FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
GRUPO: 5
ACTIVIDAD 10:
TRABAJO COLABORATIVO 2
Autores:
FERNANDO RIVERA Código: 7726694
ERNESTO JOSÉ CÁRCAMO Código: 9146752
SAMUEL ALFONSO QUINTERO Código: 8201656
Tutor:
ANDRES FELIPE TARAZONA
MAYO 20 DE 2012
COLOMBIA
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
INTRODUCCION
2
3
FASE 2. PRODUCCIÓN INTELECTUAL
Al igual que lo que sucede con el TBJ, el FET tiene tres regiones de operación.
Estas regiones son:
Zona Lineal.
Zona de Saturación.
Zona de Corte.
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
Zona Lineal.
Figura 3: Esquema del transistor de canal N con VGS menor que cero.
Por la terminal de puerta (G) no circula más que la corriente de fuga del diodo GS,
que en una primera aproximación podemos considerar despreciable. La corriente
ID presenta una doble dependencia:
resistencia del canal, cuanto mayor sea VGS - VP, mayor será la anchura del
5
canal y mayor la corriente obtenida.
ID = ( VGS - VP )VDS
Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 volts por ejemplo, éste se distribuye
a lo largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D, la tensión será de
5 volts, pero a medio camino circulante la corriente habrá reducido su potencial a
la mitad (2,5 V), y en el terminal S el voltaje será nulo. Por otra parte, si V GS es
negativo (-2 V, por ejemplo), la tensión se distribuirá uniformemente a lo largo de
la zona al no existir ninguna corriente (Figura 5).
NOTA: se desprecia la caída de tensión en las zonas situadas por debajo de los
contactos.
Figura 4: Esquema del transistor de canal N con VGS = -2V y VDS = 5V.
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
6
En las proximidades del terminal S la tensión inversa aplicada es de 2 V, que
corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta
tensión aumenta: en la mitad del canal es de 4.5 V y en D alcanza 7 V. La
polarización inversa aplicada al canal no es constante por lo que la anchura de la
zona de deplección tampoco lo será (Figura 6). Cuando V DS es pequeña, esta
diferencia de anchuras no afecta a la conducción en el canal, pero cuando
aumenta, la variación en la sección de conducción hace que la corriente de
drenaje sea una función no lineal de VDS y que disminuya con respecto a la
obtenida sin tener en cuenta este efecto.
Zona de Saturación.
VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS - VP
Zona de corte.
Donde:
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
9
ID = Corriente de Drenaje
IDSS = Corriente de Drenaje de Saturación
VGS = Voltaje Puerta-Fuente
VP = Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.
Son solo dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los
transistores JFET. En primer lugar, en la representación ID v/s VGS para un VDS
dado, se aprecia claramente el paso de la región de corte a la región de
saturación. En la práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica,
puesto que en el primero, VGS positiva hace crecer rápidamente a IG.
En la característica VDS v/s ID del JFET canal N, se observa la diferencia entre las
regiones lineal y de saturación. En la región lineal, para un determinado valor de
VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensión V DS. Sin embargo este
crecimiento se atenúa hasta llegar a ser nulo. Se alcanza el valor de saturación
cuando ID sólo depende de VGS.
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
11
Ganancia de Voltaje
VO = - (gm.Vgs)(RD||rd)
AV = VO/Vi = [- (gm.Vgs)(RD||rd)]/Vgs
AV = - gm.(RD||rd)
AV = - gm.RD
Al igual que el BJT, el FET es un dispositivo de tres terminales, pero sólo tiene una
unión pn en vez de dos, como en el BJT.
El JFET de canal n se construye utilizando una cinta de material tipo n con dos
materiales de tipo p difundidos en ella, uno en cada lado. El JFET de canal p tiene
una cinta de material tipo p con dos materiales de tipo n difundidos en ella.
Estructura Física de un JFET
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
VDD proporciona una tensión drenaje a fuente, vDS, que provoca una corriente de
drenaje, iD, del drenaje a la fuente. La corriente de drenaje, que es idéntica a la
corriente de fuente, existe en el canal rodeado por la compuerta de tipo p. La
tensión compuerta a fuente, vGS, que es igual a -VGG, crea una región desértica en
el canal, que reduce el ancho de éste y por tanto aumenta la resistencia entre
drenaje y fuente. Como la unión compuerta-fuente está polarizada en inverso, el
resultado es una corriente de compuerta nula.
13
FIGIRA 1 (a) JFET canal N. (b) Símbolo de JFET canal N. (c) Símbolo canal P
CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA.
Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas
de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados
por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por
corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: I drenador a source o
fuente), VGSD (intensidad drain o (tensión gate o puert source o fuente) y V
(tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
REGIÓN DE CORTE
En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (I=0). En este caso, la
tensión entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de
inversión bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y
fuente. En las hojas técnicas se denomina a esta tensión como de
estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS (off)D o Vp. Por ejemplo, el
BF245A tiene una V (off)=-2V.GS
REGIÓN LINEAL
15
VGS (off) = - VP
RD = (VCC – VD) / ID
VGS = - ID*RS
AV = -Gm*RD
RS = VGS (off) / IDSS
RG » 500 KΩ
Gm = ID / VGS
P=1/f
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
16
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
17
Estudio físico de las ecuaciones de fotomultiplicadores o
centelladores:
PROCESOS DE DETECCIÓN.
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
18
De acuerdo con Rodnyi [21], es altamente probable que un hueco que se
encuentra en la parte superior de la banda de valencia interactué con un
anión cercano; en este caso el hueco será compartido por los dos aniones
vecinos formando un centro llamado Vk. Los centros Vk son estables sólo a
temperaturas menores a 200 K. En este estado, al hueco se le denomina
“self-trapped hole” o agujero autoatrapado (STH). Los STHs se forman en un
tiempo promedio de 10-11 a 10-12 segundos, es decir, mucho más rápido
que la vida media de un par e-h; por lo que la mayoría de los huecos en un
cristal detector constituyen centros Vk. La creación de centros Vk es muy
importante, ya que incluso cristales sin centros luminiscentes pueden
presentar luminiscencia por medio de las propiedades de estos defectos.
Esta etapa de detección se caracteriza por la eficiencia de transferencia S y
depende de las impurezas que presenta el cristal.
PROCESOS DE DETECCIÓN.
El material del detector debe ser transparente a los fotones visibles, para que
así, estos logren viajar y llegar a un fotomultiplicador donde se hará la
medición. Por eso, aunque en la primera etapa de detección se busca que la
energía prohibida Eg sea lo más pequeña posible, ésta no debe tener una
frecuencia asociada en la escala del rango visible pues entonces los fotones
producidos serían absorbidos por el compuesto. Al incidir en un PMT, el fotón
libera un electrón. Un voltaje es aplicado dentro del fotomultiplicador por lo
que el electrón es acelerado y en su trayectoria puede colisionar con otro
electrón creando un efecto avalancha. La corriente medida es proporcional al
número de electrones producidos por el PMT, es decir, es proporcional al
número de fotones gamma que incidieron en el etector. El número de fotones
visibles medidos es directamente proporcional al número de fotones de alta
energía que incidieron en el detector.
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
Producción de Luz.
21
Rapidez.
Los índices de transmisión y refracción deben ser los adecuados para lograr
una buena detección. La tercera etapa de detección es afectada si el material
no es transparente en el rango visible, es decir, si los fotones emitidos no son
transmitidos La transmisión depende de la concentración de impurezas del
cristal, porque absorben los fotones visibles.
El índice de refracción del cristal debe ser similar al índice de refracción del
fotomultiplicador para evitar que parte de los fotones sean reflejados. Se
coloca un compuesto de silicón entre las superficies del cristal y del PMT, ya
que este material hace
nm. Por otro lado, una emisión ultravioleta puede ser detectada por el
22
fotomultiplicador si se le adapta un material especial que transforme la
longitud de onda UV a visible.
23
Región de corte
Región lineal
Región de saturación
Por lo tanto, para valores más negativos que VP el transistor NJFET se encuentra
polarizado en la región de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.
25
Figura 4:Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS < 0
Por el terminal de puerta (G) no circula más que la corriente de fuga del diodo GS,
que en una primera aproximación podemos considerar despreciable. La
corriente ID presenta una doble dependencia:
27
VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS - VP
Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 3 y Figura En el caso del
bloqueo, todo el canal resulta afectado por la zona de deplección, que es
constante porque la tensión VGS se aplica uniformemente a lo largo de la unión. En
cambio, en la región de corriente constante sólo parte del canal ha llegado al
bloqueo (provocado por VDS, que varía a lo largo del mismo), y es lo que permite la
circulación de la corriente.
Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los
transistores JFET. En primer lugar, en la representación de ID frente a VGS, para
una VDS dada, se aprecia claramente el paso de la región de corte a la de
saturación (Figura 8). En la práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la
gráfica, puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rápidamente IG.
Nótese que, según esta gráfica, la región de saturación del JFET se identifica con
la región activa normal de los transistores bipolares. Mientras que en RAN la
corriente de colector sólo depende de la de base, aquí la magnitud de control es la
tensión VGS. Por el contrario, si la resistencia del JFET en la región lineal es muy
pequeña puede encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones lineal de
JFET y de saturación del BJT.
31
o VGS > VP
o VGS > VP
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
Por lo general, en los transistores NJFET tanto VP como VGS toman valores
negativos, mientras que VDS e IDSS son positivos, tomando la dirección ID tal y
como aparece en el modelo.
De entre las diversas opciones posibles, para la deducción del modelo se escogen
como variables independientes las tensiones VGS y VDS, mientras que las
dependientes son las corrientes IG e ID. De este modo, las ecuaciones
características del transistor vendrán dadas por dos funciones f1 y f2 tales que:
33
Para el cálculo de los parámetros yij se van a emplear las expresiones resultantes
del modelo estático para la región de saturación.
Función f1 =>
Función f2 =>
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
2 TRANSISTOR MOSFET
Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su
principio de operación y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos
de transistores MOS:
Enriquecimiento de canal N
Enriquecimiento de canal P
Empobrecimiento de canal N
Empobrecimiento de canal P
35
36
Supongamos que se aplica una tensión VDS mayor que cero mientras que VGS se
mantiene en cero. Al aplicar una tensión positiva a la zona N del drenaje, el diodo
que forma éste con el sustrato P se polarizará en inversa, con lo que no se
permitirá el paso de corriente: el MOS estará en corte.
37
En este caso el canal ya está creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una
tensión VDS aparecerá una corriente de drenaje ID. Para que el transistor pase al
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
estado de corte será necesario aplicar una tensión VGS menor que cero, que
38
expulse a los electrones del canal.
También en este caso, la aplicación de una VDS mucho mayor que VGS provoca
una situación de corriente independendiente de VDS.
Con los transistores MOS se manejan dos tipos de gráficas: la característica VGS -
ID, con VDS constante, y la VDS - ID con VGS constante.
40
Los parámetros comerciales más importantes del transistor MOS son análogos a
los de los JFET presentados en el apartado 1.3.
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
1. Región de corte
o Condición VGS<VTH
o Intensidad ID=0
1. Región lineal.
o Condiciones: VGS>VTH
Intensidad:
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería
Curso: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ingeniería de telecomunicaciones
Donde K es una constante que depende del material y de las dimensiones del
42
transistor
1. Región de saturación
Intensidad:
Características relevantes.
Es menos ruidoso.
44
BIBLIOGRAFÍA