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El diodo Semiconductores, Aplicaciones de los diodos

Laboratorio de Electrónica I, Ciencias de la ingeniería y aplicadas, Universidad Técnica de Cotopaxi


Dario, Zapata ; Julio, Monsalve ; Víctor, Núñez
conducen corriente primariamente en una
ABSTRACT._ The following practical study diode is dirección y consta de una resistencia muy baja,
presented. Nowadays, almost all the computers and idealmente cero, al flujo de corriente en una
electronic devices that we use daily in its circuits include
several different types of solid state "semiconductor", among dirección y una resistencia muy alta, idealmente
which are the "diodes" that all the equipment can work. In infinita, en el sentido opuesto. Este efecto
practice, the most analyzed and taken into account are silicon
diodes and germanium diodes that are usually the most used unidireccional se llama rectificación, y se utiliza
in electronic devices identifying the values in direct and para convertir corriente alterna a corriente directa.
inverse polarity, being able to know the characteristic curve
of each of them .
Sin embargo, los diodos son más complicados que
un simple switch, dado que presentan una relación
de voltaje-corriente no lineal, estos conducen
1. OBJETIVOS
electricidad siempre y cuando se cumpla ciertas
condiciones relacionadas con la temperatura del
Objetivo general:
material semiconductor. Entonces estas
 Comprender y analizar el funcionamiento características pue-den ser ajustadas para obtener
de los diodos.
diferentes resultados. En esta práctica, utilizamos
Objetivo específicos:
diodos tanto en corriente alterna, como en
 Obtener la curva característica del diodo de corriente directa con la intención de observar la
silicio y germanio en el osciloscopio, respuesta de un circuito ante la presencia de un
variando el voltaje. diodo.
3. EQUIPOS Y MATERIALES
 Verificar el funcionamiento de los
circuitos con diodos en serie, paralelo.  4 Diodo Rectificador de Si
 1 Diodo Rectificador de Ge
 Trazar su curva característica.  2 Resistencia de 1K
 2 Resistencia de 10K
 Diferenciar entre valores medidos y  1 Resistencia de 220
calculados el error o diferencia q existen
 Osciloscopio
 Multímetro
2. INTRODUCCIÓN  Generador de funciones
Los diodos son componentes semiconductores o Fuente CC variable
eléctricos que constan de dos terminales que 4. MARCO TEORICO

1
Semiconductor tipo N flecha de la representación simbólica muestra la
dirección en la que fluye la corriente.
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a
cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto
tipo de átomos al semiconductor para poder
aumentar el número de portadores de cargas
libres (en este caso, negativas). Cuando el
material dopante es añadido, éste aporta sus Fig.1.Esquema de un diodo.
electrones más débilmente vinculados a los
átomos del semiconductor. Este tipo de agente
dopante es también conocido como material
donante ya que da algunos de sus electrones. El Es el dispositivo semiconductor más sencillo
propósito del dopaje tipo N es el de producir y se puede encontrar prácticamente en cualquier
abundancia de electrones portadores en el circuito electrónico.
material.

Semiconductor tipo P Constan de la unión de dos tipos de material


semiconductor, uno tipo N y otro tipo P, separados
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a por una juntura llamada barrera o unión. Los
cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto diodos se fabrican en versiones de silicio (la más
tipo de átomos al semiconductor para poder
utilizada) y de germanio. Esta barrera o unión es
aumentar el número de portadores de carga libres
(en este caso positivo). Cuando el material de 0.3 voltios en el germanio y de 0.6 voltios
dopante es añadido, éste libera los electrones más aproximadamente en el diodo de silicio.
débilmente vinculados de los átomos del
semiconductor. Este agente dopante es también
conocido como material aceptor y los átomos del POLARIZACIÓN DIRECTA
semiconductor que han perdido un electrón son
conocidos como huecos.
Cuando la corriente circula en sentido directo,
Las propiedades de los materiales es decir del ánodo A al cátodo K, siguiendo la ruta
semiconductores se conocían en 1874, cuando se
de la flecha (la del diodo). En este caso la corriente
observó la conducción en un sentido en cristales
atraviesa el diodo con mucha facilidad
de sulfuro, durante la Segunda Guerra Mundial se
desarrolló el primer dispositivo con las comportándose prácticamente como un corto
propiedades que hoy conocemos, el diodo de circuito. El diodo conduce como se muestra en la
germanio. fig. 2.

DIODO
Componente electrónico que permite el paso
de la corriente en un solo sentido. En la fig. 1 la

2
Fig.2.Funcionamiento del diodo en polarización
directa

Fig.4.Característica i-v real.


POLARIZACIÓN INVERSA

Cuando una tensión negativa en bornes del


diodo tiende a hacer pasar la corriente en sentido
inverso, opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o
sea del cátodo al ánodo. En este caso la corriente
no atraviesa el diodo, y se comporta prácticamente
como un circuito abierto. El diodo está bloqueado
como se muestra en la fig. 3.
Fig.5.Característica i-v ideal.

Una característica importante del diodo en el


caso ideal es la corriente de recuperación inversa.
Cuando un diodo pasa de conducción a corte, la
Fig.3.Funcionamiento del diodo en polarización corriente en él disminuye y, momentáneamente se
inversa hace negativa antes de alcanzar el valor cero, como
se muestra en la fig.6.

CASO IDEAL

En el caso ideal, el diodo se comporta como un


cortocircuito cuando está polarizado en directa y
como un circuito abierto cuando está polarizado en
inversa. Las curvas características corriente-
tensión real e ideal se muestran a continuación en
la fig. 4 para característica real y en la fig. 5
Fig.6.Tiempo de recuperación inversa.
característica ideal:

3
El tiempo “trr” es el tiempo de recuperación Disipación de
inversa, normalmente inferior a 1us. Los diodos energía: 500
Led recuperación rápida se diseñan de modo que mW (Ptot).
tengan “trr” menores que los diodos diseñados
para aplicaciones de 50Hz. Tiempo de
recuperación
5. DESARROLLO DE LA PRACTICA inverso.
Diodo de
Germanio
ANÁLISIS DE CARACTERÍSTICA

Consultar los manuales y transcribir las .


características más importantes de los diodos
1N4007, 1N4148.
MEDIDAS DE SEGURIDAD
Valores
Características Nominales Los estudiantes deberán tener todas las
Diodo precauciones y seguridades socializadas al inicio
eléctricas máximos
del ciclo con respecto al uso de los laboratorios.

Rango de Tensión inversa ACTIVIDADES A DESARROLLAR:


temperatura: de pico máximo: A. Arme el circuito de la figura 1 usando un
- 65 ºC a +125 1KV (VRRM) diodo rectificador empleando una fuente
ºC máx. variable de
corriente continua.
Caída de Tensión máxima
tensión: 1,1 V en un circuito
1N4007 (VF)max rectificador de
madia onda con
Corriente en carga capacitiva:
sentido directo: 500 V (Vef)
1 A (If)
Corriente máxima
Diodo de silicio de pico: 30 A
(Ifsm)max

Corriente de Tensión máxima


salida inversa repetitiva: Figura 1 CIRCUITO POLARIDAD DIRECTA
1N4148
rectificada: 200 100 V (Vrm).
mA (Io).

4
B. Llene la tabla 1 incrementando el voltaje C. Polarice el diodo en inversa según aparece
de la fuente de alimentación y midiendo en el circuito de la figura 3.
con ayuda de
un voltímetro las diferentes caídas de potencial
polarizando el diodo en directa como se muestra
en la figura 2 además la corriente que circula por
el circuito.

Figura 3 Circuito de Polarización Inversa

D. Mida siguiendo las instrucciones del


apartado anterior para completar las
medidas que aparecen
Figura 2 Medición voltajes y corriente en el diodo en la tabla 2. En la fuente, limite la corriente
y en la carga aplicada a 1 A.
V(V 0 0. 0. 0. 1. 1. 2 4 8 1
) . 4 6 8 0 4 0
2

𝑉𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 (𝑉)
0 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0.
. 4 5 5 5 5 6 6 6 7
2 5 7 9 2 6 9 0

𝑉𝑟𝑒𝑠 (𝑉)- 0. 0. 0. 0. 0. 1. 3. 7. 9.
- 0 1 3 4 8 4 3 5 3
- 1 3 2 7 3 3 6 1 0

𝐼(𝑚𝐴) - 0. 0. 0. 0. 0. 1. 3. 7. 9.
- 0 1 3 6 8 5 3 4 5
- 1 8
Figura 4 Medición voltajes y corriente en el diodo
Tabla 1 Medición de Voltaje y corriente de un y en la carga
diodo rectificador polarizado en directa

5
V(V) 0. 0. 0. 0. 1. 1. 2 4 8 10 F. Busque la curva característica del diodo
2 4 6 8 0 4 utilizado y compárela con la que ha
𝑽𝒅𝒊𝒐𝒅𝒐 (𝑽)0. 0. 0. 0. 1. 1. 2. 4. 8. 9.9 obtenido en el
2 4 6 8 0 4 0 0 0 5 apartado anterior de la práctica.
6 6 4 6 4 7 5 3 1
𝐕𝐫𝐞𝐬 (𝐕) -- -- -- -- -- -- -- -- -- ---
- - - - - - - - - I(d)=f(Vd) 10
𝑰(𝒎𝑨) -- -- -- -- -- -- -- -- -- ---
8
- - - - - - - - -
Tabla 2 Medición de Voltaje y corriente de un 6
diodo rectificador polarizado en inversa.
4
E. Represente los resultados obtenidos en una
gráfica en la que el eje Y es la corriente 2
I(A) y el eje X es el voltaje V diodo (V). 0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1
Fig.7.Curva de la corriente del diodo vs voltaje del
diodo.

Ilustración 1 Curva de resultados polaridad


directa

POLARIDAD INVERSA
1
0.8
Ilustración 3 Curva de resultados polaridad
directa
0.6
0.4
0.2
Las relaciones entre las dos curvas son similares
0 ya que llegando a un voltaje nominal en el que el
0.26 0.46 0.64 0.86 1.04 1.47 2.05 4.03 8.01 9.95
diodo se active este comienza a activarse como un
swicht con el que comienza a circular la corriente
Ilustración 2 Curva de resultados polaridad
inversa por el diodo y la carga

6
Figura 7 Circuito Serie

VALORES VALORES
CALCULADOS MEDIDOS
V(V) I(mA) V(V) I(mA)
R3=1KΩ 3.81 3.81 3.80 3.90
Figura 5 CIRCUITO DE UN DIODO
D4 (Si) 0.66 3.81 0.65 3.90
D2 (Ge) 0.71 3.81 0.68 3.90
R4=1kΩ 3.81 3.81 3.80 3.90
Tabla 3 VALORES CALCULADOS Y MEDIDOS

CIRCUITO EN PARALELO
H. En el siguiente circuito determine el voltaje
y corriente en cada uno de los elementos
del mismo:
Figura 6 CURVA CARACTERISTICA DEL
DIODO

Figura 8 CIRCUITO PARALELO

VALORES VALORES
CALCULADOS MEDIDOS
CIRCUITO EN SERIE
V(V) I(mA) V(V) I(mA)
G. En el siguiente circuito determine el voltaje R3=1KΩ 0.70 2.90 0.65 2.86
y corriente en cada uno de los elementos D4 (Si) 7.65 7.75 7.64 7.75
del mismo: D2 (Ge) 0.70 4.60 0.66 4.60
R4=1kΩ 0.75 7.80 0.72 7.75

7
b. Realice los cálculos y comprobar
cada uno de los resultados anotados
6. ANALISIS DE RESULTADOS en la Tabla 1 y en la Tabla 2.
TABLA 1
a. Redactar los resultados relevantes
del funcionamiento y armado de los VALORES MEDIDOS
circuitos. V(V 0 0. 0. 0. 1. 1. 2 4 8 1
En la realización de la practica en los circuitos ) . 4 6 8 0 4 0
serie y paralelo pudimos verificar lo aprendido en 2
lo teórico en el circuito serie al momento que se
realizó el armado se pudo observar que mientras 𝑉𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 (𝑉)
0 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0.
no llega al voltaje establecido por el diodo de . 4 5 5 5 5 6 6 6 7
SILISIO si este voltaje es menor al establecido por 2 5 7 9 2 6 9 0
el fabricante o el valor o voltaje empírico no 𝑉𝑟𝑒𝑠 (𝑉)- 0. 0. 0. 0. 0. 1. 3. 7. 9.
circula corriente por el mismo y este se convierte - 0 1 3 4 8 4 3 5 3
en un circuito abierto mientras que cuando ya se - 1 3 2 7 3 3 6 1 0
alcanza dicho voltaje que es de 0.65 o de 0,7
voltios el diodo ya se convierte en un circuito 𝐼(𝑚𝐴) - 0. 0. 0. 0. 0. 1. 3. 7. 9.
cerrado por el cual ya circula corriente a la carga. - 0 1 3 6 8 5 3 4 5
- 1 8
También se pudo verificar en la realización de la
tabla de la curva de intensidad vs voltaje VALORES CALCULADOS
Ilustración 1 se asemeja a la curva característica V(V) 0 0. 0. 0. 1 1 2 4 8 1
que nos especifica el fabricante en las hojas de . 4 6 8 . . 0
datos. 2 0 4
Por otro lado, cuando se invirtió el diodo pudimos 𝑉𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 (𝑉)
0 0. 0. 0. 0 0 0 0 0 0
darnos cuenta que este trabaja en polaridad inversa . 4 5 5 . . . . . .
por lo tanto el diodo se polariza en forma de N a P 2 5 7 7 7 7 7 7
lo cual hace que el diodo llegue a un punto de
calentarse y en muchos casos a explotar esto 𝑉𝑟𝑒𝑠 (𝑉) -- 0. 0. 0. 0 0 1 3 7 9
sucede porque el sentido de la corriente está - 0 1 3 . . . . . .
ingresando en forma invertida. Esto hace que el 1 3 2 3 7 3 3 3 3
voltaje de la fuente recaiga en el circuito abierto 𝐼(𝑚𝐴) -- 0. 0. 0. 0 0 1 3 7 9
(en el diodo). - 0 1 3 . . . . . .
En los circuitos serie y paralelo los valores 1 3 7 3 3 3 3
medidos fueron con un porcentaje muy bajo
similares a los valores obtenidos por la simulación
y los calculados. NOTA: CUANDO EL VOLTAJE ES MENOS
QUE EL ESTABLESIDO POR EL
FABRICANTE E EL DIODO SE CONVIERTE

8
EN UN SWICHT ABIERTO Y EL VOLTAJE DE 𝑉𝑅 7.3
𝐼𝐷 = = = 7.3 𝑚𝐴
LA FUENTE RECAE EN EL. POR LO QUE 𝑅 1000
DESDE EL VOLTAJE DE 0.2 A 0.8 EL
VOLTAJE DE 10
VOLTAJE TENDRIA QUE SER EL DE LA
FUENTE Y EL VOLTAJE EN LA CARGA O 𝑉𝐷 = 0.7𝑉
RESISTENCIA SERIA DE 0 YA QUE NO
𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷 = 10 − 0.7 = 9.3𝑉
CIRCULA CORRIENTE POR ESTA.
𝑉𝑅 9.3
VOLTAJE DE 1.0 𝐼𝐷 = = = 9.3 𝑚𝐴
𝑅 1000
𝑉𝐷 = 0.7𝑉
TABLA 2
𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷 = 1 − 0.7 = 0.3𝑉 VALORES MEDIDOS
𝑉𝑅 0.3
𝐼𝐷 = = = 0.3 𝑚𝐴 V(V) 0. 0. 0. 0. 1. 1. 2 4 8 10
𝑅 1𝑘 2 4 6 8 0 4
VOLTAJE DE 1.4 𝑽𝒅𝒊𝒐𝒅𝒐 (𝑽)0. 0. 0. 0. 1. 1. 2. 4. 8. 9.9
2 4 6 8 0 4 0 0 0 5
𝑉𝐷 = 0.7𝑉 6 6 4 6 4 7 5 3 1
𝐕𝐫𝐞𝐬 (𝐕) -- -- -- -- -- -- -- -- -- ---
𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷 = 1.4 − 0.7 = 0.7𝑉
- - - - - - - - -
𝑉𝑅 0.7 𝑰(𝒎𝑨) -- -- -- -- -- -- -- -- -- ---
𝐼𝐷 = = = 0.7 𝑚𝐴 - - - - - - - - -
𝑅 1𝑘
VOLTAJE DE 2
VALORES CALCULADOS
𝑉𝐷 = 0.7𝑉
V(V) 0. 0. 0. 0. 1. 1. 2 4 8 10
𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷 = 2 − 0.7 = 1.3𝑉 2 4 6 8 0 4
𝑉𝑅 1.3 𝑽𝒅𝒊𝒐𝒅𝒐 (𝑽)0. 0. 0. 0. 1. 1. 2 4 8 10
𝐼𝐷 = = = 1.3 𝑚𝐴 2 4 6 8 0 4
𝑅 1000
𝐕𝐫𝐞𝐬 (𝐕) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
VOLTAJE DE 4 𝑰(𝒎𝑨) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
𝑉𝐷 = 0.7𝑉
𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷 = 4 − 0.7 = 3.3𝑉 NOTA:
𝑉𝑅 3.3 NO SE REALIZA CALCULOS YA QUE EL
𝐼𝐷 = = = 3.3 𝑚𝐴
𝑅 1000 DIODO ESTA EN UNA POLARIDAD
VOLTAJE DE 8 INVERSA Y ESTE HACE QUE EL VOLTAJE
DEL DIOSO SEA IGUAL AL VOLTAJE DE LA
𝑉𝐷 = 0.7𝑉 FUENTE Y EN LA CARGA O RESISTENCIA
𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷 = 8 − 0.7 = 7.3𝑉

9
de los fabricantes el diodo debería comenzara
conducir a los 0.65 a 0.7 volt pero como no todo
es perfectos estos tienen un rango de un 20% ya
que van perdiendo sus propiedades con el tiempo.

-El diodo proporciona una gran herramienta para


transformar CA en CC y es su principal función,
aunque para usos industriales el diodo ya no se
utilizada en los circuitos de rectificación.

8. BIBLIOGRAFÍA Y REFERENCIAS

 Pedro Ramos, “Diodo Semiconductor” [En línea],


ElectrónicaUNICROM, España, 20016. Disponible
en: http://www.unicrom.com/Tut_diodo.asp

 Esteban Álvarez, “Diodo de Silicio” [En línea],


Universidad De Vigo, España, 2014. Disponible en:
https://www.uvigo.gal/

 W. H. Hayt, Análisis de electronica analogica,


7. CONCLUCIONES: México, D. F. : 677 p., 621.3; H3y 1986.

Del siguiente informe se puede concluir lo  W. Marín Modelo IEEE - Escuela de Ingeniería
Electrónica. Instituto Tecnológico de Costa Rica,
siguiente: 2007

1-En esta experiencia se ha corroborado de


manera práctica las aplicaciones teóricas que se
explicaron del diodo. Como por ejemplo la
polarización directa e inversa:

a)-Polarización directa con fuente CC este se


comporta como un hilo conductor con una
resistencia despreciable.

b) - Polarización indirecta con fuente CC este se


comporta como “Switch Abierto” el que tiene una
alta resistencia, por lo tanto no circula corriente.

-Otra característica es que comienza a conducir


voltaje a los 0.6 volt de acuerdo con la mayoría

10
11