BAB I

PENDAHULUAN

1.1.Rasionalisasi Pentingnya CBR

Dalam Critical Book Review ini mahasiwa dituntut untuk mengkritisi sebuah buku,
dan meringkas menjadi satu kesatuan yang utuh sehingga dapat dipahami oleh mahasiswa
yang melakukan critical book report ini, termasuk didalamnya mengerti akan kelemahan dan
keunggulan dari buku yang akan dikritisi.
Pembuatan tugas Critical Book Review ini juga melatih,menambah,serta menguatkan
pemahaman mahasiswa betapa pentingnya mengkritikalisasi suatu karya berdasarkan data
yang faktual sehingga dengan begitu tercipta lah mahasiswa-mahasiswa yang berkarakter
logis serta analisis sehingga dengan bertambahnya era yang semakin maju yang seperti kita
tahu sekarang dijaman MEA (Masyarakat Ekonomi Asean) dituntut menciptakan masyarakat
yang berpikir maju kedepan dalam hal ini generasi-generasi bangsa yang saat ini sedang
mengikuti jenjang pendidikan baik yang rendah sampai yang tinggi menjadi ujung tombak
perubahan yang akan menciptakan bangsa yang maju dan sejahtera.

1.2.Tujuan Penulisan CBR

1.Untuk memenuhi tugas pada mata kuliah Elektronika Dasar.

2.Menambah wawasan dan Pengetahuan penulis dan pembaca mengenai Dioda
Semikonduktor.
3.Meningkatkan kemampuan mahasiswa dalam meringkas,menganalisa dan membandingkan
serta memberikan kritik pada suatu buku berdasarkan fakta yang ada.
4.Menguatkan pemahaman pembaca betapa pentingnya mempelajari Elektronika Dasar.

1.3.Manfaat CBR

Bagi penulis :

Penulis menjadi lebih memahami secara keseluruhan mengenai cakupan materi dioda
semikonduktor dan bentuk implementasinya didalam sistem pendidikan yang ada berkat
menuntaskan tugas Critical Book Review ini. tugas ini juga bermanfaat langsung dalam
melatih penulis dalam hal ini kami sebagai mahasiswa menjadi lebih terbiasa dalam
meringkas isi suatu buku,lalu membandingkannya dengan buku yang relevan setelah itu
menganalisa demi menemukan kelemahan dan kelebihan dari buku yang telah kami
kritikalisasi.

Bagi pembaca :
Pembaca,dalam hal ini siapapun yang membaca hasil dari tugas Critical Book Review
ini,mulai dari kalangan akademitas hingga masyarakat umum menjadi lebih paham
mengenasi elektronika dasar yang mencakup materi dioda semikonduktor.
 BAB II
PEMBAHASAN

2.1. Identitas Buku

Judul Buku : Elektronika Dasar dan Penerapannya
Penulis : Sutrisno
Penerbit : Institut Teknologi Bandung (ITB)
Tahun Terbit : 1986
Kota Terbit : Bandung
Jumlah Halaman : 197 halaman
Ukuran Buku : 21 cm
ISBN : 979-8001-01-x

2.2 Ringkasan Isi / Materi Buku

DIODA SEMIKONDUKTOR
Dioda adalah komponen elektrolit yang dapat melewatkan arus pada satu arah saja.Ada
berbagaim macam dioda, yaitu dioda tabung, dioda sambungan p-n, dioda kontak titik (poin-
contact diode) dan sebagainya.
Dioda memegang peranan yang amat penting dalam elektronika, diantaranya adalah
untuk menghasilkan tegangan searah dari tegangan bolak-balik, untuk mengesan gelombang
radio, untuk membentuk berbagai gelombang isyarat, untuk mengatur tegangan searah agar
tidak berubah dengan beban maupun dengan perubahan tegangan jala-jala (PLN), untuk
saklar elektrolik, LED, laser semikonduktor, mengesan gelombang mikro dan lain-lain.

SAMBUNGAN P-N
Bentuk dioda yang lazim digunakan terdiri dari semikonduktor jenis p yang bersambung
dengan semikonduktor jenis-n. Penyambungan ini dilakukan waktu penumbuhan kristal.
Katoda anoda anoda katoda

p n

(a) (b)
Gambar 1.1. (a) susunan dioda sambungan p-n (b) Lambbang dioda
Gambar (a) muatan listrik dalam bahan semikonduktor jenis-p. (b) muatan listrik dalam semikonduktor jenis-n

Tanda + dan – dalam kotak persegi menyatakan pembawa mutan intrinsik. Yaitu
berasal dari ikatan kovalen atom silikon , yang menjadi bebas oleh karna eksitasi termal.
Pembawa muatan yang lain adalah muatan bebas yaitu lubang yang dihasilkan oleh atom
akseptor pada bahan jenis-p, dan elektron bebas yang berasal dari atom donor. Pembawa
muatan bebas ini adalah pembawa muatan ekstrinsik.
Bila bahan jenis-p bersambung dengan bahan berjenis-n, dalam gambar ditunjukkan
elektron bebas pada bahan jenis-n akan berdifusi melalui sambungan, masuk kedalam bahan
jenis p, dan terjadi rekombinasi dengan lubang-lubang yang ada dalam jenis bahan p.
Sebaliknya juga terjadi, yaitu lubang bahan p berdifusi masuk ke dalam bahan n, dan
berkombinasi dengan elektron dan saling meniadakan muatan. Akibatnya, tepat pada saat
sambungan p-n terjadi daerah tanpa mutatan bebas, yang disebut daerah pengosongan
(depletion region). Oleh karna muatan positif terpisah dengan muatan negatif, maka dalam
daerah pengosongan terjadi medan listrik, yang melawan proses difusi selanjutnya. Dengan
adanya medan listrik ini terjadi beda potensial listrik (bukit potensial) antara bagian p dan
bagian n dalam daerah pengosongan . Hubungn antara kuat medan listrik E dan potensial
−𝑑𝑉
listrik V diberikan oleh hubungan E= 𝑑𝑥 , yaitu negatif dari kemiringan grafik V(x)

Sebaran, muatan, kuat medan listrik, dan potensial listrik pada sambunga p-n
dilukiskan dalam

(a)
 p

+ x
- x=0

(b)

x=0 X

(b)

x=0 𝑣ℎ𝑜

(c)

Gambar: (a) sambungan p-n. (b) sebaran rapat muatan (ρ). (c) sebaran kuat medan listrik E (d) sebaran
potensial V; 𝑣ℎ𝑜 = bukit potensial.

Antara ujung bahan-p dan bahan-n dihubungkan dengan suatu baterai dengan bahan-p
dihubungkan dengan kutub positif dan bahan-n dihubungkan dengan kutub negatif. Pada
keadaan ini dikatakan sambungan p-n diberi panjar maju.

p + - n
𝑉𝑏𝑎𝑡

Dengan diberi panjar maju, bukit potensial ( 𝑉ℎ ) menjadi kurang daripada tinggi dengan bukit
potensial tegangan ( 𝑉ℎ𝑜 ). Dengan berkurangnya tinggi bukit potensial elektron dari bagian-n
dan lubang bagian p mudah menyebrang, sehingga terjadi aliran listrik.
+ -
P n
- ++
- ++
- - ++
-- ++
 v

𝑉ℎ = 𝑉ℎ𝑜 − 𝑉𝑏𝑎𝑡 X
0 𝑉𝑏𝑎𝑡

Gambar : sebaran potensial listrik jika diberi dioda panjar maju.

Jika kutub positif dihubungan dengan bagian kutub n dan kutub negatif baterai dengan
bagian p, dikatakan sambungan p-n diberi panjar mundur.

𝑉𝑏𝑎𝑡
- +
p n
+ +
+ +
+ +
v

𝑉𝑏𝑎𝑡 x

𝑉ℎ = 𝑉ℎ𝑜 + 𝑉𝑏𝑎𝑡

Gambar 1.7 sebaran potensial pada sambungan pn dengan pamjar mundur

CIRI DIODA SAMBUNGAN P-N

Ciri (karakteristik) dioda adalah hubungan antara arus dioda dan beda tegangan antara kedua
ujung dioda. Untuk sambungan p-n, lengkung cirinya yaitu:
𝑖𝐷

𝑉𝑃𝐼𝑉 𝑣𝐷
- 0 𝑣𝑝𝑜𝑡𝑜𝑛𝑔 +
Arus penjenuhan
 Jika dioda diberi tegangan maju, yaitu 𝑣𝐷 > 0, arus 𝑖𝐷 mula-mula mempunyai nilai
𝑣𝐷 ≅ 0, sehingga 𝑣𝐷 = 𝑣𝑝𝑜𝑡𝑜𝑛𝑔 , setelah mana arus dioda naik dengan cepatnya terhadap
perubahan tegangan dioda 𝑣𝐷 . Untuk dioda silikon 𝑣𝑝𝑜𝑡𝑜𝑛𝑔 ≅ 0,6 𝑉 sedangkan untuk dioda
germanium 𝑣𝑝𝑜𝑡𝑜𝑛𝑔 ≅ 0,3 𝑉 . pada tegangan mundur arus yang mengalir amat kecil, dan
sampai batas-batas tertentu tak bergantung pada tegangan dioda. Arus ini terdiri dari arus
pembawa muatan minoritas, mengalir dari anoda ke katoda, dan disebut arus penjenuhan
dioda. Pada tegangan mundur tertentu lengkung ciri turun dengan curam, dikatakan terjadi
kedadalan (breakdown).

PERSAMAAN DIODA
Pada tegangan maju bukit potensial sambungan p-n berkurang yaitu menjadi 𝑉ℎ =
𝑉ℎ0 − 𝑉. Disini 𝑉ℎ0 adalah tinggi bukit potensial tanpa panjar, dan V adalah beda tegangan
pada diode. Sesuai dengan statistic Boltzman, banyaknya electron pada bagian Pyang
mempunyai energy di atas 𝑉ℎ sebanding dengan 𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇 atau secara matematik 𝑛𝑝 =
𝑛𝑛 𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇
Dengan,
𝑛𝑛 adalah rapat electron dari bagian n,
q adalah muatan electron,
k tetapan Boltzman
T adalah suhu dalam kelvin
Begitu juga halnya dengan lubang. Jika rapat lubang pada bagian p adalah 𝑝𝑝 maka
rapat lubang 𝑝𝑛 yang dapat berdifusi ke bagian n adalah
𝑝𝑛 = 𝑝𝑝 𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇
Arus yang disebabkan difusi pembawa muatan 𝑛𝑝 dan 𝑝𝑛 disebut arus injeksi. Besar
arus injeksi 𝐼𝐼 adalah :
𝐼𝐼 = 𝐾(𝑛𝑝 + 𝑝𝑛 ) = 𝐾(𝑁𝑑 + 𝑁𝑎 )𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇
𝑁𝑑 adalah rapat atom donor, dan 𝑁𝑎 rapat atom akseptor. Karena 𝑁𝑑 dan 𝑁𝑎
merupakan tetapan, arus injeksi 𝐼𝐼 dapatlah ditulis sebagai:
𝐼𝐼 = 𝐾′𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇
= 𝐾′𝑒 −𝑞(𝑉ℎ +𝑉)/𝑘𝑇
Kita dapat menyatakan tetapan K’ dengan arus penjenuhan 𝐼𝑠 , yaitu arus yang
mengalir jika diode diberi tegangan mundur. Kita tahu bahwa tanpa teganganarus diode
adalah nol, karena pada keadaan ini arus injeksi sama dengan arus penjenuhan, tetapi
berlawanan arah. Hal ini berarti
𝐼𝐼 (𝑉 = 0) = −𝐼𝑠 = 𝐾′𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇 atau 𝐾′ = −𝐼𝑠 𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇
Akibatnya dapat ditulis dengan :
𝐼𝐼 = −𝐼𝑠 𝑒 −𝑞𝑉ℎ /𝑘𝑇 𝑒 −𝑞(𝑉ℎ +𝑉)/𝑘𝑇 atau 𝐼𝐼 = −𝐼𝑠 𝑒 −𝑞𝑉/𝑘𝑇
Arus total yang mengalir dalam keadaan tegangan maju adalah :
𝑞𝑉
𝐼 = 𝐼𝐼 + 𝐼𝑆 = −𝐼𝑠 𝑒 𝑘𝑇 − 1

PENGARUH SUHU PADA LENGKUNG CIRI DIODA

Perubahan suhu menyebabkan terjadinya perubahan bentuk lengkung ciri seperti di
tunjukan pada gambar 4.11

Tampak pengaruh suhu terhadap lengkung ciri dioda terdapat pad tegangan potong
dan arus penjenuhan. jika suhu dinaikkan, tegangan berkurang, tetapi arus penjenuhan
bertambah, dan kemiringan lengkung pada tegangan mundur pun bertambah. pengaruh suhu
oleh fungsi ekponensial 𝑒 𝑞𝑉ℎ/𝑘𝑇 yang berasal dari arus injeksi tidaklah terlalu besar.
Kenaikan suhu menaikkan pula eksitansi termik, sehingga rapat elektron intrinsik 𝑛𝑖
bertambah. Dengan terjadinya rekomendasi, berlakunya hubungan 𝑝𝑛 = 𝑝𝑖 2 dengan p
adalah rapat lubang ekstrinsik. akibatnya pada bagian n berlaku
𝑛𝑖 2 𝑛𝑖 2
𝑝𝑛 = ≅ dan pada bagian p berlaku
𝑛𝑛 𝑁𝑑

𝑛𝑖 2 𝑛𝑖 2
𝑛𝑝 = ≅
𝑝𝑝 𝑁𝑎

maka rapat arus penjenuhan

1 1
𝐽𝑠 ≅ 𝐶 (𝑝𝑛 + 𝑛𝑝 ) = 𝐶𝑛𝑖 2 (𝑁 + ) = 𝐶 ′ 𝑛𝑖 2
𝑑 𝑁𝑎

C dan C adalah tetapan. akan tetapi pada suhu T 𝑛𝑖 2 = 𝐵 2 𝑇 2 𝑒 − 𝐸𝑔 /𝑘 𝑇

B adalah tetapan, dan 𝐸𝑔 adalah lebar celah pita. laju perubahan 𝐽𝑠 terhadap suhu dapat
diperoleh dengan mengambil diferensial 𝐽𝑠 (𝑇) terhadap suhu T,
 𝑑𝐽𝑠 𝑑 𝐸𝑔
= (𝐶𝐵 2 𝑇 3 𝑒 −𝑘𝑇 )
𝑑𝑇 𝑇
3 𝐸𝑔
= 𝐶𝐵 2 ( + ) 𝑇 3 𝑒 −𝐸𝑔 /𝑘𝑇
𝑇 𝑘𝑇 2
perubahan relatif 𝐽𝑠 terhadap suhu menjadi
1 𝑑𝐽𝑠 3 𝐸𝑔
= + 2
𝐽𝑠 𝑑𝑇 𝑇 𝑘𝑇

GARIS BEBAN PADA RANGAKAIAN DIODA

Jika pada rangkaian diberi tegangan𝑉𝐷𝐷 dan hambatan sebesar 𝑅𝐿 , bagaimanakah cara
kita menentukan arus 𝑖𝐷 dan tegangan 𝑉𝐷 ? Satu cara yang dapat ditempuh adalah dengan
menggunakan lengkung ciri diode, yaitu arus dioda 𝑖𝐷 dinyatakan sebagai fungsi 𝑉𝐷 . Kita
menggunakan hokum Kirchoff

𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷 + 𝑖𝐷 𝑅𝐿
𝑉𝐷 𝑉𝐷𝐷
𝑖𝐷 = − +
𝑅𝐿 𝑅𝐿
1
Persamaan ini menyatakan garis lurus dengan kemiringan = − 𝑅 memotong sumbu
𝐿

𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐷 pada 𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 dan sumbu 𝑖𝐷 pada nilai 𝑖𝐷 = 𝑖𝐴 = . Garis ini disebut garis beban.
𝑅𝐿

Titik potong antara garis beban dan lengkung ciri diode jika 𝑉𝐷𝐷 tetap dan 𝑅𝐿 diubah,
kemiringangaris beban akan berubah seperti gambar

Dekat dengan 𝑉𝑃𝑜𝑡𝑜𝑛𝑔 tanggapan diode tidaklah linier dan disebut daerah aturan
kuadrat. Pada arus diode tinggi lengkungan ciri diode tampak seperti pada garis lurus
(sebetulnya eksponensial). Daerah ini disebut daerah linier. Nyatalah untuk beroperasi pada
daerah limier nilai 𝑅𝐿 harus kecil.

4.6 SRI (BELUM )

PENYEARAH DENGAN TAPIS

Agar tegangan dc yang dihasilkan penyearah arus bolak balik dapat lebih rata, digunakan
tapis lolos rendah dengan kapasitor seperti pada gambar

gambar: keluaran penyearah gelombang penuh, (a) tanpa kapasitor tapis, (b)
dengan kapasitor tapis
Gambar tersebut menunjukkan bentuk tegangan dc 𝑣0 jika C tak dipasang (dilepas) dan bila
kapasitor C dipasang.
Kualitas rangkaian tapis dinyatakan oleh nisbah riak puncak ke puncak (peak-to-peak ripple
ratio-pprr)
𝑡𝑒𝑔𝑎𝑛𝑔𝑎𝑛 𝑉𝑟𝑝𝑝
Jadi pprr =𝑡𝑒𝑔𝑎𝑛𝑔𝑎𝑛 𝑑𝑐 𝑟𝑎𝑡𝑎−𝑟𝑎𝑡𝑎