Eléctricos
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL
FA C U LTA D D E I N G E N I E R Í A E L É C T R I C A Y E L E C T R Ó N I C A
D E PA R TA M E N TO D E A U TO M AT I Z A C I Ó N Y C O N T R O L I N D U S T R I A L
DR.-ING. ANDRÉS ROSALES A.
Circuitos
Eléctricos
Efecto fotoeléctrico (Ciertos materiales emiten electrones al incidir la luz sobre su superficie)
𝑣2
𝑉 𝑣 =𝑅∙𝑖 𝑝= 𝑝 = 𝑖 2𝑅
Ω = 𝑅
𝐴
𝑖𝑛 = 0 𝑣𝑚 = 0
𝑅𝑒𝑞 = 𝑅1 + 𝑅2
1 1 1
= +
𝑅𝑒𝑞 𝑅1 𝑅2
𝑅1
𝑖2 = 𝑖 ∙
𝑅1 + 𝑅2
Divisor de Corriente
𝑅2
𝑖1 = 𝑖 ∙
𝑅1 + 𝑅2
𝐶𝑒𝑞 = 𝐶1 + 𝐶2 + 𝐶3 + ⋯ + 𝐶𝑛 1 1 1 1 1
= + + +⋯+
𝐶𝑒𝑞 𝐶1 𝐶2 𝐶3 𝐶𝑛
1 1 1 1 1 𝐿𝑒𝑞 = 𝐿1 + 𝐿2 + 𝐿3 + ⋯ + 𝐿𝑛
= + + +⋯+
𝐿𝑒𝑞 𝐿1 𝐿2 𝐿3 𝐿𝑛
𝑣𝐶 𝑉 − 𝑣𝑅 − 𝑣𝐶 = 0 𝑉 = 𝑣𝑅 + 𝑣𝐶
𝑉 𝑖 1 𝑑𝑉 𝑑𝑖 1 𝑑𝑖 1
𝑉 = 𝑖𝑅 + න 𝑖𝑑𝑡 = 𝑅 +𝑖 𝑅 = −𝑖
𝐶 𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝐶 𝑑𝑡 𝐶
𝑑𝑖 1 1 1
− 𝑅𝐶 𝑡
=− 𝑑𝑡 𝑙𝑛 𝑖 = − 𝑡 𝑖 = 𝐾𝑒
𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑡 = 0: 𝑖 𝑅𝐶 𝑅𝐶
𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑡 < 0:
𝑖=0 𝑉 𝑉 𝑉 𝑉 − 1𝑡
𝑖= 𝑖 0 = 𝐾𝑒 0 = 𝐾= 𝑖 = 𝑒 𝑅𝐶
𝑣𝐶 = 0 𝑅 𝑅 𝑅 𝑅
𝑣𝐶 = 0 1 1
𝑣𝑅 = 0 𝑣𝑅 = 𝑖𝑅 = 𝑉𝑒 − 𝑅𝐶 𝑡
𝑣𝐶 = 𝑉 − 𝑣𝑅 = 𝑉 1 − 𝑒 − 𝑅𝐶 𝑡
𝑣𝑅 = 𝑉
1
− 𝑅𝐶 𝑡
𝑣𝑅 = 𝑉𝑒
1
− 𝑅𝐶 𝑡
𝑣𝐶 = 𝑉 1 − 𝑒
𝑉 − 1𝑡
𝑖 = 𝑒 𝑅𝐶
𝑅
Velocidad de carga y
𝜏 = 𝑅𝐶
descarga del capacitor
𝑑𝑖ℎ 𝑅 𝑅 𝑅
= 𝑑𝑡 𝑙𝑛 𝑖ℎ = 𝑡 𝑖ℎ = 𝐾𝑒 𝐿 𝑡
𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑡 = 0: 𝑖ℎ 𝐿 𝐿
𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑡 < 0:
𝑖=0 𝑖=0 𝑉 𝑉 𝑉 𝑅
− 𝐿𝑡
𝑖 = 𝑖ℎ + 𝑖𝑝 𝑖 0 = 𝐾𝑒 0 + 𝐾=− 𝑖= 1−𝑒
𝑅 𝑅 𝑅
𝑣𝐿 = 0 𝑣𝐿 = 𝑉
𝑅 𝑅
𝑣𝑅 = 0 𝑣𝑅 = 0 𝑣𝑅 = 𝑖𝑅 = 𝑉 1 − 𝑒 − 𝐿𝑡
𝑣𝐿 = 𝑉 − 𝑣𝑅 = 𝑉𝑒 − 𝐿𝑡
𝑉 𝑖
𝑅
− 𝐿𝑡
𝑣𝑅 = 𝑉 1 − 𝑒
𝑅
− 𝐿𝑡
𝑣𝐿 = 𝑉𝑒
𝑉 𝑅
− 𝐿𝑡
𝑖= 1−𝑒
𝑅
𝐿 Velocidad de carga y
𝜏= descarga del inductor
𝑅
𝑣𝐶
𝑉 𝑖 𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑡 > 0:
𝑉 − 𝑣𝑅 − 𝑣𝐿 − 𝑣𝐶 = 0 𝑉 = 𝑣𝑅 + 𝑣𝐿 + 𝑣𝐶
𝑣𝐿
𝑅 𝑅2 4
𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑡 < 0: 𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑡 = 0: 𝑉 − − −
𝐿 𝐿2 𝐿𝐶
𝑖 = cos 𝑡
𝑖=0 𝑖=0 𝐿 2
𝑣𝐿 = 0 𝑣𝐿 = 𝑉
𝑣𝑅 = 0 𝑣𝑅 = 0
𝑣𝐶 = 0 𝑣𝐶 = 0
𝑅1 + 𝐼3 𝑅5
−𝑉1 − 𝑉2 + 𝑉3 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 −𝑅3 −𝑅2 𝐼𝐴
𝑛4 −𝑉3 − 𝑉4 − 𝑉5 = −𝑅3 𝑅3 + 𝑅4 + 𝑅5 −𝑅4 𝐼𝐵
+𝑉6 + 𝑉4 + 𝑉2 −𝑅2 −𝑅4 𝑅6 + 𝑅4 + 𝑅2 𝐼𝐶
𝐼2 𝑛2 𝐼4 Nodo 𝑛1
𝑛1 𝑛3
Nodo 𝑛2
𝑉𝑛1 𝐼𝑅2 𝑉𝑛3 Método de los voltajes de nodo
𝑅2 𝑅4 𝐼𝑅4 Nodo 𝑛3
𝐼𝑅1 𝐼𝑅3 𝐼𝑅5 Nodo 𝑛4
𝑅1 𝑅5 1 1 1 1 1
𝐼1 𝐼3 𝐼5 + + − −
𝑅3 𝑅1 𝑅2 𝑅6 𝑅2 𝑅6
+𝐼1 − 𝐼2 − 𝐼6 𝑉𝑛1
1 1 1 1 1
+𝐼2 + 𝐼4 − 𝐼3 = − + + − 𝑉𝑛2
𝑛4 −𝐼4 − 𝐼5 + 𝐼6 𝑅2 𝑅2 𝑅3 𝑅4 𝑅4
𝑉𝑛3
1 1 1 1 1
Nodo de referencia − − + +
𝑅6 𝑅4 𝑅4 𝑅5 𝑅6
2
𝑉𝑇ℎ 𝑉𝑇ℎ
𝑖= 𝑃 = 𝑖 2𝑅 = 𝑅
𝑅𝑇ℎ + 𝑅𝐿 𝑅𝑇ℎ + 𝑅𝐿
2
𝑑𝑃 𝑑 𝑉𝑇ℎ
= 𝑅 𝑅𝑇ℎ = 𝑅𝐿
𝑑𝑅 𝑑𝑅 𝑅𝑇ℎ + 𝑅𝐿
𝑉𝑇ℎ 2 𝐼𝑁 2 𝑅𝑁
𝑃= = 𝑃 = 𝑖 2 𝑅𝐿 + 𝑖 2 𝑅𝑇ℎ
4𝑅𝑇ℎ 4
𝑃𝑆 𝑃𝑆 potencia de salida
𝜂= = =
𝑃𝐸 𝑃𝑆 + 𝑃𝑃 potencia de salida + potencia perdida
𝑦 𝑡 = 𝑦 𝑡 + 𝑛𝑇
T 𝑇 = periodo
𝑛 = 1, 2, 3, …
El valor instantáneo
1 𝑇 1 𝑇
𝑦𝑚 = න 𝑦 𝑡 𝑑𝑡 es el valor de la señal 𝑦𝑒𝑓 = න 𝑦 𝑡 2 𝑑𝑡
𝑇 0 en cualquier instante 𝑇 0
𝑣 𝑡 = 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡
2𝜋
𝑣 𝑡 + 𝑇 = 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔 𝑡 + 𝑇 = 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔 𝑡 + = 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 + 2𝜋 = 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 = 𝑣 𝑡
𝜔
𝑣 𝑡 = 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡
𝑣 𝑡 𝑉𝑚
𝑣 𝑡 =𝑅∙𝑖 𝑡 →𝑖 𝑡 = = 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 = 𝐼𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 → 𝑖 𝑡 = 𝐼𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡
𝑅 𝑅
𝑣 𝑡 = 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡
𝑑𝑖 𝑡 1 1 1 1
𝑣 𝑡 =𝐿 → 𝑖 𝑡 = න 𝑣 𝑡 𝑑𝑡 = න 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 𝑑𝑡 = − ∙ 𝑉 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 → 𝑖 𝑡 = − ∙ 𝑉 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 − 90°
𝑑𝑡 𝐿 𝐿 𝜔𝐿 𝑚 𝜔𝐿 𝑚
𝑣 𝑡 = 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡
1 𝑑𝑣 𝑡 𝑑 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡
𝑣 𝑡 = න 𝑖 𝑡 𝑑𝑡 → 𝑖 𝑡 = 𝐶 =𝐶 = 𝜔𝐶 ∙ 𝑉𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 → 𝑖 𝑡 = 𝜔𝐶 ∙ 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 + 90°
𝐶 𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑅𝑉𝑚
𝑣𝑅 = 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 + 𝜑
2
1
𝑣 𝑡 = 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 𝑅2 + 𝜔𝐿 − 𝜔𝐶
𝜔𝐿 𝑉𝑚
𝑣𝐿 = 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 + 𝜑 + 90°
𝑣 = 𝑣𝑅 + 𝑣𝐿 + 𝑣𝐶 1 2
𝑅2 + 𝜔𝐿 − 𝜔𝐶
−1 𝑉
𝑑𝑖 𝑡 1 𝜔𝐶 𝑚
𝑣 𝑡 = 𝑅𝑖 𝑡 + 𝐿 + + න 𝑖 𝑡 𝑑𝑡 𝑣𝐶 = 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 + 𝜑 − 90°
2
𝑑𝑡 𝐶 1
𝑅2 + 𝜔𝐿 − 𝜔𝐶
𝑉𝑚 𝑉𝑚 𝐕 𝐕 1
𝐕 = → 𝐈 = = +jω𝐿 = 𝑋𝐿 = −j = 𝑋𝐶
2 𝑅 2 𝐈 𝐈 ω𝐶
reactancia inductiva reactancia capacitiva
V V I
0° I -90° +90°
I V
1 1 1 1
𝑍 = 𝑅 + 𝑗𝑋𝐿 − 𝑗𝑋𝐶 Inmitancia
𝑌= = + −
𝑍 𝑅 𝑗𝑋𝐿 𝑗𝑋𝐶
Impedancia
Admitancia
1 1
𝑌= = = 𝐺 + 𝑗𝐵
𝑍 𝑅 + 𝑗𝑋
1 𝐈 1 1 1
= = + + ⋯+
𝑍𝑒𝑞 𝐕 𝑍1 𝑍2 𝑍𝑁
𝐈2 𝑛2 𝐈4 𝐈 = 𝑌 𝐕
𝑛1 𝑛3
𝐕𝑛1 𝐕𝑛3
𝐈𝑍2 𝐈𝑍4 𝐈11 𝑌11 −𝑌12 −𝑌13 ⋯ −𝑌1𝑛 𝐕𝑛1
𝑍2 𝑍4
𝐈22 −𝑌21 𝑌22 −𝑌23 ⋯ −𝑌2𝑛 𝐕𝑛2
𝐈𝑍1 𝐈𝑍3 𝐈𝑍5
𝐈33 = −𝑌31 −𝑌32 𝑌33 ⋯ −𝑌3𝑛 𝐕𝑛3
𝑍5 ⋮ ⋮ ⋮ ⋮ ⋱ ⋮ ⋮
𝑍1
𝐈1 𝐈3 𝐈5 𝐈𝑛𝑛 −𝑌𝑛1 −𝑌𝑛2 −𝑌𝑛3 ⋯ 𝑌𝑛𝑛 𝐕𝑛𝑛
𝑍3
Matriz simétrica
𝑛4
Nodo de referencia
𝑖 𝑡 = 𝐼𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜃𝑖
𝑉𝑚 𝐼𝑚 𝑉𝑚 𝐼𝑚
𝑝 𝑡 = 𝑣 𝑡 ∙ 𝑖 𝑡 = 𝑉𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜃𝑣 ∙ 𝐼𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜃𝑖 = 𝑐𝑜𝑠 𝜃𝑣 − 𝜃𝑖 + 𝑐𝑜𝑠 2𝜔𝑡 + 𝜃𝑣 + 𝜃𝑖
2 2
Cuando la potencia instantánea p(t) es positiva, el circuito absorbe potencia. Cuando p(t) es negativa,
la fuente absorbe potencia; es decir, se transfiere potencia del circuito a la fuente. Esto es posible a
causa de los elementos de almacenamiento (capacitores e inductores) en el circuito.
𝑣 𝑡 = 𝑉𝑚 cos 𝜔𝑡 + 𝜃𝑣
𝑖 𝑡 = 𝐼𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜔𝑡 + 𝜃𝑖
Cuando 𝜃𝑣 = 𝜃𝑖 la tensión y la corriente están en fase, Cuando 𝜃𝑣 − 𝜃𝑖 = ±90° la tensión y la corriente tienen
esto implica un circuito puramente resistivo o carga un desfase, se tiene un circuito puramente reactivo (que
resistiva R (absorbe potencia todo el tiempo), y por tanto: no absorbe potencia en promedio), y por tanto:
1 𝑉𝑚2 1 2 Potencia 1
𝑃 = 𝑉𝑚 𝐼𝑚 = = 𝑅𝐼 𝑃= 𝑉 𝐼 𝑐𝑜𝑠 ±90° = 0
2 2𝑅 2 𝑚 Promedio 2 𝑚𝑚
1 𝑉𝑚 𝐼𝑚
𝑃 = 𝑉𝑚 𝐼𝑚 = = 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝐼𝑟𝑚𝑠
2 2 2
𝑣 𝑡 = 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡
𝑝 𝑡 =𝑣 𝑡 ∙𝑖 𝑡
𝑖 𝑡 = 𝐼𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡
𝑉𝑚2 2
𝑉𝑚2 1 − 𝑐𝑜𝑠 2𝜔𝑡
𝑝 𝑡 = 𝑣 𝑡 ∙ 𝑖 𝑡 = 𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 ∙ 𝐼𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 = 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 =
𝑅 𝑅 2
𝑉𝑚 𝐼𝑚 𝑉𝑚 𝐼𝑚
𝑃= 𝑐𝑜𝑠 𝜃𝑣 − 𝜃𝑖 = 𝑐𝑜𝑠 𝜃𝑖 − 𝜃𝑣
2 2
1 𝑇 1 𝑇 𝑉𝑚 𝐼𝑚 𝜋
𝑃 = න 𝑝 𝑡 𝑑𝑡 = න 𝑉𝑚 𝐼𝑚 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 − 𝜑 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 𝑑𝑡 = න 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 − 𝜑 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 𝑑𝑡
𝑇 0 𝑇 0 𝜋 0
1
𝑃 = 𝑉𝑚 𝐼𝑚 𝑐𝑜𝑠 𝜑 = 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝐼𝑟𝑚𝑠 𝑐𝑜𝑠 𝜑 = 𝐕 𝐈 𝑐𝑜𝑠 𝜑
2
𝐙 = 𝑅 + 𝑗𝑋
2
𝑉𝑚 𝐼𝑚
𝑃 = 𝐼𝑟𝑚𝑠 𝑅 = 𝑅𝑒 𝐒 = 𝑐𝑜𝑠 𝜃𝑣 − 𝜃𝑖 = 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝐼𝑟𝑚𝑠 𝑐𝑜𝑠 𝜑
2 𝑅 + 𝐼 2 𝑗𝑋 = 𝑃 + 𝑗𝑄 2
𝑆 = 𝐼𝑟𝑚𝑠 𝑟𝑚𝑠
2 𝑋 = 𝐼𝑚 𝐒 =
𝑉𝑚 𝐼𝑚
𝑄 = 𝐼𝑟𝑚𝑠 𝑠𝑒𝑛 𝜃𝑣 − 𝜃𝑖 = 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝐼𝑟𝑚𝑠 𝑠𝑒𝑛 𝜑
2
𝑆 = 𝐒 = 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝐼𝑟𝑚𝑠 = 𝑃2 + 𝑄2
𝑃 𝑃
Factor de potencia = =𝑉 = 𝑐𝑜𝑠 𝜃𝑣 − 𝜃𝑖 = 𝑐𝑜𝑠 𝜑
𝑆 𝑟𝑚𝑠 𝐼𝑟𝑚𝑠
𝑄1 = 𝑆1 𝑠𝑒𝑛 𝜃1 𝑄2 = 𝑆2 𝑠𝑒𝑛 𝜃2
𝑄1 = 𝑃1 𝑡𝑎𝑛 𝜃1 𝑄2 = 𝑃2 𝑡𝑎𝑛 𝜃2
𝑄𝐶 = 𝑄1 − 𝑄2 = 𝑃 𝑡𝑎𝑛 𝜃1 − 𝑡𝑎𝑛 𝜃2
2
𝑉𝑟𝑚𝑠
𝑄𝐶 = = 𝑃 𝑡𝑎𝑛 𝜃1 − 𝑡𝑎𝑛 𝜃2
𝑋𝐶
2
1 𝑉𝑟𝑚𝑠
𝑋𝐶 = =
𝜔𝐶 𝑃 𝑡𝑎𝑛 𝜃1 − 𝑡𝑎𝑛 𝜃2
1 2 1 𝐕𝑇ℎ 2 𝑅𝐿
𝑃 = 𝐈 𝑅𝐿 =
2 2 𝑅𝑇ℎ + 𝑅𝐿 𝟐 + 𝑋𝑇ℎ + 𝑋𝐿 2
∗
𝑍𝐿 = 𝑅𝐿 + j𝑋𝐿 = 𝑅𝑇ℎ − j𝑋𝑇ℎ = 𝑍𝑇ℎ
𝐕𝑇ℎ 2
𝑃𝑚𝑎𝑥 =
8𝑅𝑇ℎ
𝑑𝜑 𝑑𝜑 𝑑𝑖
𝑣= →𝑣=𝑁 =𝐿
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑑𝜑
N: número de espiras de la bobina →𝐿=𝑁
𝑑𝑖
Inductancia propia
𝑑𝑖1 𝑑𝑖2
𝑣1 = 𝑖1 𝑅1 + 𝐿1 +𝑀 𝐕 = 𝐙1 + 𝑗𝜔𝐿1 𝐈1 − 𝑗𝜔𝑀𝐈2
𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑑𝑖2 𝑑𝑖1
𝑣2 = 𝑖2 𝑅2 + 𝐿2 +𝑀 0 = 𝐙𝐿 + 𝑗𝜔𝐿2 𝐈2 − 𝑗𝜔𝑀𝐈1
𝑑𝑡 𝑑𝑡
1 2 1 2 Energía almacenada en
𝑤𝑇 = 𝑤1 + 𝑤2 = 𝑀𝐼1 𝐼2 + 𝐿𝐼1 + 𝐿𝐼2 un circuito acoplado
2 2
0 = 𝐙𝐿 + 𝑅2 + 𝑗𝜔𝐿2 𝐈2 − 𝑗𝜔𝑀𝐈1
𝐕 𝜔2 𝑀 2
𝐙𝑒𝑛𝑡 = = 𝑅1 + 𝑗𝜔𝐿1 + = 𝑅1 + 𝑗𝜔𝐿1 + 𝐙𝑅
𝐈1 𝐙𝐿 + 𝑅2 + 𝑗𝜔𝐿2
𝜔2 𝑀 2
𝐙𝑅 = Impedancia reflejada
𝐙𝐿 + 𝑅2 + 𝑗𝜔𝐿2
Monofásico
Trifásico
Bifásico