Construirea şi depanarea PC-urilor

Curs 4 & 5

2. Formate fizice şi logice ale memoriei interne

Formate logice: RDRAM, DDR I sau II, VRAM, WRAM

Formate fizice: - SIMM ( Single Line Memory Module)
- DIMM ( Dual Line Memory Module)
- SoDIMM ( Small Outline DIMM)
- RIMM (Rambus in line Memory Module)

2.1. Organizarea memoriei RAM (formate fizice)

Realizată cu circuite semiconductoare integrate, ce constă în reunirea unor circuite

basculante instabile, având la bază o matrice 8x8 în care: RAS ( Row Address S..), CAS (Column
Address S..).
Înscrierea semnalelor în circuitele basculante instabile reprezintă transmiterea unui
semnal pe linia şi coloana la intersecţia cărora se află elementul care se înscrie. Pentru a
menţine un număr redus de legături, liniile de adresare sunt multiplexate, astfel că pe aceeaşi
serii de linii se va transmite atât adresa liniei, cât şi a coloanei ( controlerul de memorie
comunicând semnalul RAS sau CAS, urmat de valoarea efectivă.
Există 2 categorii:
RAM – random acces memory – acces direct, timpul necesar de identificare a adresei este
acelaşi
ROM – read only memory – doar se citeşte

DRAM – dynamic RAM – are un conţinut volatil; el se pierde odată cu întreruperea sursei
de alimentare. Pentru a-şi păstra chiar şi temporar rolul de memorie, intervale de timp
prestabilite, conţinutul este reînscris în acelaşi locaţii de memorie ( refreshing memor). Timpul
mediu de acces este de 50-70 ns.
SRAM – static RAM – păstrează conţinutul fără prezenţa impulsurilor de tact care sunt
specifice conservării conţinutului.
Un DRAM poate fi transformat în SRAM printr-un latch (circuit basculant RS) care să
comute între permiterea sau nu a transferului de semnal (circuite de tip flip-flop). Timpul de
acces este de 7-20 ns. Preţul SRAM este mai mare decât preţul DRAM.
Există 2 modalităţi de reînscriere a conţinutului:
- reînscrierea conţinutului la aceleaşi adrese printr-un singur impuls de tact (write back)
- reînscrierea include şi determinarea efectivă a adresei (write through).

1
 SIMM – Single Inline Memory Module – module de memorie de 32 sau de 64 biţi, dacă
includ şi biţii de verificare a parităţii. Implementarea pe placa de bază se face prin 72 pini
conectori care sunt dispuşi pe ambele părţi ale modulului. Dispun de o singură cale de acces;
pentru accesul la fiecare modul al memoriei este necesară sincronizarea cu magistralele
microprocesorului ( de date şi adrese).
Actualele procesoare Pentium şi AMD, lucrând cu magistrale de date de 64 biţi, necesită
cel puţin 2 SIMM-uri într-o configurare pe placa de bază. Capacităţile erau de 32-64 MB
actual şi-au pierdut utilitatea fiind înlocuite de DIMM-uri.
DIMM – Dual Inline Memory Module – module 64 sau 72 de biţi. Necesită 168 sau 184
pini pentru implementarea pe placa de bază. Pentru sincronizarea transferului cu magistralele
microprocesorului, spre deosebire de SIMM-uri, DIMM-uri includ 2 căi de acces independente.
Capacităţile sunt de 64, 128, 256 MB, cu posibilităţi de 1,respectiv 2 GB anunţate pentru 2004.
Pentru laptop-uri există sloturi de memorie de dimensiunea unui SIMM având însă 2 căi de
acces, modulele numindu-se SODIMM (Small Outline DIMM).
RIMM – Rambus Inline Memory Module – fizic nu se deosebeşte de DIMM. Au fost
proiectate de firma Rambus în colaborare cu Intel, anunţate ca optime pentru Pentium 4 în
special pentru necesităţi de prelucrare video (discutabile). Capacităţile sunt de 128 şi 256 biţi
cu posibilităţi de extindere până la 1 sau 2 GB.

ROM – actualele ROM-uri (ROMBIOS) includ programele de autotestare a

componentelor lansate odată cu pornirea PC-ului şi driverele corespunzătoare fiecărei
componente începând cu placa de bază şi terminând cu mouse-ul.
Flash memory – driver care recunoaşte transferul de programe – permite totuşi
actualizarea cu noi drivere de echipamente nou instalate fără a necesita un voltaj mai înalt
pentru înscriere. Acesta însă va fi solicitat pentru blocul de boot-are.
Pentru 2004 sunt prevăzute apariţia unor module de memorie de tip MRAM şi FeRAM
ridicate într-o nouă tehnologie iniţial de 32MB pe modulul care să aibă timp de acces de 10 ns.

2.2. Memoria cache

Este mai important decât microprocesorul. Interpune un bloc de memorie rapidă SRAM
între microprocesor şi DRAM, iar un circuit special numit controller de cache încearcă să
menţină în cache datele sau instrucţiunile ce vor fi solicitate de memorie în momentul imediat
următor. Dacă informaţia solicitată se află la un moment dat în cache aceasta este furnizată,
fără a induce stări de aşteptare. Se creează totodată iluzia că întreaga memorie DRAM este
disponibilă la acelaşi timp de acces redus. Dacă informaţia solicitată nu se află în cache aceasta
va fi încărcată din DRAM, crescând astfel timpul de acces (este timpul real al DRAM – miss
cache)

2
 2.2.1. Configuraţia logică a memoriei cache

Există 3 moduri de configuraţie logică a memoriei cache:

- mapare directă – divide cache-ul în blocuri numite linii corespunzătoare limite de
încărcare folosite de microprocesoare. Se poate astfel adresa în multiplu de 16B numite
paragrafe, fiecare linie este identificată printr-un bit cu rol de index. Problema apare
atunci când se solicită adrese cu acelaşi index, adrese ce se află în blocuri de memorie
diferită. În aceasta situaţie, cache-ul necesită o reîmprospătare ceea ce echivalează cu
miss cache.
- asociativitate completă – este opusă mapării directe, fiecare linie va putea fi asociată
oricărui bloc de memorie, controller-ul de cache verifică adresele fiecărei linii pentru a
sesiza dacă solicitările microprocesorului sunt reuşite sau eşecuri. Această verificare
însă creşte timpul de acces.
- asociativitate pe set (N-way 2,4,8) - este o îmbinare ( compromis) între primele două
moduri. Cache-ul este împărţit în grupuri de blocuri numite seturi, fiecare fiind mapate
direct; se rezolvă astfel atât problema identificării prin indexul de linie care apare la
primul mod, cât şi verificarea solicitată de controller-ul de la modul 2.

2.2.2. Moduri de transfer la memoria cache

O modalitatea de-a reduce aşteptările este recurgerea la arhitecturi de cache, în mod

burst de transfer care elimină transmiterea unei adrese diferite pentru fiecare operaţie de
citire/scriere (referinţa este doar pentru adresele adiacente). Se poate reduce astfel timpul
de acces cu aproximativ 54%, dar acest lucru este valabil doar pentru scriere; citirea
neînregistrând reducerea timpului de acces. Pentru a elimina trimiterea unei adrese la fiecare
acces, modalitatea de transfer burst foloseşte un ceas intern ce numără fiecare adresă astfel
încât nu este necesară specificarea unei noi adrese, cât timp adresele sunt adiacente. Adresa
practic se incrementează automat prin intermediul unui numărător binar, sincron, modulo 16.
Monitorizarea solicitate de cache poate fi înlocuită cu o proiectare pipeline, care atinge
acelaşi nivel de performanţă. Un model SDRAM (cache) în mod burst organizat pipeline include
un registru suplimentar în care se află secvenţa de adrese care va fi citită, în timp ce registrul
păstrează datele citite; poate fi accesată următoarea adresă ce va fi activată pe pineline. După
citirea datelor din registru, pipeline poate descărca datele următoarei adrese, fiind astfel
pregătită pentru următoarea operaţie de citire.
Actual, memoria cache poate fi integrată chiar pe chip-ul microprocesorului (cache primar,
cache L1-level1) şi care are o capacitate de 16-64 Ko. Uneori este separat in cache de post
( pentru instrucţiunile programelor) şi cache pentru date. Primul fiind de tip write through
(acces simultan) şi al doilea write back. Există şi cache-ul secundar (cache L2) care poate fi
integrat pe chip-ul procesorului, ataşat chip-ului sau extern (cel de pe placa de bază). Pentru
cache-urile care au ataşate sau integrate cache-urile de L2, cache-urile de pe placa de bază
sunt cache-urile L3.

3
 2.3. Formate logice ale memoriei interne

Adresarea liniilor şi coloanelor urmate de transferul conţinutului consumă mult timp

chiar dacă operaţiile se multiplexează pe aceeaşi linie, eventual 2 linii sau căi de acces,
combinate cu imposibilitatea tehnologiei actuale care să facă memoria să aibă un timp de acces
sincronizat cu frecvenţa de lucru a microprocesoarelor; proiectanţii s-au orientat asupra
modului cum sunt procesate date interne  formatele logice ale memoriei interne.
FPM, EDO (Extended data …), BEDO (Burst EDO), EDRAM, CDRAM
Actualmente SDRAM – Synchronous DRAM
DDR SDRAM – Double Data Rate SDRAM
RDRAM – Rambus DRAM; DRDRAM – Dual RDRAM
VRAM (video RAM); WRAM (Windows RAM); SGRAM

SDRAM – are o interfaţă reproiectată pentru a putea accesa date la fiecare ciclu de
ceas, terminând astfel adresarea normală care multiplexează operaţiile prin ciclu alternante.
Chip-urile de SDRAM pot să adreseze o adresă înainte de încheierea procesării adresei
precedente. O linie de acces se asociază cu o pagină de memorie, timpul de acces la nivelul unei
pagini este de aproximativ 10 ms, dacă se modifică pagina timpul de acces se măreşte cu timpul
necesar pentru încărcarea a noii adrese ( 50ms). SDRAM este optim funcţional pentru o
frecvenţă a magistralei (FSB) de 100 Mhz ( peste 100 sunt nesigure).
DDR – dublarea ratei de transfer sunt optime pentru o frecvenţă a magistralei de 200
MHz. Această dublare se obţine prin activarea unui semnal atât pe frontul crescător al ciclului
de ceas, cât şi pe cel descrescător (montarea în cascadă a 2 circuite basculante instabile sub
forma de master-slave). În 2002 în paralel cu DDR RAM au apărut DDR II , care lucra la o
frecvenţă de 400 MHz, lucru realizat prin transferul a 2 biţi pe frontul crescător şi 2 biţi pe
frontul descrescător, la concurenţă cu formatele RDRAM. În acest an se aşteaptă apariţia lui
DDR II, sub formă dePC5400 şi PC6200.
RDRAM – colaborare realizată între Intell şi firma Rambus, care să lucreze la o
frecvenţă de 400 MHz; un modul RIMM, având o rată de transfer de 800 MBps. Au fost
proiectate să lucreze optim cu Pentium 4. Eficiente în cadrul prelucrărilor video, deoarece
RDRAM-urile se implementează sub forma a 2 module cu căi independente de acces rata de
transfer ajungea la 1,6 Gbps. Dacă se utilizează 2 canale RDRAM rezultă o rată de 3,2 GBps;
iar modelul de memorie DRDRAM (vezi I850).

O categorie aparte de memorie sunt memoriile video (VRAM) proiectate de la început cu

2 căi de acces (porturi). Primul permite accesarea oricărui punct de pe ecran (pixel =
intersecţia dintre linie şi coloană); al doilea scanează imaginea secvenţial de 75 de ori pe
secundă.
Firma Samsung a elaborat o memorie video numită WRAM, ce au la bază module de
memorie format 512x512 (=8MB), proiectate să asiste interfeţele grafice Windows.