Experiencia N° 2:

LA CARACTERÍSTICA EXPONENCIAL
DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Erick Marcelo Aurazo
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú
marcerican@gmail.com

De (4) y (5)
I. OBJETIVO
𝐼𝐶 (𝑡) = 𝐼𝑐𝑠 𝑒 𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑉𝑇 𝑒 𝑉𝑝 cos(𝑤0 𝑡)/𝑉𝑇
Obtener experimentalmente el contenido Normalizamos 𝑥 = 𝑉𝑝 /𝑉𝑇
armonico de la corriente de colector del transistor
bipolar QUEDANDO LA ECUACIÓN:

𝐼𝐶 (𝑡) = 𝐼𝑐𝑠 𝑒 𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑉𝑇 𝑒 𝑥 cos(𝑤0 𝑡) … (6)

II. TEORÍA Si obtenemos la transformada de
Fourier de 𝑒 𝑥 cos(𝑤0 𝑡) .
∞
𝑥 cos(𝑤0 𝑡)
𝑒 = 𝐼0 (𝑥) + 2 ∑ 𝐼𝑛 (𝑥)cos(𝑛𝑤0 𝑡)
𝑖=1

De esta la ecuación (6) y la anterior:

∞
𝑉𝐵𝐸𝑄
𝐼𝐶 (𝑡) = 𝐼𝑐𝑠 𝑒 𝑉𝑇 [𝐼0 (𝑥) + 2 ∑ 𝐼𝑛 (𝑥) cos(𝑛𝑤0 𝑡)]
𝑖=1
…(7)
∞
𝑉𝐵𝐸𝑄 2𝐼𝑛 (𝑥)
𝐼𝐶 (𝑡) = 𝐼𝑐𝑠 𝑒 𝑉𝑇 𝐼0 (𝑥) [1 + ∑ cos(𝑛𝑤0 𝑡)]
𝐼0 (𝑥)
𝑖=1
…(8)
∞
A una gran señal, el comportamiento del 2𝐼𝑛 (𝑥)
𝐼𝐶 (𝑡) = 𝐼𝐷𝐶 (𝑥) [1 + ∑ cos(𝑛𝑤0 𝑡)] … (9)
transistor no será lineal debido a su 𝐼0 (𝑥)
𝑖=1
carácter exponencial
Por lo tanto 𝑉0 (AC) :
𝐼𝐶 (𝑡) = 𝐼𝑐𝑠 𝑒 𝑉𝐵𝐸(𝑡)/𝑉𝑇 … (1) ∞
2𝐼𝑛 (𝑥)
𝑉0 = −𝐼𝐶𝑄 (𝑥)𝑅𝑐 ∑ cos(𝑛𝑤0 𝑡)
𝑉𝐵𝐸(𝑡) = 𝑉𝐵𝐸𝑄 + 𝑉𝑖(𝑡) … (2) 𝐼0 (𝑥)
𝑖=1
Resonancia con el primer armónico:
De (1) y (2)
2𝐼𝑛 (𝑥)
𝑉0 = −𝐼𝐶𝑄 (𝑥)𝑅𝑐 cos(𝑤0 𝑡)
𝐼𝐶 (𝑡) = 𝐼𝑐𝑠 𝑒 𝑉𝐵𝐸𝑄 /𝑉𝑇+𝑉𝑖(𝑡)/𝑉𝑇 … (3) 𝐼0 (𝑥)

Donde: La transconductancia en gran señal se define por:

𝐼𝐶 (𝑡) = 𝐼𝑐𝑠 𝑒 𝑉𝐵𝐸𝑄 /𝑉𝑇 𝑒 𝑉𝑖(𝑡)/𝑉𝑇 … (4)
𝑑𝐼(𝑡) 𝐼𝐷𝐶 2𝐼𝑛 (𝑥)
𝐺𝑚(𝑥) = =
Si 𝑉𝑖(𝑡) tiene un carácter sinusoidal. 𝑑𝑉 𝑉𝑃 𝐼0 (𝑥)

𝑉𝑖(𝑡) = 𝑉𝑝 cos(𝑤0 𝑡) … (5) 𝑉0 = −𝐺𝑚(𝑥)RcVp cos(𝑤0 𝑡)

De esta manera queda demostrado que existira un 1. Calcule el punto de operación del
comportamiento exponencial. transistor del amplificador de la figura
1.
III. EQUIPOS Y MATERIALES
Calcular el su punto de operación es cuando la
1. Transistor BF494 NPN. señal de entrada es Vin=0.
2. Bobina de FI de AM.
3. Resistencia de 47, 2x1k, 2x10k, 2x22k
ohm de 0.5w.
4. Potenciometro 100k ohm.
5. Condensador electrolitico 1uf, 3x10uf
de 25v.
6. Condensador ceramico de 47pf, 100pf
de 50v.
7. Fuente de alimentacion doble 30v.
8. Osciloscopio.
9. Generador de funciones.
10. Multimetro digital.
11. Generador de funciones.
Reduciendo el circuito
12. Panel de experimentos.

IV. PREGUNTAS Y CIRCUITO

6 − 0.7
𝐼𝐶𝑄 = 11𝑘 = 0.53𝑚𝐴
+ 10𝑘
150

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 12 − (1𝑘 + 10𝑘)𝐼𝐶𝑄 = 6.17𝑣

1. Calcule el punto de operación del 2. Determine una expresion general para

transistor del amplificador de la figura 𝑉𝐴 , 𝑉𝐵 𝑦 𝑉0 en resonancia asumiendo
1. los datos de la bobina y un 𝑄𝑇 alto(los
2. Determine una expresion general para datos del transistor son conocidas)
𝑉𝐴 , 𝑉𝐵 𝑦 𝑉0 en resonancia asumiendo
los datos de la bobina y un 𝑄𝑇 alto(los
datos del transistor son conocidas)
2𝐼2 (𝑋)
3. Calcule 𝐺𝑚(𝑥)𝑦 para los valores
𝐼0 (𝑋)
de 𝑉1 = 20, 50, 70, 100, 200, 300, 350𝑚𝑉.
4. Para 𝑉𝑖𝑛 = 260𝑚𝑉𝑐𝑜𝑠(𝑤0 𝑡/𝑛)
encuentre una expresion general para
De esta figura podemos obtener
𝑉0 (𝑇).
Las expresiones de VA, VB, VO, en este
V. DESARROLLO DE caso
PREGUNTAS
 ∞ [2]http://rd.udb.edu.sv:8080/jspui/bitstream/11715/168/1/1.
2𝐼𝑛 (𝑥)
𝑉𝐴 = 𝑉𝐵 = 𝑅6. 𝐼𝐶𝑄 (𝑥) ∑ cos(𝑛𝑤0 𝑡) %20Modelado%20de%20gran%20senal%20de%20transist
𝐼 (𝑥)
𝑖=1 0 ores%20para%20alta%20frecuencia.pdf
∞
𝑁3 𝑁2 2𝐼 (𝑥) [3] Kenneth K. Clarke & Donald T. Hess-Communication
𝑉0 (𝑡) = 𝑅𝑃 𝐼𝐶𝑄 (𝑥) ∑ 𝑛 cos(𝑛𝑤0 𝑡)
𝑁12 𝐼 (𝑥)
𝑖=1 0
circuits: analysus and designe-Chapter 4- Nolinear
Controlled sources
Como resuena con el circuito tanque en su
primer armonico:

𝑁3 𝑁2 2𝐼 (𝑥)
𝑉0 (𝑡) = 𝑅𝑃 𝐼𝐶𝑄 (𝑥) 𝑛 cos(𝑤0 𝑡)
𝑁12 𝐼0 (𝑥)

2𝐼2 (𝑋)
3. Calcule 𝐺𝑚(𝑥)𝑦 para los valores
𝐼0 (𝑋)
de 𝑉1 = 20, 50, 70, 100, 200, 300, 350𝑚𝑉.

𝑑𝐼(𝑡) 𝐼𝐷𝐶 2𝐼𝑛 (𝑥)

𝐺𝑚(𝑥) = =
𝑑𝑉 𝑉𝑃 𝐼0 (𝑥)

𝑁3 𝑁2
𝑉0 (𝑡) = 𝑅𝑃 𝑉𝑃 𝐺𝑚(𝑥)cos(𝑤0 𝑡)
𝑁21

4. Para 𝑉𝑖𝑛 = 260𝑚𝑉𝑐𝑜𝑠(𝑤0 𝑡/𝑛)

encuentre una expresion general para
𝑉0 (𝑇).

De la tabla anterior podemos obtner cualquier

2𝐼𝑛(𝑥)
representacion de , es decir que a 260mV
𝐼0 (𝑥)
sera aproximadamente 1.8
Lo cual la ecuacion de 𝑉0 queda:

𝑁3 𝑁2
𝑉0 (𝑡) = 𝑅𝑃 𝐼𝐶𝑄 (𝑥)1.8 cos(𝑤0 𝑡)
𝑁21

5. REFERENCIA
[1]https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2666/mod_resource/c
ontent/1/electro_dis/ensenanzas-tecnicas/electronica-de-
dispositivos/tema-11.pdf