silikon dan 0,3 volt untuk dioda berbahan germanium). Daerah deplesi (depletion layer)
merupakan daerah dengan kesetimbangan hole dan elektron. Dalam penerapannya dua
pengkodisian yang sering di gambarkan dalam kurva karakteristik dioda.

Gambar .1 Gambar .2
Simbol dioda secara umum Kurva karakteristik dioda

3
Dioda Tak Bias

Dengan sendirinya, sendirinya, sebuah lempengan semikonduktor tipe-n kira – kira berguna
seperti sebuah karbon resisior hal ini juga dapat dikatakan pada semikonduktor tipe –p. tetapi
ketika sebuah pabrik mengisi sebuah Kristal sehingga setengahnya semi konduktor tipe – p dan
setengahnya lagi semi konduktor tipe – n, maka munculah sesuatu yang baru.

Batas antara tipe – n dan tipe – p disebut sambungan pn, sambungan pn telah mmberikan
petunjuk dari sebuah penemuan meliputi diode, transistor – transistor dan rangkaian terpadu.
Pemahaman sambungan pn membantu kita untuk mengetahui segala sesuatu mengenai
perlengkapan semi konduktor.

Dioda Tak Bias

Seperti yang pernah dibahas sebelumnya, masing – masing atom trivalent dalam sebuah doped
silicon Kristal menghasilkan satu lobang . kita dapat menggambarkan sebuah lempengan semi
konduktor tipe p seperti ditunjukkan dalam bagian kiri dari gambar 2-11. Masing – masing
lingkaran dengan tanda minus adalah atom trivalent dan tanda plus adalah lobang dalam orbit
valensinya yang bisa dikatakan netral.

Kita juga dapat menunjukkan atom – atom pentavalen dan electron – electron bebas yang
ditunjukkan pada bagian kanan dari gambar 2-11. Masing – masing linkaran dengan tanda plus
mewakili sebuah atom pentavalen dan masing – masing tanda minus adalah electron bebas yang
membantu semikonduktor. Perhatikan bahwa masing – masing lempengan bahan – bahan
semikonduktor electrical adalah netral sebab jumlah minus dan plus adalah sama

4
Sebuah pabrikkan dapat menghasilkan sebuah Kristal tunggal dengan bahan tipe p pada satu sisi
dan tipe – n pada sisi lain, seperti ditunjukkan dalam gambar 2-12. Sambungan adalah batas
dimana daerah tipe – n dan tipe – p bertemu . dan sambungan diode adalh nama lain dari pn
Kristal. Kata diode adalah singkatan dari dua elektroda bermakna dua.

Lapisan Deplesi

Karena penolakkan dari masing – masing, maka electron – electron bebas pada sisi n dan pada
gambar 2-12 cenderung berpencar ke segala arah beberap eletron – electron bebas menyebar
melalui sambungan. Ketika sebuah electron bebas memasuki daerah p, ia akan menjadi pembawa
minoritas. Dengan beberap lobang mengelilinginya, penghantar minoritas mempunyai kehidpan
yang pendek. Segera setelah memasuki daerah p, electron bebas jatuh kedalam lobang. Ketika ini
terjadi, lobang menghilang dan electron bebas menjadi sebuah electron valensi .

Setiap waktu sebuah electron bebas menyebar melalui sebuah sambungan, ia menimbulkan
sepasang ion ketika sebuah electron meninggalkan bagian n, ia meninggalkan disamping atom
pentavalen yangmempunyai angka negative : aom pentavaeln menjadi sebuah ion positif. Sebuah
electron yangberpindah mengalir menuju lobang satu sisi p, hal ini membuat sebuah negative ion
keluar dari atom trivalent yang menangkapnya.

Gambar 2-13a menunjukkan ion – ion tersebut pada masing – masing sisi sambungan. Lingkaran
dengan tanda plus adalah ion positif dan lingkraran dengan tanda minus adalah ion negative. Ion
– ion tersebut tetap didalam struktur Kristal sebab adanya covalent pengikat, dan mereka tidak
dapat bergerak memutar seperti electron – electron bebasdan lobang – lobang .

Masing – masing pasangan ion negative dan ion positif dalam sambungan disebut dipole.
Gerakkan sebuah dipole berarti bahwa satu electron bebas dan satu lobang telah dibawa keluar
dari sirkulasi. Karna terbentuknya jumlah dipole dimana daerah dekat sambungan pembawa
menjadi kosong. Kita menyebutnya daerah hampa muatan ini sebagai lapisan deplesi (lihat
gambar 2-13b).

5
Hambatan Potensial

Masing – masing dipolimempunyai medan listrik antara ion negative dan positif. Oleh karan itu
jika ada penambahan electron bebas kedalam lapisan deplesi, maka medan listrik mencoba untuk
mendorong electron – electron kemballi ketempat asalnya. Kekuatan dari medan listrik
bertambah dengan penyebrangan masing –masing electron hingga keseimbangan. Taksiran
pertama, hal ini berarti medan listrik pada akhirnya menghentikan penyebaran electron – electron
menyebrang sambungan.

Dalam gambar 2-13a., medan listrik diantaranya ion sam dengan perbedaan potensial disebut
hambatan potensial. Pada 250C, hambatan potensial sama kira – kira dengan 0,3V untuk diode
germanium dan 0,7 v untuk diode silicon.

Bias Maju

6
Gambar 2-14 menunjukkan sumber DC melintasi sebuah diode. Pusat sumber negative
dihubungkan dengan bahan tipe n dan pusat positif dihubungkan dengan bahan tipe p. hubungan
tersebut menghasilkan bias maju.

Aliran Elektron – Elektron Bebas

Dalam gambar 2-14, baterai mendorong lubang – lubang dan dan electron – electron bebas
menuju sambungan. Jika tegangan baterai lebih kecil dibandingkan hambatan potensial, electron
– electron bebas tidak mempunyai cukup energy untuk melintasi lapisan deplesi. Ketika mereka
masuk lapisan deplesi, ion – ion tersebut akan mendorongnya menuju daerah n, oleh karena itu,
tidak ada arus yang melintasi diode.

Ketika sumber tegangan dc lebih besar dibandingkan dengan hambatan potensial. Baterai
mendorong kembali lubang –lubang dan electron – electron bebas menuju smbungan. Pada saat
tersebut electron bebas mempunyai cukup energy untuk melintasi lapisan deplesi dan bergabung
dengan lubang – lubang. Jika anda menggambarkan seluruh lubang pada daerah p bergerak
kekanan dan electron bergerak kekiri, Anda memiliki gagasan dasar. Dimanapun selama berada
di sekitar sambungan, maka muatan akan bergabung dengan muatan yang berlawanan. Karena
electron – electron bebas secara terus menerus memasuki ujung kanan diode dan llubang –
lubang menciptakan lubang baru di ujung kiri maka terdapat arus yang secara terus menerus
melalui diode.

Aliran Satu Elektron

Biarkan anda mengikuti sebuah electron melalui sebuah sirkuit. Setelah electron bebas
meninggalkan pusat negative pada baterai, ia masuk ke ujung kanan diode. Ian berjalan melalui
daerah n sampai ke daerah sambungan. Ketika tegangan baterai lebih besar dari pada 0,7 V,
electron bebas telah mempunyai cukup enenrgi untuk melintasi lapisan deplesi. Segera setelah
itu electron bebas masuk kedaerah p, ia bergabung dengan lubang .

Dengan kata lain eklektron bebas menjadi sebuah electron valensi. Sebagai electron valensi, ia
terus berjalan ke kiri melalui satu lubang selanjutnya ia sampai ke ujung kiri diode. Ketika ian
meniggalkan ujung kiri diode, lubang baru muncul dan prosestersebut berulang kembali. Karena
terdapat miliaran electron yang mengalami perjalanan yang sama, kita dapat arus yang secara
terus – menerus melintasi diode.

Hal – Hal Penting

Arus mengalir dengan mudah dalam bias maju diode. Sepanjang penerapan tegangan lebih besar
dibangdingkan hambatan potensial, maka akan terjadi arus kuat yang secara terus menerus dalam
sirkuit. Dengan kata lain, jika sumber tegangan lebih besar dari 0,7 V, maka sebuah silicon diode
membiarkan arus terus menerus mengalir kedepan.

Reverse Bias

7
Revrese bias adalah hubungan yang terjadi saat pusat negative baterai dihubungan pada sisi-p
dan positif baterai dihubungkan dengan sisi-n.

Arah sumber DC dapat kita lihat dalam gambar 2-15. Saat ini, pusat negative baterai
dihubungkan pada sisi p dan pusat positif baterai dihubungkan dengan sisi n. Hubungan tersebut
menghasilkan apa yang disebut reverse bias

Pelebaran Lapisan Deplesi

Pusat negative baterai menarik lubang – lubang dan pusat positif baterai menarik electron –
electron bebas. Oleh karena itu lubang – lubang dan electron – electron bebas mengalir keluar

8
sambungan. Oleh karena itu, lapisan deplesi menjadi bertambah lebar. Dan lapisan deplesi dapat
dilihat pada gambar 2-16a. Ketika lubang – lubang dan electron – electron bergerak keluar dari
sambungan, ion – ion yang baru menambah perbedaan potensial melalui lapisan deplesi yang
diakibatkan karna tegangan reverse meningkat, lapisan deplesi bertambah lebar.Lapisan deplesi
yang bertambah lebar merupakan perbedaan potensial yang paling besar. Lapisan deplesi
berhenti berkembang ketika perbedaan potensial sama dengan penerapan tegangan reverse.
Ketika hal ini terjadi, lektron – electron dan ulbang – lubang berhenti bergerak keluar dari
sambungan.

Kadang – kadang lapisan deplesi ditunjukkan seperti sebuah daerah bayangan seperti dalam
gambar 2-16. Perluasan daerah bayangan adalah proposional dengan tegangan reverse. Karena
tegangan reverse meningkat, Lapisan deplesi bertambah lebar.

Arus Pembawa Minoritas

Arus setelah lapisan deplesi stabil karna ada sebuah arus kecil berada pada reverse bias.
Mengulang kembali bahwa energy panas secara terus - menerus menciptakan sepasang electron
– electron dan lubang – lubang. Hal ini berarti bahwa sedikit pembawa minoritas berada pada
kedua sisi sambungan. Sebagian besar bergabung dengan pembawa mayoritas. Tetapi yang
berada didalam lapisan deplesi berada lebih lama untuk melintasi sambungan. Ketika hal ini
terjadi, sebuah arus yang kecil mengalir dalam rangkaian luar.

2-17 mengilustrasikan gagasan tersebut. Asumsikan bahwa energy panas menciptakan sebuah
electron bebas dan lubang di dekat sambungan. Lapisan deplesi mendorong electron bebas
kekanan dan memaksa satu electron meniggalkan ujung kanan Kristal. Lubang pada lapisan
deplesi didorong kekiri. Lubang extra pada sisi p membiarkan satu electron memasuki ujung kiri
Kristal dan jatuh kedalam lubang karena energy panas terus menerus menghasilkan sepasang

9
electron lubang didalam lapisan deplesi, sebuah arus kecil secra terus – menerus mengalir dalam
rangkaina luar.

Arus reverse disebabkan oleh panas yang menghasilkan minoritas disebut juga sebagai arus
jenuh. Persamaannya, arus jenuh disimbolkan dengan Is . Nama saturation berarti kita tidak
mendapatkan arus pembawa minoritas lebih banyak dari pada produksi oleh energy panas.
Dengan kata lain, kenaikan tegangan reverse tidak akan menaikan jumlah sifat panas yang
menciptakan pembawa minoritas

Arus Bocor

Arus permukaan bocor adalah arus kecil yang mengalir pada permukaan Krista. Selain sifat
thermal memproduksi arus pembawa minoritas. Ada arus kecil mengalir pada permukaan Kristal.
Dikenal dengan arus permukaan bocor hal ini disebabkan karena permukaan yang tidak murni
dan tidak sempurna dalam struktur Kristal.

Hal –Hal Penting

Arus balik dalam sebuah diode meliputi arus pembawa minoritas dan arus permukaan bocor.
Dalam penerapanya, arus balik dalam sebuah diode silicon sangat kecil dimana kita tidak
memperhatikannya. Gagasan Utama untuk mengingat arus adalahmendekati nol pada diode
silicon balik bias.

Breakdown

Jika kita terus menaikkan tegangan balik, pada akhirnya kita akan sampai pada tegangan
breakdown pada diode. Dioda mempunyai tingkat tegangan maksimum. Terdapat batasan sampai
beberapa banyak tegangan balik sebuah diode dapat ada sebelum dihancurkan. Jika kita terus
menaikkna tegangan balik, kita pada akhirnya akan sampai sampai pada tegangan break down.
Untuk beberapa diode, tegangan breakdown ditunjukkan pada data sheet unutk diode.

Saat tegangan break down sampai, sebagian besar pembawa minoritas tiba- tiba muncul dalam
lapisan deplesi dan diode memimpin secara berat .

10
Pembawa tersebut diproduksi oleh efek bertubi – tubi (lihat gambar 2-18) dimana tegangan balik
yang labih tinggi dan terdapat arus balik penghantar minoritas. Ketika tegangan balik bertambah,
ia memaksa pembawa minoritas untuk bergerak lebih cepat. Pembawa – pembawa minoritas
tersebut bertubrukkan dengan atom – atom Kristal. Ketika pembawa minoritas mempunyai
cukup energy, maka ia akan memukul electron – electron valensi yang hilang, dan memproduksi
electron – electron bebas. Pembawa – pembawa minoritas baru bergabung dengan pembawa –
pembawa minoritas untuk bertubrukkan dengan atom –atom lain. Proses tersebut adalah
geometric, sebab satu electron bebas membebaskan satu electron valensi untuk mendapatkan
electron –elktron bebas. Proses tersebut berlanjut sampai arus balik menjadi sangat besar.

Gambar2-19 menunjukkan sebuah gambaran mangnet pada lapisan deplesi. Bias balik memaksa
electron bebas untuk bergerak kekanan. Selama ia bergerak, electron memperoleh kecepatan.
Arus balik menjadi lebih luas, electron bergerak lebih cepat. Jika elektrn kecepatannya tinggi
mempunyai cukup energi, ia dapat mengeser electron valensi dalam atom petama kedalam orbit

11
yang lebih luas. Hasil akhir dari proses ini adalah dua electron bebas. Dalam hal ini jumlah
pembawa minoritas menjadi sangat luas dan diode dapat memimpinya

Tegangan breakdown dari diode tergangtung pada suntikkan berat diode. Dengan diode rectifier
(tipe diode paling umum), tegangan diode biasanya lebih besar dari 50 v.

2.2 Pendekatan Dioda

Dioda ideal

Gambar 3-4 menunjukkan grafik elektronik work bench (EWB) untuk daerah maju sebuah diode.
Disini kita lihat grafik arus diode ID terhadap tegangan diode VD. perhatikan bagaimana arus
mendekati nol saat tegangan diode mendekati tegangan penghalang. Disekitar 0,6 ke 0,7, arus
diode naik. Saat tegangan diode lebih besar dari 0,8V, Arus diode menjadi berarti dan grafik
hampir linier

Tergantung bagaimana diode itu diberi suntikkan dan ukuran fisinya, maka suatu diode dapat
berbeda dengan diode yang lain untuk arus maju maksimum, rating daya, dan karakteristik –
karakteristik yang lain. Apabila kita ingin mendaptkan jawaban yang pasti, kita harus
menggunakan grafik diode tertentu. Mesikipun tegangan dan arus akan berbeda untuk setiap
diode, grafik untuk setiap diode serupa dengan gambar 3-4. Seluruh diode silicon memiliki
tegangan kaki berkisar 0,7V.
12
Dioda ideal diode akan menghantar dengan baik pada arah maju dan kurang baik pada arah balik.
Secara ideal, diode akan berperilaku seperti penghantar sempurna (hambatan nol)saat diberi catu
maju dan seperti penghambat sempurna (hambatan tidak terhingga ) saat dicatu balik

Gambar 3-5a menunjukkan grafik arus tegangan untuk diode ideal. Grafik tersebut menyatakan
kembali apa yang bar kita bicarakan, hambatan nol saat dicatu maju dan hambatan tidak
terhingga saat divatu balik. Tidaklah mungkin untuk membuat piranti seperi ini, akan tetapi
piranti tersebut akan diproduksi oleh pembuat apabila mereka mampu

Suatu saklar bisa memiliki hanbatan nol saat di tutup dan hambatan tak terhingga saat dibuka.
Oleh karan itu, suatu diode ideal sama seperti saklar tertutup saat dicatu maju dan terbuak saat
dicatu balik

Pendekatan kedua

Pendekatan idela baik untuk kebanyakkan situasi dalam mengatasi masalah. Tetapi kita tidak
selalu berada dalam situasi tersebut. Kadang – kadang kita menginginkan nilai yang lebih akurat
untuk arus dan tegangan beban. Disinilah pendektan kedua digunakan.

Gambar 3-7a menunjukkan grafik arus terhadap tegangan untuk pendekatan kedua grafik
mengatakan bahwa tidak akan ada arus mengalir sampai tegangan 0,7yang terlihat pada diode
untuk berapapun besar arus.

13
Sedangkan pada Gambar 3-7b menunjukkan rangkaian ekivalen untuk pendekatan kedua dari
sebuah diode silicon. Kita membayangkan diode sebagai suatu saklar yang diseri dengan
tegangan penghanbat 0,7V. Apabila tegangan Thevenin lebih besar dari 0,7 maka saklar akan
tertutu. Saat menghantar, tegangan diode adalah sebesar 0,7 V untuk sembarang arus maju .

Sebaliknya, apabila teganagn thevenin lebih kecil dari 0,7V, saklar akan terbuka . dalam hal ini ,
tidak ada aus yang melalui diode.

Pendekatan ketiga

Dalam pendekatan ketiga dari suatu diode, kita memperhitungkan hambatan bulk (Rb). Gambar
3-10a menunjukkan pengaruh hambatan RB terhadap kurva diode. Setelah diode silicon aktif,
tegangan akan naik linier dengan kenaikan arus. Semakin besar arus, akan semakin besar
tegangan diode karna tegangan yang ada jatuh menyebrangi hambatan bulk.

Rangkaian ekivalen untuk pendekatan ketiga ini adalah sebuah saklar yang terhubung seri
dengan tegangan 0,7 V dan hanbatan RB (lihat Gambar 3-10b). Saat tegangan diode lebih besar
dari 0,7 V, diode akan menghantar. Selama menghantar, tegangan total yang melalui diode
adalah

14
VD = 0,7V + IDRB

Seringkali harga hambatan bulk lebih kecil 1 ohm. Kita dengan aman dapat mengabaikannya
dalam perhitungan suatu petunjuk yang berguna untuk mengabaikan hambatan bulk adalah
defenisi

Abaikan bulk :RB < 0,01 RTH

Hal ini mengatakan abaikan bulk jika nilainya lebih kecil dari 1/100 hambatan Thevenin yang
menghadap diode. Saat kondisi ini terpenuhi, kesalahannya lebih kecil dari 1 persen. Pendekatan
ketiga ini jarang digunakan oleh teknis karena perancangan rangkaian biasa.

2.3 Resistansi Dioda

Karena kurva karakteristik dioda tidak linier, maka resistansi dioda berbeda-beda antara satu titik
operasi ke titik operasi lainnya. Pemberian tegangan DC kepada suatu rangkaian yang ada dioda
semikonduktornya akan menentukan titik kerja dioda tersebut pada kurva karakteristik. Apabila
tegangan DC yang diberikan tidak berubah maka titik kerja dioda juga tidak berubah.
Perbandingan antara tegangan pada titik kerja dengan arus yang mengalir pada dioda disebut
dengan resistansi DC atau resistansi statis.
𝑉𝐷
rd = 𝐼𝐷

Apabila sinyal sinus diberikan di sekitar titik kerja, maka titik kerja akan berayun ke atas dan ke
bawah. Perbandingan antara perubahan tegangan dengan perubahan arus disekitar titik kerja
disebut dengan resistansi AC atau resistansi dinamik. Perubahan tegangan maupun arus harus
dibuat sekecil mungkin serta titik Q merupakan titik tengahnya perubahan tersebut.
∆𝑉𝑑
rd = ∆𝑉𝑑

15
Gambar 1.17 Menentukan Resistansi AC atau Resistansi Dinamik

Menetukan resistansi dinamik secara grafis seperti diuraikan di atas diperlukan adanya kurva
karakteristik dengan skala pengukuran yang benar. Cara lain untuk menentukan resistansi
dinamik adalah melalui persamaan matematis. Yaitu dengan mendiferensialkan persamaan 1.2,
maka diperoleh

Resistansi dinamik adalah kebalikan dari persamaan tersebut, uaitu :

16
2.4 Kapasitansi (Capacitance)
Pada prinsipnya kapasitansi (capacitance) yang dimaksud di sini adalah kapasitansi yang terjadi
pada dioda saat dioda tersebut berada di dalam rangkaian pra tegangan maju (forward bias) dan
prategangan balik (reverse bias). Secara matematis kapasitansi yang terdapat pada dioda tersebut
disimbolkan denganC .

2.5 Jenis Dioda

Ada berbagai jenis dioda yang dibuat sesuai dengan fungsinya tanpa meninggalkan
karakteristik serta spesifikasinya, seperti dioda penyearah (rectifier), dioda Emisi
Cahaya (LED), dioda Zenner, dioda photo (Photo-Dioda), Dioda Varactor dan Dioda SCR.

1. Dioda Standar
Dioda ini ada dua macam, yaitu silikon dan germanium. Dioda silikon memiliki tegangan
maju 0,6V sedangkan dioda germanium memiliki tegangan maju 0,3V. Dioda jenis ini
mempunyai beberapa batasan tergantung spesifikasi. Batasan-batasan itu seperti batasan
tegangan reverse, frekuensi, arus dan suhu. Tegangan maju dari dioda akan turun 0,025V
setiap kenaikan suhu 1 derajat dari suhu normal.

Gambar 4
Dioda Standar

Sesuai karakteristiknya, dioda standar dapat digunakan sebagai :

a. Penyearah sinyal arus bolak-balik (AC)

17
 b. Pemotong level.
c. Sensor suhu.
d. Penurun tegangan.
e. Pengaman polaritas terbalik pada DC input.

2. LED (Light Emitting Dioda)

Dioda ini mempunyai lapisan fosfor yang bisa memancarkan cahaya saat diberi polaritas
pada kutubnya. LED memiliki batasan arus maksimal yang mengalir melaluinya.
Diatas nilai tersebut, dapat dipastikan LED tidak akan bertahan lama. Jenis LED
ditentukan oleh cahaya yang dipancarkan. Seperti led merah, kuning, hijau, biru, oranye,
inframerah dan laser dioda. Selain sebagai indikator, beberapa LED juga memiliki fungsi
khusus, seperti LED inframerah yang dipakai untuk transisi pada sistem remote control
dan opto sensor. Laser dioda juga dipakai untuk optical pick-up pada sistem CD. Bahan
dasar yang digunakan dalam pembuatan LED adalah bahan Galium
Arsenida (GaAs) atau Galium Arsenida Phospida (GaAsP) atau juga Galium
Phospida (GaP), bahan-bahan ini memancarkan cahaya dengan warna yang berbeda-
beda. Bahan GaAs memancarkan cahaya infra-merah, Bahan GaAsP memancarkan
cahaya merah atau kuning, sedangkan bahan GaP memancarkan cahaya merah atau hijau.
Seperti halnya piranti elektronik lainnya , LED mempunyai nilai besaran terbatas dimana
tegangan majunya dibedakan atas jenis warna.

TABEL LED DAN TEGANGANNYA

Warna Tegangan Maju

Merah 1.8 volt

Orange 2.0 volt

Kuning 2.1 volt

Hijau 2.2 volt

Dioda LED ini dibias maju (forward).

18
 r

Gambar 5
Light Emitting Dioda

Sedangkan besar arus maju suatu LED standard adalah sekitar 20 mA. Karena dapat
mengeluarkan cahaya, maka pengujian LED ini mudah, cukup dengan menggabungkan
dengan sumber tegangan dc kecil saja atau dengan ohmmeter dengan polaritas yang
sesuai dengan elektrodanya.

Gambar 6
Dioda LED

LED konvensional terbuat dari mineral inorganik yang bervariasi sehingga menghasilkan
warna sebagai berikut :
a. Aluminium Gallium Arsenide (AlGaAs) – merah dan inframerah
b. Gallium Aluminium Phosphide – hijau
c. Gallium Arsenide/Phosphide (GaAsP) – merah, oranye-merah, oranye, dan
kuning

19
 d. Gallium Nitride (GaN) – hijau, hijau murni (atau hijau emerald), dan biru
e. Gallium Phosphide (GaP) – merah, kuning, dan hijau
f. Zinc Selenide (ZnSe) – biru
g. Indium Gallium Nitride (InGaN) – hijau kebiruan dan biru
h. Indium Gallium Aluminium Phosphide – oranye-merah, oranye, kuning, dan hijau
i. Silicon Carbide (SiC) – biru
j. Diamond (C) – ultraviolet
k. Silicon (Si) – biru (dalam pengembangan)
l. Sapphire (Al2O3) – biru
m. LED biru dan putih
LED ini kemudian populer di penghujung tahun 90-an. LED biru ini dapat
dikombinasikan ke LED merah dan hijau yang telah ada sebelumnya untuk
menciptakan cahaya putih.

3. Dioda Zener

Gambar 7
Dioda Zener

Merupakan dioda junction P dan N yang terbuat dari bahan dasar silikon. Dioda ini
dikenal juga sebagai Voltage Regulation Dioda yang bekerja pada daerah
reverse (kuadran III). Potensial dioda zener berkisar mulai 2,4 sampai 200 volt dengan
disipasi daya dari 1/4 hingga 50 watt. Dioda jenis ini berfungsi sebagai penstabil
tegangan. Selain itu dioda jenis ini juga dapat digunakan sebagai pembatas tegangan pada
level tertentu untuk keamanan rangkaian.

20
 Karena kemampuan arusnya yang kecil, maka penggunaan diodaa zener sebagai penstabil
tegangan dengan arus besar dibutuhkan sebuah buffer arus. Dioda zener ini dibias
mundur (reverse).

Gambar 8
Dioda Zener

4. Dioda Photo
Merupakan jenis komponen yang peka terhadap cahaya. Dioda ini akan menghantar
jika ada cahaya yang masuk dengan intensitas tertentu. Dalam keadaan gelap, arus yang
mengalir sekitar 10 A untuk dioda cahaya dengan bahan dasar germanium dan 1A untuk
bahan silikon. Penggunaan dioda cahaya diantaranya adalah sebagai sensor dalam
pembacaan pita data berlubang (Punch Tape), dimana pita berlubang tersebut terletak
diantara sumber cahaya dan dioda cahaya.

Jika setiap lubang pita itu melewati antara tadi, maka cahaya yang memasuki lubang
tersebut akan diterima oleh dioda cahaya dan diubah dalam bentuk signal listrik.

Gambar 9
Dioda Photo

Sedangkan penggunaan lainnya adalah dalam alat pengukur kuat cahaya (Lux-
Meter), dimana dalam keadaan gelap resistansi dioda cahaya ini tinggi sedangkan jika

21
 disinari cahaya akan berubah rendah. Selain itu banyak juga dioda cahaya ini digunakan
sebagai sensor sistem pengaman (security) misal dalam penggunaan alarm.

Gambar 10
Dioda Photo

Jika semi konduktor menyerap cahaya, maka dapat tercipta pasangan elektron bebas-
lubang yang melebihi jumlah yang telah ada dalam semi konduktor itu akibat kegiatan
termal. Gejala ini disebut penyerapan foto (foto absorption). Meningkatnya konduktifitas
listrik akibat kelebihan muatan pembawa oleh penyerapan foto disebut konduktifitas foto
(foto konduktivity). Jika bungkus semi konduktor diberi “jendela” transparan (tembus
cahaya) maka konduktifitas listrik semi konduktor tergantung pada intensitas cahaya yang
jatuh padanya. Inilah prinsip kerja sebuah dioda foto. Dioda photo ini dibias maju
(forward).

5. Dioda Varactor
Dioda ini mampu menghasilkan nilai kapasitansi tertentu sesuai dengan besar tegangan
yang diberikannya. Dengan dioda ini. Maka sistem penalaan digital pada sistem transmisi
dengan frekuensi tinggi mengalami kemajuan pesat.
Contoh sistem penalaan dengan dioda ini adalah dengan sistem PLL (Phase Lock Loop),
yaitu mengoreksi oscilator dengan membaca penyimpangan frekuensinya untuk kemudian
diolah menjadi tegangan koreksi untuk oscilator. Dioda ini bekerja di daerah reverse mirip
dioda Zener.

22
 Gambar 11
Dioda Varactor

Bahan dasar pembuatan dioda varactor ini adalah silikon dimana dioda ini sifat
kapasitansinya tergantung pada tegangan yang diberikan padanya. Jika tegangan
tegangannya semakin naik, kapasitasnya akan turun. Seperti kebanyakan komponen
dengan kawat penghubung, dioda juga mempunyai kapasitansi bocor yang
mempengaruhi kerja pada frekuensi tinggi, kapasitansi ini biasanya lebih kecil dari 1pF.

Gambar 12
Dioda Varactor

Dalam banyak aplikasi menggantikan kapasitor yang ditala secara mekanik, dengan
perkataan lain varaktor yang di pasang parallel dengan induktor merupakan rangkaian
tangki resonansi. Dengan mengubah-ubah tegangan reverse pada varactor kita dapat
mengubah frekuensi resonansi, penerapan dioda varactor ini biasanya pada tuner yang di
tala menggunakan tegangan. Dioda varactor dibias mundur (reverse).

6. Dioda Schottky (SCR)

Merupakan singkatan dari Silicon Control Rectifier, dioda ini masih termasuk ke dalam
semi konduktor dengan karateristik yang serupa dengan tabung thiratron. Sebagai
pengendalinya adalah gate (G). Dioda Schottky terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif
Negatif) dan biasanya disebut PNPN Trioda.

23
 Gambar 13
Dioda Schottky (SCR)

24
 BAB III
PENUTUP

3.1 Kesimpulan
Dioda merupakan piranti non – linear karena grafik arus terhadap tegangan bukan berupa garis
lurus. Dikarenakan adanya potensial penghalang (potential barrier). Saat tegangan diode lebih
kecil dari tegangan penghambat tersebut, maka diode kan kecil. Ketika tegangan diode melebihi
potensial penghalang, arus diode akan naik secara cepat.

3.2 Saran
Untuk lebih memahami penguasaan materi setidaknya adanya bimbingan dari instruktur untuk
memperkuat dan mempertajam penguasaan materi

25
DAFTAR PUSTAKA

https://bismarmaulani.blogspot.com/2011/04/teori-dioda.html

https://www.academia.edu/32782954/DIODA_TINJAUAN_PUSTAKA_

Malvino,AP.2003.Prinsip – Prinsip Elektronika.Santoso Alb,Penerjemah.jakarta:Salemba

Teknika. Terjemahan dari : Electronic Principles.

https://www.academia.edu/4591776/Diode

26