2019-2
TRABAJO PREVIO A LA PRACTICA 12
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
CARACTERIZACIÓN Y POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE JUNTURA
(JFET)
Objetivo: Caracterizar un JFET, para identificar cada una de sus regiones de operación.
Analizar y diseñar configuraciones de polarización de un JFET.
4.- Diseñe los siguientes circuitos utilizando los métodos propuestos bajo las condiciones siguientes:
5.- Ajuste los valores de los resistores del inciso anterior, al valor comercial más cercano y calcule IDQ, VDSQ y
VGSQ (Los métodos de la pendiente y empírico son únicamente para diseño, lo cual implica que no se pueden
V
utilizar para el análisis de un circuito por lo que debemos utilizar la siguiente expresión: 𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝐼𝐼𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷 (1 − GS )2
VP
).
6.- Simule los circuitos del punto anterior y registre los valores de ID, VDS y VGS
VDSQ Vp
RD = RS = −
1.1IDQ IDQ
IDQ
VGSQ = 1 − VP ***ver
nota***
IDSS
RGVDD RGVDD
R1 = R2 =
VGG VDD − VGG
***Nota: El valor de Vp es negativo, por lo tanto VGS es negativo. No olviden tomarlo en cuenta para
determinar el valor de VGG en la correspondiente expresión.