UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE

SANMARCO
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA,
ELÉCTRICA Y TELECOMUNICACIONES

CURSO: LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE

POTENCIA I

TEMA: EXPERIENCIA N°1 – EL SCR

PROFESOR: DRA. TERESA NÚÑEZ ZÚÑIGA

ALUMNOS: GALA TAIPE JORDAN 12190130

2017-I
 ELECTRÓNICA DE POTENCIA I UNMSM

EXPERIENCIA N°1
EL SCR
I. OBJETIVO:
1. Familiarizarse con el SCR (rectificador de silicio).
2. Determinar experimentalmente algunas de sus características.

II. MATERIALES Y EQUIPO:

1. SCR (C106M o BT151) u otro cualquiera.
2. Resistencia de 5-50Ω a 13-30 watts.
3. Resistencias variadas.
4. Potenciómetros.
5. Multímetro.
6. Mili amperímetro.
7. Transformador e 200V/9V.

III. PROCEDIMIENTO:
CUESTIONARIO:
1. HAGA UNA INTRODUCCIÓN TEÓRICA DE LOS SCR.
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un
dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn.
Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción entre
ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional
(sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la
vez.

Figura 1: Símbolo del SCR.

2
 ELECTRÓNICA DE POTENCIA I UNMSM

Este semiconductor que presenta dos estados estables: en uno conduce, y en otro está en
corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y conducción directa).
Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente sólo
durante los semiciclos positivos de la fuente de AC. El semiciclo positivo es el semiciclo en
que el ánodo del SCR es más positivo que el cátodo. Esto significa que el SCR no puede
estar encendido más de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de
la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa,
evitando el paso de cualquier corriente a la carga.
El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en conducción
del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio SCR se hace
conductor no sólo cuando la tensión en sus bornes se hace positiva (tensión de ánodo mayor
que tensión de cátodo), sino cuando siendo esta tensión positiva, se envía un impulso de
cebado a puerta.

2. INDIQUE EL MODELO EQUIVALENTE CON TRANSISTORES.

Un SCR se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP,
Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura.
La corriente del colector IC de un SCR se relaciona, en general, con la corriente del emisor
IE y la corriente de fuga de la unión colector-base ICBO, como
Ic = IE + ICBO…………………….. (1)
La ganancia de corriente de base común se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la
corriente del emisor es la corriente del ánodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede
determinar a partir de la ecuación (1):
IC1 = IA + ICBO1……………….…. (2)

a) Estructura básica b) Circuito equivalente

Fig. Modelo de tiristor de dos terminales.

Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma
similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:

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 ELECTRÓNICA DE POTENCIA I UNMSM

IC2 = 2IK + ICBO2………………………… (3)

Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a
Q2. Al combinar IC1 e IC2, obtenemos:
IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2………………………. (4)
Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuación anterior
en función de IA obtenemos:
IA = 2IG + ICBO1 + ICBO2…………………………. (5)

3. ¿QUÉ ES LA TENSIÓN DE DISPARO 𝐕𝐠𝐤 Y LA CORRIENTE DE

MANTENIMIENTO 𝐈𝐇 ?
Tensión de disparo (𝑽𝒈𝒌 ) : Es el voltaje necesario que se aplica a la compuerta para que el
SCR entre en conducción. Este impulso debe durar un tiempo suficiente para que se active
el dispositivo y la corriente de ánodo alcance hasta un valor denominado corriente de
retención condicionada o corriente de enganche.

Corriente de mantenimiento (𝑰𝑯 ): También llamada corriente de sostenimiento, es

el valor de corriente por abajo del cual el SCR cambia del estado de conducción a la región
de bloqueo directo bajo las condiciones establecidas.

4. SIMULE CON PSPICE U OTRO SIMULADOR CADA UNO DE LOS

CIRCUITOS DE ESTA EXPERIENCIA Y PRESENTE RESULTADOS, PARA
SABER QUÉ ES LO QUE OBSERVARA EN LA PRÁCTICA.

CIRCUITO FIGURA 2

R3
100

R1
1k

RV3
21%

5k

U1
SW1 SCR

SW-SPST

4
 ELECTRÓNICA DE POTENCIA I UNMSM

Condiciones para el diseño:

𝐼𝐻 = 5𝑚𝐴
𝐼𝑔𝑡 = 1𝑚𝐴
𝑉𝑔𝑡 = 0.6𝑉
El propósito de 𝑅2 es mantener una resistencia fija en la terminal de la compuerta, aun
cuando 𝑅𝑉1 sea cero. Esto es necesario para proteger la compuerta contra sobrecargas. Esta
resistencia también determina el ángulo de retardo de disparo mínimo

Con el switch abierto el voltaje ánodo-cátodo es aproximadamente igual a la fuente AC ya

que el dispositivo no está en conducción porque la magnitud del voltaje de la fuente AC es
mucho menor que el voltaje necesario entre ánodo y cátodo con polarización directa para
que SCR entre en “encendido” sin necesidad de corriente en la compuerta.

Con el switch cerrado, para un valor instantáneo de voltaje AC, el SCR entra en conducción
consideramos 𝑅𝑉1=0 y 𝑅2 =1k para limitar la corriente

Entonces se cumple:
𝑉𝐴𝐶 = 𝐼𝑔𝑡 (𝑅1 + 𝑅2 ) + 𝑉𝑔𝑡
Reemplazando:
𝑉𝐴𝐶 = (1mA)*(1k) + 0.6V
Por lo tanto:
𝑉𝐴𝐶 = 1.6V
Entonces se tiene lo siguiente;
1.6
𝑠𝑒𝑛(𝛼) =
12.72
Por lo tanto:
𝛼 = 7.22°
Consideremos el potenciómetro con un valor de 1K, se tiene:
𝑉𝐴𝐶 = 𝐼𝑔𝑡 (𝑅1 + 𝑅2 ) + 𝑉𝑔𝑡

Reemplazando:
𝑉𝐴𝐶 = (1mA)*(6K) + 0.6V
Se obtiene:
𝑉𝐴𝐶 = 6.6V
Entonces se tiene lo siguiente:
6.6
𝑠𝑒𝑛(𝛼) =
12.72
Por lo tanto:
𝛼 = 31.25°

El ángulo para nuestro diseño varía entre 7.22° y 31.25°

Pero teóricamente para este circuito el ángulo de disparo varía entre 0 y 90°
Una desventaja de este circuito de disparo sencillo está en que el ángulo de retardo de
disparo.

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 ELECTRÓNICA DE POTENCIA I UNMSM

CIRCUITO FIGURA 3

R3
100

R1
1k

RV3
21%

10k

U1
SW1 SCR

SW-SPST

C1
100uF

Condiciones para el diseño:

𝐼𝑔𝑡 = 1𝑚𝐴
𝑉𝑔𝑡 = 0.6𝑉
𝐼𝐻 = 5𝑚𝐴
Para nuestro circuito el valor del capacitor es de:
𝐶 = 100𝑢𝐹
6
 ELECTRÓNICA DE POTENCIA I UNMSM

Ahora obtenemos que:

𝑅2 = 1𝑘Ω Y 𝑅𝑉1 = 10𝐾Ω
Por lo tanto:
𝑡 = (𝑅2 + 𝑅𝑉1 ) ∗ 𝐶 = 1100𝑚𝑠

CIRCUITO FIGURA 4

RV1
50%

1k

SW1
R3 RV3
40%

100 10k
SW-SPST

B1 R1
12V 100
U1

SCR
R2
100

Condiciones para el diseño:

𝐼𝐻 = 5𝑚𝐴
𝐼𝑔𝑡 = 1𝑚𝐴
𝑉𝑔𝑡 = 0.6𝑉

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 ELECTRÓNICA DE POTENCIA I UNMSM

El potenciómetro de 1K sirve para obtener la corriente 𝐼𝐻 .

El potenciómetro de 10K sirve para generar la corriente 𝐼𝑔 .
Con el switch abierto no hay corriente de compuerta, el SCR no conduce y el voltaje
ánodo-cátodo es aproximadamente 12V, la corriente I = 0 y el 𝑉𝑑 = 0 (potenciómetro = 0)

Con el switch cerrando y conforme se va aumentando la magnitud del potenciómetro 2 el

SCR entra en conducción en este instante se cumple:
𝑉𝑑 = 𝑉𝑔𝑡 + 𝐼𝑔 ∗ 𝑅2
Reemplazando:
𝑉𝑔𝑡 = 𝐼2 ∗ 𝑅3
Pero:
0.6𝑉
𝐼2 = = 6𝑚𝐴
100Ω
También:
𝐼𝑔 = 𝐼𝑔𝑡 + 𝐼2

𝐼𝑔 = 1𝑚𝐴 + 12𝑚𝐴
Por lo tanto:
𝐼𝑔 = 7𝑚𝐴
Reemplazando en la ecuación anterior:
𝑉𝑑 = 𝑉𝑔𝑡 + 𝐼𝑔 ∗ 𝑅2
𝑉𝑑 = 0.6𝑉 + (7𝑚𝐴 ∗ 100Ω)
Por lo tanto:
𝑉𝑑 = 1.3𝑉
Si se abre el switch el SCR no varía su estado de conducción pero el voltaje 𝑉𝑑 toma el
valor de 12V, la corriente𝐼𝑔 = 0 y el voltaje 𝑉𝑔𝑘 = 0
La corriente que fluye por el ánodo (I) lo determina el circuito esta corriente debe ser
mayor que la corriente de mantenimiento 𝐼𝐻 para que el SCR siga en estado de conducción.
Se cumple:
12𝑉 = 𝐼(𝑅1 ) + 1𝑉
12𝑉 = 𝐼(100Ω) + 1𝑉
11𝑉
𝐼= = 110𝑚𝐴
100Ω