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Laboratorio Nº 04: EL TRANSISTOR

BIPOLAR - POLARIZACION
Zavala Magariño Daniel Antonio
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú
dzavalam@uni.pe
zavala2891997@gmail.com

INTRODUCCIÓN

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos
llamados; colector (C), base (B) y emisor (E).

La palabra bipolar se deriva del echo que internamente existe una doble circulacion de corriente:
electrones y lagunas o agujeros.

I. OBJETIVO  Selecciona correctamente los componentes a


utilizar para el análisis de corte y saturación
El laboratorio deacuerdo a sus experimentos tiene del transistor bipolar.
como finalidad:  Elabora informes técnicos claros mediante
un formato digital establecido, detallando el
 Conocer las características técnicas y los
proceso de laboratorio desarrollado,
requerimientos de uso del transistor.
entregando puntualmente.
 Adquirir destreza en el uso de los equipos y
 Usa software de simulación y compara con
la obtención de las curvas características del
los resultados experimentales.
transistor Bipolar.
 Reconoce la importancia del trabajo en
 Adquirir destreza en el manejo de los
equipo y se integra y participa en forma
manuales y obtención de los data sheet de
efectiva en equipos multidisciplinarios de
los dispositivos a usar de Internet y los
trabajo.
equipos de medición.
 Determinar las operaciones de corte y
saturación de los transistores.
 Identificar las rectas de carga y punto de III. TEORIA
operación
 Adquirir destreza en el manejo de los A. Transistor Bipolar o BJT
equipos y el ensamble de los circuitos. Un transistor de unión bipolar está formado por
 Afianzar el trabajo en equipo asumiendo dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
responsabilidades en el desarrollo de la separados por una región muy estrecha. De esta
experiencia. manera quedan formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por


II. COMPETENCIAS estar fuertemente dopada, comportándose como
un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
 Maneja correctamente el multímetro,
generador, fuente de alimentación y  Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el
osciloscopio, configurando y conectándolos emisor del colector.
apropiadamente.  Colector, de extensión mucho mayor.
Fig N°3: Transistor NPN
Fig N°1: Tipos de transistores
- Transistores PNP
B. Principios de funcionamiento El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP
con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas
En una configuración normal, la unión base-emisor se mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
polariza en directa y la unión base-colector en transistor. Pocos transistores usados hoy en día son
inversa. Debido a la agitación térmica los portadores PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
de carga del emisor pueden atravesar la barrera de desempeño en la mayoría de las circunstancias.
potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prácticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo eléctrico que existe entre la
base y el colector.

Fig N°4: Transistor PNP

D. Regiones operativas del transistor

Los transistores de unión bipolar tienen diferentes


regiones operativas, definidas principalmente por la
forma en que son polarizados:

- Región activa directa en cuanto a la


polaridad:
Fig N°2: Principios del funcionamiento de un
transistor
Cuando un transistor no está ni en su región de
C. Tipos de transistor bipolar saturación ni en la región de corte entonces está en
una región intermedia, la región activa.
- Transistores NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, - Región inversa:
en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios dentro de las Al invertir las condiciones de polaridad del
diferentes regiones del transistor. La mayoría de los funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar
transistores bipolares usados hoy en día son NPN, entra en funcionamiento en modo inverso. En este
debido a que la movilidad del electrón es mayor que modo, las regiones del colector y emisor intercambian
la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, roles. Debido a que la mayoría de los BJT son
permitiendo mayores corrientes y velocidades de diseñados para maximizar la ganancia de corriente en
operación. modo activo, el parámetro beta en modo inverso es
drásticamente menor al presente en modo activo.
- Región de corte:
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentación del circuito.
(como no hay corriente circulando, no hay caída de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib = 0).

- Región de saturación:
En este caso la magnitud de la corriente depende del
voltaje de alimentación del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la Fig N° 5: Circuito Simulado
diferencia de potencial entre el colector y el emisor
desciende por debajo del valor umbral Vce,sat . Cuando
el transistor esta en saturación, la relación lineal de
amplificación Ic = β. Ib (y por ende, la relación Ie =
(β + 1). Ib) no se cumple.

IV. EQUIPOS Y MATERIALES

Los materiales a utilizar en el laboratorio son: Fig N° 6: Corriente IB en la simulación en


microamperio.
 01 transistor NPN 2N2222 ó 2N3904
 01 Resistencia de 100Ω; 2de 1KΩ de 1W.
 Resistencias:10KΩ;15KΩ;56KΩ;22KΩ;18
0KΩ; 3.3KΩ;6.2KΩ;10KΩ;47KΩ
,510KΩ;2KΩ de 1W.
 01 Potenciómetro lineal de 50KΩ y 500
KΩ 0.5W
 02 transistores BJT iguales BC548A
 02 Diodos LED Fig N° 7: Corriente IC en la simulación en
 01 protoboard miliamperio.
 02 Fuente DC; puntas de prueba
 01 protoboard y cables conectores b. Simule los pasos de la guía de laboratorio
 01 multímetro y anote las tensiones y corrientes que se
 01 Generador de funciones piden en el experimento.
 01 Osciloscopio, puntas de prueba
VCE IC(mA)
 01 amperímetro analógico
0.2 5.463
0.5 6.244
1 6.266
V. PREGUNTAS PARA EL INFORME 2 6.350
PREVIO 3 6.434
4 6.519
a. Realice los cálculos para hallar 𝐈𝐁 , 𝐈𝐜
5 6.604
empleando el simulador ORCAD / Pspice
6 6.688
o similar.
7 6.772
8 6.857
9 6.942
10 7.025
c. Con los valores obtenidos con el
simulador, haga las gráficas de las
curvas
𝐈𝐂 𝐕𝐒 𝐕𝐂𝐄 ; 𝐈𝐜 𝐕𝐒 𝐈𝐁 ; 𝛃 𝐕𝐒 𝐈𝐜 ; 𝐈𝐁 𝐕𝐒 𝐕𝐁𝐄 ;
y obtenga el gráfico de respuesta en
frecuencia indicando la ganancia de
tensión vs Frecuencia usando la escala
logarítmica.

Fig N° 8: Curvas obtenidas.


Fig N° 10

d. Obtenga el Data Sheet del transistor y e. Que voltaje AC de entrada puede


determine las características de corte y soportar el transistor 2N 2222 y el 2N
saturación así como el punto de 3904.
operación del 2N 2222 y el 2N 3904.
f. Determine la impedancia de entrada y
salida a 60 Hz.

VI. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA

a. POLARIZACIÓN- CURVAS DEL


TRANSISTOR

A) Mida las resistencias y los potenciómetros con el


multímetro y anote los valores.

Fig N° 9 B) Determine los terminales del transistor con el


multímetro o use los manuales e imprima El Data
Sheet obtenida en Internet (Nota: si el multímetro
tiene probador de transistores úselo)

C) Arme el siguiente circuito: Tenga cuidado de


colocar correctamente los terminales del
transistor.
C) A partir de la tabla completada, graficar la curva
de transferencia de entrada a salida VC vs V3

D) Graficar la curva de transferencia de corrientes


(IC vs IB) y el beta de las mismas (BETA vs IC).

E) Armar el circuito de la figura.


Fig N° 11: Circuito a analizar

D) Si usa un transistor equivalente busque en el data


sheet sus características y modifique si es
necesario el voltaje de entrada.

E) Verifique las conexiones con el multímetro,


ajuste la fuente a 12 VDC y conéctela al circuito.
Fig N° 13: Circuito tercero a analizar.
F) La corriente de base ( IB ) obtenida en el informe
previo, la puede ajustar con el potenciómetro de F) Medir las tensiones VC, VE, y VB para trazar la
500 KΩ. La corriente de base la puede medir recta de carga del circuito, variando R6.
indirectamente con la tensión en la resistencia de
10KΩ. La tensión de colector-emisor ( VCE ) la G) Determinar las corrientes y graficar la recta de
puede ajustar con el potenciómetro de 50KΩ. La carga en el plano IC vs VCE del transistor.
corriente de colector ( IC ) la puede medir Indicar la zona de operación correspondiente.
indirectamente con la tensión en la resistencia de
100Ω si solo cuenta con un amperímetro. H) Graficar en un mismo plano las diferentes rectas
de carga, a colores, indicando las zonas de
G) Para determinar las curvas IC vs VCE, ajuste y operación. Adjuntar las data sheet con los datos
mantenga IB en 40μA y varie la tensión VCE. de los transistores utilizados.
Ajuste y mantenga IB en 80μA y varie IC.
I) Armar el circuito de la figura 2, conectar los
H) Obtener las curvas IC vs IB diodos LED en serie con las resistencias R1 y R2,
colocar en V3 una fuente DC y reemplazar R1
I) Obtener las curvas IB vs VBE. por un potenciómetro.

b. TRANSISTORES BIPOLARES EN J) Para determinar la región activa varíe el voltaje


ZONA ACTIVA, CORTE Y de entrada V3 y realice las mediciones
SATURACIÓN necesarias, de tal forma que pueda determinar el
intervalo de voltaje (V(min) < V3 < V(max)) que
A) Armar el siguiente circuito: mantiene al transistor operando en la región
activa.

K) Para determinar cuando el transistor está en


corte o está en saturación, aumentar de 1v en 1v
el V(max) DC de V3; hasta encontrar un cambio
en V0. Luego repetir el procedimiento
disminuyendo V(min) de V3 desde el último
valor de v, hasta cero. En la simulación
determinar la resistencia R1 que facilite el corte
Fig N° 12: Segundo circuito a armar. y saturación de manera más rápida y usar ese
valor en la práctica de laboratorio.
B) Polarizar el dispositivo y medir VC y VB. y
completar la tabla.
VII. BIBLIOGRAFÍA

[1] Fuente del navegador


http://www.equiposylaboratorio.com/sitio/c
ontenidos_mo.php?it=1484
[2] Fuente del navegador
http://osiloscopi0.blogspot.pe/2013/10/calib
racion-de-osciloscopio.html