BAB I

PENDAHULUAN

1.1.Rasionalisasi Pentingnya CBR

Dalam Critical Book Review ini mahasiwa dituntut untuk mengkritisi sebuah buku,
dan meringkas menjadi satu kesatuan yang utuh sehingga dapat dipahami oleh mahasiswa
yang melakukan critical book report ini, termasuk didalamnya mengerti akan kelemahan dan
keunggulan dari buku yang akan dikritisi.
Pembuatan tugas Critical Book Review ini juga melatih,menambah,serta menguatkan
pemahaman mahasiswa betapa pentingnya mengkritikalisasi suatu karya berdasarkan data
yang faktual sehingga dengan begitu tercipta lah mahasiswa-mahasiswa yang berkarakter
logis serta analisis sehingga dengan bertambahnya era yang semakin maju yang seperti kita
tahu sekarang dijaman MEA (Masyarakat Ekonomi Asean) dituntut menciptakan masyarakat
yang berpikir maju kedepan dalam hal ini generasi-generasi bangsa yang saat ini sedang
mengikuti jenjang pendidikan baik yang rendah sampai yang tinggi menjadi ujung tombak
perubahan yang akan menciptakan bangsa yang maju dan sejahtera.

1.2.Tujuan Penulisan CBR

1.Untuk memenuhi tugas pada mata kuliah Elektronika Dasar.

2.Menambah wawasan dan Pengetahuan penulis dan pembaca mengenai Dioda
Semikonduktor.
3.Meningkatkan kemampuan mahasiswa dalam meringkas,menganalisa dan membandingkan
serta memberikan kritik pada suatu buku berdasarkan fakta yang ada.
4.Menguatkan pemahaman pembaca betapa pentingnya mempelajari Elektronika Dasar.

1.3.Manfaat CBR

Bagi penulis :

Penulis menjadi lebih memahami secara keseluruhan mengenai cakupan materi dioda
semikonduktor dan bentuk implementasinya didalam sistem pendidikan yang ada berkat
menuntaskan tugas Critical Book Review ini. tugas ini juga bermanfaat langsung dalam
melatih penulis dalam hal ini kami sebagai mahasiswa menjadi lebih terbiasa dalam
meringkas isi suatu buku,lalu membandingkannya dengan buku yang relevan setelah itu
menganalisa demi menemukan kelemahan dan kelebihan dari buku yang telah kami
kritikalisasi.

Bagi pembaca :
Pembaca,dalam hal ini siapapun yang membaca hasil dari tugas Critical Book Review
ini,mulai dari kalangan akademitas hingga masyarakat umum menjadi lebih paham
mengenasi elektronika dasar yang mencakup materi dioda semikonduktor.
 BAB II
PEMBAHASAN

2.1. Identitas Buku

Judul Buku : Elektronika Dasar dan Penerapannya
Penulis : Sutrisno
Penerbit : Institut Teknologi Bandung (ITB)
Tahun Terbit : 1986
Kota Terbit : Bandung
Jumlah Halaman : 197 halaman
Ukuran Buku : 21 cm
ISBN : 979-8001-01-x

2.2 Ringkasan Isi / Materi Buku

DIODA SEMIKONDUKTOR
Dioda adalah komponen elektrolit yang dapat melewatkan arus pada satu arah saja.Ada
berbagaim macam dioda, yaitu dioda tabung, dioda sambungan p-n, dioda kontak titik (poin-
contact diode) dan sebagainya.
Dioda memegang peranan yang amat penting dalam elektronika, diantaranya adalah
untuk menghasilkan tegangan searah dari tegangan bolak-balik, untuk mengesan gelombang
radio, untuk membentuk berbagai gelombang isyarat, untuk mengatur tegangan searah agar
tidak berubah dengan beban maupun dengan perubahan tegangan jala-jala (PLN), untuk
saklar elektrolik, LED, laser semikonduktor, mengesan gelombang mikro dan lain-lain.

SAMBUNGAN P-N
Bentuk dioda yang lazim digunakan terdiri dari semikonduktor jenis p yang bersambung
dengan semikonduktor jenis-n. Penyambungan ini dilakukan waktu penumbuhan kristal.
Katoda anoda anoda katoda

p n

(a) (b)
Gambar 1.1. (a) susunan dioda sambungan p-n (b) Lambbang dioda
Gambar (a) muatan listrik dalam bahan semikonduktor jenis-p. (b) muatan listrik dalam semikonduktor jenis-n

Tanda + dan – dalam kotak persegi menyatakan pembawa mutan intrinsik. Yaitu
berasal dari ikatan kovalen atom silikon , yang menjadi bebas oleh karna eksitasi termal.
Pembawa muatan yang lain adalah muatan bebas yaitu lubang yang dihasilkan oleh atom
akseptor pada bahan jenis-p, dan elektron bebas yang berasal dari atom donor. Pembawa
muatan bebas ini adalah pembawa muatan ekstrinsik.
Bila bahan jenis-p bersambung dengan bahan berjenis-n, dalam gambar ditunjukkan
elektron bebas pada bahan jenis-n akan berdifusi melalui sambungan, masuk kedalam bahan
jenis p, dan terjadi rekombinasi dengan lubang-lubang yang ada dalam jenis bahan p.
Sebaliknya juga terjadi, yaitu lubang bahan p berdifusi masuk ke dalam bahan n, dan
berkombinasi dengan elektron dan saling meniadakan muatan. Akibatnya, tepat pada saat
sambungan p-n terjadi daerah tanpa mutatan bebas, yang disebut daerah pengosongan
(depletion region). Oleh karna muatan positif terpisah dengan muatan negatif, maka dalam
daerah pengosongan terjadi medan listrik, yang melawan proses difusi selanjutnya. Dengan
adanya medan listrik ini terjadi beda potensial listrik (bukit potensial) antara bagian p dan
bagian n dalam daerah pengosongan . Hubungn antara kuat medan listrik E dan potensial
−𝑑𝑉
listrik V diberikan oleh hubungan E= 𝑑𝑥 , yaitu negatif dari kemiringan grafik V(x)

Sebaran, muatan, kuat medan listrik, dan potensial listrik pada sambunga p-n
dilukiskan dalam

(a)
 p

+ x
- x=0

(b)

x=0 X

(b)

x=0 𝑣ℎ𝑜

(c)

Gambar: (a) sambungan p-n. (b) sebaran rapat muatan (ρ). (c) sebaran kuat medan listrik E (d) sebaran
potensial V; 𝑣ℎ𝑜 = bukit potensial.

Antara ujung bahan-p dan bahan-n dihubungkan dengan suatu baterai dengan bahan-p
dihubungkan dengan kutub positif dan bahan-n dihubungkan dengan kutub negatif. Pada
keadaan ini dikatakan sambungan p-n diberi panjar maju.

p + - n
𝑉𝑏𝑎𝑡

Dengan diberi panjar maju, bukit potensial ( 𝑉ℎ ) menjadi kurang daripada tinggi dengan bukit
potensial tegangan ( 𝑉ℎ𝑜 ). Dengan berkurangnya tinggi bukit potensial elektron dari bagian-n
dan lubang bagian p mudah menyebrang, sehingga terjadi aliran listrik.
+ -
P n
- ++
- ++
- - ++
-- ++
 v

𝑉ℎ = 𝑉ℎ𝑜 − 𝑉𝑏𝑎𝑡 X
0 𝑉𝑏𝑎𝑡

Gambar : sebaran potensial listrik jika diberi dioda panjar maju.

Jika kutub positif dihubungan dengan bagian kutub n dan kutub negatif baterai dengan
bagian p, dikatakan sambungan p-n diberi panjar mundur.

𝑉𝑏𝑎𝑡
- +
p n
+ +
+ +
+ +
v

𝑉𝑏𝑎𝑡 x

𝑉ℎ = 𝑉ℎ𝑜 + 𝑉𝑏𝑎𝑡

Gambar 1.7 sebaran potensial pada sambungan pn dengan pamjar mundur

CIRI DIODA SAMBUNGAN P-N

Ciri (karakteristik) dioda adalah hubungan antara arus dioda dan beda tegangan antara kedua
ujung dioda. Untuk sambungan p-n, lengkung cirinya yaitu:
𝑖𝐷

𝑉𝑃𝐼𝑉 𝑣𝐷
- 0 𝑣𝑝𝑜𝑡𝑜𝑛𝑔 +
Arus penjenuhan
 Jika dioda diberi tegangan maju, yaitu 𝑣𝐷 > 0, arus 𝑖𝐷 mula-mula mempunyai nilai
𝑣𝐷 ≅ 0, sehingga 𝑣𝐷 = 𝑣𝑝𝑜𝑡𝑜𝑛𝑔 , setelah mana arus dioda naik dengan cepatnya terhadap
perubahan tegangan dioda 𝑣𝐷 . Untuk dioda silikon 𝑣𝑝𝑜𝑡𝑜𝑛𝑔 ≅ 0,6 𝑉 sedangkan untuk dioda
germanium 𝑣𝑝𝑜𝑡𝑜𝑛𝑔 ≅ 0,3 𝑉 . pada tegangan mundur arus yang mengalir amat kecil, dan
sampai batas-batas tertentu tak bergantung pada tegangan dioda. Arus ini terdiri dari arus
pembawa muatan minoritas, mengalir dari anoda ke katoda, dan disebut arus penjenuhan
dioda. Pada tegangan mundur tertentu lengkung ciri turun dengan curam, dikatakan terjadi
kedadalan (breakdown).

PERSAMAAN DIODA
Pada tegangan maju bukit potensial sambungan p-n berkurang yaitu menjadi 𝑉ℎ =
𝑉ℎ0 − 𝑉. Disini 𝑉ℎ0 adalah tinggi bukit potensial tanpa panjar, dan V adalah beda tegangan
pada diode. Sesuai dengan statistic Boltzman, banyaknya electron pada bagian Pyang
mempunyai energy di atas 𝑉ℎ sebanding dengan 𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇 atau secara matematik 𝑛𝑝 =
𝑛𝑛 𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇
Dengan,
𝑛𝑛 adalah rapat electron dari bagian n,
q adalah muatan electron,
k tetapan Boltzman
T adalah suhu dalam kelvin
Begitu juga halnya dengan lubang. Jika rapat lubang pada bagian p adalah 𝑝𝑝 maka
rapat lubang 𝑝𝑛 yang dapat berdifusi ke bagian n adalah
𝑝𝑛 = 𝑝𝑝 𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇
Arus yang disebabkan difusi pembawa muatan 𝑛𝑝 dan 𝑝𝑛 disebut arus injeksi. Besar
arus injeksi 𝐼𝐼 adalah :
𝐼𝐼 = 𝐾(𝑛𝑝 + 𝑝𝑛 ) = 𝐾(𝑁𝑑 + 𝑁𝑎 )𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇
𝑁𝑑 adalah rapat atom donor, dan 𝑁𝑎 rapat atom akseptor. Karena 𝑁𝑑 dan 𝑁𝑎
merupakan tetapan, arus injeksi 𝐼𝐼 dapatlah ditulis sebagai:
𝐼𝐼 = 𝐾′𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇
= 𝐾′𝑒 −𝑞(𝑉ℎ +𝑉)/𝑘𝑇
Kita dapat menyatakan tetapan K’ dengan arus penjenuhan 𝐼𝑠 , yaitu arus yang
mengalir jika diode diberi tegangan mundur. Kita tahu bahwa tanpa teganganarus diode
adalah nol, karena pada keadaan ini arus injeksi sama dengan arus penjenuhan, tetapi
berlawanan arah. Hal ini berarti
𝐼𝐼 (𝑉 = 0) = −𝐼𝑠 = 𝐾′𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇 atau 𝐾′ = −𝐼𝑠 𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇
Akibatnya dapat ditulis dengan :
𝐼𝐼 = −𝐼𝑠 𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇 𝑒 −𝑞(𝑉ℎ +𝑉)/𝑘𝑇 atau 𝐼𝐼 = −𝐼𝑠 𝑒 −𝑞𝑉/𝑘𝑇
Arus total yang mengalir dalam keadaan tegangan maju adalah :
𝑞𝑉
𝐼 = 𝐼𝐼 + 𝐼𝑆 = −𝐼𝑠 𝑒 𝑘𝑇 − 1

PENGARUH SUHU PADA LENGKUNG CIRI DIODA

Perubahan suhu menyebabkan terjadinya perubahan bentuk lengkung ciri seperti di
tunjukan pada gambar 4.11

Tampak pengaruh suhu terhadap lengkung ciri dioda terdapat pad tegangan potong
dan arus penjenuhan. jika suhu dinaikkan, tegangan berkurang, tetapi arus penjenuhan
bertambah, dan kemiringan lengkung pada tegangan mundur pun bertambah. pengaruh suhu
oleh fungsi ekponensial 𝑒 𝑞𝑉ℎ/𝑘𝑇 yang berasal dari arus injeksi tidaklah terlalu besar.
Kenaikan suhu menaikkan pula eksitansi termik, sehingga rapat elektron intrinsik 𝑛𝑖
bertambah. Dengan terjadinya rekomendasi, berlakunya hubungan 𝑝𝑛 = 𝑝𝑖 2 dengan p
adalah rapat lubang ekstrinsik. akibatnya pada bagian n berlaku
𝑛𝑖 2 𝑛𝑖 2
𝑝𝑛 = ≅ dan pada bagian p berlaku
𝑛𝑛 𝑁𝑑

𝑛𝑖 2 𝑛𝑖 2
𝑛𝑝 = ≅
𝑝𝑝 𝑁𝑎

maka rapat arus penjenuhan

1 1
𝐽𝑠 ≅ 𝐶 (𝑝𝑛 + 𝑛𝑝 ) = 𝐶𝑛𝑖 2 (𝑁 + ) = 𝐶 ′ 𝑛𝑖 2
𝑑 𝑁𝑎

C dan C adalah tetapan. akan tetapi pada suhu T 𝑛𝑖 2 = 𝐵 2 𝑇 2 𝑒 − 𝐸𝑔 /𝑘 𝑇

B adalah tetapan, dan 𝐸𝑔 adalah lebar celah pita. laju perubahan 𝐽𝑠 terhadap suhu dapat
diperoleh dengan mengambil diferensial 𝐽𝑠 (𝑇) terhadap suhu T,
 𝑑𝐽𝑠 𝑑 𝐸𝑔
= (𝐶𝐵 2 𝑇 3 𝑒 −𝑘𝑇 )
𝑑𝑇 𝑇
3 𝐸𝑔
= 𝐶𝐵 2 ( + ) 𝑇 3 𝑒 −𝐸𝑔 /𝑘𝑇
𝑇 𝑘𝑇 2
perubahan relatif 𝐽𝑠 terhadap suhu menjadi
1 𝑑𝐽𝑠 3 𝐸𝑔
= + 2
𝐽𝑠 𝑑𝑇 𝑇 𝑘𝑇

GARIS BEBAN PADA RANGAKAIAN DIODA

Jika pada rangkaian diberi tegangan𝑉𝐷𝐷 dan hambatan sebesar 𝑅𝐿 , bagaimanakah cara
kita menentukan arus 𝑖𝐷 dan tegangan 𝑉𝐷 ? Satu cara yang dapat ditempuh adalah dengan
menggunakan lengkung ciri diode, yaitu arus dioda 𝑖𝐷 dinyatakan sebagai fungsi 𝑉𝐷 . Kita
menggunakan hokum Kirchoff

𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷 + 𝑖𝐷 𝑅𝐿
𝑉𝐷 𝑉𝐷𝐷
𝑖𝐷 = − +
𝑅𝐿 𝑅𝐿
1
Persamaan ini menyatakan garis lurus dengan kemiringan = − 𝑅 memotong sumbu
𝐿

𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐷 pada 𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 dan sumbu 𝑖𝐷 pada nilai 𝑖𝐷 = 𝑖𝐴 = . Garis ini disebut garis beban.
𝑅𝐿

Titik potong antara garis beban dan lengkung ciri diode jika 𝑉𝐷𝐷 tetap dan 𝑅𝐿 diubah,
kemiringangaris beban akan berubah seperti gambar

Dekat dengan 𝑉𝑃𝑜𝑡𝑜𝑛𝑔 tanggapan diode tidaklah linier dan disebut daerah aturan
kuadrat. Pada arus diode tinggi lengkungan ciri diode tampak seperti pada garis lurus
(sebetulnya eksponensial). Daerah ini disebut daerah linier. Nyatalah untuk beroperasi pada
daerah limier nilai 𝑅𝐿 harus kecil.

PENYEARAH ARUS BOLAK BALIK

Misalkan sumber tegangan VDD diganti dengan sumber tegangan bolak-balik (gambar 4.18).
Bentuk isyarat keluaran dapat diperoleh secara grafik seperti gambar 4.19.

Pada saat t 2 , v DD  V p , arus dioda id (t ) ditentukan oleh titik q 2 . Pada waktu isyarat masukan
v f negatif garis beban memotong lengkung ciri pada q 3 dengan arus dioda i  0 , sehingga
tegangan keluaran v0  0 juga. Perhatikan bahwa untuk tegangan masukan vi  0,7 V
(tegangan potong), tak ada tegangan keluaran, karena arus maju pada v D  0,7 V (Si) sangat
kecil.
Di samping itu tegangan keluaran pada daerah ini cacad karena lengkung ciri berbentuk tidak
linier (daerah kuadrat). Bentuk isyarat masukan dan keluaran nampak seperti gambar 4.21
(untuk dioda ideal).

Penyearah di atas disebut penyearah setengah gelombang.

Untuk mendapatkan penyearah gelombang penuh dapat dilakukan dengan dua cara. Cara
pertama yaitu memerlukan transformator dengan sadapan pusat (center tap-CT) seperti
ditunjukkan pada gambar 4.22.

Jika isyarat masukkan sedang positif, arus akan melalui dioda D1 dan mengalir seperti pada
gambar 4.22. Jika isyarat masukan negatif, dioda D2 menghantar dan jalan arus seperti pada
gambar 4.23.

Cara lain untuk mendapatkan keluaran gelombang penuh adalah dengan menggunakan empat
dioda seperti gambar 4.25. Penyearah seperti ini disebut penyearah jembatan. Jika isyarat
positif arah arus terlihat seperti pada gambar 4.25 dengan D1 dan D2 menghantar.
Jika isyarat masukan sedang negatif, arah arus nampak seperti pada gambar 4.26, dengan
dioda dan menghantar,

Untuk penyearah jembatan, tampak transformator tak memerlukan adanya CT, untuk
mendapat tegangan arus searah positif dan negatif dapat digunakan rangkaian seperti pada
gambar 4.27.

PENYEARAH DENGAN TAPIS

Agar tegangan dc yang dihasilkan penyearah arus bolak balik dapat lebih rata, digunakan
tapis lolos rendah dengan kapasitor seperti pada gambar

gambar: keluaran penyearah gelombang penuh, (a) tanpa kapasitor tapis, (b)
dengan kapasitor tapis
Gambar tersebut menunjukkan bentuk tegangan dc 𝑣0 jika C tak dipasang (dilepas) dan bila
kapasitor C dipasang.
Kualitas rangkaian tapis dinyatakan oleh nisbah riak puncak ke puncak (peak-to-peak ripple
ratio-pprr)
 𝑡𝑒𝑔𝑎𝑛𝑔𝑎𝑛 𝑉𝑟𝑝𝑝
Jadi pprr =𝑡𝑒𝑔𝑎𝑛𝑔𝑎𝑛 𝑑𝑐 𝑟𝑎𝑡𝑎−𝑟𝑎𝑡𝑎

RANGKAIAN SETARA DIODA

Dalam membahas rangkaian yang mengandung diode ,kita sering kali dapat
menggantikan diode dengan suatu rangkaian setara. Ada 2 macam rangkaian setara.
1. Rangkaian setara DC untuk isyarat besar.

Pada gambar 25 untuk arus 6 mA ciri maju untuk diode dapat digantikan dengan garis
lurus A. pada keadaan hambatan ini diode jika diukur dengan ohmmeter adalah
rF = VD / ID
= 0,50 V / 6 mA = 83Ω. Untuk ID + 2 mA
RF = VD / ID
= 0,4 V / 2 mA = 200Ω.

Gambar 25.hambatan dc diode adalah kebalikan kemiringan garis putus-putus.

Jika diberi tegangan panjar mundur hambatan diode rB dapat dinyatakan sebagai
kebalikan kemiringan garis lurus b, yang untuk arus mundur lebih dari 5µA mempunyai
hambatan
RB = V/I (mundur) = 30 V/ 5 µA = 6 M Ω.
Jadi untuk tegangan maju, diode dapat dipandang sebagai resistor dengan hambatan rF =
80 – 200 Ω., dan pada tegangan panjar mundur dipandang sebagai resistor dengan hambatan
rB = 5 M. ini dilukis kan pada gambar 26.

Gambar 26.Rangkaian setara diode.

Dengan memberi tegangan panjar maju atau mundur diode dapat digunakan sebagai
saklar. Penggunaan diode untuk membentuk gelombang mudah dipahami dengan gambar
diatas. Penggunting terpanjar ( biased clipper ). Sebagai penerapan pengertian rangkaian
setara dc, marilah kita tinjau rangkaian penggunting terpanjar sebagaimana ditunjukkan pada
gambar 27.

Gambar 27. (a) rangkaian tergunting terpanjar. (b) rangkaian setara terpanjar maju . (c) rangkaian setara
terpanjar mundur.
2. Rangkaian setara AC atau rangkaian setara isyarat kecil.
Untuk isyarat AC kecil yang menumpang pada tegangan searah maju harus kita gunakan
gambaran yang lain untuk diode. Ini ditunjukkan pada gambar 28.

Gambar 28.Tegangan diode terhadap tegangan kecil

ID = ID (q) + iD
vD = VD (q) + vD
VD (q) adalah nilai vD jika taka da isyarat vd
Q = titik kerja ( vd = 0 ).

Hubungan antara id dan vd dapat dinyatakan oleh kemiringan garis singgung lengkung
ciri pada titik q. atau id = gfvd ; dengan gf = konduktansi maju isyarat kecil. Kebalikan gf
disebut hambatan maju isyarat kecil.
RANGKAIAN SETARA AC
Misalkan sumber tegangan VDD diganti dengan sumber tegangan bolak-balik (gambar
12).Bentuk isyarat keluaran dapat diperoleh secara grafik seperti gambar 13.
 Gambar 12. Diode pada rangkaian AC

Pada saat t2, VDD = Vp, arus diode id (t) ditentukan oleh titik q2. Untuk mendapatkan
V0 (t2) kita buat grafik id terhadap V0, dan diperoleh bentuk isyarat keluaran. Pada waktu
isyarat masukan vi negative garis beban memotong lengkung ciri q3 dengan arus diode i= 0,
sehingga tegangan keluaran vo = 0 juga.Tampak isyarat keluaran hanya mempunyai nilai
positif saja. Perhatikan bahwa untuk tegangan masukan vi< 0,7 V (tegangan potong), taka da
tegangan keluaran, karena arus maju pada VD< 0,7 V (Si) sangat kecil. Di samping itu
tegangan keluaran pada daerah ini cacat karena lengkung ciri berbentuk tidak linier.

Gambar 13.cara grafik untuk menentukan bentuk isyarat keluaran.

Untuk mendapatkan tegangan keluaran yang benar-benar merupakan bagian positif

daripada isyarat masukan diperlukan diode dengan ciri seperti pada gambar 14.

Gambar 14.Isyarat keluaran pada diode ideal.

 Dari pembahasan diatas dinyatakan jika digunakan rangkaian seperti pada gambar 12,
bentuk isyarat masukan dan keluaran Nampak seperti pada gambar 15. (untuk diode ideal).

Gambar 15.Penyearah setengah gelombang dengan diode ideal.

Penyearah diatas disebut penyearah setengah gelombang. Kita dapat menyearah

gelombang penuh dengan dua cara. Cara pertama memerlukan transformator dengan sadapan
pusat (center tap- CT) seperti ditunjukkan pada gambar 16.Penyearah seperti ini disebut
penyearah gelombang penuh.

Gambar 16.Aliran arus pada penyearah gelombang penuh, jika isyarat masukan positif.

Jika isyarat masukan sedang positif ,arus akan melalui diode D1 dan mengalir seperti
gambar 16. Jika isyarat masukan negative, diode D2 menghantar dan jalan arus seperti pada
gambar 17.
 Gambar 17.Aliran arus pada penyearah gelombang penuh jika isyarat masukan negative.

Tampak arus diode mengalir di RL dari atas kebawah,yaitu memberikan isyarat keluaran
positif. Jika diode dibalik, isyarat akan negative seperti ditunjukkan pada gambar 18.

Gambar 18.Penyearah gelombang penuh dengan keluaran negative.

Cara lain untuk mendapatkan keluaran gelombang penuh adalah dengan menggunakan
empat diode seperti pada gambar 19. Penyearah seperti ini disebut dengan penyearah
jembatan.Jika isyarat positif arah arus terlihat seperti pada gambar 19 dengan D1 dan D2
menghantar.jika Isyarat masukan sedang negative, arah arus Nampak seperti pada gambar 20.
Dengan diode D3 dan D4 menghantar.

Gambar 19.Aliran arus pada penyearah jembatan jika isyarat masukan positif.

Gambar 20.Aliran arus pada penyearah jembatan jika isyarat negatif.

Untuk penyearah jembatan, tampak transpormator tak memerlukan adanya CT. bahkan
bila diode yang digunakan mempunyai kemampuan tegangan yang cukup , tanpa
transformator pun penyearah ini dapat digunakan. Untuk mendapatkan tegangan arus searah
positif dan negative dapat digunakan rangkaian seperti gambar 21.

Gambar 21.Penyearah jembatan untuk menghasilkan isyarat keluaran positif dan negatif.

RANGKAIAN PEMBENTUK GELOMBANG

1 Rangkaian penggunting. Ada beberapa jenis rangkaian penggunting, yaitu penggunting
dioda seri, penggunting dioda sejajar, penggunting terpanjar, dan pengiris.
(a) penggunting dioda seri
Rangkaian penggunting dioda seri ditunjukkan pada gambar 4.37

Bentuk tegangan keluaran Vo pada gambar adalah untuk dioda ideal, yaitu jika arus
penjenuhan dan tegangan potong pada dioda diabaikan. Untuk dioda silikon, tegangan potong
mempunyai nilai kira-kira 0,6 V, dan pada dioda germanium bernilai kira-kira 0,3 V. Dengan
adanya tegangan potong betuk gelombang dapat kita ramalkan sebagai berikut (lihat gambar
4.38).
(b) Penggunting dioda sejajar
Bentuk rangkaian penggunting dioda sejajar adalah seperti pada gambar 4.39

Resistor RL dan dioda D membentuk suatu pembagi tegangan. Hambatan dioda rD kecil jika
anoda positif, dan bernilai besar jika anoda negatif. Akibatnya kita peroleh bentuk tegangan
keluaran seperti gambar.
rD
Perlu diperhatikan bahwa pada saat anoda positif, arus sebesar seluruhnya melalui
RL
dioda.
(c) Pengiris
Jika pada rangkaian penggunting terpanjar kekutub baterai kita balikkan maka kita peroleh
rangkaian pengiris seperti pada gambar

(d) Penggunting dioda Zener

Dengan dioda zener kita dapat membuat penggunting terpanjar tanpa baterai. Rangkaian yang
digunakan adalah seperti pada gambar 4.40.
2 Pengapit dioda. Suatu rangkaian pengapit adalah rangkaian yang dapat membuat agar
puncak tegangan bolak-balik berada pada suatu tingkat tertentu. Rangkaian ini juga dikenal
dengan nama pemulih dc atau pemulih garis datar. Suatu rangkaian pengapit dioda yang
sederhana ditunjukkan pada gambar 4.42.

Bagaimana ini dapat terjadi adalah sebagai berikut (lihat gambar 4.43) :

Pada t  0 isyarat masuk tiba-tiba berubah positif. Dioda mendapat tegangan panjar maju
sehingga mempunyai hambatan rF yang rendah ( rF  100 ohm). Arus transien akan naik
dengan segera, dan kemudian turun dengan tetapan waktu rF  rF C . Pada saat yang sama

kapasitor C terisi hingga mempunyai beda tegangan sebesar Vm . Pada t = 1 ms + tegangan

masukan tiba-tiba berubah menjadi negatif. Tegangan panjar pada dioda menjadi mundur,
dan hambatan dioda rF berubah menjadi besar ( rB  1 M).
3 Pengapit bertegangan panjar. Perhatikan gambar 4.44
Dengan membalikkan dioda pada gambar 4.44 kita dapatkan tingkat dc pada keluaran naik,
sehingga bagian bawah isyarat terapit pada V = 0. Dengan menggunakan rangkaian seperti
pada gambar 4.45 kita dapat membuat apitan pada suatu nilai tegangan yang positif.

4 Pelipat dua tegangan. Dengan menggunakan rangkaian seperti pada gambar 4.46 dapat
kita peroleh tegangan keluaran searah dua kali nilai puncak tegangan masukan.
Pada gambar (b) rangkaian (a) dilukiskan sehingga gabungan dioda D1 dan C1 tampak
sebagai penyearah setengah gelombang berlapiskan kapasitor C1 .

Kita dapat membuat pelipat dua tegangan yang lebih baik dengan menggunakan rangkaian
seperti pada gambar 4.48

Tampak bahwa dengan rangkaian ini kita peroleh tegangan keluaran Vb yang rata. Perbedaan
antara rangkaian pada gambar 4.47 dan 4.48 adalah bahwa pada gambar 4.47 dioda D1
bekerja sebagai penyearah setengah gelombang berlapis, dan dioda D2 bekerja sebagai suatu
pengapit bertegangan panjar. Pada gambar 4.48 dioda D1 bekerja sebagai pengapit dan D2

bekerja sebagai penyearah atau lebih tepat sebagai saklar pengisi kapasitor C2 . Jika Va  Vb

saklar dioda D2 mati, sedang jika Va  Vb saklar dioda D2 terpasang.

Seperti ditunjukkan pada gambar 4.49

Tampak pada dioda D1 bekerja sebagai penyearah bertapis kapasitor C1 , D2 bekerja sebagai

pengapit terpanjar sebesar Vm , dan dioda D3 bekerja sebagai saklar untuk mengisi kapasitor
C3 .
Dengan menambah dua buah dioda dan dua buah kapasitor pada rangkaian pelipat dua pada
gambar 4.48 kita dapat membuat rangkaian pelipat empat tegangan. Ini ditunjukkan pada
gambar 4.50.

Pada rangkaian ini D1 bekerja sebagai pengapit menghasilkan tegangan V a dan D2 bekerja

sebagai saklar mengisi kapasitor C2 menghasilkan tegangan Vb .

 KAPASITANSI SAMBUNGAN P-N
Pada sambungan P-N terjadi daerah pengosongan dimana tak ada pembawa muatan bebas. Di
dalam daerah pengosongan terdapat medan listrik, sehingga daerah iniberupa kapasitor yang
berisi muatan. Ini dilukiskan pada gambar 4.51

Dapat ditunjukkan bahwa :

1. q N d Ln  q N a L p agar netral.

 
 
 2 V 
2. L p    1
  Nc  2
 qN a 1  

  N 

 
 
 2  Vh 1
3. L n   
 N 1  N d  2

 q a N 
  a 
= permitivitas listrik
Hubungan diatas dapat diartikan sebagai berikut :
Na Lp
1. Ln  , yaitu makin besar N d maka Ln makin sempit.
Nd
1
2. (2) dan (3) L p  Vh 2

Vh  Vh0  Vbat untuk tegangan panjar mundur.

Vh  Vh0  Vbat untuk tegangan panjar maju.
Pada keadaan tegangan panjar mundur daerah pengosongan melebar.
KAPASITAS SAMBUNGAN
Kapasitas sambungan dapat ditentukan sebagai berikut :

C = dQ
dV
dQ / dL p
=
dV h / dL p

 
 
 q N aE 1
= 2
 21  N a  

  
  Nd  Vh 
Kapasitansi sambungan mengganggu pada opearsi dengan isyarat frekuensi tinggi.
Pada frekuensi tinggi C1 berpengaruh pada keadaan tegangan mundur waktu hambatan dioda
1
besar. Pada frekuensi tinggi amat kecil sehingga dalam keadaan panjar mundur terjadi
WC j

bocoran melalui C j . Dioda pada teganga mundur dapat dinyatakan sebagai kapasitor yang

nilai kapasitansi dapat diatur dengan tegangan panjar. Dioda yang khusus untuk maksud ini
disebut dioda varaktor dan dioda varikap.